【課題】高い電磁シールド性能をもつプリント配線板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１層間絶縁体層１１の一主面に信号配線１２が配設され、他主面に第１グランド層１３が張着される。また、第２層間絶縁体層１４の一主面に第２グランド層１５が張着され、その他主面が第１接着剤１６を介して第１層間絶縁体層１１の一主面側に貼り付けられる。そして、第１グランド層１３から第２グランド層１５を貫通するトレンチ１７が、各信号配線１２の両脇に沿って並行に穿設され、トレンチ１７の表面に被着し第１グランド層１３および第２グランド層１５に電気接続する導電体層１８が形成される。このトレンチ１７を充填する第２接着剤１９が形成され、第２接着剤１９を介し第１カバー層２０と第２カバー層２１が貼着される。 （もっと読む）

【課題】 絶縁層とフェライト層との間の接合強度をより向上させたガラスセラミック基板を提供する。
【解決手段】 ガラス相および第１結晶を含むガラスを有するガラスセラミックスからなる絶縁層１と、フェライト結晶を有するフェライト層２と、絶縁層１とフェライト層２との間に設けられた第２結晶を含むガラスを有する中間層３とが積層されており、第２結晶は、フェライト結晶および第１結晶と同一の結晶構造であるとともに、第２結晶とフェライト結晶との格子定数の差、および第２結晶と第１結晶との格子定数の差は、それぞれ前記第２結晶の格子定数の１０％以内であるガラスセラミック基板である。第１結晶と第２結晶との界面、および第２結晶とフェライト結晶との界面にボイドや隙間がないため、これらの間の接合強度の高いガラスセラミック基板を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】貫通孔の壁面にスルーホール導体を確実に形成することができるセラミック部品の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、セラミック基体部と導体部とを備えるセラミック部品の製造方法に関する。導体充填工程では、焼結後にセラミック基体部となるべき未焼結セラミック成形体４２，４３においてその厚さ方向に貫通して形成された第１貫通孔４７内に、焼結後に導体部となるべき未焼結導体４９を充填する。レーザ加工工程では、レーザ照射により未焼結導体４９の中心部を除去して第２貫通孔４８を形成する。未焼結セラミック成形体４１，４２，４３を積層一体化した後に焼成工程を行い、未焼結セラミック成形体４１，４２，４３及び未焼結導体４９を同時に焼結させて第１貫通孔４７内にスルーホール導体を形成する。その結果、セラミック部品を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】セラミック基体部の内部に位置ズレがなく正確に内部配線導体を形成することができるセラミック部品の製造方法を提供する。
【解決手段】凹み部形成工程では、底部４３を有する凹み部４４を未焼結セラミック成形体４１に形成し、導体充填工程にて、凹み部４４内に未焼結導体４９を充填する。レーザ加工工程では、未焼結導体４９を底部４３上に残しつつその一部をレーザ照射により除去することにより、未焼結導体４９に窪み５０を形成する。セラミック材料充填工程にて、窪み５０内に未焼結セラミック材料５１を充填する。この後、焼成工程を行い、未焼結セラミック成形体４１、未焼結セラミック材料５１及び未焼結導体４９を同時に焼結させ、セラミック基体部の内部に埋設された内部配線導体を形成するとともに、セラミック基体部１４の内部にて内部配線導体に接続する非貫通ビア導体を形成する。 （もっと読む）

【課題】発熱量の大きい電子部品を表層（第１層）面に載置することなく、当該電子部品から金属基板への熱伝導による放熱効率を向上させた多層回路基板を提供する。
【解決手段】本多層回路基板は、導体層と樹脂製の絶縁層とを交互に積層してなる板状の積層回路部１２０と、６つのＭＯＳＦＥＴ１５，１６を実装した金属基板部１１０とを備え、積層回路部１２０の下面の開口部以外の部分が金属基板部１１０の上面と接するよう接着剤やネジ止めなどで固定され、ＭＯＳＦＥＴの上部は開口部を通して積層回路部１２０の配線導体１２にワイヤボンディングされている。このように電子部品を積層回路部１２０上ではなく、金属の単層回路基板部１１０上に直接実装することにより、当該電子部品から金属基板への熱伝導による放熱効率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】ビルドアップ法により金属配線を積層して多層配線基板を製造するに際して、形状精度の高い金属配線が積層形成された多層配線基板を提供することを目的とする。
【解決手段】第一電気回路１ａに突設された導体柱１ｂを埋設させるように絶縁層２が形成されてなる導体柱含有回路基板の表面に樹脂皮膜３を形成する皮膜形成工程と、樹脂皮膜の外表面側からレーザー加工することにより、回路溝４を形成及び導体柱１ｂを露出させる導体柱露出工程と、外表面全体にメッキ触媒６を付着させる触媒付着工程と、樹脂皮膜３を除去する皮膜除去工程と、メッキ触媒６が残留する部位に無電解メッキ膜を形成させることにより、第二電気回路８を形成するとともに導体柱１ｂにより第一電気回路１ａと第二電気回路８との層間接続を形成するメッキ処理工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 低抵抗導体と高融点導体とを含む複合導体を主成分とする配線を有し、主面の面積が７００ｃｍ^２以上、厚みが４．５ｍｍ以上の大きさを有するものの、寸法精度が高くかつ主面の平坦性に優れたプローブカード用配線基板およびこれを用いたプローブカードを提供する。
【解決手段】 アルミナ質焼結体からなる複数の絶縁層が積層された絶縁基体１の内部の層間に、シグナル配線層１２とグランド配線層１３とを備え、シグナル配線層１２が、２５〜５０質量％のＣｕ、ＡｇおよびＡｕの群から選ばれる少なくとも一種の低抵抗導体と、５０〜７５質量％のＭｏおよびＷのうちの少なくとも一方の高融点導体とからなる複合導体を主成分として含み、各層間における主面の面積に対するシグナル配線層１２の面積の比率が２０％以下であるとともに、グランド配線層が、ＭｏおよびＷのうちの少なくとも一方の高融点導体を主成分として含む。 （もっと読む）

【課題】 凹部の内周面に形成されたメタライズ層の表面に電解めっき法によるめっき層を良好に被着させることができる多数個取り配線基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】 第１のセラミックグリーンシート１に方形状または楕円形状の貫通孔３を形成する工程と、貫通孔３の内壁面にメタライズ層用の導体ペースト４を塗布する工程と、第１のセラミックグリーンシート１の表面に、方形状の貫通孔３の角部近傍または楕円形状の貫通孔３の長軸側の端部近傍にかけて、メタライズ層用の導体ペースト４に接続するように配線層用の導体ペースト５を印刷する工程と、第２のセラミックグリーンシート２の上に第１のセラミックグリーンシート１を積層して加圧することによりセラミック生積層体６を形成する工程と、セラミック生積層体６を焼成する工程とを備える多数個取り配線基板の製造方法である。メタライズ層と配線層との断線の可能性を低減できる。 （もっと読む）

【課題】 作業工数を減らし、安価に製造できるとともにボイドを効果的に排出できる寸法精度の高い半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、第１のガラスセラミックグリーンシート１１〜１５と、この焼成収縮終了温度よりも高い温度で焼成収縮を開始する第２のガラスセラミックグリーンシート２１〜２４とを複数組み合わせてガラスセラミックグリーンシート積層体５を作製する工程と、半導体実装用貫通孔７１の形成された多層基板５０よりも大きな質量の放熱板７を積層する工程と、放熱板７が積層されたガラスセラミックグリーンシート積層体５を、第２のガラスセラミックグリーンシート２１〜２４が焼成収縮する温度であって放熱板７が溶融しない温度で焼成して、放熱板７が接合された多層基板５０を作製する工程と、半導体実装用貫通孔７１を通して多層基板５０に半導体素子６を実装する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】電子部品の実装に用いるセラミックス多層配線板の製造には、従来、グリーンシート法が用いられていたが、ビアが微細化すると、導体ペーストを充填する際、導体ペーストのビア未充填の確率が増加してオープン不良が発生しやすく配線板の製造歩留まりが著しく低下するという問題があった。
【解決手段】導電性バンプ上に揮発性の溶媒を含む絶縁性スラリーをコーティングし、加熱又は乾燥により一部の溶媒を蒸発させ、形成した絶縁性被膜の厚さを減少させることにより、導電性バンプの頭出しを行うことにした。導電性バンプの微細化が可能で、製造歩留まりが向上する。 （もっと読む）

【課題】レーザー加工工程での貫通穴の形成位置の精度を高めることのできる回路基板の製造方法と製造装置を提供する。
【解決手段】ラミネート済みプリプレグ３の所定の箇所にレーザー加工法を利用して貫通穴４を形成する。このとき加工する直前にラミネート済みプリプレグ３のＰＥＴシート表面に形成した時刻データ表示を読み取り、その情報によって貫通穴の形成位置を補正し、補正した形成位置データに応じてレーザーによる穴加工を行う。 （もっと読む）

【課題】非導電性シートを突き破った導電性バンプを介して接続される非導電性シートを挟んだ導電性バンプ付基板シート間における抵抗値が小さくなるような多層プリント配線板が得られる多層プリント配線板製造方法を提供する。
【解決手段】多層プリント配線板５０を製造するにあたり、まず基板シート１０において各導電性バンプ１４が形成されるべき各々の箇所にそれぞれ凹部１２を予め形成しておく。そして、この基板シート１０の各凹部１２に導電性バンプ１４を形成し、その後、導電性バンプ１４付きの基板シート１０と、非導電性シート４０とを重ね合わせ、この重ね合わせ体を挟圧するときに、導電性バンプ１４が形成された基板シート１０の各凹部１２をそれぞれ凸部１６に変形させる。 （もっと読む）

【課題】効率よく冷却できるとともに，発熱時にも半導体素子に大きな応力が加わることのない積層配線板およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のプリント配線基板１は，３枚以上のセラミック板を積層してなるとともに，少なくとも一方の面上に発熱素子を搭載するものであって，３枚以上のセラミック板のうち１枚が，全厚にわたり導電体で構成された熱伝導部１５を有する熱伝導板であり，３枚以上のセラミック板のうち熱伝導板以外の１枚が，厚さ方向に貫通して形成され冷媒を流通させる流路１６を，熱伝導板における熱伝導箇所の面内位置と同じ面内位置に有する冷却板であり，熱伝導板が，３枚以上のセラミック板の積層順序における一方の端に位置しており，冷却板が，３枚以上のセラミック板の積層順序中，両端以外に位置しており，発熱素子の搭載箇所は，熱伝導板の熱伝導箇所の上であるものである。 （もっと読む）

【課題】微細な開口を有する層間絶縁膜を形成するためのスクリーン版を提供する。
【解決手段】二次元的に配列された開口パターンをスクリーン印刷により印刷するためのスクリーン版において、スクリーン版の印刷方向に平行な一辺又は二辺の縁部に沿って所定のパターンが単数又は複数配列されているダミー印刷領域と、ダミー印刷領域よりも中心側に帯状に形成されている全面印刷を行うための全面印刷領域と、全面印刷領域よりも中心側に形成された前記開口パターンが二次元的に形成されている印刷領域とを有することを特徴とするスクリーン印刷を行うためのスクリーン版を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜中の貫通配線が、絶縁膜よりも下層に配置されている配線層あるいは半導体素子層の配線と剥離するのを防ぐ。
【解決手段】マイクロカプセルと、前記マイクロカプセルが分散された絶縁性樹脂と、前記マイクロカプセルの空孔が接する貫通孔と、前記貫通孔中に形成され、前記絶縁性樹脂の両面に露出している貫通配線を有する配線基板及びその作製方法に関する。また、マイクロカプセルと、前記マイクロカプセルが分散された絶縁性樹脂と、前記マイクロカプセルの空孔が接する貫通孔と、前記貫通孔中に形成され、前記絶縁性樹脂の両面に露出している貫通配線を有する配線基板と、絶縁膜の表面に配線が露出した半導体素子層とを有し、前記配線が前記貫通配線と接触するように、前記半導体素子層が前記配線基板と密接している半導体装置及びその作製方法に関する。 （もっと読む）

【課題】鉛を含有していないので環境負荷を低減する点から好ましく、また、多層配線基板に積層後においてビアホールに欠陥の発生がなく、ビアホールの接続信頼性が高く、ビアホールの抵抗値を非常に小さくすることができる、バインダー樹脂を含有しないビアホール充填用導電性ペーストを提供する。
【解決手段】１１０℃以上２４０℃以下の融点を有する鉛非含有はんだ粒子と、粒度分布の累積粒度曲線における積算量が９０％である粒子径Ｄ_９０が０．１μｍ以上５μｍ以下の金属微粒子と、分散媒とを含む導電性ペーストとする。 （もっと読む）

【課題】微細パターンの配線を比較的簡単にかつ確実にしかも低コストで形成可能なセラミック部品の製造方法を提供すること。
【解決手段】レーザ加工工程では、セラミック粉末を含む未焼結セラミック成形体３１，３２，３３と、導電性金属粉末を含む未焼結導体３７とを接触させて配置する。このような配置状態で、未焼結導体３７に対しレーザにより未焼結導体３７の一部を除去することにより、所定形状の未焼結導体部３８を形成する。レーザ加工工程の後に行われる焼成工程では、未焼結セラミック成形体３１，３２，３３及び未焼結導体部３７を同時に加熱して焼結させる。 （もっと読む）

【課題】電子部品が配線基板上の層間絶縁膜に埋設された構造を有する電子部品実装構造の製造方法において、電子部品の厚みに起因する段差を容易に解消して平坦化できる方法を提供する。
【解決手段】配線パターン２８ａを備えた配線基板２４の上に未硬化の樹脂膜３２ａを形成する工程と、素子形成面に接続端子２１ａとそれを露出させる開口部２１ｘをもつパシベーション膜２１ｂとを備えた電子部品２０ａを、接続端子２１ａを上側にして未硬化の樹脂膜３２ａの中に埋め込む工程と、樹脂膜３２ａを熱処理して硬化させることにより絶縁膜３２を得る工程と、配線パターン２８ａ上の絶縁膜３２にビアホール３２ｘを形成する工程と、ビアホール３２ｘを介して配線パターン２８ａに接続されると共に、開口部２１ｘを介して接続端子２１ａに接続される上側配線パターン２８ｂを、パシベーション膜２１ｂと絶縁膜３２とに跨った状態で形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】高誘電率セラミックから成る高容量のキャパシタが内蔵された低温同時焼成基板の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも一つの高誘電率セラミックシートが含まれた積層体を焼成してキャパシタ部を製造する段階と、導電パターン及び／または導電性バイアホールがそれぞれ形成された複数の低温焼成用グリーンシートを備える段階と、上記キャパシタ部が隣接する上記グリーンシートの導電パターンまたは導電性バイアホールに繋がって内蔵されるように上記複数の低温焼成用グリーンシートを積層してＬＴＣＣ積層体を形成する段階で、上記キャパシタ部が内蔵されたＬＴＣＣ積層体を焼成する段階とを含む、キャパシタ内蔵型ＬＴＴＣ基板の製造方法であり、積層型チップキャパシタ構造またはキャパシタ層構造のような多様な形態のキャパシタ部に有益に適用できる。 （もっと読む）

【課題】実装強度に優れるとともに導体部分の電気抵抗が低く、しかも同時焼成により反りや剥がれ等を起こすことなく製造可能なセラミック配線基板を提供すること。
【解決手段】本発明のセラミック配線基板１０は、銅の融点よりも高い温度で焼結するセラミックを主体とするセラミック基体１１に導体１８，１９，２３，２７，２８が形成されたものである。導体１８，１９，２３，２７，２８は、フィラーと銅との混合相からなる。フィラーは、銅よりも高融点であるクロム系の無機金属酸化物を主体とする。無機金属酸化物の含有量は１０体積％以上６０体積％以下である。フィラー中の無機金属酸化物としては、例えば酸化クロムまたは銅クロム複合酸化物が好適である。 （もっと読む）