【課題】 ドライエッチング耐性に優れるドライエッチングレジスト用硬化性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】 ポリシロキサンセグメント（ａ１）と、ビニル系重合体セグメント（ａ２）とを有する複合樹脂（Ａ）を含有するドライエッチングレジスト用材料を提供することで、ドライエッチング耐性に優れたドライエッチングレジスト用硬化性樹脂組成物、及び該ドライエッチングレジスト用硬化性組成物からなるレジスト膜を提供することができる。また、該レジスト膜を積層した積層体、及びパターン形成物も提供することができる。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンの剥離残りの発生の把握が容易な配線基板の製造方法及び液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】レジストパターン１６０を介してリード電極９０及び島状のカウントマーク１２０をパターニングするパターニング工程と、パターニング工程の後、レジストパターン１６０を酸素プラズマによって剥離するアッシング工程と、を有する流路形成基板１０の製造方法であって、パターニング工程では、アッシング工程におけるレジストパターン１６０の剥離特性に基づいて、リード電極９０におけるレジストパターン１６０の剥離時間よりも、カウントマーク１２０におけるレジストパターン１６０の剥離時間を長くするように、カウントマーク１２０の平面形状を設定するという手法を採用する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、被めっき層のプラズマエッチング処理を容易に実施することができる共に、密着性に優れたパターン状金属膜を有し、パターン状金属膜間の絶縁性に優れるパターン状金属膜を有する積層体の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に被めっき層１２を形成する被めっき層形成工程（Ａ）と、被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する触媒付与工程と、めっき１４を行うめっき工程（Ｂ）と、めっき工程後に、エッチング液を使用してパターン状金属膜１６を形成するパターン形成工程（Ｃ）と、パターン状金属膜を有する基板と酸性溶液とを接触させる酸性溶液接触工程と、パターン状金属膜が形成されていない領域３０の被めっき層を、プラズマエッチング処理により除去する被めっき層除去工程（Ｄ）とを備える、パターン状金属膜を有する積層体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】被めっき層のプラズマエッチング処理を容易に実施することができ、パターン状金属膜間の絶縁性に優れた積層体を得ることができる、パターン状金属膜を有する積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】所定のユニットからなる二元共重合体を含む被めっき層形成用組成物を用いて基板上に被めっき層１２を形成する被めっき層形成工程と、被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する触媒付与工程と、めっき処理を行い、被めっき層上に金属膜１４を形成するめっき工程と、エッチング液を使用してパターン状金属膜を形成するパターン形成工程と、パターン状金属膜を有する基板と酸性溶液とを接触させる酸性溶液接触工程と、パターン状金属膜が形成されていない領域３０の被めっき層１２をプラズマエッチング処理により除去する被めっき層除去工程とを備える、パターン状金属膜１６を有する積層体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】導電パターンを簡便に形成できる上に得られる導電パターン形成基板は印刷や組み立てにおいて位置ずれしにくい導電パターン形成基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の導電パターン形成基板の製造方法は、透明絶縁基板上に設けられた透明導電層に、パルス状レーザ光を、導電パターン１２が得られるように移動させながら照射する導電パターン形成工程と、前記透明導電層に、単位長さあたりのレーザ光照射熱量が導電パターン形成工程よりも大きいパルス状レーザ光を、位置決め用目印（外形線１４ａ、位置決めマーク１４ｂ）が得られるように移動させながら照射する位置決め用目印形成工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】配線領域の形成に手間がかからず製造が容易であり、表示領域においては導電パターンが視認されにくい高品位な透明導電膜を形成できるとともに、該透明導電膜の絶縁部の絶縁性が十分に確保され電気的な信頼性が向上する導電パターン形成基板の製造方法及び導電パターン形成基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板１１上の表示領域１３及び配線領域１５に、透明基体内に網状部材が配置される基礎膜ａを形成する工程と、基礎膜ａ上の配線領域１５に、配線ライン１４を形成する工程と、基礎膜ａ上の表示領域１３に対応する部位にマスク手段５０を形成して、基礎膜ａのうち配線領域１５における配線ライン１４に対応する部位以外の部位をドライエッチングにより除去する工程と、基礎膜ａのうち表示領域１３に対応する部位にレーザ光Ｌを照射することにより、空隙を形成して、透明導電膜１２とする工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】導電パターンの位置を所望の位置からずらすことなく、三次元形状を有する導電パターン形成基板を製造できる方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板１１と、絶縁基板１１の上に設けられ、基体内に金属からなる網状部材が配置される導電部Ｃおよび基体内の網状部材が除去されることにより形成された空隙が配置される絶縁部Ｉを有する導電膜１２とを備えた三次元形状を有する導電パターン形成基板１０を製造する方法であって、絶縁基板１１の上に、基体内に網状部材が配置される基礎膜ａが少なくとも形成された成形用基板１８を得る工程と、成形用基板１８を三次元成形し、三次元形状基板２０とする工程と、三次元形状基板２０における基礎膜ａにレーザ光Ｌを照射することによって空隙を形成し、導電膜１２とする工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、配線層とジャンパー部の周囲に存在する金属支持基板との絶縁性が高いサスペンション用基板を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層とを有するサスペンション用基板であって、金属支持基板の一部であるジャンパー部を囲む拡散層が除去され、上記ジャンパー部と上記金属支持基板とが絶縁されていることを特徴とするサスペンション用基板を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】導体回路間の絶縁信頼性の優れた回路基板、回路基板の製造方法および半導体装置を提供すること。
【解決手段】基材１０５と、基材１０５の少なくとも一方の面側に金属層１０１が形成された積層板１０を用意し、金属層１０１の表面に開口部を設けたレジスト層２１を形成する工程と、レジスト層２１の開口部にめっきにより導体部３１を形成する工程と、レジスト層２２を剥離液により除去する工程と、レジスト層を剥離液により除去することにより露出する金属層１０１をドライエッチングにより除去する工程と、を含むことを特徴とする回路基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】めっき触媒又はその前駆体に対する吸着性に優れ、めっき液耐性に優れる絶縁性樹脂層を形成しうる絶縁樹脂及び該絶縁性樹脂を含んでなる絶縁性樹脂層形成用組成物、金属パターンを簡易に形成しうる積層体、該積層体を用いた表面金属膜材料の作製方法、金属パターン材料の作製方法の提供。
【解決手段】式（Ａ）、式（Ｂ）及び式（Ｃ）で表される共重合体からなる絶縁性樹脂である。式中、Ｒ^１〜Ｒ^６は、水素又はアルキル基、Ｚ及びＶは二価の炭化水素基等、Ｗ、Ｗ^１はめっき触媒又はその前駆体と相互作用を形成する非解離性官能基。Ｒ^７及びＲ^８は、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基等を表す。
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【課題】発熱素子上の保護層および耐キャビテーション膜の被覆性が良好で、耐久性に優れた液体吐出装置用の回路基板、およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】電極材料層上に形成されたレジスト層を除去する工程において、少なくともフッ素を含むガスを用いたアッシングを行い、該アッシング後に、前記電極材料層表面に形成された、少なくとも前記レジスト層の灰化物もしくは前記電極材料層の化合物のいずれかを除去する。 （もっと読む）

本発明は、ａ）基板上に導電性膜を形成するステップ；ｂ）前記導電性膜上にエッチングレジストパターンを形成するステップ；およびｃ）前記エッチングレジストパターンを利用して前記導電性膜をオーバーエッチング（ｏｖｅｒ−ｅｔｃｈｉｎｇ）することによって、前記エッチングレジストパターンの幅より小さい線幅を有する導電性パターンを形成するステップを含む導電性パターンの製造方法、およびこれによって製造された導電性パターンを提供する。本発明によれば、超微細線幅を有する導電性パターンを効率的で且つ経済的に提供することができる。
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【課題】検査後のヘッド内流路の洗浄を簡略化および高品位な機能液滴吐出ヘッドのみを確実に選別することができる機能液滴吐出ヘッドの吐出検査方法等を提供する。
【解決手段】機能部品の金属配線をインクジェット方式で描画する機能液滴吐出ヘッド１の飛行曲がりを検査する機能液滴吐出ヘッド１の吐出検査方法であって、描画処理のための機能液に比して、密度の低い検査溶液を導入して機能液滴吐出ヘッド１から検査溶液を検査吐出させる検査吐出工程Ｓ４１と、検査吐出における各吐出ノズル１８の飛行曲がりの有無を検査する飛行検査工程Ｓ４２と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜を剥離した後、回路パターンの変色を除去することで、回路パターンにおけるワイヤボンディング不良を抑制する。
【解決手段】ドデシルベンゼンスルホン酸を含む剥離液により、パターン形成工程後の回路基板に対し、レジスト膜を溶解するレジスト剥離工程、上記レジスト剥離工程後の回路基板をアルコール脱脂した後、青化ソーダにより基板表面を活性化する表面活性化工程、上記表面活性化工程により表面の活性化された回路基板を洗浄する洗浄工程、により回路パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】プラスチックフィルムのような耐熱性の低い基材に対しても、基材の劣化を招くことなく、配線などの所望のパターンを作製できる加工体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】分散剤により覆われたナノ粒子を含む塗料を基材上に塗布する。基材上に塗布した塗料に対してプラズマ処理を施すことにより、低い温度領域においてナノ粒子を覆っている分散剤をナノ粒子表面より脱離させ、粒子間の焼結を促進させる。 （もっと読む）

導電パターンを特徴とする回路基板の製造方法であって、i）最終生産物のための所望領域（３ａ）と最終生産物における導電性領域間の狭小領域（３ｃ）とを備える金属箔（３）などの導電層の一部は、ボンド（２）によって基板物質（１）に接着され、
例えば金属箔（３）などの導電層において後に除去されるさらに広範囲の領域（３ｂ）は、基板物質と実質的に非接着状態で残っており、除去領域（３ｂ）は、続く工程ii）でパターン化される予定の縁部分よりも小さい部分、可能であれば、続く工程iii）の前に除去領域が解放されるのを防ぐ領域にて、基板物質と接着するように、金属箔（３）などの導電層を基板物質（１）へ選択的に接着する工程と、ii）導電パターンを確立するために、所望の導電性領域（３ａ）間の微小ギャップと、固体状態で除去可能な領域（３ｂ）の外側周囲から、材料を除去することにより、金属箔（３）などの導電層をパターン化する工程と、iii）工程ii）において除去領域の外側周囲から除去された導電層の縁領域が、基板物質と縁が接着している除去領域（３ｂ）をもはや保持しなくなった後に、基板物質（１）に付加されていない除去領域（３ｂ）を金属箔（３）などの導電層から除去する工程、とを備える回路基板の製造方法。
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【課題】
ＴＦＴ基板の発生した欠陥の修正に適用することを目的に、局所的に安定なプラズマ流を生成する。
【解決手段】
誘電体管を用いた高周波誘導結合方式によって発生したプラズマを利用した局所プラズマ処理装置であって、誘電体管（約１ｍｍ径）の先端部から大気中に射出されたプラズマ流の径寸法を制御するため、誘電体管の先端部と試料表面との間に電界制御部を配置し、更にプラズマ流の先端部と試料表面とが交差する領域に反応性ガスを供給するためのガス供給口を配置した。これにより、極めて細い（約数１００μｍ径）のプラズマ流を安定に形成することが出来、そして高品質の薄膜形成や良好なエッチング処理を実現可能にした。 （もっと読む）

【課題】基板との密着性及び配線間における絶縁信頼性に優れた配線パターンを形成しうる方法等の提供。
【解決手段】(a1)基板上にめっき触媒などと相互作用する官能基を有し該基板と直接化学結合するグラフトポリマーからなるポリマー層を設ける工程、(a2)ポリマー層にめっき触媒等を付与する工程、(a3)無電解めっき液を用いてめっき触媒等の還元及び無電解めっき処理を施し無電解めっき層を形成する工程、(a4)(a4-1)無電解めっき層を有する基板に対し電解めっき処理を施して電解めっき層を形成した後にサブトラクティブ法を用いて配線を形成するか、(a4-2)無電解めっき層を有する基板に対しセミアディティブ法を用いて配線パターンを形成する、工程、及び(a5)配線パターンを有する基板に対し樹脂エッチングを施す工程、を含むことを特徴とする配線パターン形成方法等である。 （もっと読む）

【課題】レジストを使用することなく、薄膜加工を簡単な工程で精度良く行う方法を提案する。また、低コストで半導体装置を作製する方法を提案する。
【解決手段】基板上に第１の層を形成し、第１の層上に剥離層を形成し、剥離層側から剥離層に選択的にレーザビームを照射して一部の剥離層の付着力を低減させる。次に、付着力が低減された剥離層を除去し、残存した剥離層をマスクとして第１の層を選択的にエッチングする。また、基板上に剥離層を形成し、少なくとも剥離層に選択的に第１のレーザビームを照射して一部の剥離層の付着力を低減させる。次に、付着力が低減された剥離層を除去する。次に、残存した剥離層上に第１の層を形成し、残存した剥離層に第２のレーザビームを照射して残存した剥離層の付着力を低減させ、残存した剥離層及び当該剥離層に接する第１の層を除去する。 （もっと読む）

【課題】 金属層−基板間の密着強度が高く、微細回路パターン間の絶縁性が確実にとれるようなメタライズド窒化アルミニウム基板を提供することを目的とする。
【解決手段】 窒化アルミニウム基板を、酸素分圧が１０^−４気圧以下である雰囲気中で、好ましくは１１５０〜１５００℃で５時間以上加熱して酸化することにより表面から３〜１５μｍ程度の厚さの酸化アルミニウム層を形成する。得られた表面酸化された窒化アルミニウム基板上に金属膜を形成し、この金属膜の一部をイオンミリングやレーザー加工等により除去して配線パターンを形成する。 （もっと読む）