【課題】電子部品が許容できる値を有するかどうかを判定するために電子部品のパラメータを自動的に試験する。
【解決手段】本方法（１０００，１１００，１２００，１３００，１４００）は、パラメータが測定できる少なくとも第１及び第２の測定位置を有する自動的電子部品試験機（２）を使用する。上記値が実際に許容範囲内にあるとき、試験工程それ自体によって、その値が誤って許容範囲内でないように思わせる。本方法は、電子部品（１２，１２０）を第１の測定位置に載置し、その第１の測定位置でパラメータを測定し、それによって、第１の測定パラメータ値を生成する。本方法もまた、電子部品（１２，１２０）を第２の測定位置に載置し、その第２の測定位置でパラメータを測定し、それによって、第２の測定パラメータ値を生成する。本方法は、全測定パラメータ値が許容範囲内にない場合にのみ、その電子部品（１２，１２０）を不合格にして、それによって、電子部品（１２，１２０）を誤って不合格にする確率は単一の測定ステップのみが行われる場合より小さい。 （もっと読む）

【課題】 キャリアフィルムに支持されたセラミックグリーンシートにレーザ光を照射して貫通孔を形成する際に、孔がキャリアフィルムを貫通しないようにしつつ形状を略円柱状に形成する。
【解決手段】 樹脂フィルムからなるキャリアフィルム本体１２と、前記キャリアフィルム本体の一方の主面に形成された金属薄膜層１１と、を有してなるセラミックグリーンシート用キャリアフィルム１０を用い、前記キャリアフィルム本体１２の他方の主面にセラミックグリーンシート２０を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は各種電子機器に用いられる積層型電子部品の製造方法に関し、積層型電子部品のシールド性を向上させることを目的とする。
【解決手段】シールド電極１１及びこのシールド電極１１を外部接続する端子電極１２を有する積層型電子部品において、誘電体層を形成するグリーンシート１５上に所定の電極を形成し、このグリーンシート１５をシールド電極１１が表面に露出するように適宜積み重ね、この積層体６上に露出したシールド電極１１の所定の領域を残し絶縁被膜層１３を設け加圧成形した後に焼成し、絶縁被膜層１３から露出したシールド電極１１部分を端子電極とした。 （もっと読む）

【課題】本発明は各種電子機器に用いられる積層型電子部品に関し、接続電極に加わる外部応力による積層体のクラックの発生を抑制することを目的とする。
【解決手段】積層型電子部品の外側面に設けられる接続電極８を、積層体６の外側面に設けられた溝を満たす柱状電極９と、この柱状電極９に接続されるよう積層体６の外側面上に設けられた側面電極１０とから形成するとともに、この側面電極１０におけるガラス含有量を前記柱状電極９におけるガラス含有量より少なく設定する。 （もっと読む）

内部電極層を含む素子本体を有する電子部品であって、前記内部電極層が、合金を含み、該合金が、ニッケル（Ｎｉ）元素と、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、レニウム（Ｒｅ）および白金（Ｐｔ）から選ばれる少なくとも１種の元素とを、有し、各成分の含有量が、Ｎｉ：８０〜１００モル％（ただし、１００モル％は除く）、Ｒｕ、Ｒｈ、ＲｅおよびＰｔの合計：０〜２０モル％（ただし、０モル％は除く）である電子部品。
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【課題】 積層型電子部品の製造時に生じるシートアタック現象や、グリーンシート間における溶剤の移動を防止することによりショート不良の発生を抑制する。
【解決手段】 第１の樹脂及び前記第１の樹脂と重合可能な第２の樹脂を含む混合誘電体ペーストを支持体上に塗布し、第１及び第２の樹脂を重合させることによりグリーンシートを形成するステップ（Ｓ２，Ｓ３）と、グリーンシートの表面に電極パターン層を形成するステップ（Ｓ４）とを備える。本発明によれば、電極パターン層を形成するステップがいわゆるＷｅｔ−ｏｎ−Ｄｒｙ方式となるが、電極パターン層を形成する時点では、２液重合により既にグリーンシートが硬化していることから、シートアタック現象が生じることはない。 （もっと読む）

【課題】 表面に離型処理が施された基材上に微細な導体パターン部を形成できるセラミックグリーンシートの製造方法及びセラミック電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】 本実施形態のセラミックグリーンシートの製造方法では、まず、表面１ａに離型処理が施された基材１上に、所定の溶媒に対して可溶性を有する導電材料からなる導体層５ａを形成する。次に、導体層５ａ上に、所定の溶媒に対して不溶性を有するセラミック材料からなるセラミックパターン部７を形成する。次に、所定の溶媒を用いて導体層５ａをエッチングすることにより導体パターン部５を形成する。次に、基材１上にセラミック層９を形成する。これにより、セラミックグリーンシート１０が得られる。 （もっと読む）

【課題】内部電極との電気的接続の信頼性に優れ、かつ、焼結密度が高く、耐衝撃性に優れた外部電極を有する信頼性の高いセラミック電子部品を効率よく製造することが可能なセラミック電子部品の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】セラミック電子部品素子１の搬入口１２から所定距離までの領域Ｒ１においては、セラミック電子部品素子の進行方向（Ａの方向）と直交する方向（Ｄ１および／またはＤ２の方向）から第１の雰囲気ガスを供給するとともに、進行方向と同一方向（Ｃの方向）に向かって第３の雰囲気ガスを供給し、かつ、領域Ｒ１を超える領域Ｒ２においては、セラミック電子部品素子の進行方向と直交する方向から第１の雰囲気ガスを供給するとともに、進行方向と逆の方向（Ｂの方向）に向かって第２の雰囲気ガスを供給し、かつ、領域Ｒ１と該領域Ｒ１を超えた領域Ｒ２の境界部において、トンネル式熱処理炉Ｆ内の雰囲気ガスを排気する。 （もっと読む）

【課題】本発明は各種電子機器に用いられる積層型電子部品に関し、積層型電子部品のシールド性を向上させることを目的とする。
【解決手段】積層型電子部品に設けられるシールド電極１１が積層体６の下面に設けられるとともに、その所定部分を除くシールド電極１１の表面を絶縁被膜層１３で覆い、このシールド電極１１の露出部分を端子電極１２としたことにより、実質的にシールド電極が直接接地される構造となり、積層型電子部品のシールド性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、各種電気機器のハイパスフィルターやローパスフィルターに使用される抵抗キャパシタ複合素子に関し、部品の内蔵化に適した構成で、部品の小型化された抵抗キャパシタ複合素子を提供することである。
【解決手段】
基板の片面に一定に間隙を有し、第１電極と第２電極を設け、前記第１電極と第２電極の間隙に、前記第１電極を覆い、かつ前記第２電極と接しない状態で、誘電体層を形成し、さらに前記第２電極をおよび前記誘電体層と接する状態で抵抗層を設けることにより解決した。 （もっと読む）

【課題】 積層型電子部品の製造時に生じるシートアタック現象や、グリーンシート間における溶剤の移動を防止することによりショート不良の発生を抑制する。
【解決手段】 第１の樹脂を含む第１のペースト膜を支持体上に形成し（ステップＳ２）、第１の樹脂と重合可能な第２の樹脂を含む第２のペースト膜を未乾燥状態である第１のペースト膜上に形成し（ステップＳ３）、これら第１及び第２の樹脂を重合させることによってグリーンシートを形成した後（ステップＳ４）、グリーンシートの表面に電極パターン層を形成する（ステップＳ５）。本発明によれば、電極パターン層を形成するステップがいわゆるＷｅｔ−ｏｎ−Ｄｒｙ方式となるが、電極パターン層を形成する時点では、２液重合により既にグリーンシートが硬化していることから、シートアタック現象が生じることはない。 （もっと読む）

【課題】低ＥＳＬ特性を有する積層型キャパシターアレイおよびその配線接続構造を提供する。
【解決手段】積層型キャパシターアレイは、キャパシター本体と、積層誘電体層各層を間に挟んで対向、交代配置した第１及び第２内部電極と、上記本体の上下面の一面以上に形成した第１外部端子と第２外部端子と、上記本体の積層方向に形成し上記第１外部端子と上記第２外部端子に各々連結した第１導電性ビアホールと第２導電性ビアホールを含む。第１導電性ビアホールは第１内部電極に接続され、第２内部電極とは電気的に絶縁され、第２導電性ビアホールは第２導電性ビアホールを含むｋ個(ｋ≧２)のグループに区分される。第２内部電極は第２内部電極を含むｋ個のグループに区分し、第２導電性ビアホールは上記各グループの第２内部電極に接続され、他のグループの第２内部電極及び上記第１内部電極とは電気的に絶縁される。 （もっと読む）

【課題】厚膜導電層とメッキ導電層の接合強度を効果的に増大できるセラミック電子部品及び積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】セラミック素体１の表面に、セラミック素体１側から順に、厚膜導電層５ａ、６ａ、メッキ導電層５ｂ、６ｂを形成して成る外部電極５、６を有して成り、厚膜導電層５ａ、６ａは、その外表面に多数個の凹部Ｐを有するとともに、メッキ導電層５ｂ、６ｂは、凹部Ｐを充填しつつ厚膜導電層５ａ、６ａを被覆して成り、且つ、充填部の平均厚みａは、充填部を含めたメッキ導電層の平均厚みｂに対して、０．１ｂ≦ａの関係を満たすセラミック電子部品１０とする。 （もっと読む）

ｃ軸が基板面に対して垂直に配向しているビスマス層状化合物が、組成式：（Ｂｉ_２Ｏ_２）^２＋（Ａ_ｍ１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋１）^２−、またはＢｉ_２Ａ_ｍ１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋３で表され、前記組成式中の記号ｍが奇数、記号ＡがＮａ、Ｋ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ、ＣａおよびＢｉから選ばれる少なくとも１つの元素、記号ＢがＦｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｂ、Ｖ、ＭｏおよびＷから選ばれる少なくとも１つの元素であり、前記ビスマス層状化合物のＢｉが、前記組成式：（Ｂｉ_２Ｏ_２）^２＋（Ａ_ｍ−１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋１）^２−、またはＢｉ_２Ａ_ｍ−１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋３に対して、過剰に含有してあり、そのＢｉの過剰含有量が、Ｂｉ換算で、０＜Ｂｉ＜０．６×ｍモルの範囲である。
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【課題】 表面に離型処理が施された基材上に微細な導体パターン部を形成できるセラミックグリーンシートの製造方法及びセラミック電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】 本実施形態のセラミックグリーンシートの製造方法では、まず、表面１ａに離型処理が施された基材１上に、所定の溶媒に対して可溶性を有するセラミック材料からなるセラミック層５ａを形成する。次に、セラミック層５ａ上に、感光性導電材料からなる導体層１３ａを形成する。次に、導体層１３ａの所定部分１３ｂに露光を施す。次に、所定の溶媒を用いて導体層１３ａを現像することにより導体パターン部１３を形成する。次に、基材１上にセラミック層９を形成する。これにより、セラミックグリーンシート１０が得られる。 （もっと読む）

【課題】電子部品本体内部の導体層の変形による絶縁不良や信頼性不良を抑制して高信頼性の積層型電子部品およびその製法を提供する。
【解決手段】前記有効部９内における導体層７が曲がった状態にあり、前記有効部９を積層方向に等しい厚みで２分割して、上層側を上部有効部９ａ、一方の下層側を下部有効部９ｂとし、かつ前記導体層７のうち、前記上部有効部９ａ内における前記導体層７の前記有効部導体層７ｂの面を基準面７ｃとし、前記導体層７の一部が前記基準面７ｃから積層方向へ最も離れた位置にあるときの変形量をｔｒ１とし、前記下部有効部９ｂ内における前記導体層７が前記基準面７ｃから積層方向へ最も離れた位置にあるときの変形量ｔｒ２としたときに、ｔｒ１／ｔｒ２＝０．８〜１．２の関係を満足する。 （もっと読む）

セラミック粉体と、バインダ樹脂と、可塑剤と、溶剤とを有するグリーンシート用塗料であって、バインダ樹脂が、ポリビニルブチラール樹脂を含み、そのポリブチラール樹脂の重合度が１０００以上１７００以下であり、樹脂のブチラール化度の公称値が６５％以上７８％より小さく、残留アセチル基量が６％未満である。
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硬化可能なスラリーを用いてスピンコーティング法等により薄い誘電体層を形成し積層することで、厚み精度が高く、高容量及び高信頼性を有する積層セラミックチップ及び積層セラミックキャパシタの形成方法が開示される。このような積層セラミックチップの形成方法は、セラミックスラリーを用いて湿式成形方法により積層セラミックチップを形成する方法であって、ａ−１）セラミックスラリー及び金属電極ペーストを製造するステップと、ａ−２）セラミックスラリーを所定の方法により塗布して第１セラミック層を形成するステップと、ａ−３）第１セラミック層を硬化するステップと、ａ−４）硬化した第１セラミック層の上に内部電極を印刷するステップと、ａ−５）内部電極が印刷された第１セラミック層の上にセラミックスラリーを所定の塗布方法を用いて第２セラミック層を形成するステップと、ａ−６）第２セラミック層を硬化するステップと、ａ−７）第１及び第２セラミック層が所定の層数に到達するまでａ−４）乃至ａ−６）ステップを繰り返してセラミックチップを形成するステップと、を含む。
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【課題】 表面に離型処理が施された基材上に微細な導体パターン部を形成できるセラミックグリーンシートの製造方法及びセラミック電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】 本実施形態のセラミックグリーンシートの製造方法では、まず、表面１ａに離型処理が施された基材１上に、所定の溶媒に対して可溶性を有する導電材料からなる導体層５ａを形成する。次に、導体層５ａ上に、所定の溶媒に対して不溶性を有する導電材料からなる第１の導体パターン部７を形成する。次に、所定の溶媒を用いて導体層５ａをエッチングすることにより第２の導体パターン部５を形成する。次に、基材１上にセラミック層９を形成する。これにより、セラミックグリーンシート１０が得られる。 （もっと読む）

【課題】 静電容量の温度特性に優れ、ＩＲ温度依存性が低く、信頼性の高いセラミック電子部品およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 誘電体層を有するセラミック電子部品であって、前記誘電体層が、組成式Ｂａ_ｍ ＴｉＯ_２＋ｍ （ｍが０．９９５≦ｍ≦１．０１０であり、ＢａとＴｉとの比が０．９９５≦Ｂａ／Ｔｉ≦１．０１０）で表される主成分と、Ａｌの酸化物と、Ｓｉの酸化物またはＲの酸化物（ただし、ＲはＳｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，ＹｂおよびＬｕから選択される少なくとも１種）と、を副成分として含有し、前記Ａｌの酸化物の少なくとも一部と、前記Ｓｉの酸化物または前記Ｒの酸化物の少なくとも一部とは、主として前記主成分から構成される主相とは異なる２次相が含まれていることを特徴とするセラミック電子部品。 （もっと読む）