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Fターム[5E082FG42]の内容

Fターム[5E082FG42]に分類される特許

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【課題】容量のばらつきを抑えるとともに、VBDを高めることができ、これらによりデバイス特性及び製品の信頼性を向上させることが可能な薄膜コンデンサ等を提供する。
【解決手段】電子部品1〜4は、基材として、表面に平坦化層52が形成された平滑な基板51上にコンデンサ11が形成されたものである。コンデンサ11は、基板51の平坦化層52上に、下地導体21a及び導体21bからなる下部導体21、アルミナ等からなる誘電体膜31、主としてノボラック系樹脂等から形成される樹脂層J1、主としてポリイミド系樹脂等からなる樹脂層J2、並びに、下地導体25a及び導体25bからなる上部導体25が形成された構造を有している。樹脂層J1は、下部導体21の上方に開口K1を有しており、樹脂層J2には、その開口K1よりも大きく開放された開口K2が形成されている。 (もっと読む)


【課題】誘電体の無機酸化物の還元を抑制し、誘電体の特性を阻害しないバリア層を備えた、漏れ電流の少ないキャパシタ、およびその容易な製造方法を提供すること。
【解決手段】(A)下部電極を形成する工程と、(B)前記下部電極の上方に強誘電体または圧電体からなる誘電体層を形成する工程と、(C)前記誘電体層の上方に上部電極を形成する工程と、(D)前記誘電体層および前記上部電極をパターニングする工程と、(E)前記誘電体層の少なくとも側面を被覆するように第1酸化シリコン層を形成する工程と、(F)酸素を含むプラズマによる処理を行う工程と、(G)少なくとも前記第1酸化シリコン層の上方に第2酸化シリコン層を形成する工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】本発明は、レーザーリフトオフ工程を利用した転写工程を改善することによって、薄膜キャパシタのための誘電体膜の損傷を最小化することができる薄膜キャパシタ内蔵型配線基板を提供する。
【解決手段】本発明は、第1基板上に犠牲層を形成する段階と、上記犠牲層上に誘電体膜を形成する段階と、上記誘電体膜上に第1電極層を形成する段階と、上記第1電極層が第2基板の上面に接合されるように上記第1基板を上記第2基板上に配置する段階と、上記第1基板を通して上記犠牲層にレーザービームを照射して上記犠牲層を分解させる段階と、上記第2基板から上記第1基板を分離する段階と、上記誘電体膜上に第2電極層を形成する段階とを含む薄膜キャパシタ内蔵型配線基板の製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】歩留まりを向上させることが可能な強誘電体キャパシタを備えた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第2導電膜43の上にマスク材料膜45を形成する工程と、マスク材料膜45の上にレジストパターン46を形成する工程と、IPCエッチングチャンバ内においてマスク材料膜45をエッチングして補助マスク45aにする工程と、エッチングチャンバからシリコン基板20を取り出さずに、エッチングチャンバ内において第2導電膜43をエッチングすることによりパーティクル数の増加傾向を抑制して、第2導電膜43を上部電極にする工程と、強誘電体膜42をパターニングしてキャパシタ誘電体膜にする工程と、第1導電膜41をパターニングして下部電極にし、下部電極、キャパシタ誘電体膜、及び上部電極でキャパシタQを構成する工程とを有する半導体装置の製造方法による。 (もっと読む)


【課題】厚膜上部電極を使用して金属箔上に薄膜コンデンサを作製する方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも1ミクロンの最小限の厚さを有する、一体的に完成された上部電極を、1回の堆積操作で薄膜誘電体上に形成することによって、箔上に形成された薄膜コンデンサを作製する方法。 (もっと読む)


【課題】 キャパシタ部分を覆う保護層にクラックが生ずるおそれのない誘電体薄膜キャパシタを簡便な製造工程で製造することができる誘電体薄膜キャパシタの製造方法を提供する。
【解決手段】 そしてさらに、キャパシタ構造体の上にテーパ上のレジストパターンを形成してドライエッチングを行うことにより、下部電極、誘電体層及び上部電極を順に積層してなるキャパシタ構造体の端部をテーパ状に形成する。さらに、テーパ加工後に熱処理を行う。 (もっと読む)


【課題】プリント配線板用キャパシタ層形成材の誘電層への、エッチング液の染み込み現象を防止するキャパシタ層形成材等の提供を課題とする。
【解決手段】上記課題を解決するため、上部電極形成層2と下部電極形成層3との間に誘電層4を備えるキャパシタ層形成材において、当該上部電極形成層2は、金属層2aと導電性エッチングレジスト層2bとの複合層であることを特徴とするプリント配線板用キャパシタ層形成材1を採用する。また、プリント配線板用内蔵キャパシタ回路の形成方法として、前記金属層2aと導電性エッチングレジスト層2bとの複合層である上部電極形成層2の金属層2aをエッチングして仮上部電極の形状とし、仮上部電極の間に露出した導電性エッチングレジスト層を除去して、金属層と導電性エッチングレジスト層とからなる上部電極を形成する方法を採用する。 (もっと読む)


【課題】優れた成形性と強度を持ち、良好な誘電性を示し、高周波帯で使用することが可能な誘電体部品用成形体を提供する。
【解決手段】ガラス繊維を含有する熱可塑性樹脂からなる基材の表面に、酸素を含む雰囲気の減圧化で、高周波励起プラズマ処理を施し、高周波イオンプレーティング法により、導電性膜および誘電体膜を順次成膜する。高周波励起プラズマ処理を、酸素プラズマおよびアルゴンプラズマの混合プラズマ雰囲気で、導電性膜の下層の成膜を、酸素プラズマおよびアルゴンプラズマの混合プラズマ雰囲気で、その上層の成膜をアルゴンプラズマ雰囲気で、かつ、誘電体膜の成膜を酸素プラズマおよびアルゴンプラズマの混合プラズマ雰囲気で行うことが好ましい。 (もっと読む)


【課題】プリント配線板または有機半導体パッケージ基板内部に埋め込むための別個の薄膜コンデンサを形成する方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、セラミック誘電体が酸エッチング液と接触しないように、サンドブラストまたは他の手段によってコンデンサの選択部分を除去するステップを含む方法に関する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、コンデンサ素子をケースに収納したフィルムタイプのコンデンサの安全性を確保することを目的とするものである。
【解決手段】目的を達成するために本発明は、コンデンサ素子2を有天筒状ケース1に収納したフィルムタイプのコンデンサの、ケース天井側を向くメタリコン電極11に接続されたリード線3が実装される回路のマイナス極に接続されるように、ケース天井側を向くメタリコン電極11に接続されたリード線3を、コンデンサ外表面において表示する表示部5を設けたものであり、コンデンサの安全性が向上する。 (もっと読む)


【課題】誘電体層と上部電極との接触面積の設計値からのずれが抑制されて所望の静電容量が得られると共に、静電容量を小さく設定する場合であってもレーザビアプロセスを使用して容易に配線基板に内蔵させることができるキャパシタ部品を提供する。
【解決手段】基板10aと、基板10aの上に形成された下部電極14と、下部電極14上にパターン化されて形成された誘電体層16と、誘電体層16の内側から外側にかけて形成され、誘電体層16の領域内に開口部20xが設けられた保護絶縁層20と、開口部20x内から保護絶縁層20の上面にかけて形成された上部電極18とを含み、保護絶縁層20の開口部20xによって誘電体層16と上部電極18との接触面積が画定されている。 (もっと読む)


【課題】ケース外部からの熱に対してコンデンサ素子が熱劣化し、安定して容量を引き出せないため、ケース外部の熱をコンデンサ素子へ伝えないことを目的とした。
【解決手段】この目的を達成すべく本発明は、有天筒状のケース1と、このケース1内に収納されたコンデンサ素子2と、このコンデンサ素子2に接続されるとともに、ケース1の下面開口部からケース1外に引き出されたリード線4と、このリード線4が挿通される貫通孔を有するとともに、ケース1の下面開口部を封止する封口部材5を備え、コンデンサ素子2は誘電体フィルムの片面または両面に金属を蒸着することによって金属蒸着電極を形成した一対の金属化フィルムを前記金属蒸着電極が対向するように巻回または積層し、両端面に集電極3を形成したものであって、このコンデンサ素子2の外表面とケース1の内表面との間には隙間を設けるとともにケース1内は真空状態としたものとする。 (もっと読む)


【課題】積層型固体電解コンデンサの作製に適し、エッチングAl箔よりも高容量密度であり、かつ、同等の電極抵抗を有し、さらに、高価な希少金属であるTaやNbの使用量を減らした安価な電解コンデンサ用電極箔およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板(10)の上に、バルブ金属の緻密層(6)を形成し、得られた緻密層(6)の上に、前記バルブ金属、および、前記バルブ金属と相溶しない異相成分が、粒子径1nm〜1μmで均一に分布した合金薄膜(7b)を形成し、前記バルブ金属、および、前記異相成分を、真空熱処理により粒調整をし、前記基板(10)より剥離し、前記異相成分を溶解除去し、緻密層(6)の側に集電体層(5)を形成する。粒調整と剥離とは、順序を入れ替えることが可能であり、集電体層の形成と異相成分の溶解除去とは、順序を入れ替えることが可能である。 (もっと読む)


【課題】積層型固体電解コンデンサの作製に適し、エッチングAl箔よりも高容量密度であり、かつ、同等の電極抵抗を有し、さらに、高価な希少金属であるTaやNbの使用量を減らした安価な電解コンデンサ用電極箔およびその製造方法を提供する。
【解決手段】銅箔(8)の上に、TaまたはTa合金と、Taと相溶しない異相成分が、粒径1nm〜1μmの範囲で均一に分布した合金薄膜(9)を形成し、得られた合金薄膜(9)の上に、TaまたはTa合金の緻密層(10)を形成し、熱処理をすることにより、TaまたはTa合金、および前記異相成分を粒調整した後に、緻密層(10)の上に、AlまたはAl合金からなる集電体層(12、13)を形成し、銅箔および異相成分を除去する。あるいは、TaまたはTa合金の代わりに、NbまたはNb合金を用いることができる。 (もっと読む)


【課題】 高容量でかつ、全厚が薄くて埋め込みに適した形態を有し、高周波においても使用可能な薄膜キャパシタを、安価かつ高い歩留りで得ることができるキャパシタの製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明のキャパシタの製造方法は、基板(10)の片面に分離層(20)を形成する分離層形成工程と、分離層(20)上に誘電体層(30)を形成する誘電体層形成工程と、誘電体層(30)上に金属箔(40)を形成する金属箔形成工程と、基板(10)と分離層(20)の界面で分離する分離工程と、分離工程によって分離された誘電体層の金属箔が形成された面とは反対側の面に、分離層(20)を介して電極層(50)を形成する電極層形成工程と、を含むように構成される。 (もっと読む)


【課題】十分に結晶配向度の高い金属酸化物膜を、簡易、低コスト、かつ、基材及び金属酸化物膜に損傷を殆ど与えずに得ることが可能な金属酸化物膜の製造方法、積層体、及び電子デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】基材10上に(111)結晶面を有する金属膜14を形成する工程と、金属膜14の(111)結晶面に金属酸化物膜20を形成する工程と、金属膜14の(111)結晶面に形成された金属酸化物膜20の温度を25〜600℃に維持し、金属酸化物膜20に対して紫外線を照射する工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】小型で大容量なキャパシタ部を有するLC複合部品を提供する。
【解決手段】LC複合部品10は、磁性基板11と、磁性基板11上に形成されたキャパシタ層12と、キャパシタ層12上に形成されたインダクタ層13と、インダクタ層13上に形成された第2の磁性基板14とを備えている。キャパシタ層12は、磁性基板11上に形成された下部電極15A、15Bと、下部電極15A、15Bの表面を含む磁性基板11の略全面を覆う誘電体薄膜16と、誘電体薄膜16を介してキャパシタ下部電極15A、15Bと対向配置された上部電極17A、17Bとを備えている。上部電極17Aのサイズは下部電極15Aよりも一回り小さく、下部電極15Aの上面のエッジ部を避けた平面領域のみを覆うように形成されている。誘電体薄膜16はスパッタリングにより成膜される。 (もっと読む)


【課題】高湿度下や高温度下においても特性が良好な電子部品を提供する。
【解決手段】誘電体膜は、樹脂モノマーを重合反応させることによって形成された膜であり、樹脂モノマーが、ビニル基と六員環とを介して結合した一般式(1)で示される電子部品。
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【解決手段】誘電体層が、溶射法によって形成された希土類元素酸化物で構成され、かつ該誘導体層を介して互いに対向する一対の電極を具備したことを特徴とするキャパシタ。
【効果】本発明によれば、溶射法による簡便で短い工程にて、薄型で高耐圧のキャパシタを得ることができ、産業上その利用価値は極めて高い。 (もっと読む)


【課題】エアロゾルデポジション法により、キャパシタンスを増大させたキャパシタ構造を作製する。
【解決手段】下部電極上にエアロゾルデポジション法によりセラミック膜を形成する際に、最初に粒径の大きい微粒子を使ってエアロゾルを形成し、エアロゾル粒子を下部電極中に侵入するように打ち込み、その後で通常の、粒径のより小さい微粒子を使ってエアロゾルを形成し、堆積を行う。 (もっと読む)


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