【課題】ダンピング抵抗でありながら高周波側において減衰特性を付加した電子部品を提供する。ここで、減衰特性を付加したとしても、ＣＲフィルタに比べて、移相特性を平坦な特性として、信号の波形歪みを少なくする。
【解決手段】電子部品は、樹脂基板と、該樹脂基板の上に接着された、厚みが１μｍ以上の金属からなる接地電極と、該接地電極の上に形成された誘電体層と、該誘電体層の上に形成された、体積抵抗が１μΩｍ以上１Ωｍ以下の抵抗体からなるパターニング形成された信号ラインと、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ブレイクダウン電圧の低下を防止する絶縁体層の密着強度を高めて信頼性を向上させた薄膜キャパシタ素子と、その製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の薄膜キャパシタ素子は、基板１上に形成された下部電極２と、下部電極２上に形成された誘電体層３と、これら下部電極２および誘電体層３の傾斜側面２ａ，３ａを含む側縁部を覆う領域に形成された絶縁体層４と、誘電体層３上に形成され絶縁体層４上を経由して基板１上へと導出された上部電極５とを備え、誘電体層３および絶縁体層４がＳiＯ2等の無機物からなる。この薄膜キャパシタ素子の製造過程で、下部電極２と誘電体層３用のレジストマスク６や絶縁体層４用のレジストマスク７は、その側面６ａ，７ａをベーク処理にて傾斜させてから異方性エッチングを行うため、傾斜側面２ａ，３ａや傾斜側面４ａ，４ｂが形成される。 （もっと読む）

【課題】 エッチング後の形状の半導体基板内での均一性を保つことが可能な誘電体容量素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 ＧａＡｓエピタキシャル基板１０１上に、斜面の折り返しにより形成される凸部を複数有するＳｉＯ₂膜１１５を形成する工程と、ＳｉＯ₂膜１１５上に、下部電極１０６を形成する工程と、下部電極１０６上に、ＳｒＴｉＯ₃膜１０７を形成する工程と、高ＳｒＴｉＯ₃膜１０７上に、上部電極１０８を形成する工程と、所定の領域のみを残して上部電極１０８及びＳｒＴｉＯ₃膜１０７をドライエッチングする工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、有害なＰｂ及びＣｄを取り除いたはんだ合金及びアルミニウム用ろう材を提供する。
【解決手段】Ｓｎ８５．０〜９０．０重量％、Ｚｎ１０．０〜１５．０重量％、Ｃｕ０．１〜１．５重量％、Ａｌ０．０００１〜０．１重量％、Ｓｉ０．０００１〜０．０３重量％、Ｔｉ０．０００１〜０．０２重量％、Ｂ０．０００１〜０．０１重量％からなるはんだ合金であり、アルミニウム母材とアルミニウム母材又は異種金属とのろう付け、或は、金属化フィルムコンデンサ端面電極材料として使用される。 （もっと読む）

本発明にかかる積層体ユニットは、溶融石英によって形成された支持基板と、支持基板上に形成され、白金よりなる電極層と、Ｂｉ_４Ｔｉ_３Ｏ_１２で表わされる組成を有する配向性に優れたビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって、電極層上に形成され、ｃ軸方向に配向されたビスマス層状化合物を含むバッファ層と、ＳｒＢｉ_４Ｔｉ_４Ｏ_１５で表わされる組成を有するコンデンサ材料としての特性に優れたビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって、バッファ層上に形成され、ｃ軸方向に配向されたビスマス層状化合物を含む誘電体層を備えている。このように構成された積層体ユニットは、ｃ軸方向に配向されたビスマス層状化合物を含む誘電体層を有しているから、たとえば、誘電体層上に、上部電極を設けて、薄膜コンデンサを作製し、電極層と上部電極との間に電圧を印加したときに、電界の方向が誘電体層に含まれているビスマス層状化合物のｃ軸とほぼ一致し、したがって、誘電体層に含まれているビスマス層状化合物の強誘電体としての性質を抑制して、常誘電体としての性質を十分に発揮させることが可能になるから、小型で、かつ、大容量の誘電特性に優れた薄膜コンデンサを作製することが可能になる。
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【課題】 薄膜キャパシタ、その製造方法、及び、半導体装置に関し、インターポーザ構造やフレキシブルなフィルム状キャパシタを採用することなく、半導体集積回路素子とデカップリングキャパシタを最短距離で実装するとともに、接続信頼性を向上する。
【解決手段】 半導体集積回路素子１１を実装し電気的に接続するパッケージ基板９に設けたはんだバンプ１０位置に対応する部分をくり貫いた貫通孔８を有する支持基板２上に設けるキャパシタを誘電体層４と、誘電体層４を挟持する上部電極５及び下部電極３によって構成するとともに、上部電極５及び下部電極３と電気的に接続されるとともに、はんだバンプ１０の一部と電気的に接続される配線層７を上部電極５及び下部電極３と異なる材料で構成する。 （もっと読む）

本発明にかかる積層体ユニットは、溶融石英によって形成された支持基板と、支持基板上に、異方性および導電性を有し、かつ、その上で、ビスマス層状化合物を含む誘電体材料をエピタキシャル成長させることができるＢｉ_２Ｓｒ_２ＣａＣｕ_２Ｏ_８で表わされる化学量論組成を有するＢＳＣＣＯ（ビスマス・ストロンチウム・カルシウム・カッパー・オキサイド）によって形成され、ｃ軸方向に配向された電極層と、電極層上で、ＳｒＢｉ_４Ｔｉ_４Ｏ_１５で表わされる組成を有するビスマス層状化合物を含む誘電体材料をエピタキシャル成長させて形成され、ｃ軸方向に配向された誘電体層を備えている。このように構成された積層体ユニットは、ｃ軸方向に配向されたビスマス層状化合物を含む誘電体層を有しているから、たとえば、誘電体層上に、上部電極を設けて、薄膜コンデンサを作製し、電極層と上部電極との間に電圧を印加したときに、電界の方向が誘電体層に含まれているビスマス層状化合物のｃ軸とほぼ一致し、したがって、誘電体層に含まれているビスマス層状化合物の強誘電体としての性質を抑制して、常誘電体としての性質を十分に発揮させることが可能になるから、小型で、かつ、大容量の誘電特性に優れた薄膜コンデンサを作製することが可能になる。
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【課題】低発熱で低インダクタンス特性を維持しつつ、耐熱衝撃性、耐湿性に優れ、なおかつ生産性の高い車載用に適したフィルムコンデンサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】フィルムコンデンサ素子１と、このフィルムコンデンサ素子１の電極部２に接続された金属端子としてのバスバー３と、それらを収納するケース８とを有し、前記フィルムコンデンサ素子１とバスバー３とが複数層のエポキシ樹脂組成物６，７によってケース８内で封止されたものであって、前記複数層のエポキシ樹脂組成物６，７は層状に配置され、最も上層に配置されたエポキシ樹脂組成物７の線膨張係数を最も小さくなるようにしたことから、熱衝撃時に樹脂クラックを防止でき、なおかつ耐湿性に優れた信頼性の高いフィルムコンデンサが得られる。 （もっと読む）

本発明にかかる積層体ユニットは、白金（Ｐｔ）によって形成された支持基板と、Ｂｉ_４Ｔｉ_３Ｏ_１２で表わされる組成を有する配向性に優れたビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって、支持基板上に形成され、ｃ軸方向に配向されたビスマス層状化合物を含むバッファ層と、ＳｒＢｉ_４Ｔｉ_４Ｏ_１５で表わされる組成を有するコンデンサ材料としての特性に優れたビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって、バッファ層上に形成され、ｃ軸方向に配向されたビスマス層状化合物を含む誘電体層を備えている。このように構成された積層体ユニットは、ｃ動方向に配向されたビスマス層状化合物を含む誘電体層を有しているから、たとえば、誘電体層上に、上部電極を設けて、薄膜コンデンサを作製し、電極層として機能する支持基板と上部電極との間に電圧を印加したときに、電界の方向が誘電体層に含まれているビスマス層状化合物のｃ軸とほぼ一致し、したがって、誘電体層に含まれているビスマス層状化合物の強誘電体としての性質を抑制して、常誘電体としての性質を十分に発揮させることが可能になるから、小型で、かつ、大容量の誘電特性に優れた薄膜コンデンサを作製することが可能になる。
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【課題】 絶縁耐圧と機械的強度を共に高めた薄膜キャパシタを提供する。
【解決手段】 基板１２上に、下から順に、下部電極１４、ＴａまたはＮｂの導体層１６、Ａｌ₂Ｏ₃またはＳｉＯ₂の絶縁層２８、Ｔａ₂Ｏ₅またはＮｂ₂Ｏ₅の誘電体層１８、上部電極２０が積層した構造を有する。ＴａまたはＮｂの導体層１６の上にＴａ₂Ｏ₅またはＮｂ₂Ｏ₅の下部誘電体層２６を備え、その上にＡｌ₂Ｏ₃またはＳｉＯ₂の絶縁層２８が位置してもよい。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率が高く、リーク電流が小さく、物理特性および電気特性の安定した誘電体薄膜を提供すること、および高容量かつ信頼性の高い薄膜コンデンサなどの薄膜誘電体素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 組成式が（Ｂａ_ｘＳｒ_{（１−ｘ）}）_ａＴｉＯ_３（０．５＜ｘ≦１．０、０．９６＜ａ≦１．００）で表される酸化物、例えば、チタン酸バリウムストロンチウムを含有し、厚みが５００ｎｍ以下である誘電体薄膜および、該誘電体薄膜を導電性電極上に形成した後に酸化性ガス雰囲気下でアニールする工程を含む薄膜誘電体素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 印加電圧制御方法が容易で、高耐電力，低歪み等の特性に優れた可変容量コンデンサを提供する。
【解決手段】 一対の容量電極に直流バイアス電圧により誘電率が変化する薄膜誘電体層が挟持された可変容量素子を具備しており、容量−電圧曲線が、容量値が最大となる電圧値における容量軸と平行な直線に対して、非対称である可変容量コンデンサである。印加電圧の制御が容易な可変容量コンデンサすることができる。また、この可変容量素子が複数個直列に接続されているとともに、これら可変容量素子に直流バイアス電圧を印加するバイアスラインが接続されているときには、直流バイアス電圧による容量変化率を最大限に利用して可変することができ、かつ波形歪みや相互変調歪みが小さく、耐電力に優れた可変容量コンデンサとすることができる。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率の温度係数が小さく、比誘電率が高く、リーク特性が良好で、さらに製造容易な誘電体薄膜を提供することを目的とすること。
【解決手段】 本発明は、組成式が（Ｂａ_１−ｘＳｒ_ｘ）_ｙＴｉＯ_３（０．１８≦ｘ≦０．４５、０．９６≦ｙ≦１．０４）で表され、Ｘ線回折チャートにおける（１００）面の回折線のピーク強度をＩ（１００）とし、（１１０）面の回折線のピーク強度をＩ（１１０）としたとき、ピーク強度比Ｉ（１００）／Ｉ（１１０）を０．０２〜２．０とする誘電体薄膜である。この発明により、比誘電率温度係数の絶対値が６００ｐｐｍ／℃以内、２５℃における比誘電率が２００以上、２５℃におけるリーク電流密度が１×１０^−６Ａ／ｃｍ^２以下という特性が実現される。 （もっと読む）

本発明は、小型で、かつ、大容量の誘電特性に優れた薄膜コンデンサおよびその製造方法を提供することを目的とするものである。本発明にかかる薄膜コンデンサは、表面が［００１］方位に配向している支持基板と、支持基板上に設けられ、表面が［００１］方位に配向しているバッファ層と、バッファ層上に設けられ、［００１］方位に配向している下部電極薄膜と、下部電極薄膜上に設けられ、［００１］方位に、すなわち、ｃ軸方向に配向されているビスマス層状化合物を含む誘電体薄膜と、誘電体薄膜上に設けられた上部電極薄膜とを備えている。
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【課題】 小容量で高精度な薄膜キャパシタ素子とその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板１上に形成されて所定角度傾斜した傾斜端面２ａを有する下部電極２と、下部電極２上に積層されて傾斜端面２ａに連続する同等に傾斜した傾斜端面３ａを有する絶縁層３と、これら下部電極２および絶縁層３の傾斜端面２ａ，３ａ上に該端面２ａ，３ａに沿って順次形成された誘電体層４（肉薄傾斜部４ａ）および上部電極５とを備え、下部電極２の傾斜端面２ａを肉薄傾斜部４ａを介して上部電極５と対向する面となすことにより、小容量の薄膜キャパシタ素子が得られる。この薄膜キャパシタ素子を製造する際に、下部電極２の厚みは高精度に制御可能であり、異方性エッチングを採用することで傾斜端面２ａや肉薄傾斜部４ａの表面の傾斜角度も高精度に制御可能なので、傾斜端面２ａの大きさや肉薄傾斜部４ａの膜厚に依存する容量値の精度が確保しやすい。 （もっと読む）

【課題】 ブレイクダウン電圧の低下を防止するエッジカバーが損傷しにくくて誘電体層と下部電極との密着性も良好な高信頼性の薄膜キャパシタ素子と、その製造方法を提供すること。
【解決手段】 基板１上に設けられた下部電極２と、下部電極２の側端面２ａを覆う所定領域に設けられた絶縁性のエッジカバー４と、下部電極２上に設けられた誘電体層３と、誘電体層３上に設けられた上部電極５とを備え、誘電体層３を介して下部電極２と上部電極５とを対向させた薄膜キャパシタ素子において、エッジカバー４が誘電体層３に覆われる構成とした。エッジカバー４は有機絶縁物からなるものでもよいし、無機絶縁物からなるものでもよい。また、エッジカバー４を覆って下部電極２上に密着接合された金属膜からなるバリア層７を備え、このバリア層７上に誘電体層３を設ける構成にしてもよい。 （もっと読む）

【課題】高容量キャパシタと抵抗を同時に搭載し、かつ、ハンドリング性がよく、実装も容易に行え、さらに、電子部品の小型化・薄型化にも対応できる回路部品を提供する。
【解決手段】薄膜キャパシタと薄膜抵抗とを同一の基板上にそれぞれ１以上形成した回路部品であって、前記薄膜キャパシタは、下部電極、陽極体、陰極からなり、該陽極体は、多孔質バルブ金属薄膜の表面に、該バルブ金属の酸化皮膜を形成してなり、前記多孔質バルブ金属薄膜は、外界とつながっている複数の微細孔を有する多孔質の薄膜であって、該薄膜の表面積は該薄膜の表面が平滑であると仮定した場合の表面積の２倍以上とする。 （もっと読む）

【課題】 印加電圧による容量変化が大きく、Ｑ値が高く、温度特性の良好な可変容量コンデンサを提供すること。
【解決手段】 第１のコンデンサＣ１とインダクタＬと可変容量素子Ｃｔとが直列に接続され、これら直列に接続された第１のコンデンサＣ１、インダクタＬおよび可変容量素子Ｃｔに第２のコンデンサＣ２が並列に接続されているとともに、第１のコンデンサＣ１と第２のコンデンサＣ２とが静電的に結合している可変容量コンデンサである。第１のコンデンサＣ１および第２のコンデンサＣ２を構成する誘電体にはＱ値の高い誘電体材料を用いることができる。また、全体の容量変化は可変容量素子Ｃｔの容量変化とともに、静電的に結合している第１のコンデンサＣ１と第２のコンデンサＣ２との結合の度合いおよび容量比によっても調整することができるので、印加電圧による容量変化が大きく、Ｑ値が高く、温度特性の良好な可変容量コンデンサとなる。 （もっと読む）

【課題】 誘電特性を確保することが可能な積層体ユニットを提供する。
【解決手段】 金属または合金を含む電極層３と、ビスマス層状化合物を含む誘電体層５との間に、同一の結晶面が膜面に対して平行な導電性セラミックスを含むバッファ層４を有するように積層体ユニット１０を構成する。ｃ軸が膜面に対して垂直に配向するように誘電体層５の配向状態が制御されるため、第１に、誘電体層５においてリーク電流が発生しにくくなる。第２に、バッファ層４がキャップ層として機能するため、電極層３中の金属が熱的に凝集しにくくなる。第３に、バッファ層４が拡散バリア層として機能するため、誘電体層５中のビスマス層状化合物のうちのビスマスが電極層３中の金属に熱的に拡散しにくくなる。第４に、電極層３が金属または合金を含んで構成されているため、全体が低抵抗化する。これにより、上記した４つの観点において誘電特性が向上する。 （もっと読む）

【課題】本発明は主として誘電体積層部品を形成するセラミックシートに関するものであり、グリーンシートの薄膜化を目的とする。
【解決手段】特に、グリーンシート４の支持フィルム３上に非晶質無機誘電体層６を形成し、この非晶質無機誘電体層６に種結晶７を分散配置したものであり、この構成により、非晶質無機誘電体層は種結晶を中心として粒成長するようになるため、この種結晶の分散状態を制御することで焼成時における誘電体の粒成長を制御することができ、結果として焼結後の誘電体特性のバラツキを抑制することができる。 （もっと読む）