【課題】強い磁界に配置された場合であっても、導体層の磁化の程度が比較的小さいセラミック構造体、および、半導体装置を提供する。
【解決手段】セラミックスの表面に導体層が設けられたセラミック構造体１０であって、導体層は、セラミックスの表面に被着されたメタライズ層１４と、メタライズ層上に設けられたＮｉメッキ層１６と、Ｎｉメッキ層上に設けられた反磁性金属層１８、１９と、を有して構成されたことを特徴とするセラミック構造体。 （もっと読む）

【課題】 フェライトめっき法によるフェライト薄膜の製造方法において、生成速度を向上して工業的な生産性を増し、薄型基体にも均質なフェライト薄膜が成膜できる製造方法を提供すること。
【解決手段】 フェライト薄膜の製造方法であって、成膜基体２と補強基体３が一体となった基体１にフェライト薄膜を成膜することを特徴とするフェライト薄膜の製造方法で、少なくとも第一鉄イオンを含む反応液を前記基体１に接触させる工程と、少なくとも酸化剤、もしくは少なくとも酸素を含んだ酸化媒体を前記基体１に接触させる工程と、前記反応液、酸化溶液の内フェライト薄膜生成に寄与しない残分を前記基体１から除去する工程を備えるフェライト薄膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】レジストの残存溶剤の濃度分布に起因する金属薄膜の寸法精度の悪化を防止する。
【解決手段】基層の上にシード層を形成し（Ｓ４）、シード層の上に、上部の残存溶媒濃度が低く下部の残存溶媒濃度が高い第１のフォトレジスト層を形成し（Ｓ６）、第１のフォトレジスト層の上に、第１のフォトレジスト層まで到達する第１の開口を有するマスクパターン層を形成し（Ｓ７〜１０）、マスクパターン層をマスクとして第１のフォトレジスト層をエッチングし、第１のフォトレジスト層に、第１の開口と連通し、かつシード層まで達する第２の開口を形成し（Ｓ１１）、第１のフォトレジスト層をフォトレジストフレームとして、かつシード層を電極として、電気めっき法により、第２の開口内に金属層を形成し（Ｓ１２）、第２の開口内に金属層を形成した後に第１のフォトレジスト層およびマスクパターン層を除去する（Ｓ１3）。 （もっと読む）

【課題】磁界の印加角度に依存せずに磁気センサを動作させる。
【解決手段】互いに直交するＸ方向及びＹ方向について、それぞれの方向を向いて配置された磁気抵抗素子を２つずつ備え、これら４つの磁気抵抗素子がブリッジ回路を構成してなる磁気センサの動作方法であって、Ｙ方向を向いて配置された２つの磁気抵抗素子１１，１４に対してＸ方向にバイアス磁界を印加することにより当該磁気抵抗素子１１，１４の抵抗を飽和させてからブリッジ回路１０のブリッジ電圧Ｖｘを測定する第１工程、Ｘ方向を向いて配置された２つの磁気抵抗素子１２，１３に対してＹ方向にバイアス磁界を印加することにより当該磁気抵抗素子１２，１３の抵抗を飽和させてからブリッジ回路１０のブリッジ電圧Ｖｙを測定する第２工程、第１工程によるブリッジ電圧Ｖｘと第２工程によるブリッジ電圧Ｖｙとの和から磁気センサの出力を得る第３工程を行う。 （もっと読む）

【課題】高周波領域での透磁率を簡易に向上させることが可能な薄膜磁気デバイスを提供する。
【解決手段】下部磁性膜１１および上部磁性膜１４の表面または裏面のうちの少なくとも一方側に、コイル１３の延在方向（例えば、第２のコイルパターンの延在方向であるＹ軸方向）に沿って延在するキズ状溝１６，１７を形成する。キズ状溝１６，１７の形成領域（下部磁性膜１１Ｂ，１１Ｄおよび上部磁性膜１４Ｂ，１４Ｄの形成領域）において、異方性磁化Ｍｂ，Ｍｄの磁化方向が制御され、異方性磁化Ｍｂ，Ｍｄの磁化方向の変位（回転）がキズ状溝１６，１７によってピン止めされる。したがって、高周波領域でもある程度の透磁率が維持される。また、このようなキズ状溝１６，１７の形成によって、製造工程が複雑化することはない。 （もっと読む）

【課題】パターン化された磁気記録媒体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板及び所定間隔をおいて配列された複数の磁気記録層を備えるパターン化された磁気記録媒体であり、磁気記録層は、Ｃｏ、Ｐｔ及びＮｉを含む合金で形成されたパターン化された磁気記録媒体。これにより、読み出し及び書き込み特性に優れ、高い耐蝕性及び記録密度を有する。 （もっと読む）

【課題】 フェライト薄膜は膜を構成する個々の結晶粒が柱状結晶から生成されると均一な薄膜が得られるが、成膜温度を一定条件下に保たないと結晶の柱状が崩れ、粒状の結晶に成膜されやすく、均一なフェライト薄膜の製造は困難であった。そこで、全体にわたって均質で、かつ優れた軟磁気特性を有するフェライト薄膜の製造装置および製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 側面ヒーター５が基体７の側面に配置され、側面の斜め上方向から基体表面が加熱される。基体上にフェライト結晶が成膜されるが、基体表面に充分に熱が照射されることにより、フェライト結晶の上面は常に初期の基体上面の温度と同程度の温度に保つことができるため、均一な柱状結晶を得ることが可能である。 （もっと読む）

【課題】磁気ディスク装置のデ−タ転送速度の高速化と高記録密度化に伴い、記録周波数の高周波数化が進み、ライト後ノイズが増加する。
【解決手段】上部磁気シールド２６に、浴温30±1゜C、pH 2.0+0.5/−1.0、浴組成が、金属イオン濃度Ni²⁺5〜25(g/l)，Fe²⁺5〜15(g/l)、サッカリンナトリウム1.5±1.0(g/l)、塩化ナトリウム25±5(g/l)、ほう酸25±5(g/l)のめっき浴を用いて、結晶構造が面心立方相(fcc)と体心立方相(bcc)の磁性めっき薄膜を交互に積層した多層磁性膜を用いる。上下の磁性薄膜の結晶構造が異なるので、膜ごとにエピタキシャル成長が断ち切られ、結晶粒径を小さく制御することができる。結晶粒径が小さくなることによりライト後リードノイズを低減することができ、高記録周波数帯域でも使用可能な再生ヘッド２０を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】磁気ディスク装置の更なるデータ転送速度の高速化と高記録密度化のためには、薄膜磁気ヘッドの磁気コア部の高記録周波数帯域における透磁率μの低下を少なくする必要がある。
【解決手段】上部磁気コア３７及び下部磁気コア３１に、浴温30±1゜C、pH 2.0+0.5/−1.0、浴組成が、金属イオン濃度Ni²⁺5〜25(g/l)，Fe²⁺5〜15(g/l)、サッカリンナトリウム1.5±1.0(g/l)、塩化ナトリウム25±5(g/l)、ほう酸25±5(g/l)のめっき浴を用いて、結晶構造が面心立方相(fcc)と体心立方相(bcc)の磁性めっき薄膜を交互に積層した多層磁性膜を用いる。上下の磁性めっき薄膜の結晶構造が異なるので、膜ごとにエピタキシャル成長が断ち切られ、結晶粒径を小さく制御することができる。結晶粒径を小さ制御することにより高記録周波数帯域における透磁率μの低下を少なくすることができる。 （もっと読む）

【課題】低ノイズで良好な信号再生特性を有する垂直磁気記録媒体の製造に適する基板およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】非磁性基板１１上に無電解メッキ法で軟磁性裏打ち層１２を形成する。メッキ成膜された軟磁性裏打ち層には、熱処理温度が２５０℃以上３５０℃以下、基板への印加磁場強度が１０キロエルステッド（ｋＯｅ）以上の範囲で条件選択されて磁場中熱処理が施される。この磁場中熱処理により、軟磁性膜の面内径方向の磁化飽和磁場強度（Ｈ_d）と面内周方向の磁化飽和磁場強度（Ｈ_c）との差（δＨ＝Ｈ_d−Ｈ_c）の絶対値が５エルステッド（Ｏｅ）以上の磁気的異方性であって、基板中心軸に対する対称性を有する磁気的異方性が付与されるとともに、軟磁性膜中のリップル構造に起因する低周波域のノイズが、２０ＭＨzでみて熱処理前の２分の１以下とされる。このような磁気的異方性をもつ軟磁性裏打ち層はノイズ低減に効果的である。 （もっと読む）

【課題】 高飽和磁束密度を備えるとともに軟磁気特性にすぐれ、磁気ディスク装置に用いられる磁気ヘッドの磁性膜として好適に使用できる軟磁性薄膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 Fe，Co，Niのうち２又は３元素から成る合金を電解めっき法により成膜し，めっき膜の内部応力が400 MPa以上に形成されたことを特徴とする。めっき膜の内部応力を高める方法としては、たとえば、電解めっき法により磁性薄膜を形成した後、めっき膜に150℃以上でアニール処理を施す方法が利用できる。 （もっと読む）

【課題】飽和磁束密度が大きく且つ保磁力が小さい特性を安定して実現することのできる軟磁性膜を提供する。
【解決手段】磁気ヘッドの磁極層は、鉄・コバルト・ニッケル系合金よりなる軟磁性膜を含んでいる。軟磁性膜に含まれる鉄、コバルトおよびニッケルの合計を１００重量％としたとき、軟磁性膜において、鉄の含有量は４２重量％以上９０重量％以下であり、コバルトの含有量は０重量％以上４８重量％以下であり、ニッケルの含有量は１０重量％以上２０重量％以下である。また、軟磁性膜は、体心立方構造相と面心立方構造相との混晶である結晶構造を有する。軟磁性膜は、方向が交互に切り替わるめっき電流を用いて電気めっきによって製造される。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、ＭＴＪ素子形成後の層間絶縁膜形成工程におけるＭＴＪ素子の酸化を、簡易かつ効果的に防止しうる磁気メモリ装置の構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明の磁気メモリ装置は、第１の磁性層及び第２の磁性層を有し、前記第１の磁性層の磁化方向及び前記第２の磁化方向に基づいて抵抗値が変化する磁気抵抗効果素子を備え、前記磁気抵抗効果素子の外表面のうち、前記第１の磁性層及び第２の磁性層の外表面が窒化されている。 （もっと読む）

【課題】 フェライトめっき法によって均質な膜を得ることができるフェライト膜の製造装置を提供すること。
【解決手段】 少なくとも第一鉄イオンを含む反応液および少なくとも酸化剤を含む酸化液を加熱された基体１に供給する機構と、その反応液および酸化液を前記基体から除去する機構とを有するフェライト膜の製造装置であり、その基体１の加熱は少なくとも製造装置内の雰囲気を加熱する手段を備えてなされる。また、加熱した気体を基体１の周りに導入することによって基体１の加熱を行う。また、その加熱した気体は水を含む液体を発熱体に接触させて発生させた蒸気とする。 （もっと読む）

【課題】樹脂を用いることなく、吸収特性の向上および制御が可能な電波吸収体を提供するとともに、該電波吸収体の簡便な製造方法を提供する。
【解決手段】基材と、該基材に設けられた複数の孔とを有する電波吸収体であって、基材が樹脂を含まないフェライトで形成されたことを特徴とする。また、基材に複数の孔を形成して電波吸収体を製造する方法であって、エアロゾルデポジション法またはフェライトメッキ法により、樹脂を含まないフェライト基材を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 磁気ディスク装置に好適に用いられ、飽和磁束密度が高く、光沢性が良好なＦｅ−Ｃｏ合金からなる磁性薄膜、及びＦｅ組成が高くても、光沢剤を使用することなく良好な光沢性を付与することができ、高飽和磁束密度の磁性薄膜を安定的かつ高効率に製造することができる磁性薄膜の製造方法、並びに、該磁性薄膜を備え、高記録かつ高性能な磁気ディスク装置の提供。
【解決手段】 磁気ディスク装置に用いられ、Ｆｅ−Ｃｏ合金からなり、かつＦｅの含有量が６０質量％である磁性薄膜を、スルファミン酸塩を少なくとも含み、かつ光沢剤を含まないめっき液を用いて形成させることを含む磁性薄膜の製造方法である。磁性薄膜の形成が、パルスめっきにより行われる態様、磁性薄膜の飽和磁束密度が２．３５Ｔ以上である態様等が好ましい。該磁性薄膜の製造方法により製造された磁性薄膜である。該磁性薄膜を少なくとも備えた磁気ディスク装置である。 （もっと読む）

【課題】軟磁気特性が良好で、飽和磁束密度が大きい軟磁性膜を安定して製造する。
【解決手段】方向が交互に切り替わるめっき電流を用いて電気めっきを行って、主要元素が鉄およびニッケルである合金よりなる軟磁性膜を製造する。この軟磁性膜において、合金に含まれる鉄およびニッケルの合計に対する鉄の割合とニッケルの割合をそれぞれａ重量％、（１００−ａ）重量％と表したときに、ａは８０以上１００未満である。また、軟磁性膜の飽和磁束密度は、２．０Ｔ以上である。また、合金に含まれる鉄およびニッケルの合計を１００重量％としたとき、合金に含まれる鉄およびニッケル以外の元素の割合は、１．３重量％以下である。 （もっと読む）

【課題】 フレームめっき法を使用して可能な限り均一な厚さとなるように複数の磁性層パターンを安定に形成することが可能な磁性層パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】 フォトレジストパターンのうちのフレーム部の厚さとめっき膜の厚さとの間の相関を表す相関データに基づいて、各フレーム部１０４Ｆ１〜１０４Ｆ３の厚さに各開口部１０４Ｋ１〜１０４Ｋ３ごとに差異を設けることにより、各フレーム部１０４Ｆ１〜１０４Ｆ３の厚さが各開口部１０４Ｋ１〜１０４Ｋ３ごとに異なるようにフォトレジストパターン１０４を形成したのち、そのフォトレジストパターン１０４のうちの各開口部１０４Ｋ１〜１０４Ｋ３に選択的にめっき膜を成長させることにより複数の磁性層パターン１０５を形成する。一連の磁性層パターン１０５の形成厚さがばらつきにくくなり、すなわち一連の磁性層パターン１０５の形成厚さが均一化される。 （もっと読む）

【課題】 生成速度の向上と均質な柱状結晶の集合体であるフェライト膜の製造装置を提供する。
【解決手段】 フェライト形成面を下方向から横方向にの範囲に保持し、少なくとも第一鉄イオンを含む反応液および、少なくとも酸化剤、もしくは少なくとも酸素を含んだ酸化媒体を基体３に接触させる機構によって、固体表面以外で副次的に形成されたフェライトの微粒子を効率的に除去して生成速度を向上させ、均質な柱状結晶の集合体であるフェライト膜を製造する。 （もっと読む）