【課題】少なくとも銀及び銅を含む金属層が外表面に露出した導電パターンを有する配線基板のめっき方法において、導電パターン以外の部分におけるめっき析出を抑制でき、かつ、導電パターン表面に良好なめっき層を形成できる、配線基板のめっき方法を提供する。
【解決手段】配線基板を、酸化剤を含有する第１の処理液で処理する（Ａ）工程と、（Ａ）工程を経た配線基板を、酸化銅を溶解する第２の処理液で処理することにより、導電パターンの表面から酸化銅を除去する（Ｂ）工程と、（Ｂ）工程を経た配線基板を、２５℃における酸化銀（Ｉ）を溶解する速度が２５℃における銅（０）を溶解する速度の１０００倍以上である第３の処理液で処理することにより、導電パターンの表面から酸化銀を除去する（Ｃ）工程と、（Ｃ）工程を経た配線基板の導電パターンに無電解めっきを施す（Ｄ）工程と、を有する配線基板のめっき方法とする。 （もっと読む）

【課題】本発明はプリント基板及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明は、回路パターンを含むベース基板と、前記ベース基板上に備えられる導電性パッドと、前記導電性パッドに接合されるはんだボールと、前記ベース基板と前記導電性パッドとの間に備えられる剥離防止層と、を含むプリント基板及びその製造方法を開示する。 （もっと読む）

【課題】本発明の第一の目的は、水溶液による現像が可能で、優れた現像性を示し、かつ、高温高湿環境下に曝されてもその表面上に形成されるめっき膜（金属膜）と高密着性を示す被めっき層を形成し得る被めっき層形成用組成物を提供することにある。
【解決手段】式（Ａ）で表されるユニット、および、式（Ｂ）で表されるユニットを少なくとも有するポリマー、を含有する被めっき層形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、吐出安定性に優れたインクを用い、基板との密着性、細線再現性及び導電性に優れた金属パターンの形成に用いる触媒パターンを製造する触媒パターン製造方法及びそれを用いた金属パターン製造方法を提供することにある。
【解決手段】無電解めっき触媒前駆体を含有するインクを用いて、基板上にパターン部を形成する形成工程と、該パターン部を還元液に浸漬して無電解めっき触媒前駆体を還元する還元工程を有する触媒パターン製造方法において、前記形成工程と還元工程の間に該パターン部の乾燥工程および酸性溶液による洗浄工程を含むことを特徴とする触媒パターン製造方法。 （もっと読む）

【課題】配線パターンと絶縁層との密着性を向上することが可能な配線回路基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】配線回路基板７０は、絶縁層１を備える。絶縁層１上に、複数の配線パターン７が形成される。各配線パターン７は、界面層２、第１のシード層３、第２のシード層４および配線層６を含む。界面層２、第１のシード層３、第２のシード層４および配線層６は、この順で絶縁層１上に積層される。界面層２は、硫酸を１８％の濃度（体積濃度）で含むとともに塩酸を１０％の濃度で含む混合水溶液中における飽和カロメル電極に対する電極電位が−０．３Ｖ以上０．０１Ｖ以下となるように形成される。 （もっと読む）

【課題】積層配線基板の配線層をキャパシタ下部電極として利用する場合に、密着強度を上げる微細凹凸の形成がキャパシタ特性や信頼性に不利益を与えないようにする。
【解決手段】積層基板構造内の配線層１４の表面に、絶縁基板１０に他の絶縁基板１９ａを貼り合わせるときの密着強度を確保する微細凹凸が形成されている。当該微細凹凸が形成された配線層１４面上に導電層１６が形成されている。当該導電層１６を下部電極とし、下部電極上にキャパシタ誘電体膜１７と上部電極１８が積層された容量素子が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 イオンマイグレーシンの発生を防止して、非回路となる部分の絶縁性を確保すると共に無電解めっきの密着性を向上させる。
【解決手段】 絶縁性基体１の表面に選択的に無電解銅めっき層３を形成した成形回路部品において、この絶縁性基体として熱可塑性樹脂に酸化亜鉛の多針状結晶粒体からなる充填剤を混合したものを使用し、この無電解銅めっき層を形成する前に、この絶縁性基体の表層に混在する充填剤をエッチング液によって除去する。酸化亜鉛の多針状結晶粒体が除去された絶縁性基体１の表層は、無電解銅めっき層３に対して優れたアンカー効果を発揮すると共に、非回路となる部分１ｂにおけるイオンマイグレーシンの発生を防止できる。 （もっと読む）

【課題】
微細な銅または銅合金配線とレジストや層間絶縁材等の樹脂との密着性に優れる該銅または銅合金表面を低エッチング量（エッチング量０．５μｍ以下）で所望の程度に粗化するための金属表面処理剤および表面処理方法を提供する。
【解決手段】
過酸化水素、無機酸、ハロゲンイオン、トリアゾール類を含有する金属表面処理剤で、銅または銅合金表面を低エッチング量（エッチング量０．５μｍ以下）で所望の程度に粗化することにより、微細な銅配線において銅配線とレジストや層間絶縁材等の樹脂との密着性が優れることを見出した。 （もっと読む）

【課題】ビアの形成後にデスミア処理された場合に、ビア周辺の樹脂が除去され難い絶縁フィルムを提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂、硬化剤及び無機充填剤を含むエポキシ樹脂組成物を用いた絶縁フィルムであって、絶縁フィルムを単独で１８０℃で３時間硬化させた硬化物のガラス転移温度をＴ１（℃）とし、基板上に絶縁フィルムを積層し、次に絶縁フィルムを（Ｔ１−３０）〜（Ｔ１＋２０）℃で５分間以上硬化させることにより、絶縁硬化フィルムを形成したときに、基板側の絶縁硬化フィルムの表面から０〜５μｍの領域１２Ａの絶縁硬化フィルムのガラス転移温度Ｔ２（℃）及び基板側とは反対側の絶縁硬化フィルムの表面から０〜５μｍの領域１２Ｂの絶縁硬化フィルムのガラス転移温度Ｔ３（℃）がそれぞれ１５０℃以上であり、かつ、Ｔ２とＴ３との温度差が１０℃以下である絶縁フィルム。 （もっと読む）

【課題】はんだバンプを形成する際の脱落や針状結晶の発生を防止し、正常な回路基板の安定した提供を可能とする回路基板製造方法を提供する。
【解決手段】回路基板１上の端子２の表面に粘着性付与化合物を塗布して粘着層５を形成する工程と、前記粘着層上に、はんだ粒子１１を付着する工程と、前記はんだ粒子に有機酸塩基のハロゲン化水素酸塩を含む活性剤を塗布してから、前記はんだ粒子が付着された回路基板を、はんだの融点以下で加熱して、はんだ粒子を定着させる工程と、前記はんだ粒子が定着された回路基板にフラックスを塗布する工程と、前記回路基板を加熱して、前記はんだ粒子を溶融する工程と、を具備してなることを特徴とする回路基板の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】カバーレイフィルムやソルダーレジストと銅又は銅合金界面へのめっき液の浸入が少なく、また、はんだ濡れ性が良好であり、基材とはんだとの接合信頼性も良好なめっき被膜を形成する無電解錫又は錫合金めっき液の提供。
【解決手段】少なくとも錫塩、錯化剤、酸を含む無電解錫又は錫合金めっき液において、ベンゼン環に直接結合した一つ以上のヒドロキシル基を持つ化合物を含有し、且つポリアルキレングリコール化合物又はポリアルキレングリコールの末端の少なくとも一つ以上のヒドロキシル基をアルコキシ基で封鎖したポリアルキレングリコールエーテル化合物を含有することを特徴とする無電解錫又は錫合金めっき液。 （もっと読む）

【課題】処理工程を増加させることなく、銅の表面をエッチング等の粗化処理することなく平滑な状態に処理することができ、かつ銅と樹脂等の絶縁材との間の密着性を維持することができる銅表面の皮膜を提供する。
【解決手段】スズ化合物と、錯化剤と、銅化合物とを含有し、表面処理剤全体に対するスズ化合物の濃度が１０ｐｐｍ以上、１０，０００ｐｐｍ未満の範囲内であり、スズ化合物の濃度に対する銅化合物の濃度の比が０．２以上、２．０以下の範囲内である。 （もっと読む）

【課題】粗化処理された硬化体の表面の表面粗さを小さくすることができ、さらに、粗化処理された硬化体の表面に金属層が形成された場合に、硬化体と金属層との接着強度を高めることができる樹脂組成物、並びに該樹脂組成物を用いた積層体を提供する。
【解決手段】エポキシ系樹脂と、ビフェニル骨格含有フェノール系硬化剤と、シランカップリング剤により表面処理された平均粒子径０．１〜０．４μｍのシリカと、硬化促進剤と、ポリビニルアセタール樹脂とを含有し、樹脂組成物中の固形分１００重量％中に、ポリビニルアセタール樹脂を１〜１５重量％の範囲内で含有する樹脂組成物、該樹脂組成物を反応させた反応物を粗化処理することにより得られた硬化体１、並びに硬化体１と、硬化体１の上面１ａにめっき処理により形成された金属層２とを備える積層体１０。 （もっと読む）

【課題】配線層の微細化（ライン：スペース＝１０：１０μｍ以下）に対応できると共に、配線層とその上の絶縁層との十分な密着性が得られる配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】下地層１０の上にシード層２０ａを形成する工程と、シード層２０ａの上に開口部が設けられためっきレジストを形成する工程と、電解めっきによりその開口部に銅めっき層２０ｂを形成する工程と、めっきレジストを除去する工程と、銅めっき層２０ｂをマスクにしてシード層２０ａをウェットエッチングして配線層２０を得る工程と、配線層２０の表面を黒化処理して粗化する工程と、配線層２０の上に絶縁層３０を形成する工程とを含み、シード層２０ａをエッチングする工程で銅めっき層２０ｂの表面が同時にソフトエッチングされ、これによって黒化処理の工程の前に行われる配線層２０のソフトエッチング工程を省略する。 （もっと読む）

【課題】基板との密着性に優れた金属膜、金属パターンを、低エネルギーで、且つ、簡易に形成しうる表面金属膜材料の作製方法、及び金属パターン材料の作製方法を提供すること。
【解決手段】（１）基板に、めっき触媒又はその前駆体と相互作用を形成する官能基、ラジカル重合性基、及び、ラジカル発生部位を有するポリマーを接触させた後、該ポリマーに対して露光を行い、該基板上にポリマー層を形成する工程と、（２）該ポリマー層にめっき触媒又はその前駆体を付与する工程と、（３）該めっき触媒又はその前駆体に対してめっきを行う工程と、を有することを特徴とする表面金属膜材料の作製方法、並びに、（４）該作製方法により得られた表面金属膜材料のめっき膜をパターン状にエッチングする工程を有することを特徴とする金属パターン材料の作製方法。 （もっと読む）

【課題】ビアランドパッドや回路配線の上部稜線部の丸みをなくし、上面を平坦に形成しながら、均一なめっき回路基板を作製することのできる酸性銅めっき前処理剤ならびにその前処理剤を使用しためっき方法を提供する。
【解決手段】次の成分（Ａ）ないし（Ｃ）（Ａ）有機酸または無機酸、（Ｂ）酸性銅めっき用添加剤、（Ｃ）還元剤を含有することを特徴とする酸性銅めっき用前処理剤および酸性電解銅めっきを行うに先立ち、被めっき物を上記の酸性銅用前処理剤に浸漬する銅めっき方法。 （もっと読む）

【課題】無電解めっき時に配線パターン間に発生する金の異常析出を抑制し、所望の配線パターンに損傷を与えない無電解めっき方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の無電解めっき方法は、ガラスセラミックからなる絶縁基材と金属焼結体配線パターンとから構成されるガラスセラミック配線基板において、金属焼結体配線パターンの表面に無電解ニッケルめっき皮膜を形成する無電解ニッケルめっき工程と、無電解ニッケルめっき皮膜上に置換型無電解金めっき皮膜を形成する置換型無電解金めっき工程と、置換型無電解金めっき皮膜上に還元型無電解金めっき皮膜を形成する還元型無電解金めっき工程とを含む無電解めっき方法であって、上記無電解ニッケルめっき工程と置換型無電解金めっき工程との間、または上記置換型無電解金めっき工程と還元型無電解金めっき工程との間にガラスエッチング処理工程を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 めっき層が形成される面にニッケル下地層が設けられた配線、端子、電極部材等の被めっき素材表面に所望とする金属のめっきを施す場合、得られた該金属めっき層の剥離や該金属めっき層面のふくれ等の欠陥部分が生じないめっき方法、及びそのために使用されるめっき前処理液を提供すること。
【解決手段】 被めっき素材上に形成されたニッケル下地層の表面を、亜硝酸イオンを含有する少なくとも１種類の無機酸または有機酸からなるめっき前処理液に接触させた後に該下地層の上に金属めっきを施す。特に、前記無機酸または有機酸としてその組成中にハロゲン元素を含まない酸を用い、また、該めっき前処理液中には界面活性剤を含有させるのが好ましい。
【効果】 所望とする金属めっき層との密着性が極めて良好で、該金属めっき層の剥離や金属めっき層表面のふくれ等の欠陥の発生頻度が低減される。 （もっと読む）

【課題】ポリイミド樹脂を変形させることなく、密着性に優れた金属薄膜をポリイミド樹脂表面に製造する方法を提供すること。
【解決手段】アルカリ性溶液によりポリイミド樹脂表面を処理してイミド環を開環し、改質層を形成する工程；金属イオン含有溶液により該改質層を処理する工程；前記ポリイミド樹脂を第１の還元剤溶液へ浸漬する工程；前記ポリイミド樹脂を水乃至は還元剤成分を含まない水溶液に浸漬する浸水工程；および前記ポリイミド樹脂を第２の還元剤溶液へ浸漬する工程を含むことを特徴とするポリイミド樹脂への金属薄膜製造方法。 （もっと読む）

【課題】スルーホール内の金属めっき膜と、スルーホールの内部に充填された充填材との間に剥離が生じることがなく、湿気の浸入を防止することができる、プリント配線板を提供すること。
【解決手段】絶縁基板９の表面及びスルーホール９０の内壁に金属めっき膜３を施し、金属めっき膜３の表面に粗化表面層３０を形成し、スルーホール９０の中及びその開口周辺部に、充填材としての電気絶縁材料１を充填し、硬化させ、絶縁基板９の表面に突出した電気絶縁材料１及び粗化表面層３０を研磨除去し、絶縁基板９の表面にパターン回路６１、６２を形成することにより得られるプリント配線板１０であり、スルーホール９０内壁の金属めっき膜は上記粗化表面層３０を介して充填材が接合され、一方、絶縁基板９の表面の金属めっき膜３０上には上記粗化表面層３０が残存することなくパターン回路６１、６２が形成されている。 （もっと読む）