【課題】誘電体フィルムの薄肉化による問題を発生させることなく、小型・大容量化が有利に実現可能なフィルムコンデンサを提供する。
【解決手段】複数の誘電体１２，１６ａと少なくとも一つの金属蒸着膜層１４ａ，１４ｂとを交互に一つずつ位置するように積層すると共に、該誘電体１２，１６ａを、一つの樹脂フィルム層１２と少なくとも一つの蒸着重合膜１６ａとにて構成し、更に、該少なくとも一つの蒸着重合膜層１６ａを該金属蒸着膜１４ａ上に積層形成してなる基本素子１０を用いて、構成した。 （もっと読む）

【課題】積層セラミックコンデンサーの大エネルギー容量化
【解決手段】本発明では積層セラミックコンデンサーの誘電膜作成を、巻取り式電子ビー
ム真空蒸着法を用いて作成し、誘電膜蒸着時に、アイドラーと接する電極の蒸着部の
温度を所定の温度に設定することで、結晶性の最適化をおこない、高誘電率で高耐電圧
の誘電膜を高能率で作成する。 （もっと読む）

【課題】配向基板上に高速、安価で容易にエピタキシャル薄膜を成長させる。
【解決手段】配向基板上に、燃焼化学蒸着法（ＣＣＶＤ）などを用いてペロブスカイト系誘電層を形成する。ＣＣＶＤ装置１００の供給端１０２に供給される前駆物質は、別の供給口１０６から供給される酸素と反応し、生成物を基板Ｓに堆積させる。コンデンサにおける誘電体としては、ＭｇＯ単結晶基板を用い、有機金属化合物を前駆物質としてＳｒＴｉＯ_３を形成するほか、ＢａＳｒＴｉＯ_３形成技術などを得る。 （もっと読む）

【課題】バルブ金属陽極体の製造工程あるいはコンデンサ製造工程におけるハンドリング性、生産性を向上させる、バルブ金属陽極体素子が複数個連なったバルブ金属陽極体シートおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】バルブ金属箔とその少なくとも一方の面に形成されたバルブ金属多孔質層からなる陽極体素子が複数個連結し、その陽極体素子が方形の形状を有し、且つ陽極体素子の角部を連結部として、横並びの行配置型、縦並びの列配置型、および碁盤目配置型のいずれかの形態で、複数個連結しているバルブ金属陽極体シート。 （もっと読む）

【解決手段】固体薄膜コンデンサが提供される。固体薄膜コンデンサの態様は、遷移金属の第１電極層と、遷移金属の酸化物の絶縁層と、金属酸化物の第２電極層とを含む。固体薄膜コンデンサ並びに前記コンデンサを含む装置を作製する方法も提供される。コンデンサは、陰極アークで作製された１つ以上の構造体、即ち、陰極アーク堆積プロセスを利用して作製される構造体を有し得る。それらの構造体は、応力がない金属構造体、多孔質層、及び、細密褶曲を表す層であり得る。本発明の態様は、化学気相堆積を利用して及び／又はスパッタ堆積により容量性構造を作製する方法を更に含む。
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【課題】絶縁破壊電圧と漏れ電流特性の改善された薄膜コンデンサを提供する。
【解決手段】薄膜コンデンサの第一電極２と、その反対側の第二電極３と、第一電極と第二電極の間に配置され、ドープされた誘電体層４１を有する誘電体層構造４を含む。ドープされた誘電体層は、ドープ剤をその中に含み、０原子／ｃｍ³より大きく、１０¹⁰原子／ｃｍ³より大きくないドーピング濃度を有する。誘電体層構造には、ドープされていない誘電体層を有してもよい。誘電体層はＳｉＯ２などの酸化物、ドープ剤はＡｌやＣｏなどを含む。電極はＦｅＣｏＮｉを含む強磁性合金からなる。 （もっと読む）

【課題】ＩＣチップの直下に最短距離の配線で埋設可能な薄膜キャパシタを高い製品歩留まりで提供する。
【解決手段】この薄膜キャパシタは、第一の電極および第二の電極の間に、セラミックスを含んでなる、厚さ２０ｎｍ〜２．０μｍの誘電体層が挟持されてなる。第一の電極に直径Ｄのクリアランスホールが形成され、かつクリアランスホールの形成により露出した誘電体層の領域内に直径Ｄよりも小さい直径ｄを有するビアホールが同心円状に形成されており、（Ｄ−ｄ）／２で規定されるクリアランスが２５μｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】加工後には支持体から容易に分離できる一方、加工時においては支持体上で確実に支持することで、ショートの発生を少なくして歩留りを高めることが可能な薄膜コンデンサの製造方法を提供する。
【解決手段】金属箔１２と金属箔１２上に設けられた誘電体層１４と誘電体層１４上に設けられた電極層１６とを備える薄膜コンデンサ１０を製造する方法であって、金属箔１２の周縁を支持体２００上に固定した状態で、金属箔１２上に誘電体層１４と上部電極層１６とを形成する工程を含む加工を行って加工体を作製し、支持体２００に固定された金属箔１２の周縁よりも内側にある加工体の領域を切り出して、支持体２００から分離する。 （もっと読む）

【課題】ショートが少なく且つ誘電体の破損によるゴミが発生し難い構造の薄膜コンデンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】金属箔１２上に設けられた２層以上の誘電体層１４と、２層以上の誘電体層１４の間に設けられた内部電極層１６と、２層以上の誘電体層１４のうち最上層の誘電体層上に設けられた上部電極層１８と、を備える薄膜コンデンサ１０であって、当該薄膜コンデンサ１０の積層方向から見て、これら各層の外形は下層に向かうにつれて広がっており、２層以上の誘電体層１４のうち少なくとも一の誘電体層１４に関し、該一の誘電体層１４の外形から直下の内部電極層１６の外形が露出するギャップをＡとし、当該一の誘電体層１４の外形が直上の内部電極層１６又は上部電極層１８の外形から露出するギャップをＢとした場合、Ｂ＞Ａ＞０の関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜と基板との剥離を抑制するためのデバイス構造を有する薄膜コンデンサを提供する。
【解決手段】薄膜コンデンサ１００は、下部電極２０、誘電体膜３０、及び上部電極４０が基板１０上に順次積層されてなる積層構造を有する。下部電極２０の側面は、誘電体膜３０を介して密着層４１が形成されており、この積層構造は、密着層４１に接する絶縁膜５０によって被覆されている。斯かるデバイス構造によれば、絶縁膜５０との密着性に優れた密着層４１が絶縁膜５０と誘電体膜３０との間に介在しているので、絶縁膜５０の剥離を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】リーク電流が低減されると共に個体間においてリーク電流のバラつきが小さい薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】薄膜デバイス１００は、金属からなる下地電極２と、第１の誘電体層４、第１の内部電極１０、第２の誘電体層６、第２の内部電極１２、第３の誘電体層８と、を備える。複数の誘電体層のうち下地電極２に接する最下層の第１の誘電体層４の厚さをＴ１とし、第１の誘電体層４を除く複数の誘電体層６，８のうち最も薄い誘電体層の厚さをＴｍｉｎとしたとき、Ｔ１＞Ｔｍｉｎを満たすことを特徴とする。第１の誘電体層４の厚さを他の誘電体層のうち最も薄い誘電体層よりも厚くすることにより、下地電極２の金属表面の表面粗さに由来して金属表面から突出する金属部分と最下層の誘電体層上に積層された内部電極との距離を大きくすることができるため、リーク電流を低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】金属からなる基板と酸化物誘電体層との界面における密着性を高めると共にリーク特性が良好である誘電体素子と、当該誘電体素子をより簡易に作製することができる製造方法を提供する。
【解決手段】誘電体素子１０は、金属からなる基板１２と基板１２の表面上に積層された酸化物誘電体層１４とを備え、基板１０の表面は島状に分布する金属酸化物領域１６を有し、酸化物誘電体層１４は金属酸化物領域１６を介して基板１２と密着する。基板１２の表面に島状に分布する金属酸化物領域１６を介して基板１２と酸化物誘電体層１４とが密着した領域の密着性が高いため、誘電体素子１０の基板１２と酸化物誘電体層１４との密着性が高められる。また、金属箔上に凹凸を形成する場合と比較して、金属酸化物領域１６と基板１２とによる凹凸の形成が抑制されるため、この凹凸によるリーク特性の劣化を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】簡便な手法で、従来の強誘電体薄膜よりも大幅に比誘電率を向上し得る、高容量密度の薄膜キャパシタ用途に適した強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】ＰＬＺＴ、ＰＺＴ及びＰＴからなる群より選ばれた１種の強誘電体薄膜を形成するための強誘電体薄膜形成用組成物であり、一般式：（Ｐｂ_xＬａ_y）（Ｚｒ_zＴｉ_(1-z)）Ｏ₃（式中０．９＜ｘ＜１．３、０≦ｙ＜０．１、０≦ｚ＜０．９）で示される複合金属酸化物Ａに、Ｂｉを含む複合金属酸化物Ｂが混合した混合複合金属酸化物の形態をとる薄膜を形成するための液状組成物であり、各原料が上記一般式で示される金属原子比を与えるような割合となるように、有機溶媒中に溶解している有機金属化合物溶液からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 薄膜電子部品の性能の低下を防ぐことの可能な薄膜電子部品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る薄膜電子部品は、基材１０と、基材１０の一方の主面上に形成されると共に第１の開口部１４ａにより第１の主要部２１と第１のアイランド部２０とに分離された第１の導電層１４と、第１の主要部２１上を覆うと共に第１の開口部１４ａを充填する誘電体層１６と、誘電体層１６の少なくとも一部を覆うと共に第１の導電層１４の第１のアイランド部２０と接する第２の導電層２３と、第１の導電層１４の第１のアイランド部２０と第２の導電層２３とが接触する領域において第１のアイランド部２０と第２の導電層２３とを貫通する第１の開口５０と、基材１０を貫通して第１の開口５０に連通する第１の貫通孔５２と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】低周波数帯域のキャパシタンスを小さくせず、容量性部品の使用周波数の上限を高周波帯域に広げた広帯域容量素子を提供する。
【解決手段】電極板１０１の上に、組成の異なる誘電体板１１１、１１２が形成され、その上に電極板１０２が形成される。誘電体板１１１、１１２の内少なくとも一方は、対象周波数帯域において、分極の特異点を有する。例えば、誘電体１１１を炭化珪素ＳｉＣ、誘電体１１２を酸化アルミニウムＡｌ_２Ｏ_３で形成し、誘電体１１１は、２４６ＭＨｚにおいて分極の特異点を有する。即ち、２４６ＭＨｚを境に誘電率が大きく変化する。 （もっと読む）

【課題】高温領域での耐電圧性能の向上と高度な安全性を有する金属化フィルムコンデンサを提供する。
【解決手段】誘電体フィルムの少なくとも片面に蒸着電極を設けた金属化フィルムを巻回、または積層してコンデンサ素子を形成し、該コンデンサ素子の両端面に電極引き出し用のメタリコンを形成した金属化フィルムコンデンサにおいて、金属化フィルムの長手方向に沿って複数の絶縁スリットにより分割されて分割電極を形成する分割電極部と、蒸着電極が長手方向に連続した非分割電極部とが金属化フィルムのフィルム幅方向に交互に配置され、分割電極の各々が隣接する絶縁スリットの端部と端部との間に形成されたヒューズにて非分割電極部に接続されている。 （もっと読む）

非常に大きい層数を有する大容量コンデンサを生成する方法。導電および絶縁材料の相互層構造は、真空または不活性ガスチャンバを壊すことなくイオン堆積によって堆積される。平面基板のために、層堆積は、基板の両面上に、そして複数の基板上に、同時に進行してよい。連続堆積は、丸い基板のために用いられてよい。デバイスの内側層は、容量の改良のために原子近接効果を生み出すために、酸化アルミニウムのための約８０〜１４０のオングストロームの、そしてアルミニウムのための約４０〜７０のオングストロームの範囲の顕微鏡的な厚みを有してよい。欠陥は、自己回復作用によって、そして、隔離アイランドの作成によって、適応されてよい。 （もっと読む）

【課題】リーク特性を向上させることができる薄膜コンデンサの製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜コンデンサの製造方法は、金属箔１１を８００℃以上の温度にて焼鈍する焼鈍工程Ｓ２と、焼鈍された金属箔１１の結晶粒径Ｄ０と誘電体薄膜の膜厚ｔとの比Ｄ０／ｔが１０４〜５６０となるよう金属箔１１の上に誘電体薄膜１２を形成する誘電体薄膜形成工程Ｓ３と、金属箔１１及び誘電体薄膜１２を加熱して誘電体薄膜１２を焼結させる焼結工程Ｓ４と、焼結された誘電体薄膜１２の上に上部電極１３を形成する上部電極形成工程Ｓ５と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】キャパシタよりもエネルギー密度を大きくし、バッテリーよりも充電／放電を速くし、かつ／またはバッテリーよりも寿命をずっと長くしたエネルギー貯蔵装置を提供する。
【解決手段】本発明は、少なくとも１つの量子閉じ込め系（ＱＣＳ）を有するソリッドステート・エネルギー貯蔵装置を提供する。ここで、ＱＣＳ（１０２）は、量子ドット（ＱＤ）、量子井戸またはナノ細線を含み得る。本発明は、少なくとも１つのＱＣＳが組み込まれた少なくとも１つの誘電材料（１０４）層と、少なくとも１つの誘電材料層の上面に配置された第１導電電極（１０６）及び下面に配置された第２導電電極（１０８）とをさらに含み、両電極は、少なくとも１つのＱＣＳに電荷を移動させるように配置されており、両電極間に電圧を与えるように電気回路が配置されたとき、該電圧により、移動した電荷が少なくとも１つのＱＣＳから電気回路へ放電されるようにした。 （もっと読む）

【課題】金属箔の酸化を防止しながら、絶縁抵抗を充分高くできる誘電体薄膜素子の製造方法を提供する。
【解決手段】誘電体薄膜素子の製造方法は、金属箔１１上に形成された誘電体薄膜１２を、真空雰囲気又は還元雰囲気の下で４００〜１２００℃に加熱する焼成工程Ｓ３と、焼成工程Ｓ３の後に、還元雰囲気でアニール処理を行う還元アニール工程Ｓ４と、を備える。これにより、金属箔の酸化を防止しながら、リーク電流を低減でき、絶縁抵抗を充分高くできる。 （もっと読む）