プリント配線板および半導体パッケージ内部に埋め込むための別個の箔上形成薄膜コンデンサを形成する方法
【課題】プリント配線板または有機半導体パッケージ基板内部に埋め込むための別個の薄膜コンデンサを形成する方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、セラミック誘電体が酸エッチング液と接触しないように、サンドブラストまたは他の手段によってコンデンサの選択部分を除去するステップを含む方法に関する。
【解決手段】本発明は、セラミック誘電体が酸エッチング液と接触しないように、サンドブラストまたは他の手段によってコンデンサの選択部分を除去するステップを含む方法に関する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
技術分野は、プリント配線板（ＰＷＢ）内の埋込型コンデンサである。より詳細には、技術分野は、箔上形成（ｆｏｒｍｅｄ−ｏｎ−ｆｏｉｌ）薄膜誘電体から作成されるプリント配線板または半導体パッケージ内の埋込型薄膜セラミックコンデンサを含む。
【背景技術】
【０００２】
プリント配線板内に箔上形成（典型的には、箔上焼成）セラミックコンデンサを埋め込むことは、回路サイズの低減および回路性能の改善を可能にする。セラミックコンデンサは、典型的には、積層されて内部接続回路によって接続された内層パネル内に埋め込まれ、パネルの積層体が、多層プリント配線板または半導体パッケージ基板を形成する。埋込型箔上形成セラミックコンデンサは、好ましくは高い静電容量密度を有する。
【０００３】
誘電体の静電容量密度は、その誘電率を、誘電体の厚さで割った値に比例する。したがって、薄くて高い誘電率の誘電体をコンデンサ内で使用することによって、高い静電容量密度のコンデンサを実現することができる。
【０００４】
箔上形成薄膜セラミック誘電体技術によって形成されるプリント配線板に埋め込まれる受動回路構成要素が知られている。箔上形成薄膜プロセスは開示されている（特許文献１参照）。図１Ａを参照すると、箔上形成薄膜セラミックコンデンサは、はじめに、金属箔基板１００上に薄膜コンデンサ誘電体材料層１１０を堆積することによって形成される。金属箔基板１００は、銅箔であってよく、典型的には厚さが１２から３６ミクロンの間の範囲内であってよい。薄膜コンデンサ誘電体層は、スクリーン印刷、スラリキャスティング、化学溶液堆積、スパッタリング、化学蒸着、またはあらゆるその他の認められている薄層堆積法によって堆積されることがある。薄膜コンデンサ誘電体材料は、堆積された材料を結晶化して誘電率を高めるために、焼成またはアニーリング処理を施されることがある。焼成後、薄膜誘電体層は通常、均質なセラミック層になり、厚さが約１２ミクロンから実質的に１ミクロン未満の範囲内になることがある。焼成プロセスは、空気中で比較的低い温度で、または低酸素雰囲気中で比較的高い温度で行われることがある。薄膜セラミックコンデンサ誘電体材料は、高い誘電率の材料をふくみ、焼成後、高い誘電率を有することがある。次に、金属電極材料が、箔上形成薄膜セラミックコンデンサ誘電体層の上に堆積される。金属電極は、一般に、セラミック誘電体の層全体を覆う。堆積方法は、いくつかの堆積方法のうち任意のものにすることができる。一般には、スパッタリングが好ましい選択肢である。金属電極は、追加の金属によってめっきされることがあり、金属箔基板１００の厚さなど所望の厚さまで電極を積み重ね、図１Ｂにおける電極１２０を形成する。図１Ｂに示される得られた金属／誘電体／金属構造は、プリント配線板産業で使用されているガラスエポキシまたは他の一般的な有機誘電体など、下にある有機物ベースの誘電体層に積層されることがあり、プリプレグ誘電体層を使用して誘電体層１３０を形成し、図１Ｃに示される物品を作成する。
【０００５】
【特許文献１】米国特許第７０２９９７１号明細書（Ｂｏｒｌａｎｄら）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
一般に、金属箔および薄膜セラミックコンデンサ誘電体の一部分を選択的に除去して別個のコンデンサを形成するために、一連のマスク付けおよびエッチングプロセスが行われる。そのようにして得られる構造の２つの例が図２Ａおよび２Ｂに示されており、別個のコンデンサ２０００は、第１の電極２００と、薄膜セラミックコンデンサ誘電体層２１０と、第２の電極２２０とからなる。図２Ａに示される設計では、プリント配線板内への組込み後、コンデンサ電極は、バイアの使用によって上部および底部からアクセスされる。図２Ｂに示される設計では、プリント配線板内への組込み後、両方のコンデンサ電極が、バイアを使用して上部からアクセスされることがある。他の設計が実施されることもある。銅を除去するために、酸ベースまたはアルカリベースのエッチング化学剤が用いられることがある。一般に、アルカリエッチング液は、セラミック誘電体を容易には除去しないが、強い酸溶液は、セラミック誘電体を除去する。セラミックを溶解する酸の例は、高温の２．４規定塩酸中の塩化第二鉄もしくは塩化第二銅、またはフッ化水素酸化学剤である。そのような酸を用いる場合でさえ、セラミックの除去の速度は遅い。一方、塩酸などの酸を使用するときは、酸および任意の溶解生成物を完全に除去しなければならないというさらなる考慮事項がある。塩化物汚染は、セラミック誘電体内でのバイアスおよび湿気の下でマイグレーション（ｍｉｇｒａｔｉｏｎ）の問題を引き起こす可能性があることがよく知られている。したがって、酸エッチング液、またはセラミック溶解からの任意の生成物をコンデンサから完全に除去されなかった場合、コンデンサの長期の信頼性が損なわれるかもしれない。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを作成する方法であって、第１の金属導体、セラミック誘電体、および第２の金属導体を備える構造を提供するステップと、前記金属導体の少なくとも１つの上に光画定可能なマスク（ｐｈｏｔｏ−ｄｅｆｉｎａｂｌｅ ｍａｓｋ）を形成し、それにより、下にある第１の金属導体、セラミック誘電体、および反対側の第２の金属導体と共に第１の光画定可能なマスクを備える物品を形成するステップと、第１の金属電極を備える前記物品のパターン形成された第１の側を形成するために、前記第１の光画定可能なマスクおよび前記下にある第１の金属導体の選択部分を除去するステップとを含む方法を提供する。
【０００８】
次の実施形態によれば、別個の薄膜箔上形成セラミックコンデンサを作成する方法には、酸ベースのエッチャントを用いてセラミックおよび銅を選択的に除去する代替方法として、サンドブラストなどの除去手段によってセラミック誘電体および金属導体（典型的には銅）を除去するステップが含まれる。パターン形成は、Ｒｉｓｔｏｎ（登録商標）フォトイメージング可能なドライフィルムフォトレジスト、あるいは好ましくはＩＫＯＮＩＣＳ Ｃｏｍｐａｎｙ， ＰｈｏｔｏＢｒａｓｉｖｅ Ｓｙｓｔｅｍｓ（米国ミネソタ州ダルース）から入手可能なＲａｐｉｄＭａｓｋ（商標）の使用など完全乾燥処理レジスト手法から作成されるマスクなど、光画定マスクを介したサンドブラストによって実現してもよい。
【０００９】
さらなる実施形態によれば、別個の薄膜箔上形成セラミックコンデンサを作成する方法は、アルカリエッチャントの使用によって、かつパターン形成された第１の電極と、マスクとしてフォトレジストマスク（またはＲａｐｉｄＭａｓｋ（商標））とを使用して第１の電極にパターンを形成し、第１の電極間のセラミックを選択的に除去するためにサンドブラストするステップと、第１のフォトマスクをストリップし（本明細書では除去と定義される）、第１の電極および薄膜セラミック誘電体を保護するために第２のフォトレジストフォトマスクを塗布し、エッチングによって第２の電極にパターンを形成するステップとを含む。
【００１０】
上記の実施形態によれば、コンデンサのセラミック誘電体は、別個のコンデンサの製造中に酸エッチング液と接触しない。そうでない場合には、酸エッチング液は、セラミック誘電体を損傷することがあり、または長期の信頼性を損なう堆積物を残すことがある。したがって、コンデンサ信頼性および性能が改善される。
【００１１】
以下の詳細な説明は、添付した図面を参照する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
一般的な慣例に従って、図面の様々な機構は、必ずしも縮尺を合わせて描かれてはいない。様々な機構の寸法は、本発明の実施形態をより明確に例示するために拡大または縮小されていることがある。
【００１３】
金属からなる連続したシートは、「金属導体」と呼ばれ、「金属電極」としてコンデンサ板を形成する。これらの言及は、単に分かりやすくするためになされるものであり、限定することは意図されていない。さらに、いくつかの実施形態では、これらの金属導体および金属電極は、銅箔である、または銅箔から形成される。銅または銅箔への任意の言及は、銅または銅箔のみに限定することは意図されておらず、金属導体の一例として考えられるものである。
【００１４】
本発明は、別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを作成する方法であって、第１の金属導体、セラミック誘電体、および第２の金属導体を備える構造を提供するステップと、前記金属導体の少なくとも１つの上に光画定可能なマスクを形成し、それにより、下にある第１の金属導体、セラミック誘電体、および反対側の第２の金属導体と共に第１の光画定可能なマスクを備える物品を形成するステップと、第１の金属電極を備える前記物品のパターン形成された第１の側を形成するために、前記第１の光画定可能なマスクおよび前記下にある第１の金属導体の選択部分を除去するステップとを含む方法を提供する。本発明のさらなる実施形態は、さらに、前記第１の光画定可能なマスクを本質的に完全に除去し、それにより、前記物品の本質的にマスクフリーのパターン形成された第１の側を形成するステップを含む。別の実施形態では、別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサは、有機誘電体層に積層される。
【００１５】
本発明は、さらに、（上述した）別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを作成する方法であって、前記下にある第１の金属導体、前記セラミック誘電体、および前記反対側の金属導体の少なくとも１つの選択部分が、サンドブラスト、水衝突（ｗａｔｅｒ ｉｍｐｉｎｇｅｍｅｎｔ）、および化学エッチングからなる群から選択されるプロセスによって除去される方法を提供する。
【００１６】
以下の説明および図が、さらに、本発明の様々な実施形態を表す。
【００１７】
図３Ａ〜３Ｆは、別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する第１の方法を例示し、ここで、セラミック誘電体および金属導体（典型的には銅）は、コンデンサを形成する領域を保護するために使用されるマスク（光画定可能なマスク）を介したサンドブラスト（または、水衝突、水／スラリ衝突、水／研磨剤衝突、研磨除去、レーザ誘導水噴射、および化学エッチングなど他の除去手段）によって除去される。また、本明細書で使用される光画定可能なマスクは、マスク、フォトレジスト、フォトレジストマスクなどと呼ばれることもある。フォトレジストまたは光画定可能なマスクは、像形成されると、フォトマスクを形成する。
【００１８】
図３Ａを参照すると、金属導体（典型的には銅）３００と３２０との間に挟まれ、有機誘電体３３０に積層された薄膜セラミックコンデンサ誘電体３１０が提供される。図３Ｂを参照すると、フォトレジスト材料３４０が銅箔３２０に塗布される。ＰｈｏｔｏＢｒａｓｉｖｅ Ｓｙｓｔｅｍｓから入手可能なＲａｐｉｄＭａｓｋ（商標）など乾燥処理レジストが好ましく、しかし、サンドブラスト媒体（または、除去のために選択される他の媒体）による衝撃に耐性がある他のフォトレジストが使用されることもある。図３Ｃに示されるように、フォトレジストは、ＵＶ放射を用いて露光された後、露光された領域３５０で脆性になる。図３Ｄに示されるように、研磨媒体（典型的には砂）３６０が、レジスト表面に衝突し、脆性の露光されたレジストフィーチャを破壊して除去し、一方、砂は、露光されていない、柔軟な、弾性のレジストフィーチャでは、これらの領域に損傷を加えずに跳ね返る。露光された脆性のレジストが吹き飛ばされた後、砂は、図３Ｅに示されるように、領域３７０内の材料を除去して、別個の電極３８０および３８５、ならびに誘電体３９０を形成する。サンドブラストが完了した後、露光されていないレジストが基板表面から除去（ストリップ）されて、図３Ｆに示されるように別個のコンデンサ３０００を形成する。１つまたは複数の別個のコンデンサを形成することができる。フォトレジスト（および／または金属電極、および／またはセラミック誘電体）除去は、サンドブラスト以外の手段によって達成することもできることを当業者は理解する。例えば、１）水のみ、２）水と、スラリまたは研磨剤、３）レーザ誘導水噴射を含む水衝突による除去、または化学エッチングによる除去である。以下の実施形態の説明における「サンドブラスト」の使用は、限定することは意図されていない。
【００１９】
上記のプロセスは、例えば図２Ｂに示される物品を形成するために、部分的に繰り返されることがある。この場合、追加のフォトレジストマスクが、図３Ｆに示される全ての別個の電極３８０に塗布されることがあり、上部電極３８０および誘電体３９０の一部分がサンドブラストによって除去される。プロセスは、任意の底部電極３８５が除去される前に停止されて、図２Ｂに図示される物品が形成される。
【００２０】
図４Ａ〜４Ｊは、別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する第２の方法を例示し、ここでは、第１の電極が、アルカリエッチング処理を使用して形成される。形成される第１の電極と、それを保護するフォトマスクとが、サンドブラストの間、下にある誘電体を保護するために使用される。サンドブラストは、形成される第１の電極間の誘電体を除去する。フォトマスクは、ストリップ（または除去）され、別のフォトレジストフォトマスクによって置き換えられ、アルカリエッチング処理を使用して第２の電極を形成することができるようにする。
【００２１】
図４Ａを参照すると、金属導体４００と４２０との間に挟まれ、下にある有機誘電体層に積層された薄膜コンデンサ誘電体４１０が提供され、プリプレグ誘電体層を使用して有機誘電体４３０を形成する。物品は、図１Ｃで説明した物品と本質的に類似であり、同様に製造される。図４Ｂを参照すると、フォトレジスト材料４４０が銅箔４２０に塗布される。フォトレジストは、像形成されて現像されて、図４Ｃに示されるようにフォトマスク４４５を形成する。
【００２２】
図４Ｃに示される物品は、ここで、アルカリエッチング浴に通される。アルカリエッチング処理は、図４Ｄに示される領域４５０内の銅を除去し、第１の電極４５５を形成する。アルカリエッチングは、任意の誘電体４１０を侵蝕または除去しない。図４Ｅを参照すると、図４Ｄの物品がサンドブラストを施される。サンドブラストは、図４Ｆに示される領域４７０内の誘電体を除去し、別個の誘電体層４８０を形成する。
【００２３】
図４Ｇを参照すると、ここで、フォトマスク４４５が除去されて、別のフォトレジストによって置き換えられることがあり、このフォトレジストが像形成されて、図４Ｈに示されるフォトマスク４８８を形成する。ここで、銅箔４８５が、領域４９０内で除去されることがあり（すなわち、酸またはアルカリエッチング液を使用してエッチングすることによって、または当業者に知られている他の方法によって）、第２の電極４９５を形成し、図４Ｉに示される物品を形成する。最後に、フォトマスク４８８をストリップして、図４Ｊに示されるように別個のコンデンサ４０００を形成することができる。
【００２４】
上記のプロセスは、代替設計を成すように修正されることがある。例えば、第２のフォトマスク４８８は、箔４８５に沿って拡げられることがあり、それにより、箔４８５がエッチングされるとき、図２Ｂに示される物品が形成される。
【００２５】
別個のコンデンサを形成するための代替技法が図５Ａ〜５Ｍに示されている。図１Ｂに示される金属／誘電体／金属構造が図５Ａで再び生成され、金属導体５００と、誘電体５１０と、金属導体５２０とを有する。
【００２６】
図５Ｂを参照すると、フォトレジスト材料５３０が金属導体５２０に塗布される。フォトレジストは、像形成されて現像されて、図５Ｃに示されるようにフォトマスク５３５を形成する。
【００２７】
図５Ｃに示される物品は、ここで、アルカリエッチング浴に通される。アルカリエッチング処理は、図５Ｄに示される領域５４０内の銅を除去し、第１の金属電極５２５を形成する。アルカリエッチングは、任意の誘電体５１０を侵蝕または除去しない。その後、フォトマスク５３５がストリップ（本明細書では除去と定義する）によって除去され、図５Ｅに示される構造が得られる。
【００２８】
金属導体５６０が、プリント配線板産業で使用されるガラスエポキシまたは他の一般的な有機誘電体プリプレグ５５０など有機物ベースの誘電体層を使用して、図５Ｅに示される構造に積層されて、図５Ｆに示される構造を形成する。この構造は、典型的には、内層またはサブパートと呼ばれ、各側に金属導体を有し、金属導体５００と５６０との間に金属電極５２５および薄膜セラミック誘電体５１０を有する。
【００２９】
本発明のいくつかの実施形態では、内層が形成される。この内層は、サンドブラスト、水衝突、および化学エッチングからなる群から選択される衝突プロセスによって形成された別個のコンデンサを備える。
【００３０】
本発明のさらなる実施形態では、上述の内層（１つまたは複数）を備えるプリント配線板または有機半導体パッケージ基板が形成される。
【００３１】
図５Ｇを参照すると、フォトレジストが、金属導体５００および５６０に塗布され、フォトマスク５７０を作成するように処理される。常にではないが、典型的には、金属導体５６０は、図５Ｌに示されるコンデンサ５０００の形成のために確保された領域内で除去され、したがってフォトマスク５７０は、金属導体５６０上に示されていない。金属導体５６０の一部分が、図中に含まれていない領域上に存在することがあるので、金属導体５６０は、図５Ｈ〜５Ｍでは参考として点線５６５によって示されている。
【００３２】
図５Ｇに示される物品は、ここで、アルカリエッチング浴に通される。アルカリエッチング処理は、図５Ｈに示される領域５４５内の金属導体５００の部分を除去し、第２の金属電極５０５を形成する。アルカリエッチングは、任意の誘電体５１０を侵蝕または除去しない。
【００３３】
図５Ｉを参照すると、ここで、フォトマスク５７０が除去され、別のフォトレジストによって置き換えられることがあり、このフォトレジストが像形成されて、図５Ｊに示されるフォトマスク５８０を形成する。ここで、薄膜セラミック誘電体５１０の一部分が、図５Ｋに示されるように領域５４８内でサンドブラストによって除去されることがあり、薄膜誘電体５１５を残す。第１の金属電極５２５と、薄膜誘電体５１５と、第２の金属電極５０５とが、図５Ｌに示されるコンデンサ５０００を形成する。
【００３４】
図５Ｌを参照すると、第２の金属電極５０５が、薄膜セラミック誘電体５１０をサンドブラストするためのマスクとして使用されることがあり、図５Ｍに示される構造を作成する。
【００３５】
本明細書で使用されサンドブラストは、必ずしも、ブラスト媒体として砂を使用しなくてもよい。サンドブラストは、砂、酸化アルミニウム、ガラスビーズ、または５．５〜９．０の範囲内の硬度（モース硬度）を有する有機材料を使用することができる。セラミック誘電体が迅速に除去されるように、高い硬度のブラスト媒体が望ましい。研磨スラリ、さらには純水からなることがある水噴霧プロセスなど、誘電体および金属（典型的には銅）層を除去する代替の物理的手段が採用されることもある。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１Ａ】箔上形成薄膜セラミックコンデンサを説明する図である。
【図１Ｂ】箔上形成薄膜セラミックコンデンサを説明する図である。
【図１Ｃ】箔上形成薄膜セラミックコンデンサを説明する図である。
【図２Ａ】別個のコンデンサ構造を示す図である。
【図２Ｂ】別個のコンデンサ構造を示す図である。
【図３Ａ】第１の実施形態による別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する方法を例示する図のうちの一の工程を示す図である。銅箔およびセラミック誘電体の選択部分が、光画定マスクを通したサンドブラストによって除去される。
【図３Ｂ】第１の実施形態による別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する方法を例示する図のうちの一の工程を示す図である。銅箔およびセラミック誘電体の選択部分が、光画定マスクを通したサンドブラストによって除去される。
【図３Ｃ】第１の実施形態による別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する方法を例示する図のうちの一の工程を示す図である。銅箔およびセラミック誘電体の選択部分が、光画定マスクを通したサンドブラストによって除去される。
【図３Ｄ】第１の実施形態による別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する方法を例示する図のうちの一の工程を示す図である。銅箔およびセラミック誘電体の選択部分が、光画定マスクを通したサンドブラストによって除去される。
【図３Ｅ】第１の実施形態による別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する方法を例示する図のうちの一の工程を示す図である。銅箔およびセラミック誘電体の選択部分が、光画定マスクを通したサンドブラストによって除去される。
【図３Ｆ】第１の実施形態による別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する方法を例示する図のうちの一の工程を示す図である。銅箔およびセラミック誘電体の選択部分が、光画定マスクを通したサンドブラストによって除去される。
【図４Ａ】第２の実施形態による別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する方法を例示する図のうちの一の工程を示す図である。第１の電極がアルカリエッチング処理を使用して形成される。形成される第１の電極と、それを保護する光画定マスクとが、第１の電極間のセラミック誘電体がサンドブラストによって除去されるときに、下にあるセラミック誘電体を保護するために使用される。薄膜セラミック誘電体をサンドブラスト除去した後、フォトマスクが除去され、別のフォトレジストによって置き換えられ、このフォトレジストが像形成されて、別のフォトマスクを形成し、このフォトマスクは、第２の電極がエッチングによってパターン形成される間に、第１の電極および薄膜セラミック誘電体を保護する働きをする。
【図４Ｂ】第２の実施形態による別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する方法を例示する図のうちの一の工程を示す図である。第１の電極がアルカリエッチング処理を使用して形成される。形成される第１の電極と、それを保護する光画定マスクとが、第１の電極間のセラミック誘電体がサンドブラストによって除去されるときに、下にあるセラミック誘電体を保護するために使用される。薄膜セラミック誘電体をサンドブラスト除去した後、フォトマスクが除去され、別のフォトレジストによって置き換えられ、このフォトレジストが像形成されて、別のフォトマスクを形成し、このフォトマスクは、第２の電極がエッチングによってパターン形成される間に、第１の電極および薄膜セラミック誘電体を保護する働きをする。
【図４Ｃ】第２の実施形態による別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する方法を例示する図のうちの一の工程を示す図である。第１の電極がアルカリエッチング処理を使用して形成される。形成される第１の電極と、それを保護する光画定マスクとが、第１の電極間のセラミック誘電体がサンドブラストによって除去されるときに、下にあるセラミック誘電体を保護するために使用される。薄膜セラミック誘電体をサンドブラスト除去した後、フォトマスクが除去され、別のフォトレジストによって置き換えられ、このフォトレジストが像形成されて、別のフォトマスクを形成し、このフォトマスクは、第２の電極がエッチングによってパターン形成される間に、第１の電極および薄膜セラミック誘電体を保護する働きをする。
【図４Ｄ】第２の実施形態による別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する方法を例示する図のうちの一の工程を示す図である。第１の電極がアルカリエッチング処理を使用して形成される。形成される第１の電極と、それを保護する光画定マスクとが、第１の電極間のセラミック誘電体がサンドブラストによって除去されるときに、下にあるセラミック誘電体を保護するために使用される。薄膜セラミック誘電体をサンドブラスト除去した後、フォトマスクが除去され、別のフォトレジストによって置き換えられ、このフォトレジストが像形成されて、別のフォトマスクを形成し、このフォトマスクは、第２の電極がエッチングによってパターン形成される間に、第１の電極および薄膜セラミック誘電体を保護する働きをする。
【図４Ｅ】第２の実施形態による別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する方法を例示する図のうちの一の工程を示す図である。第１の電極がアルカリエッチング処理を使用して形成される。形成される第１の電極と、それを保護する光画定マスクとが、第１の電極間のセラミック誘電体がサンドブラストによって除去されるときに、下にあるセラミック誘電体を保護するために使用される。薄膜セラミック誘電体をサンドブラスト除去した後、フォトマスクが除去され、別のフォトレジストによって置き換えられ、このフォトレジストが像形成されて、別のフォトマスクを形成し、このフォトマスクは、第２の電極がエッチングによってパターン形成される間に、第１の電極および薄膜セラミック誘電体を保護する働きをする。
【図４Ｆ】第２の実施形態による別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する方法を例示する図のうちの一の工程を示す図である。第１の電極がアルカリエッチング処理を使用して形成される。形成される第１の電極と、それを保護する光画定マスクとが、第１の電極間のセラミック誘電体がサンドブラストによって除去されるときに、下にあるセラミック誘電体を保護するために使用される。薄膜セラミック誘電体をサンドブラスト除去した後、フォトマスクが除去され、別のフォトレジストによって置き換えられ、このフォトレジストが像形成されて、別のフォトマスクを形成し、このフォトマスクは、第２の電極がエッチングによってパターン形成される間に、第１の電極および薄膜セラミック誘電体を保護する働きをする。
【図４Ｇ】第２の実施形態による別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する方法を例示する図のうちの一の工程を示す図である。第１の電極がアルカリエッチング処理を使用して形成される。形成される第１の電極と、それを保護する光画定マスクとが、第１の電極間のセラミック誘電体がサンドブラストによって除去されるときに、下にあるセラミック誘電体を保護するために使用される。薄膜セラミック誘電体をサンドブラスト除去した後、フォトマスクが除去され、別のフォトレジストによって置き換えられ、このフォトレジストが像形成されて、別のフォトマスクを形成し、このフォトマスクは、第２の電極がエッチングによってパターン形成される間に、第１の電極および薄膜セラミック誘電体を保護する働きをする。
【図４Ｈ】第２の実施形態による別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する方法を例示する図のうちの一の工程を示す図である。第１の電極がアルカリエッチング処理を使用して形成される。形成される第１の電極と、それを保護する光画定マスクとが、第１の電極間のセラミック誘電体がサンドブラストによって除去されるときに、下にあるセラミック誘電体を保護するために使用される。薄膜セラミック誘電体をサンドブラスト除去した後、フォトマスクが除去され、別のフォトレジストによって置き換えられ、このフォトレジストが像形成されて、別のフォトマスクを形成し、このフォトマスクは、第２の電極がエッチングによってパターン形成される間に、第１の電極および薄膜セラミック誘電体を保護する働きをする。
【図４Ｉ】第２の実施形態による別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する方法を例示する図のうちの一の工程を示す図である。第１の電極がアルカリエッチング処理を使用して形成される。形成される第１の電極と、それを保護する光画定マスクとが、第１の電極間のセラミック誘電体がサンドブラストによって除去されるときに、下にあるセラミック誘電体を保護するために使用される。薄膜セラミック誘電体をサンドブラスト除去した後、フォトマスクが除去され、別のフォトレジストによって置き換えられ、このフォトレジストが像形成されて、別のフォトマスクを形成し、このフォトマスクは、第２の電極がエッチングによってパターン形成される間に、第１の電極および薄膜セラミック誘電体を保護する働きをする。
【図４Ｊ】第２の実施形態による別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する方法を例示する図のうちの一の工程を示す図である。第１の電極がアルカリエッチング処理を使用して形成される。形成される第１の電極と、それを保護する光画定マスクとが、第１の電極間のセラミック誘電体がサンドブラストによって除去されるときに、下にあるセラミック誘電体を保護するために使用される。薄膜セラミック誘電体をサンドブラスト除去した後、フォトマスクが除去され、別のフォトレジストによって置き換えられ、このフォトレジストが像形成されて、別のフォトマスクを形成し、このフォトマスクは、第２の電極がエッチングによってパターン形成される間に、第１の電極および薄膜セラミック誘電体を保護する働きをする。
【図５Ａ】さらなる代替実施形態による別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する方法を例示する図のうちの一の工程を示す図である。第１の電極が、図１Ｂに示される箔上形成金属／誘電体／金属構造の第１の側に形成され、前記第１の側が、プリプレグ材料を使用して追加の金属導体に積層され、次いで第２の電極が、前記箔上形成金属／誘電体／金属構造の第２の側に形成され、露出された薄膜セラミック誘電体がサンドブラストによって除去される。
【図５Ｂ】さらなる代替実施形態による別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する方法を例示する図のうちの一の工程を示す図である。第１の電極が、図１Ｂに示される箔上形成金属／誘電体／金属構造の第１の側に形成され、前記第１の側が、プリプレグ材料を使用して追加の金属導体に積層され、次いで第２の電極が、前記箔上形成金属／誘電体／金属構造の第２の側に形成され、露出された薄膜セラミック誘電体がサンドブラストによって除去される。
【図５Ｃ】さらなる代替実施形態による別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する方法を例示する図のうちの一の工程を示す図である。第１の電極が、図１Ｂに示される箔上形成金属／誘電体／金属構造の第１の側に形成され、前記第１の側が、プリプレグ材料を使用して追加の金属導体に積層され、次いで第２の電極が、前記箔上形成金属／誘電体／金属構造の第２の側に形成され、露出された薄膜セラミック誘電体がサンドブラストによって除去される。
【図５Ｄ】さらなる代替実施形態による別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する方法を例示する図のうちの一の工程を示す図である。第１の電極が、図１Ｂに示される箔上形成金属／誘電体／金属構造の第１の側に形成され、前記第１の側が、プリプレグ材料を使用して追加の金属導体に積層され、次いで第２の電極が、前記箔上形成金属／誘電体／金属構造の第２の側に形成され、露出された薄膜セラミック誘電体がサンドブラストによって除去される。
【図５Ｅ】さらなる代替実施形態による別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する方法を例示する図のうちの一の工程を示す図である。第１の電極が、図１Ｂに示される箔上形成金属／誘電体／金属構造の第１の側に形成され、前記第１の側が、プリプレグ材料を使用して追加の金属導体に積層され、次いで第２の電極が、前記箔上形成金属／誘電体／金属構造の第２の側に形成され、露出された薄膜セラミック誘電体がサンドブラストによって除去される。
【図５Ｆ】さらなる代替実施形態による別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する方法を例示する図のうちの一の工程を示す図である。第１の電極が、図１Ｂに示される箔上形成金属／誘電体／金属構造の第１の側に形成され、前記第１の側が、プリプレグ材料を使用して追加の金属導体に積層され、次いで第２の電極が、前記箔上形成金属／誘電体／金属構造の第２の側に形成され、露出された薄膜セラミック誘電体がサンドブラストによって除去される。
【図５Ｇ】さらなる代替実施形態による別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する方法を例示する図のうちの一の工程を示す図である。第１の電極が、図１Ｂに示される箔上形成金属／誘電体／金属構造の第１の側に形成され、前記第１の側が、プリプレグ材料を使用して追加の金属導体に積層され、次いで第２の電極が、前記箔上形成金属／誘電体／金属構造の第２の側に形成され、露出された薄膜セラミック誘電体がサンドブラストによって除去される。
【図５Ｈ】さらなる代替実施形態による別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する方法を例示する図のうちの一の工程を示す図である。第１の電極が、図１Ｂに示される箔上形成金属／誘電体／金属構造の第１の側に形成され、前記第１の側が、プリプレグ材料を使用して追加の金属導体に積層され、次いで第２の電極が、前記箔上形成金属／誘電体／金属構造の第２の側に形成され、露出された薄膜セラミック誘電体がサンドブラストによって除去される。
【図５Ｉ】さらなる代替実施形態による別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する方法を例示する図のうちの一の工程を示す図である。第１の電極が、図１Ｂに示される箔上形成金属／誘電体／金属構造の第１の側に形成され、前記第１の側が、プリプレグ材料を使用して追加の金属導体に積層され、次いで第２の電極が、前記箔上形成金属／誘電体／金属構造の第２の側に形成され、露出された薄膜セラミック誘電体がサンドブラストによって除去される。
【図５Ｊ】さらなる代替実施形態による別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する方法を例示する図のうちの一の工程を示す図である。第１の電極が、図１Ｂに示される箔上形成金属／誘電体／金属構造の第１の側に形成され、前記第１の側が、プリプレグ材料を使用して追加の金属導体に積層され、次いで第２の電極が、前記箔上形成金属／誘電体／金属構造の第２の側に形成され、露出された薄膜セラミック誘電体がサンドブラストによって除去される。
【図５Ｋ】さらなる代替実施形態による別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する方法を例示する図のうちの一の工程を示す図である。第１の電極が、図１Ｂに示される箔上形成金属／誘電体／金属構造の第１の側に形成され、前記第１の側が、プリプレグ材料を使用して追加の金属導体に積層され、次いで第２の電極が、前記箔上形成金属／誘電体／金属構造の第２の側に形成され、露出された薄膜セラミック誘電体がサンドブラストによって除去される。
【図５Ｌ】さらなる代替実施形態による別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する方法を例示する図のうちの一の工程を示す図である。第１の電極が、図１Ｂに示される箔上形成金属／誘電体／金属構造の第１の側に形成され、前記第１の側が、プリプレグ材料を使用して追加の金属導体に積層され、次いで第２の電極が、前記箔上形成金属／誘電体／金属構造の第２の側に形成され、露出された薄膜セラミック誘電体がサンドブラストによって除去される。
【図５Ｍ】さらなる代替実施形態による別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する方法を例示する図のうちの一の工程を示す図である。第１の電極が、図１Ｂに示される箔上形成金属／誘電体／金属構造の第１の側に形成され、前記第１の側が、プリプレグ材料を使用して追加の金属導体に積層され、次いで第２の電極が、前記箔上形成金属／誘電体／金属構造の第２の側に形成され、露出された薄膜セラミック誘電体がサンドブラストによって除去される。
【技術分野】
【０００１】
技術分野は、プリント配線板（ＰＷＢ）内の埋込型コンデンサである。より詳細には、技術分野は、箔上形成（ｆｏｒｍｅｄ−ｏｎ−ｆｏｉｌ）薄膜誘電体から作成されるプリント配線板または半導体パッケージ内の埋込型薄膜セラミックコンデンサを含む。
【背景技術】
【０００２】
プリント配線板内に箔上形成（典型的には、箔上焼成）セラミックコンデンサを埋め込むことは、回路サイズの低減および回路性能の改善を可能にする。セラミックコンデンサは、典型的には、積層されて内部接続回路によって接続された内層パネル内に埋め込まれ、パネルの積層体が、多層プリント配線板または半導体パッケージ基板を形成する。埋込型箔上形成セラミックコンデンサは、好ましくは高い静電容量密度を有する。
【０００３】
誘電体の静電容量密度は、その誘電率を、誘電体の厚さで割った値に比例する。したがって、薄くて高い誘電率の誘電体をコンデンサ内で使用することによって、高い静電容量密度のコンデンサを実現することができる。
【０００４】
箔上形成薄膜セラミック誘電体技術によって形成されるプリント配線板に埋め込まれる受動回路構成要素が知られている。箔上形成薄膜プロセスは開示されている（特許文献１参照）。図１Ａを参照すると、箔上形成薄膜セラミックコンデンサは、はじめに、金属箔基板１００上に薄膜コンデンサ誘電体材料層１１０を堆積することによって形成される。金属箔基板１００は、銅箔であってよく、典型的には厚さが１２から３６ミクロンの間の範囲内であってよい。薄膜コンデンサ誘電体層は、スクリーン印刷、スラリキャスティング、化学溶液堆積、スパッタリング、化学蒸着、またはあらゆるその他の認められている薄層堆積法によって堆積されることがある。薄膜コンデンサ誘電体材料は、堆積された材料を結晶化して誘電率を高めるために、焼成またはアニーリング処理を施されることがある。焼成後、薄膜誘電体層は通常、均質なセラミック層になり、厚さが約１２ミクロンから実質的に１ミクロン未満の範囲内になることがある。焼成プロセスは、空気中で比較的低い温度で、または低酸素雰囲気中で比較的高い温度で行われることがある。薄膜セラミックコンデンサ誘電体材料は、高い誘電率の材料をふくみ、焼成後、高い誘電率を有することがある。次に、金属電極材料が、箔上形成薄膜セラミックコンデンサ誘電体層の上に堆積される。金属電極は、一般に、セラミック誘電体の層全体を覆う。堆積方法は、いくつかの堆積方法のうち任意のものにすることができる。一般には、スパッタリングが好ましい選択肢である。金属電極は、追加の金属によってめっきされることがあり、金属箔基板１００の厚さなど所望の厚さまで電極を積み重ね、図１Ｂにおける電極１２０を形成する。図１Ｂに示される得られた金属／誘電体／金属構造は、プリント配線板産業で使用されているガラスエポキシまたは他の一般的な有機誘電体など、下にある有機物ベースの誘電体層に積層されることがあり、プリプレグ誘電体層を使用して誘電体層１３０を形成し、図１Ｃに示される物品を作成する。
【０００５】
【特許文献１】米国特許第７０２９９７１号明細書（Ｂｏｒｌａｎｄら）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
一般に、金属箔および薄膜セラミックコンデンサ誘電体の一部分を選択的に除去して別個のコンデンサを形成するために、一連のマスク付けおよびエッチングプロセスが行われる。そのようにして得られる構造の２つの例が図２Ａおよび２Ｂに示されており、別個のコンデンサ２０００は、第１の電極２００と、薄膜セラミックコンデンサ誘電体層２１０と、第２の電極２２０とからなる。図２Ａに示される設計では、プリント配線板内への組込み後、コンデンサ電極は、バイアの使用によって上部および底部からアクセスされる。図２Ｂに示される設計では、プリント配線板内への組込み後、両方のコンデンサ電極が、バイアを使用して上部からアクセスされることがある。他の設計が実施されることもある。銅を除去するために、酸ベースまたはアルカリベースのエッチング化学剤が用いられることがある。一般に、アルカリエッチング液は、セラミック誘電体を容易には除去しないが、強い酸溶液は、セラミック誘電体を除去する。セラミックを溶解する酸の例は、高温の２．４規定塩酸中の塩化第二鉄もしくは塩化第二銅、またはフッ化水素酸化学剤である。そのような酸を用いる場合でさえ、セラミックの除去の速度は遅い。一方、塩酸などの酸を使用するときは、酸および任意の溶解生成物を完全に除去しなければならないというさらなる考慮事項がある。塩化物汚染は、セラミック誘電体内でのバイアスおよび湿気の下でマイグレーション（ｍｉｇｒａｔｉｏｎ）の問題を引き起こす可能性があることがよく知られている。したがって、酸エッチング液、またはセラミック溶解からの任意の生成物をコンデンサから完全に除去されなかった場合、コンデンサの長期の信頼性が損なわれるかもしれない。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを作成する方法であって、第１の金属導体、セラミック誘電体、および第２の金属導体を備える構造を提供するステップと、前記金属導体の少なくとも１つの上に光画定可能なマスク（ｐｈｏｔｏ−ｄｅｆｉｎａｂｌｅ ｍａｓｋ）を形成し、それにより、下にある第１の金属導体、セラミック誘電体、および反対側の第２の金属導体と共に第１の光画定可能なマスクを備える物品を形成するステップと、第１の金属電極を備える前記物品のパターン形成された第１の側を形成するために、前記第１の光画定可能なマスクおよび前記下にある第１の金属導体の選択部分を除去するステップとを含む方法を提供する。
【０００８】
次の実施形態によれば、別個の薄膜箔上形成セラミックコンデンサを作成する方法には、酸ベースのエッチャントを用いてセラミックおよび銅を選択的に除去する代替方法として、サンドブラストなどの除去手段によってセラミック誘電体および金属導体（典型的には銅）を除去するステップが含まれる。パターン形成は、Ｒｉｓｔｏｎ（登録商標）フォトイメージング可能なドライフィルムフォトレジスト、あるいは好ましくはＩＫＯＮＩＣＳ Ｃｏｍｐａｎｙ， ＰｈｏｔｏＢｒａｓｉｖｅ Ｓｙｓｔｅｍｓ（米国ミネソタ州ダルース）から入手可能なＲａｐｉｄＭａｓｋ（商標）の使用など完全乾燥処理レジスト手法から作成されるマスクなど、光画定マスクを介したサンドブラストによって実現してもよい。
【０００９】
さらなる実施形態によれば、別個の薄膜箔上形成セラミックコンデンサを作成する方法は、アルカリエッチャントの使用によって、かつパターン形成された第１の電極と、マスクとしてフォトレジストマスク（またはＲａｐｉｄＭａｓｋ（商標））とを使用して第１の電極にパターンを形成し、第１の電極間のセラミックを選択的に除去するためにサンドブラストするステップと、第１のフォトマスクをストリップし（本明細書では除去と定義される）、第１の電極および薄膜セラミック誘電体を保護するために第２のフォトレジストフォトマスクを塗布し、エッチングによって第２の電極にパターンを形成するステップとを含む。
【００１０】
上記の実施形態によれば、コンデンサのセラミック誘電体は、別個のコンデンサの製造中に酸エッチング液と接触しない。そうでない場合には、酸エッチング液は、セラミック誘電体を損傷することがあり、または長期の信頼性を損なう堆積物を残すことがある。したがって、コンデンサ信頼性および性能が改善される。
【００１１】
以下の詳細な説明は、添付した図面を参照する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
一般的な慣例に従って、図面の様々な機構は、必ずしも縮尺を合わせて描かれてはいない。様々な機構の寸法は、本発明の実施形態をより明確に例示するために拡大または縮小されていることがある。
【００１３】
金属からなる連続したシートは、「金属導体」と呼ばれ、「金属電極」としてコンデンサ板を形成する。これらの言及は、単に分かりやすくするためになされるものであり、限定することは意図されていない。さらに、いくつかの実施形態では、これらの金属導体および金属電極は、銅箔である、または銅箔から形成される。銅または銅箔への任意の言及は、銅または銅箔のみに限定することは意図されておらず、金属導体の一例として考えられるものである。
【００１４】
本発明は、別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを作成する方法であって、第１の金属導体、セラミック誘電体、および第２の金属導体を備える構造を提供するステップと、前記金属導体の少なくとも１つの上に光画定可能なマスクを形成し、それにより、下にある第１の金属導体、セラミック誘電体、および反対側の第２の金属導体と共に第１の光画定可能なマスクを備える物品を形成するステップと、第１の金属電極を備える前記物品のパターン形成された第１の側を形成するために、前記第１の光画定可能なマスクおよび前記下にある第１の金属導体の選択部分を除去するステップとを含む方法を提供する。本発明のさらなる実施形態は、さらに、前記第１の光画定可能なマスクを本質的に完全に除去し、それにより、前記物品の本質的にマスクフリーのパターン形成された第１の側を形成するステップを含む。別の実施形態では、別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサは、有機誘電体層に積層される。
【００１５】
本発明は、さらに、（上述した）別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを作成する方法であって、前記下にある第１の金属導体、前記セラミック誘電体、および前記反対側の金属導体の少なくとも１つの選択部分が、サンドブラスト、水衝突（ｗａｔｅｒ ｉｍｐｉｎｇｅｍｅｎｔ）、および化学エッチングからなる群から選択されるプロセスによって除去される方法を提供する。
【００１６】
以下の説明および図が、さらに、本発明の様々な実施形態を表す。
【００１７】
図３Ａ〜３Ｆは、別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する第１の方法を例示し、ここで、セラミック誘電体および金属導体（典型的には銅）は、コンデンサを形成する領域を保護するために使用されるマスク（光画定可能なマスク）を介したサンドブラスト（または、水衝突、水／スラリ衝突、水／研磨剤衝突、研磨除去、レーザ誘導水噴射、および化学エッチングなど他の除去手段）によって除去される。また、本明細書で使用される光画定可能なマスクは、マスク、フォトレジスト、フォトレジストマスクなどと呼ばれることもある。フォトレジストまたは光画定可能なマスクは、像形成されると、フォトマスクを形成する。
【００１８】
図３Ａを参照すると、金属導体（典型的には銅）３００と３２０との間に挟まれ、有機誘電体３３０に積層された薄膜セラミックコンデンサ誘電体３１０が提供される。図３Ｂを参照すると、フォトレジスト材料３４０が銅箔３２０に塗布される。ＰｈｏｔｏＢｒａｓｉｖｅ Ｓｙｓｔｅｍｓから入手可能なＲａｐｉｄＭａｓｋ（商標）など乾燥処理レジストが好ましく、しかし、サンドブラスト媒体（または、除去のために選択される他の媒体）による衝撃に耐性がある他のフォトレジストが使用されることもある。図３Ｃに示されるように、フォトレジストは、ＵＶ放射を用いて露光された後、露光された領域３５０で脆性になる。図３Ｄに示されるように、研磨媒体（典型的には砂）３６０が、レジスト表面に衝突し、脆性の露光されたレジストフィーチャを破壊して除去し、一方、砂は、露光されていない、柔軟な、弾性のレジストフィーチャでは、これらの領域に損傷を加えずに跳ね返る。露光された脆性のレジストが吹き飛ばされた後、砂は、図３Ｅに示されるように、領域３７０内の材料を除去して、別個の電極３８０および３８５、ならびに誘電体３９０を形成する。サンドブラストが完了した後、露光されていないレジストが基板表面から除去（ストリップ）されて、図３Ｆに示されるように別個のコンデンサ３０００を形成する。１つまたは複数の別個のコンデンサを形成することができる。フォトレジスト（および／または金属電極、および／またはセラミック誘電体）除去は、サンドブラスト以外の手段によって達成することもできることを当業者は理解する。例えば、１）水のみ、２）水と、スラリまたは研磨剤、３）レーザ誘導水噴射を含む水衝突による除去、または化学エッチングによる除去である。以下の実施形態の説明における「サンドブラスト」の使用は、限定することは意図されていない。
【００１９】
上記のプロセスは、例えば図２Ｂに示される物品を形成するために、部分的に繰り返されることがある。この場合、追加のフォトレジストマスクが、図３Ｆに示される全ての別個の電極３８０に塗布されることがあり、上部電極３８０および誘電体３９０の一部分がサンドブラストによって除去される。プロセスは、任意の底部電極３８５が除去される前に停止されて、図２Ｂに図示される物品が形成される。
【００２０】
図４Ａ〜４Ｊは、別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する第２の方法を例示し、ここでは、第１の電極が、アルカリエッチング処理を使用して形成される。形成される第１の電極と、それを保護するフォトマスクとが、サンドブラストの間、下にある誘電体を保護するために使用される。サンドブラストは、形成される第１の電極間の誘電体を除去する。フォトマスクは、ストリップ（または除去）され、別のフォトレジストフォトマスクによって置き換えられ、アルカリエッチング処理を使用して第２の電極を形成することができるようにする。
【００２１】
図４Ａを参照すると、金属導体４００と４２０との間に挟まれ、下にある有機誘電体層に積層された薄膜コンデンサ誘電体４１０が提供され、プリプレグ誘電体層を使用して有機誘電体４３０を形成する。物品は、図１Ｃで説明した物品と本質的に類似であり、同様に製造される。図４Ｂを参照すると、フォトレジスト材料４４０が銅箔４２０に塗布される。フォトレジストは、像形成されて現像されて、図４Ｃに示されるようにフォトマスク４４５を形成する。
【００２２】
図４Ｃに示される物品は、ここで、アルカリエッチング浴に通される。アルカリエッチング処理は、図４Ｄに示される領域４５０内の銅を除去し、第１の電極４５５を形成する。アルカリエッチングは、任意の誘電体４１０を侵蝕または除去しない。図４Ｅを参照すると、図４Ｄの物品がサンドブラストを施される。サンドブラストは、図４Ｆに示される領域４７０内の誘電体を除去し、別個の誘電体層４８０を形成する。
【００２３】
図４Ｇを参照すると、ここで、フォトマスク４４５が除去されて、別のフォトレジストによって置き換えられることがあり、このフォトレジストが像形成されて、図４Ｈに示されるフォトマスク４８８を形成する。ここで、銅箔４８５が、領域４９０内で除去されることがあり（すなわち、酸またはアルカリエッチング液を使用してエッチングすることによって、または当業者に知られている他の方法によって）、第２の電極４９５を形成し、図４Ｉに示される物品を形成する。最後に、フォトマスク４８８をストリップして、図４Ｊに示されるように別個のコンデンサ４０００を形成することができる。
【００２４】
上記のプロセスは、代替設計を成すように修正されることがある。例えば、第２のフォトマスク４８８は、箔４８５に沿って拡げられることがあり、それにより、箔４８５がエッチングされるとき、図２Ｂに示される物品が形成される。
【００２５】
別個のコンデンサを形成するための代替技法が図５Ａ〜５Ｍに示されている。図１Ｂに示される金属／誘電体／金属構造が図５Ａで再び生成され、金属導体５００と、誘電体５１０と、金属導体５２０とを有する。
【００２６】
図５Ｂを参照すると、フォトレジスト材料５３０が金属導体５２０に塗布される。フォトレジストは、像形成されて現像されて、図５Ｃに示されるようにフォトマスク５３５を形成する。
【００２７】
図５Ｃに示される物品は、ここで、アルカリエッチング浴に通される。アルカリエッチング処理は、図５Ｄに示される領域５４０内の銅を除去し、第１の金属電極５２５を形成する。アルカリエッチングは、任意の誘電体５１０を侵蝕または除去しない。その後、フォトマスク５３５がストリップ（本明細書では除去と定義する）によって除去され、図５Ｅに示される構造が得られる。
【００２８】
金属導体５６０が、プリント配線板産業で使用されるガラスエポキシまたは他の一般的な有機誘電体プリプレグ５５０など有機物ベースの誘電体層を使用して、図５Ｅに示される構造に積層されて、図５Ｆに示される構造を形成する。この構造は、典型的には、内層またはサブパートと呼ばれ、各側に金属導体を有し、金属導体５００と５６０との間に金属電極５２５および薄膜セラミック誘電体５１０を有する。
【００２９】
本発明のいくつかの実施形態では、内層が形成される。この内層は、サンドブラスト、水衝突、および化学エッチングからなる群から選択される衝突プロセスによって形成された別個のコンデンサを備える。
【００３０】
本発明のさらなる実施形態では、上述の内層（１つまたは複数）を備えるプリント配線板または有機半導体パッケージ基板が形成される。
【００３１】
図５Ｇを参照すると、フォトレジストが、金属導体５００および５６０に塗布され、フォトマスク５７０を作成するように処理される。常にではないが、典型的には、金属導体５６０は、図５Ｌに示されるコンデンサ５０００の形成のために確保された領域内で除去され、したがってフォトマスク５７０は、金属導体５６０上に示されていない。金属導体５６０の一部分が、図中に含まれていない領域上に存在することがあるので、金属導体５６０は、図５Ｈ〜５Ｍでは参考として点線５６５によって示されている。
【００３２】
図５Ｇに示される物品は、ここで、アルカリエッチング浴に通される。アルカリエッチング処理は、図５Ｈに示される領域５４５内の金属導体５００の部分を除去し、第２の金属電極５０５を形成する。アルカリエッチングは、任意の誘電体５１０を侵蝕または除去しない。
【００３３】
図５Ｉを参照すると、ここで、フォトマスク５７０が除去され、別のフォトレジストによって置き換えられることがあり、このフォトレジストが像形成されて、図５Ｊに示されるフォトマスク５８０を形成する。ここで、薄膜セラミック誘電体５１０の一部分が、図５Ｋに示されるように領域５４８内でサンドブラストによって除去されることがあり、薄膜誘電体５１５を残す。第１の金属電極５２５と、薄膜誘電体５１５と、第２の金属電極５０５とが、図５Ｌに示されるコンデンサ５０００を形成する。
【００３４】
図５Ｌを参照すると、第２の金属電極５０５が、薄膜セラミック誘電体５１０をサンドブラストするためのマスクとして使用されることがあり、図５Ｍに示される構造を作成する。
【００３５】
本明細書で使用されサンドブラストは、必ずしも、ブラスト媒体として砂を使用しなくてもよい。サンドブラストは、砂、酸化アルミニウム、ガラスビーズ、または５．５〜９．０の範囲内の硬度（モース硬度）を有する有機材料を使用することができる。セラミック誘電体が迅速に除去されるように、高い硬度のブラスト媒体が望ましい。研磨スラリ、さらには純水からなることがある水噴霧プロセスなど、誘電体および金属（典型的には銅）層を除去する代替の物理的手段が採用されることもある。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１Ａ】箔上形成薄膜セラミックコンデンサを説明する図である。
【図１Ｂ】箔上形成薄膜セラミックコンデンサを説明する図である。
【図１Ｃ】箔上形成薄膜セラミックコンデンサを説明する図である。
【図２Ａ】別個のコンデンサ構造を示す図である。
【図２Ｂ】別個のコンデンサ構造を示す図である。
【図３Ａ】第１の実施形態による別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する方法を例示する図のうちの一の工程を示す図である。銅箔およびセラミック誘電体の選択部分が、光画定マスクを通したサンドブラストによって除去される。
【図３Ｂ】第１の実施形態による別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する方法を例示する図のうちの一の工程を示す図である。銅箔およびセラミック誘電体の選択部分が、光画定マスクを通したサンドブラストによって除去される。
【図３Ｃ】第１の実施形態による別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する方法を例示する図のうちの一の工程を示す図である。銅箔およびセラミック誘電体の選択部分が、光画定マスクを通したサンドブラストによって除去される。
【図３Ｄ】第１の実施形態による別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する方法を例示する図のうちの一の工程を示す図である。銅箔およびセラミック誘電体の選択部分が、光画定マスクを通したサンドブラストによって除去される。
【図３Ｅ】第１の実施形態による別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する方法を例示する図のうちの一の工程を示す図である。銅箔およびセラミック誘電体の選択部分が、光画定マスクを通したサンドブラストによって除去される。
【図３Ｆ】第１の実施形態による別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する方法を例示する図のうちの一の工程を示す図である。銅箔およびセラミック誘電体の選択部分が、光画定マスクを通したサンドブラストによって除去される。
【図４Ａ】第２の実施形態による別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する方法を例示する図のうちの一の工程を示す図である。第１の電極がアルカリエッチング処理を使用して形成される。形成される第１の電極と、それを保護する光画定マスクとが、第１の電極間のセラミック誘電体がサンドブラストによって除去されるときに、下にあるセラミック誘電体を保護するために使用される。薄膜セラミック誘電体をサンドブラスト除去した後、フォトマスクが除去され、別のフォトレジストによって置き換えられ、このフォトレジストが像形成されて、別のフォトマスクを形成し、このフォトマスクは、第２の電極がエッチングによってパターン形成される間に、第１の電極および薄膜セラミック誘電体を保護する働きをする。
【図４Ｂ】第２の実施形態による別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する方法を例示する図のうちの一の工程を示す図である。第１の電極がアルカリエッチング処理を使用して形成される。形成される第１の電極と、それを保護する光画定マスクとが、第１の電極間のセラミック誘電体がサンドブラストによって除去されるときに、下にあるセラミック誘電体を保護するために使用される。薄膜セラミック誘電体をサンドブラスト除去した後、フォトマスクが除去され、別のフォトレジストによって置き換えられ、このフォトレジストが像形成されて、別のフォトマスクを形成し、このフォトマスクは、第２の電極がエッチングによってパターン形成される間に、第１の電極および薄膜セラミック誘電体を保護する働きをする。
【図４Ｃ】第２の実施形態による別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する方法を例示する図のうちの一の工程を示す図である。第１の電極がアルカリエッチング処理を使用して形成される。形成される第１の電極と、それを保護する光画定マスクとが、第１の電極間のセラミック誘電体がサンドブラストによって除去されるときに、下にあるセラミック誘電体を保護するために使用される。薄膜セラミック誘電体をサンドブラスト除去した後、フォトマスクが除去され、別のフォトレジストによって置き換えられ、このフォトレジストが像形成されて、別のフォトマスクを形成し、このフォトマスクは、第２の電極がエッチングによってパターン形成される間に、第１の電極および薄膜セラミック誘電体を保護する働きをする。
【図４Ｄ】第２の実施形態による別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する方法を例示する図のうちの一の工程を示す図である。第１の電極がアルカリエッチング処理を使用して形成される。形成される第１の電極と、それを保護する光画定マスクとが、第１の電極間のセラミック誘電体がサンドブラストによって除去されるときに、下にあるセラミック誘電体を保護するために使用される。薄膜セラミック誘電体をサンドブラスト除去した後、フォトマスクが除去され、別のフォトレジストによって置き換えられ、このフォトレジストが像形成されて、別のフォトマスクを形成し、このフォトマスクは、第２の電極がエッチングによってパターン形成される間に、第１の電極および薄膜セラミック誘電体を保護する働きをする。
【図４Ｅ】第２の実施形態による別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する方法を例示する図のうちの一の工程を示す図である。第１の電極がアルカリエッチング処理を使用して形成される。形成される第１の電極と、それを保護する光画定マスクとが、第１の電極間のセラミック誘電体がサンドブラストによって除去されるときに、下にあるセラミック誘電体を保護するために使用される。薄膜セラミック誘電体をサンドブラスト除去した後、フォトマスクが除去され、別のフォトレジストによって置き換えられ、このフォトレジストが像形成されて、別のフォトマスクを形成し、このフォトマスクは、第２の電極がエッチングによってパターン形成される間に、第１の電極および薄膜セラミック誘電体を保護する働きをする。
【図４Ｆ】第２の実施形態による別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する方法を例示する図のうちの一の工程を示す図である。第１の電極がアルカリエッチング処理を使用して形成される。形成される第１の電極と、それを保護する光画定マスクとが、第１の電極間のセラミック誘電体がサンドブラストによって除去されるときに、下にあるセラミック誘電体を保護するために使用される。薄膜セラミック誘電体をサンドブラスト除去した後、フォトマスクが除去され、別のフォトレジストによって置き換えられ、このフォトレジストが像形成されて、別のフォトマスクを形成し、このフォトマスクは、第２の電極がエッチングによってパターン形成される間に、第１の電極および薄膜セラミック誘電体を保護する働きをする。
【図４Ｇ】第２の実施形態による別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する方法を例示する図のうちの一の工程を示す図である。第１の電極がアルカリエッチング処理を使用して形成される。形成される第１の電極と、それを保護する光画定マスクとが、第１の電極間のセラミック誘電体がサンドブラストによって除去されるときに、下にあるセラミック誘電体を保護するために使用される。薄膜セラミック誘電体をサンドブラスト除去した後、フォトマスクが除去され、別のフォトレジストによって置き換えられ、このフォトレジストが像形成されて、別のフォトマスクを形成し、このフォトマスクは、第２の電極がエッチングによってパターン形成される間に、第１の電極および薄膜セラミック誘電体を保護する働きをする。
【図４Ｈ】第２の実施形態による別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する方法を例示する図のうちの一の工程を示す図である。第１の電極がアルカリエッチング処理を使用して形成される。形成される第１の電極と、それを保護する光画定マスクとが、第１の電極間のセラミック誘電体がサンドブラストによって除去されるときに、下にあるセラミック誘電体を保護するために使用される。薄膜セラミック誘電体をサンドブラスト除去した後、フォトマスクが除去され、別のフォトレジストによって置き換えられ、このフォトレジストが像形成されて、別のフォトマスクを形成し、このフォトマスクは、第２の電極がエッチングによってパターン形成される間に、第１の電極および薄膜セラミック誘電体を保護する働きをする。
【図４Ｉ】第２の実施形態による別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する方法を例示する図のうちの一の工程を示す図である。第１の電極がアルカリエッチング処理を使用して形成される。形成される第１の電極と、それを保護する光画定マスクとが、第１の電極間のセラミック誘電体がサンドブラストによって除去されるときに、下にあるセラミック誘電体を保護するために使用される。薄膜セラミック誘電体をサンドブラスト除去した後、フォトマスクが除去され、別のフォトレジストによって置き換えられ、このフォトレジストが像形成されて、別のフォトマスクを形成し、このフォトマスクは、第２の電極がエッチングによってパターン形成される間に、第１の電極および薄膜セラミック誘電体を保護する働きをする。
【図４Ｊ】第２の実施形態による別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する方法を例示する図のうちの一の工程を示す図である。第１の電極がアルカリエッチング処理を使用して形成される。形成される第１の電極と、それを保護する光画定マスクとが、第１の電極間のセラミック誘電体がサンドブラストによって除去されるときに、下にあるセラミック誘電体を保護するために使用される。薄膜セラミック誘電体をサンドブラスト除去した後、フォトマスクが除去され、別のフォトレジストによって置き換えられ、このフォトレジストが像形成されて、別のフォトマスクを形成し、このフォトマスクは、第２の電極がエッチングによってパターン形成される間に、第１の電極および薄膜セラミック誘電体を保護する働きをする。
【図５Ａ】さらなる代替実施形態による別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する方法を例示する図のうちの一の工程を示す図である。第１の電極が、図１Ｂに示される箔上形成金属／誘電体／金属構造の第１の側に形成され、前記第１の側が、プリプレグ材料を使用して追加の金属導体に積層され、次いで第２の電極が、前記箔上形成金属／誘電体／金属構造の第２の側に形成され、露出された薄膜セラミック誘電体がサンドブラストによって除去される。
【図５Ｂ】さらなる代替実施形態による別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する方法を例示する図のうちの一の工程を示す図である。第１の電極が、図１Ｂに示される箔上形成金属／誘電体／金属構造の第１の側に形成され、前記第１の側が、プリプレグ材料を使用して追加の金属導体に積層され、次いで第２の電極が、前記箔上形成金属／誘電体／金属構造の第２の側に形成され、露出された薄膜セラミック誘電体がサンドブラストによって除去される。
【図５Ｃ】さらなる代替実施形態による別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する方法を例示する図のうちの一の工程を示す図である。第１の電極が、図１Ｂに示される箔上形成金属／誘電体／金属構造の第１の側に形成され、前記第１の側が、プリプレグ材料を使用して追加の金属導体に積層され、次いで第２の電極が、前記箔上形成金属／誘電体／金属構造の第２の側に形成され、露出された薄膜セラミック誘電体がサンドブラストによって除去される。
【図５Ｄ】さらなる代替実施形態による別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する方法を例示する図のうちの一の工程を示す図である。第１の電極が、図１Ｂに示される箔上形成金属／誘電体／金属構造の第１の側に形成され、前記第１の側が、プリプレグ材料を使用して追加の金属導体に積層され、次いで第２の電極が、前記箔上形成金属／誘電体／金属構造の第２の側に形成され、露出された薄膜セラミック誘電体がサンドブラストによって除去される。
【図５Ｅ】さらなる代替実施形態による別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する方法を例示する図のうちの一の工程を示す図である。第１の電極が、図１Ｂに示される箔上形成金属／誘電体／金属構造の第１の側に形成され、前記第１の側が、プリプレグ材料を使用して追加の金属導体に積層され、次いで第２の電極が、前記箔上形成金属／誘電体／金属構造の第２の側に形成され、露出された薄膜セラミック誘電体がサンドブラストによって除去される。
【図５Ｆ】さらなる代替実施形態による別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する方法を例示する図のうちの一の工程を示す図である。第１の電極が、図１Ｂに示される箔上形成金属／誘電体／金属構造の第１の側に形成され、前記第１の側が、プリプレグ材料を使用して追加の金属導体に積層され、次いで第２の電極が、前記箔上形成金属／誘電体／金属構造の第２の側に形成され、露出された薄膜セラミック誘電体がサンドブラストによって除去される。
【図５Ｇ】さらなる代替実施形態による別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する方法を例示する図のうちの一の工程を示す図である。第１の電極が、図１Ｂに示される箔上形成金属／誘電体／金属構造の第１の側に形成され、前記第１の側が、プリプレグ材料を使用して追加の金属導体に積層され、次いで第２の電極が、前記箔上形成金属／誘電体／金属構造の第２の側に形成され、露出された薄膜セラミック誘電体がサンドブラストによって除去される。
【図５Ｈ】さらなる代替実施形態による別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する方法を例示する図のうちの一の工程を示す図である。第１の電極が、図１Ｂに示される箔上形成金属／誘電体／金属構造の第１の側に形成され、前記第１の側が、プリプレグ材料を使用して追加の金属導体に積層され、次いで第２の電極が、前記箔上形成金属／誘電体／金属構造の第２の側に形成され、露出された薄膜セラミック誘電体がサンドブラストによって除去される。
【図５Ｉ】さらなる代替実施形態による別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する方法を例示する図のうちの一の工程を示す図である。第１の電極が、図１Ｂに示される箔上形成金属／誘電体／金属構造の第１の側に形成され、前記第１の側が、プリプレグ材料を使用して追加の金属導体に積層され、次いで第２の電極が、前記箔上形成金属／誘電体／金属構造の第２の側に形成され、露出された薄膜セラミック誘電体がサンドブラストによって除去される。
【図５Ｊ】さらなる代替実施形態による別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する方法を例示する図のうちの一の工程を示す図である。第１の電極が、図１Ｂに示される箔上形成金属／誘電体／金属構造の第１の側に形成され、前記第１の側が、プリプレグ材料を使用して追加の金属導体に積層され、次いで第２の電極が、前記箔上形成金属／誘電体／金属構造の第２の側に形成され、露出された薄膜セラミック誘電体がサンドブラストによって除去される。
【図５Ｋ】さらなる代替実施形態による別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する方法を例示する図のうちの一の工程を示す図である。第１の電極が、図１Ｂに示される箔上形成金属／誘電体／金属構造の第１の側に形成され、前記第１の側が、プリプレグ材料を使用して追加の金属導体に積層され、次いで第２の電極が、前記箔上形成金属／誘電体／金属構造の第２の側に形成され、露出された薄膜セラミック誘電体がサンドブラストによって除去される。
【図５Ｌ】さらなる代替実施形態による別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する方法を例示する図のうちの一の工程を示す図である。第１の電極が、図１Ｂに示される箔上形成金属／誘電体／金属構造の第１の側に形成され、前記第１の側が、プリプレグ材料を使用して追加の金属導体に積層され、次いで第２の電極が、前記箔上形成金属／誘電体／金属構造の第２の側に形成され、露出された薄膜セラミック誘電体がサンドブラストによって除去される。
【図５Ｍ】さらなる代替実施形態による別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを製造する方法を例示する図のうちの一の工程を示す図である。第１の電極が、図１Ｂに示される箔上形成金属／誘電体／金属構造の第１の側に形成され、前記第１の側が、プリプレグ材料を使用して追加の金属導体に積層され、次いで第２の電極が、前記箔上形成金属／誘電体／金属構造の第２の側に形成され、露出された薄膜セラミック誘電体がサンドブラストによって除去される。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを作成する方法であって、
第１の金属導体、セラミック誘電体、および第２の金属導体を備える構造を提供するステップと、
前記金属導体の少なくとも１つの上に光画定可能なマスクを形成し、それにより、下にある第１の金属導体、セラミック誘電体、および反対側の第２の金属導体と共に第１の光画定可能なマスクを備える物品を形成するステップと、
第１の金属電極を備える前記物品のパターン形成された第１の側を形成するために、前記第１の光画定可能なマスクおよび前記下にある第１の金属導体の選択部分を除去するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
さらに、前記セラミック誘電体の選択部分を除去するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサは、有機誘電体層に積層されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記下にある第１の金属導体、前記セラミック誘電体、および前記反対側の金属導体の少なくとも１つの選択部分は、サンドブラスト、水衝突、および化学エッチングからなる群から選択されるプロセスによって除去されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
さらに、前記第１の光画定可能なマスクを本質的に完全に除去し、それにより前記物品の本質的にマスクフリーのパターン形成された第１の側を形成するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の光画定可能なマスクは完全に除去され、それにより、露出されたセラミック誘電体と保護されたセラミック誘電体との両方を備える構造を形成し、前記保護されたセラミック誘電体は前記第１の金属電極によって覆われ、前記露出されたセラミック誘電体は除去されることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項７】
サンドブラスト、水衝突、および化学エッチングからなる群から選択される衝突プロセスによって形成される別個のコンデンサを備えることを特徴とする内層。
【請求項８】
請求項７に記載の内層を備えることを特徴とするプリント配線板または有機半導体パッケージ基板。
【請求項１】
別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサを作成する方法であって、
第１の金属導体、セラミック誘電体、および第２の金属導体を備える構造を提供するステップと、
前記金属導体の少なくとも１つの上に光画定可能なマスクを形成し、それにより、下にある第１の金属導体、セラミック誘電体、および反対側の第２の金属導体と共に第１の光画定可能なマスクを備える物品を形成するステップと、
第１の金属電極を備える前記物品のパターン形成された第１の側を形成するために、前記第１の光画定可能なマスクおよび前記下にある第１の金属導体の選択部分を除去するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
さらに、前記セラミック誘電体の選択部分を除去するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記別個の箔上形成薄膜セラミックコンデンサは、有機誘電体層に積層されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記下にある第１の金属導体、前記セラミック誘電体、および前記反対側の金属導体の少なくとも１つの選択部分は、サンドブラスト、水衝突、および化学エッチングからなる群から選択されるプロセスによって除去されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
さらに、前記第１の光画定可能なマスクを本質的に完全に除去し、それにより前記物品の本質的にマスクフリーのパターン形成された第１の側を形成するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の光画定可能なマスクは完全に除去され、それにより、露出されたセラミック誘電体と保護されたセラミック誘電体との両方を備える構造を形成し、前記保護されたセラミック誘電体は前記第１の金属電極によって覆われ、前記露出されたセラミック誘電体は除去されることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項７】
サンドブラスト、水衝突、および化学エッチングからなる群から選択される衝突プロセスによって形成される別個のコンデンサを備えることを特徴とする内層。
【請求項８】
請求項７に記載の内層を備えることを特徴とするプリント配線板または有機半導体パッケージ基板。
【図１Ａ】
【図１Ｂ】
【図１Ｃ】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図３Ｃ】
【図３Ｄ】
【図３Ｅ】
【図３Ｆ】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図４Ｃ】
【図４Ｄ】
【図４Ｅ】
【図４Ｆ】
【図４Ｇ】
【図４Ｈ】
【図４Ｉ】
【図４Ｊ】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図５Ｃ】
【図５Ｄ】
【図５Ｅ】
【図５Ｆ】
【図５Ｇ】
【図５Ｈ】
【図５Ｉ】
【図５Ｊ】
【図５Ｋ】
【図５Ｌ】
【図５Ｍ】
【図１Ｂ】
【図１Ｃ】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図３Ｃ】
【図３Ｄ】
【図３Ｅ】
【図３Ｆ】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図４Ｃ】
【図４Ｄ】
【図４Ｅ】
【図４Ｆ】
【図４Ｇ】
【図４Ｈ】
【図４Ｉ】
【図４Ｊ】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図５Ｃ】
【図５Ｄ】
【図５Ｅ】
【図５Ｆ】
【図５Ｇ】
【図５Ｈ】
【図５Ｉ】
【図５Ｊ】
【図５Ｋ】
【図５Ｌ】
【図５Ｍ】
【公開番号】特開２００８−１０９０８８（Ｐ２００８−１０９０８８Ａ）
【公開日】平成２０年５月８日（２００８．５．８）
【国際特許分類】
【外国語出願】
【出願番号】特願２００７−２０８２４４（Ｐ２００７−２０８２４４）
【出願日】平成１９年８月９日（２００７．８．９）
【出願人】（３９００２３６７４）イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー (2,692)
【氏名又は名称原語表記】Ｅ．Ｉ．ＤＵ ＰＯＮＴ ＤＥ ＮＥＭＯＵＲＳ ＡＮＤ ＣＯＭＰＡＮＹ
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年５月８日（２００８．５．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−２０８２４４（Ｐ２００７−２０８２４４）
【出願日】平成１９年８月９日（２００７．８．９）
【出願人】（３９００２３６７４）イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー (2,692)
【氏名又は名称原語表記】Ｅ．Ｉ．ＤＵ ＰＯＮＴ ＤＥ ＮＥＭＯＵＲＳ ＡＮＤ ＣＯＭＰＡＮＹ
【Ｆターム（参考）】
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