【課題】安定した情報の記録および再生を行なうことができる。
【解決手段】本実施形態に係る磁気媒体は、第１磁性層、第２磁性層、および非磁性層を含む。第１磁性層は、第１磁性体により形成され、磁化の方向に応じて前記情報が記録される。第２磁性層は、前記第１磁性体と磁気異方性が異なる第２磁性体により形成される。非磁性層は、前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に積層され、非磁性体で形成される。前記第１磁性層の磁化と前記第２磁性層の磁化とは、前記非磁性層を介した磁気の交換作用により、互いの磁化が反対方向を向いて結合することを示す反平行結合する。 （もっと読む）

【課題】 分離制御および傾斜異方性を有する垂直磁気記録媒体のシステム、方法および装置を提供する。
【解決手段】 高性能な垂直磁気記録媒体の構造は、接着層、第１の軟磁性下地層（ＳＵＬ）、結合層、第２のＳＵＬ、シード層、Ｒｕ層および、オンセット層を含む複数の順次層を有する基板と、当該オンセット層上にあり且つ媒体の上書き性能を向上させる傾斜異方性を示す組成を有する少なくとも１つの酸化物層と、少なくとも１つの酸化物層上の交換結合層（ＥＣＬ）と、キャップ層と、ＥＣＬ上でキャップ層内の横方向の交換結合を減らすためにＥＣＬとキャップ層との間に設けられた分離制御層と、キャップ層上の炭素保護膜とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】ＤＣスパッタ法を用いて、ＭｇＯ膜を有する磁気記録媒体を高い生産性で製造することができ、同時にＭｇＯ膜の酸素欠損を抑制して高い結晶性を有するＭｇＯ下地層を与える方法の提供。
【解決手段】酸素含有ガス中でＭｇおよびＭｇＯを含むターゲットを用いる反応性ＤＣスパッタ法によって、非磁性基体にＭｇＯからなる中間層を形成する工程と、中間層の上に、Ｌ１₀系規則合金を含む磁気記録層を形成する工程とを少なくとも含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】低保磁力、低磁歪および低ＲＡ値を確保しつつ、高いＴＭＲ比を得る。
【解決手段】フリー層１８は、トンネルバリア層１７の側から第１の強磁性層、挿入層および第２の強磁性層が順に積層された複合構造を有する。第１の強磁性層は、ＣｏＦｅ合金、または、そのＣｏＦｅ合金にＮｉなどを添加してなる合金を含み、かつ、正の磁歪定数を有する。挿入層は、Ｆｅ，ＣｏおよびＮｉから選択される少なくとも一種の磁性元素と、Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｖ，ＭｇおよびＣｒから選択される少なくとも一種の非磁性元素とを含む。第２の強磁性層は、ＣｏＦｅやＮｉＦｅなどからなり、負の磁歪定数を有する。 （もっと読む）

【課題】磁化又は磁化反転できるレベルまで記録層の被加熱部の保磁力を容易に低減できる垂直記録型の磁気記録媒体及びこのような磁気記録媒体を備える磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】磁気記録媒体１６は、基板２４と、軟磁性層２６と、断熱層２８と、配向層３０と、記録層１２と、を有し、これらの層がこの順で基板２４の上に形成され、断熱層２８の熱伝導率が配向層３０の熱伝導率よりも低く、且つ、軟磁性層２６の熱伝導率よりも低い。 （もっと読む）

【課題】トンネルバリアの絶縁破壊寿命と磁気抵抗比を向上させる。
【解決手段】磁気抵抗効果素子は、基板の上方に形成された第１の強磁性層１０２と、前記第１の強磁性層の上方に形成された第２の強磁性層１０４と、前記第１の強磁性層と前記第２の強磁性層との間に設けられ、金属酸化物で形成された絶縁層２０７と、前記絶縁層と前記第２の強磁性層との間に設けられ、前記絶縁層の前記第２の強磁性層側の面に接し、前記金属酸化物を構成する金属元素と同じ金属元素を含有する非磁性金属層２０８とを具備する。 （もっと読む）

【課題】ＣＰＰ−ＧＭＲにおいて、適度な面積抵抗と高い磁気抵抗変化率を有し、かつ狭リードギャップの要請に対応した実用的な磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁化方向が一方向に固着された第１の強磁性体膜１１７を含む強磁性固定層と、磁化方向が外部磁界に対応して変化する第２の強磁性体膜１２３を含む強磁性自由層と、強磁性固定層と強磁性自由層との間に設けられた中間層１２１と、電流を絞り込むための電流狭窄層１２０を有し、強磁性固定層及び強磁性自由層の少なくとも一方は高分極率層を有する。 （もっと読む）

【課題】良好な熱安定性と記録再生特性をともに有し、高記録密度が可能な垂直磁気記録媒体およびこれを用いた磁気記録装置を提供すること。
【解決手段】非磁性基板上に、少なくとも裏打ち層と下地層と磁気記録層を有する磁気記録媒体である。この垂直磁気記録媒体において、前記磁気記録層は少なくともＣｏとＰｔを含むグラニュラ構造を有する垂直磁気記録層と、その上に少なくとも２層以上の面内磁気記録層が反強磁性結合している磁気記録層が積層された構造をしている。 （もっと読む）

【課題】高密度磁気記録に適するパターンメディアとして望ましい２層垂直媒体構造において、個々のビットの磁気的性質の均一化、記録磁化膜の耐食性や機械強度の改善などの点で優れた特性を持つ磁気記録媒体を提供するとともに、1Tb/in²以上の高密度磁気記録が可能な磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る磁気記録媒体は、単結晶基板の上に形成された軟磁性膜と、軟磁性膜の上に形成された非磁性中間層膜と、非磁性中間層膜の上に形成された硬磁性膜とを備え、硬磁性膜が記録単位で隣接ビットと磁気的に分離された構造を持つバターンメディア型の磁気記録媒体において、軟磁性膜(Co膜102)、非磁性中間層膜（Au膜105）、硬磁性膜（Co−26at%Pt合金膜106）のいずれもが単結晶基板101に対してエピタキシャル成長した膜により形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】垂直磁気記録媒体における磁気記録層の配向性を改善し、さらに磁気記録層における初期成長層を低減することにより、高出力化および低ノイズ化といった媒体性能の向上の実現。
【解決手段】非磁性基体上に軟磁性裏打ち層、下地層、中間層、磁気記録層、保護膜、液体潤滑層を順次有し、下地層が軟磁性であり、中間層が非磁性であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】スピントランスファートルクに起因するノイズの低減を図った磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気記憶装置、および磁気メモリを提供する。
【解決手段】磁化固着層、非磁性層、磁化自由層を有する磁気抵抗効果素子の磁化固着層、または磁化自由層内にＺｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｌａ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕのいずれかを含む層を配置する。 （もっと読む）

【課題】結晶質構造のトンネルバリア層における面内応力を緩和し、ＭＲ比の向上を可能とする磁気抵抗効果素子及びかかる磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子は、下部層と、トンネルバリア層８と、上部層とを有している。下部層、トンネルバリア層８、および上部層はこの順で互いに隣接して積層され、下部層と上部層のいずれか一方は、外部磁界に対して磁化の向きが固定され、他方は外部磁界に応じて磁化の向きが変わることができる。トンネルバリア層８の面内方向に結晶質部分８１と非晶質部分８２とが混在している。 （もっと読む）

本発明は磁気抵抗メモリデバイスを含む。メモリデバイスは、第１磁性層、第２磁性層、及び第１磁性層と第２磁性層の間の非磁性層を有するスタックからなるメモリビットを含む。第１導電性ラインはスタックに近接して設けられ、メモリビットから情報を読み出すように構成される。第２導電性ラインは、第１導電性ラインがスタックから離れている距離よりはもっとスタックから離れて設けられ、メモリビットへ情報を書き込むように構成される。本発明はまた、クロスポイントアレイ構造における情報の記憶及び再生の方法を含む。
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【課題】高周波帯域で用いる量産性に優れた小型低背型のインダクタンス部品およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】コイル１と、少なくとも基材３の片面に第１の金属層４と第１の金属磁性体層５と銅酸化物を含む中間層６と第２の金属磁性体層７を積層した多層磁性体層２とからなるインダクタンス部品であり、前記第１および第２の金属磁性体層５，７にＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏからなる群のうちの少なくとも一つを含むとともに前記中間層６を第１および第２の金属磁性体層５，７より比抵抗の大きい材料で構成する。 （もっと読む）

【課題】高飽和磁束密度でキュリー温度が常温（２５℃）で使用するのには問題ない温度の、希土類金属合金層を有する強磁性積層薄膜を提供することにある。
【解決手段】希土類金属合金層を有する強磁性積層薄膜において、該強磁性積層薄膜は、Ｎｉ元素が８０%付近からなる組成のパーマロイ層と、該パーマロイ層との界面で強磁性的に交換相互作用する、Ｍｎ元素を主成分とする反強磁性合金層と、該Ｍｎ元素を主成分とする反強磁性合金層との界面で反強磁性的に交換相互作用するＧｄＺｎ合金層と、該ＧｄＺｎ合金層との界面で反強磁性的に交換相互作用する、該Ｍｎ元素を主成分とする反強磁性合金層と、該Ｍｎ元素を主成分とする反強磁性合金層との界面で強磁性的に交換相互作用する前記パーマロイ層を順次積層した薄膜または前者４層からなる１周期の積層を単位積層として該単位積層を多層に積層し、最後に前記パーマロイ層を積層した薄膜である。 （もっと読む）