【課題】熱安定性を確保して特性バランスに優れた記憶素子を実現する。
【解決手段】記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層とを有する層構造を備える。その上で、上記層構造の積層方向に電流を流すことで記憶層の磁化の向きが変化して、記憶層に対して情報の記録が行われる。記憶層は、少なくともＣｏ−Ｆｅ−Ｂ磁性層を有する。また記憶層に接する中間層と、該中間層とは反対側で記憶層が接する他方の層は、少なくとも記憶層と接する界面が酸化物層とされており、さらに上記他方の層は、酸化物層が、Ｌｉを含むＬｉ系酸化物層とされている。 （もっと読む）

【課題】挿入損失で0.60dBを下回り、高い収率で製造可能なビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜（RIG）と光アイソレータを提供する。
【解決手段】化学式Ｇｄ₃（ＳｃＧａ）₅Ｏ₁₂で示される非磁性ガーネット基板上に液相エピタキシャル成長法により育成されたビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜であって、化学式Ｌａ_3-x-yＧｄ_xＢｉ_yＦｅ₅Ｏ₁₂（但し、0<x<3、0<y<3）で示され、La、Gd、Biの組成割合が、La-Gd-Bi三元系組成図上において、組成点A、組成点B、組成点C、組成点Dを頂点とする四角形の内部に相当する数値範囲を有することを特徴とする。
組成点A（La/0.15，Gd/1.66，Bi/1.19）、組成点B（La/0.32，Gd/1.88，Bi/0.80）、
組成点C（La/0.52，Gd/1.68，Bi/0.80）、組成点D（La/0.35，Gd/1.46，Bi/1.19）。 （もっと読む）

【課題】良好な記録再生特性と信頼性を両立したディスクリートトラック媒体やビットパターン媒体を作製する。
【解決手段】レジストパターン２１’をマスクとして非磁性元素２２をトラック分離域２３にイオン注入することで、トラック分離域２３の合金結晶の格子定数が、磁性層１８，１９のイオン注入されていない部分である記録トラックの合金結晶の格子定数よりも大きくなるようにする。 （もっと読む）

【課題】フェライトメッキ法に基づいたフェライト膜付着体の製造方法であって均質なフェライト膜を有するフェライト膜付着体の製造方法を提供すること。
【解決手段】基体３とその基体３に付着したフェライト膜とを備えるフェライト付着体を製造する製造方法を提供する。この製造方法は、基体３の裏側に１００μｍ以上のスペースを空けた状態で基体３を支持し、少なくとも第１鉄イオンを含む反応液と少なくとも酸化剤を含む酸化液とを反応液ノズル１及び酸化液ノズル２から基体３の表側に供給し、反応液と前記酸化液に対して重力以外に起因する２〜１５０ｍ／ｓ^２の加速度を加える。 （もっと読む）

【課題】 ホイスラー合金が形成される下地層の選択自由度が高く、熱処理温度及び熱処理回数を低減し、ホイスラー合金の高いスピン偏極率を活用できる積層体を提供する。
【解決手段】 ＭｇＯ層３と接触するように、結晶質のホイスラー合金層１が配置されている。ホイスラー合金層１のＭｇＯ層３に対して反対の面側には、非晶質のホイスラー合金層４が配置されている。 （もっと読む）

【課題】 特に、基板上に高抵抗軟磁性膜（Ｆｅ−Ｍ−Ｏ）をスパッタ成膜して成るＲＦＩＤ用あるいは電磁波抑制用としての磁性シート及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 ＲＦＩＤタグ２と、金属部材３との間に磁性シート４が挿入されている。前記磁性シート４には、樹脂シートに、Ａ−Ｍ−Ｏ（ただし元素ＡはＦｅまたはＣｏまたはその混合物を表し、元素Ｍは、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃａのうち少なくともいずれか一種を表す）から成り、元素ＭとＯの化合物を含むアモルファス相と、前記アモルファス相中に点在するＦｅまたはＣｏから選ばれる一種または二種を主体とした平均結晶粒径３０ｎｍ以下の微結晶相との膜構造で形成された高抵抗軟磁性膜がスパッタ成膜されている。これにより効果的にＲＦＩＤ特性の向上を図ることができるともに薄型化に貢献できる。またＦｅ−Ｍ−Ｏ膜に対して熱処理を施す必要がない。 （もっと読む）

【課題】絶縁性を有すると共に、永久磁石として機能し、かつ透明な磁性薄膜を形成できる磁性材スラリー、磁性材スラリーの製造方法、磁性薄膜及び磁性体を提供する。
【解決手段】シリカの結晶化を大幅に低下できることから、結晶化したシリカによる光散乱を抑制して透明性を向上させることができる。また、溶液内でのε−Ｆｅ_２Ｏ_３粒子の分散性を向上させることができ、かくしてε−Ｆｅ_２Ｏ_３粒子の沈殿を抑制して透明性を向上させることができる。従って、絶縁性を有すると共に、永久磁石として機能し、かつ透明な磁性薄膜３を形成できる磁性材スラリー、磁性材スラリーの製造方法、磁性薄膜及び磁性体を提供できる。 （もっと読む）

【課題】媒体Ｓ／Ｎが高く、ヘッドの書き滲みを抑え、耐食性に優れた垂直磁気記録媒体を実現する。
【解決手段】垂直磁気記録媒体は、基板１１の上部に軟磁性下地層１３を介して垂直記録層１６を有する。軟磁性下地層１３はＦｅを主成分とする第一の軟磁性層１３１及び第二の軟磁性層１３３と、第一の軟磁性層及び第二の軟磁性層の間に配置された反強磁性結合層１３２とを有し、反強磁性結合層１３２はＲｕ−Ｆｅ合金からなり、Ｆｅの含有率が４０ａｔ％〜９３ａｔ％である。特に、Ｆｅの含有率が８３ａｔ％〜９３ａｔ％であることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、基板と複合磁性膜の間に優れた密着性を有するバッファ層を具備する磁性材料、この磁性材料を用いたアンテナデバイス、およびその磁性材料の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
表面を有する基板と、長手方向が前記基板の表面に対して垂直方向を向いた複数の柱状体、およびこの柱状体の間隙に形成された無機絶縁体を有する複合磁性膜と、前記基板と前記複合磁性膜の間に形成され、前記複合磁性膜と同一の構成元素を有するバッファ層と、を具備することを特徴とする磁性材料、およびこの磁性材料を含むアンテナ基板とこのアンテナ基板の主面近傍に配置されたアンテナを有するアンテナデバイス、ならびに前記磁性材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】フラックス成分に鉛を含まないＬＰＥ法にて、安定的に結晶育成が可能で量産性に富み、かつ挿入損失が低く、ファラデー効果の大きいビスマスを置換した希土類鉄ガーネット単結晶を提供する。
【解決手段】鉛成分をフラックスとして用いない液相エピタキシャル法によって、非磁性ガーネット単結晶基板上に育成され、一般式 ： Ｒ_{３−ｘ−ｙ-ｗ}Ｂｉ_ｘＣａ_ｙＭ_ｗＦｅ_{５−ｚ−ｖ}Ａ_ｚＰｔ_ｖＯ_１２ （１）（式中、ＲはＹ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｈｏ、ＹｂおよびＬｕからなる群から選ばれる一種または二種以上の元素である。ＭはＮａまたはＫから選ばれる一種または二種以上の元素である。Ａは、ＧａまたはＡｌ、およびその両方の元素である。また、０．７＜ｘ＜１．４、０．０１＜ｙ＜０．１、ｚ＜１．０、ｗ＜０．０５、０．０１＜ｖ＜０．１である。）で示されるビスマスとカルシウムを置換した希土類鉄ガーネット単結晶。 （もっと読む）

【課題】垂直磁気記録媒体用基板の表面形状の評価を、より適切な指標を用いて行う。
【解決手段】垂直磁気記録方式で情報を記録する垂直磁気記録媒体の製造に用いられる垂直磁気記録媒体用基板の形状を検査する垂直磁気記録媒体用基板の検査方法であって、主表面が研磨された円盤状の基板の断面形状を測定する断面形状測定段階Ｓ２０２と、断面形状測定段階Ｓ２０２で測定された断面形状の波形をフーリエ変換することにより、断面形状の波形を波長と強度との関係に変換するフーリエ変換段階Ｓ０４と、フーリエ変換段階Ｓ２０４で得られた波長と強度との関係に基づいて基板の合否を判定する判定段階Ｓ２０８とを備える。 （もっと読む）

【課題】Ｃａを添加した融液から育成したビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を、短時間で処理することのできる熱処理技術。
【解決手段】 非磁性ガーネット単結晶基板にビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を育成する液相エピタキシャル法において、Ｃａを添加した融液から育成したビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を窒素と水素３〜２０ｖｏｌ％の混合ガス雰囲気下で短時間熱処理することで、所望の光損失特性を有するビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を得ることができる （もっと読む）

【課題】結晶質絶縁材料によるトンネルバリア層を用いた場合に、高温のアニール処理を行うことなく、高いＭＲ比を得ることができるＴＭＲ素子、薄膜磁気ヘッド、磁気メモリ及びＴＭＲ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】下側磁性層と、上側磁性層と、下側磁性層及び上側磁性層間に挟設された結晶質絶縁材料によるトンネルバリア層とを備えており、下側磁性層が、第１の磁性層と、第１の磁性層及びトンネルバリア層間に挟設された第２の磁性層とを含んでおり、第２の磁性層が、Ｆｅ、コバルトＣｏ及びニッケルＮｉのうちの少なくとも１つを含む磁性材料から構成されている。 （もっと読む）

【課題】 良好な磁気特性を有し、かつトンネル抵抗変化率の低下を抑制することができる強磁性トンネル接合素子を提供する。
【解決手段】 磁化方向が固定された強磁性材料からなるピンド層(20,22)の上に、電子がトンネル現象により透過する厚さのバリア層が配置されている。バリア層の上に、外部磁場の影響を受けて磁化方向が変化する非晶質または微結晶質の軟磁性材料で形成された第１のフリー層が配置されている。第１のフリー層の上に、外部磁場の影響を受けて磁化方向が変化するとともに、第１のフリー層と交換結合した結晶質の軟磁性材料で形成された第２のフリー層が配置されている。 （もっと読む）

【課題】グラニュラー構造の磁性層の結晶配向性を改善して、高記録密度化を達成可能な高Ｓ／Ｎ比の垂直磁気記録媒体を製造すること。
【解決手段】ガラス基板１と、ガラス基板１上に形成された六方晶金属を含む下地層５と、この下地層５上に形成され、六方晶金属を含む柱状の磁性結晶粒子および、酸化物を含み磁性結晶粒子を区画する粒界部を有する磁性層６とを含む垂直磁気記録媒体１０の製造方法は、加熱された下地層５の上に磁性層６を成膜することを特徴としている。六方晶下地層が熱処理を受けていることにより、下地層５の垂直配向性が向上しているので、六方晶下地層（０００２）面のΔθ５０（結晶配向の程度を示す指標）は狭くなり、六方晶下地層の少なくとも六方晶磁性結晶粒子との境界部分についての膜応力を緩和することができ、大きな内部応力の発生を伴うことなく、磁性層６、下地層５を成膜でき、それらの結晶配向性を改善できる。 （もっと読む）

【課題】
最もスピン分極率が高いと期待されるＦｅ_２ＣｒＳｉ組成においては、その性能を実現するにはＬ２_１構造であることが必要であるが、Ｆｅに対してＲｕを一定割合で置換したときのみ、Ｌ２_１構造が得られていた。しかしＲｕは高価でしかも環境負荷の大きい重金属であることから、Ｒｕ等を用いること無く、Ｌ２_１構造の単相組織を得るための方法が求められていた。
【解決手段】
Ｆｅ_２ＣｒＳｉの組成となるように各原料を秤量、配合し、これをアーク溶解法または高周波溶解法で溶解し、インゴットを得る。 このインゴットをＬ２_１構造の単相組織を得る目的で熱処理を行う。その条件として、１３７５Ｋ以上１５２３Ｋ以下の温度で、１時間以上２４０時間以下の範囲で不活性ガス中で熱処理を行うことにより、Ｌ２_１構造（ホイスラー構造）の単相組織が得られる。 （もっと読む）

【課題】低抵抗領域（1平方ミクロンあたり１オーム以下の領域）において、巨大な磁気
抵抗比を持つＣＣＰ（current confined path: 電流狭窄）−ＣＰＰ（current perpendicular to plane: 電流が面直に流れる形状）型の巨大磁気抵抗素子、および当該巨大式抵
抗素子を用いた磁気センサを提供する。
【解決手段】ＣＣＰ−ＣＰＰ型巨大磁気抵抗素子Ａは、反強磁性層１と、磁化固定層３と、中間層７ａと、磁化自由層５による積層構造を有し、膜面に対して垂直に電流が流れる構造に形成されている。このとき、中間層７ａとして微小孔を有する（００１）方位に優先配向した極薄酸化マグネシウム層を使用することにより、磁化自由層５から磁化固定層３（あるいはその反対方向）に流れる電流が微小孔中の金属により狭窄され、電極層の寄生抵抗の影響が相対的に減少するため磁気抵抗比が増大する。 （もっと読む）

【課題】磁性金属または磁性合金からなる柱状体の体積百分率が高くかつ透磁率実部（μ’）と透磁率虚部（μ”）の比（μ’／μ”）が大きい複合磁性膜を備えた磁性材料を提供する。
【解決手段】基板；およびこの基板上に形成され、長手方向が前記基板の表面に対して垂直方向に向いたＦｅ，ＣｏおよびＮｉの少なくとも１つから選ばれる磁性金属または磁性合金を含有する複数の柱状体と、前記柱状体の間に形成された金属の酸化物、窒化物、炭化物およびフッ化物から選ばれる少なくとも１つの無機絶縁体とを備え、前記基板表面に平行な表面内の最小異方性磁界Ｈｋ１と前記基板の表面と平行な表面の最大異方性磁界Ｈｋ２の比、Ｈｋ２／Ｈｋ１が１より大きい複合磁性膜；
を具備することを特徴とする磁性材料。 （もっと読む）

【課題】本発明は、液相エピタキシャル（ＬＰＥ）法により育成した磁性ガーネット単結晶及びそれを用いた光学素子並びに磁性ガーネット単結晶の製造方法に関し、鉛の含有量を削減した磁性ガーネット単結晶及びそれを用いた光学素子並びに磁性ガーネット単結晶の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】液相エピタキシャル成長法により育成され、化学式 Ｂｉ_ｘＮａ_ｙＰｂ_ｚＭ１_{３−ｘ−ｙ−ｚ}Ｆｅ_５−ｗＭ２_ｗＯ_１２（式中のＭ１はＹ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選択される少なくとも１種類以上の元素、Ｍ２はＧａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｐｔから選択される少なくとも１種類以上の元素であり、０．５＜ｘ≦２．０、０＜ｙ≦０．８、０≦ｚ＜０．０１、０．１９≦３−ｘ−ｙ−ｚ＜２．５、０≦ｗ≦１．６）で示される磁性ガーネット単結晶である。 （もっと読む）

【課題】 二酸化クロム単独ではキュリー点が低く、それに伴い電子素子等の材料として、室温付近での使用が不可能であった。又、所望の形、適所に成膜するには高価な装置を使う必要があり困難を伴っていたため、もっと安価で容易な製造技術が求められていた。
【解決手段】 キュリー点が低く、電子材料として使用することが不可能に近いというという課題は、二酸化クロムと酸化物状態で同一結晶構造を形成できる元素を添加することで問題を解決できた。又、成膜方法として、一般的な真空蒸着でマスクを使うことにより、安価で容易に所望の形、適所に材料提供を実現可能とした。場合によっては、スパッタリング法やレーザーアブレーション法などの蒸着技術などでも対応可能である。 （もっと読む）