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Fターム[5E082FG42]の内容

Fターム[5E082FG42]に分類される特許

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【課題】高静電容量密度、低損失正接、高絶縁破壊電圧、及びその他の好ましい電気的および物理的特性を有する薄膜誘電体の製造方法を提供すること。
【解決手段】熱処理し磨いた金属箔上に、柱状粒子および高誘電率を有する堆積させた薄膜誘電体を形成し、スパッターし、低酸素分圧下でアニールすることにより、高静電容量密度の薄膜誘電体を得る。 (もっと読む)


【課題】電気機器・電子機器などの電子回路に用いられるシートキャパシタにおいて、誘電体と対向電極との密着性を向上させて、耐電圧・静電容量を安定させる。
【解決手段】表面積を拡大させたエッチドアルミニウム箔1と、該エッチドアルミニウム箔の表面に、アクリル系ポリマーを電着形成してなるアクリル系ポリマー誘電体と、前記アクリル系ポリマー誘電体上にスパッタリング法またはイオンプレーティング法により形成した対向電極とを含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】層数が増加したときにも接続の信頼性が低下することのない積層型薄膜キャパシタおよびその製造方法を提供。
【解決手段】基板11上に一方のグループに属する電極12Aと誘電体層13と他方のグループに属する電極12Bとが交互に複数積層された積層型薄膜キャパシタ10であって、対向領域OAの一端側には、一方のグループに属する複数の電極が互いに重ねられた第1の接続部を有するとともに、対向領域の他端側には、他方のグループに属する複数の電極が互いに重ねられた第2の接続部を有し、第1の接続部及び第2の接続部にのみさらに、前記対向領域との段差を緩和する厚み調整用の導体層がそれぞれ重ねられている。これにより、前記接続部と前記対向領域との段差が緩和され、接続の信頼性を低下させることなく積層数を増加させることができる。 (もっと読む)


【課題】所望の静電容量を確保し易いキャパシタ及びその製造方法並びにキャパシタユニットを提供する。
【解決手段】第1の電極層9と、第1の電極層9の表面上に積層された導電性の第1の凸部14aと、第1の凸部14aの表面及び第1の電極層9の表面に成膜された第1の誘電体層6と、第1の誘電体層6を介して第1の凸部14a及び第1の電極層9に重なるように設けられた第2の電極層7と、を備えるキャパシタ1Aを製造可能な構成を有している。 (もっと読む)


【課題】 薄膜キャパシタの基板と実装基板との線膨張係数の違いによってバンプに働く鉛直方向の応力が導体に集中しない構造を有する薄膜キャパシタを提供するとともに、その製造方法を提供する
【解決手段】 基板と、該基板上に形成された第1の導体層と、該第1の導体層上に形成された誘電体薄膜と、該誘電体薄膜上に前記第1の導体層と電気的に絶縁されて形成された第2の導体層と、を有するキャパシタ部と、前記第1の導体層に電気的に接続するとともに前記キャパシタ部の上面に引き出さるように形成された第1の導体パッドと、前記第2の導体層に電気的に接続するとともに前記キャパシタ部の上面に引き出されるように形成された第2の導体パッドと、前記第1および第2の導体パッド上それぞれに形成された第1および第2のバンプと、を備え、前記第1および前記第2の導体パッドは前記基板に接合されている。 (もっと読む)


【課題】誘電体の高温成膜に耐える基板で、かつ誘電体が一軸配向及び面内配向し、圧縮応力がかかった膜とし、高誘電率化、低漏れ電流化を可能とするコンデンサを提供すること。
【解決手段】結晶の方位が所定方向に配向した金属基板と、前記金属基板上に設けられ、前記金属基板を構成する材料に比べて格子定数の大きい材料からなる下部電極と、前記下部電極上に設けられ、前記下部電極を構成する材料に比べて格子定数の大きい材料からなる誘電体と、前記誘電体上に設けられた上部電極と、を備えるコンデンサである。 (もっと読む)


【課題】引出電極と薄膜電極層の接続部及びその近傍への応力の集中を抑制することが可能で、信頼性の高い薄膜電子部品を提供する。
【解決手段】薄膜電極層1(1a,1b)と、薄膜電極層上に配設された、所定の位置に貫通孔16a(16b)が配設された絶縁層4と、導電性を有する材料からなり、貫通孔の底部となる薄膜電極層の露出部に配設された緩衝層であって、外周面5xが傾斜して裾広がりのテーパ形状を有する緩衝層5(5a,5b)と、絶縁層の上面から、貫通孔の内周面を経て緩衝層にまで達し、緩衝層を介して薄膜電極層と電気的に接続する引出電極6(6a,6b)とを備えた構成とし、引出電極を裾広がりのテーパ形状を有する緩衝層を介して薄膜電極層に接続することによって、引出電極と絶縁層の境界部にかかる応力を抑制する。
緩衝層5(5a,5b)の外周面の傾斜角度を30°以下、より好ましくは、15°以下とする。 (もっと読む)


【目的】 導電膜と誘電膜との間の結合を強くして導電膜と誘電膜との剥離が生じることを防止することができる積層型コンデンサを提供する。
【構成】 導電膜形成用のターゲットをスパッタして基板上に第1導電膜を形成する工程と、前記スパッタの継続中に、後の誘電膜の形成に使用する反応性ガスと同種の反応性ガスを前記基板の近傍に導入し、前記第1導電膜上に第1化合物膜を形成する工程と、誘電膜形成用のターゲットをスパッタし、前記第1化合物膜上に誘電膜を形成する工程と、前記各ターゲットをスパッタしながら、反応性ガスを前記基板の近傍に導入し、前記誘電膜の上に第2化合物膜を形成する工程と、前記スパッタを継続したまま、前記反応性ガスの導入を停止し、前記第2化合物膜上に第2導電膜を形成する工程を含むものである。 (もっと読む)


【課題】 信頼性の高い薄膜部品及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板1上で樹脂層9,9Aに対しては露出し、その側面から外部に突出している。すなわち、樹脂層9,9Aによって端子電極本体8は被覆されていない。なお、電子素子は絶縁層9,9Aによって保護されており、端子電極本体8と電子素子とは電気的に接続されているので、端子電極本体8に電気信号を加えると、電子素子に電気信号を伝達することができる。端子電極本体8と、端子電極本体8と樹脂層9との境界Aは被覆層10によって被覆されている。 (もっと読む)


【課題】ESLの増大を招くことなく、積層型薄膜コンデンサの小型化・大面積化を図る。
【解決手段】 Si基板1a上のSiO絶縁膜2aにはマイクロレンズアレイ2Aが形成されており、その上に、下部Pt電極4a,下部BST膜5a,中間Pt電極6a,上部BST膜7a,上部Pt電極8aが順に成膜され、コンデンサが形成される。その上には、SiO絶縁膜13aを介して各電極に接続する給電部21aが形成される。電極層や誘電体層は、いずれもSiO絶縁膜2aのマイクロレンズアレイ形状とほぼ類似したものになり、占有面積を変えることなくコンデンサ容量が増加する。同一の容量という条件であれば、占有面積が低減され、ELSの増加も抑制できる。このESL抑制効果は、単層型薄膜コンデンサよりも積層型薄膜コンデンサのほうが大きい。 (もっと読む)


【課題】薄膜キャパシタ、特に、部品内蔵基板用電解コンデンサの電極箔として用いるのに好適な、静電容量密度が大きく、かつ、低インピーダンスである薄膜キャパシタを低コストに提供する。
【解決手段】絶縁性基板1の上に導電性材料からなる下部電極2を形成し、該下部電極2の上にバルブ金属の緻密層3を形成し、該緻密層3の上に、バルブ金属と、該バルブ金属と相溶しない異相成分とが粒径1nm〜1μmの範囲で均一に分布した複合金属薄膜4を形成し、熱処理を行うことにより、該複合金属薄膜の前記バルブ金属および前記異相成分を粒成長させ、前記異相成分を粒度調整後の複合金属薄膜5から選択的に溶解除去して、前記バルブ金属の多孔質層6を形成する。 (もっと読む)


【課題】高い静電容量を維持しつつ、静電容量の均一性を向上させることができるコンデンサの製造方法を提供する。
【解決手段】基板10上のトレンチを形成すべき部位に下地金属層11を形成し、その部位上にクーポン金属層13を形成し、そのクーポン金属層13の間に電極金属層14をめっきにより埋め込み、クーポン金属層13及び電極金属層14の表面を研磨してクーポン金属層13を露呈させ、クーポン金属層13を除去してそのパターンに相当するトレンチ14aを形成し、そのトレンチ14a内に誘電体膜16及び電極金属層14を順次積層し、薄膜コンデンサ1を得る。 (もっと読む)


【課題】高い静電容量を維持しつつ、静電容量の均一性を向上させることができる薄膜コンデンサを提供する。
【解決手段】薄膜コンデンサ1は、基板の上全面に、トレンチパターンが形成されるトレンチ形成用層100を兼ねる下部電極、それを被覆するように設けられた誘電体膜16、及び上部電極17が順次積層されたものである。このトレンチパターンは、第1パターンP1と第2パターンP2とが別体に併設された構成を有しており、第1パターンP1は、複数の凸部101が所定間隔で立設されたものであり、第2パターンP2は、複数の凹部102が所定間隔で設けられたものであり、各凸部101の外壁、及び、各凹部102の内壁によりトレンチが画成されている。 (もっと読む)


【課題】安定生産が可能で、使用時に実装用端子から誘電体層への水素原子の拡散を抑制することが可能な誘電体キャパシタを提供。
【解決手段】基板11上に一方の電極12と誘電体層13と他方の電極14とがこの順に積層され、他方の電極上を被覆する第1の絶縁層15には他方の電極の上面14Tの一部を露出する第1の開口部15bが形成され、第1の絶縁層上を被覆する第2の絶縁層16には他方の電極の上面の一部を露出する第2の開口部16bが形成され、第2の開口部の開口寸法が第1の開口部の開口寸法よりも大きく形成され、凹部Hの表面が導電性水素バリア層17で被覆されている。このため、誘電体層への水素原子の拡散をより確実に抑制でき、リーク電流特性や誘電特性等の誘電体キャパシタの特性の劣化を抑制できる。 (もっと読む)


【課題】 段差の拡大による電極切れを防止するとともに、量産時の静電容量の制御が容易な積層型薄膜コンデンサの製造方法と、その製造方法によって製造される積層型薄膜コンデンサを提案する。
【解決手段】 前記第一の容量電極膜3a、3b、前記第二の容量電極膜5a、5b及び前記誘電体薄膜4a、4b、4cの端面は絶縁膜6a、6b、6c、6d、6eで覆われており、前記第一の容量電極膜3a、3bと前記第一の接続導体7aは前記第一の容量電極膜3a、3bの一方の側の端面付近の平面部で接続され、前記第ニの容量電極膜5a、5bと第ニの接続導体7bは前記第ニ容量電極膜5a、5bの他方の側の端面付近の平面部で接続されている。 (もっと読む)


【課題】電気的特性を向上させることができる電子部品を提供すること。
【解決手段】基板1と、基板1上に設けられるキャパシタ部11とを備え、キャパシタ部11が、基板1上に設けられる第1電極部2と、第1電極部2を覆う誘電体膜3と、誘電体膜3に接触し、開口部4aを有する絶縁膜4と、絶縁膜4における開口部4aの内壁面及び誘電体膜3の表面3aに接触する第2電極部5とを備え、誘電体膜3及び絶縁膜4間の第1界面8と、絶縁膜4及び第2電極部5間の第2界面7とのなす角をθとしたとき、tanθ≦0.4を満足する電子部品100。 (もっと読む)


【課題】短時間で効率よく薄膜51を形成できる薄膜形成装置1を提供する。
【解決手段】VDFオリゴマー33が配置された蒸着源30と被蒸着基板10とを離間させた状態で前記蒸着源30を加熱し、前記被蒸着基板10と前記蒸着源30が離間する離間状態から、前記被蒸着基板10と前記蒸着源30のとの少なくとも一方を移動させて、前記被蒸着基板10の薄膜形成面11と前記蒸着源30のVDFオリゴマー供給面32が断熱マスク20を挟んで対向し近接する近接状態に変化させ、前記近接状態で前記VDFオリゴマー33の薄膜51を前記薄膜形成面11に蒸着する。 (もっと読む)


【課題】 高い誘電率と高い絶縁性を兼ね備えた誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】 誘電体薄膜32は、一般式BaxSryTiO3で表わされ前記xおよびyがx+y<1を満たす主成分と、前記主成分100molに対して3mol以下(0molを含まない)のCeと、を含有する。これにより、CeがAサイトに優先的に固溶して、高い誘電率を維持しつつ高い絶縁性を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】漏れ電流が少なく、信頼性の高いキャパシタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明にかかるキャパシタ100は、下部電極層10と、下部電極層10の上方に設けられた誘電体層20と、誘電体層20の上方に設けられた上部電極層30と、を含み、下部電極層10および上部電極層30の少なくとも一方は、誘電体層20に接して設けられた導電性酸化物層と、誘電体層20に対して導電性酸化物層より外側に設けられた金属層と、を有し、平面視において、導電性酸化物層の輪郭は、誘電体層の導電性酸化物層に接する側の面の輪郭よりも内側にある。 (もっと読む)


【課題】容量のばらつきを抑えるとともに、VBDを高めることができ、これらによりデバイス特性及び製品の信頼性を向上させることが可能な薄膜コンデンサ等を提供する。
【解決手段】電子部品1〜4は、基材として、表面に平坦化層52が形成された平滑な基板51上にコンデンサ11が形成されたものである。コンデンサ11は、基板51の平坦化層52上に、下地導体21a及び導体21bからなる下部導体21、アルミナ等からなる誘電体膜31、主としてノボラック系樹脂等から形成される樹脂層J1、主としてポリイミド系樹脂等からなる樹脂層J2、並びに、下地導体25a及び導体25bからなる上部導体25が形成された構造を有している。樹脂層J1は、下部導体21の上方に開口K1を有しており、樹脂層J2には、その開口K1よりも大きく開放された開口K2が形成されている。 (もっと読む)


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