【課題】多孔性構造の酸化絶縁層を含んで放熱性が向上され、酸化絶縁層にエンベッドされた回路層を含んで微細パターンの形成が可能である放熱基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の放熱基板１００は、金属コア層１０、金属コア層１０の一面または両面に形成されて、金属コア層１０に接触するバリア層及び直径が異なる第１ポアと第２ポアを含んでバリア層に連結された多孔性層で構成された第１絶縁層２０、第１絶縁層２０にエンベッドされ、多孔性層の第２ポアに充填されて第２ポアの側面で連結された第１回路層３０、及び第１絶縁層２０の多孔性層上に形成された第２絶縁層４０を含む。また、本発明の放熱基板１００は、第１回路層３０が第２ポアの一部を充填して、第２絶縁層４０が第１絶縁層２０と平坦面を成すように第２ポアに充填されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 従来よりも厚みの小さな電子部品内蔵基板を提供する。
【解決手段】 本発明の電子部品内蔵基板１００は、少なくとも一方の主面に収納部４が形成されたコア基板１０と、収納部４の底面に固定された電子部品６と、コア基板１０の主面上に形成された樹脂層７と、樹脂層７を貫通して形成され樹脂層内導電ビア８ａ、８ｂとを備えた構成からなる。 （もっと読む）

【課題】放熱性及び電気的接続の信頼性を備えた回路部品内蔵モジュールの製造方法を提供すること。
【解決手段】電気的な層間接続が導電性組成物を用いて行われる回路部品内蔵モジュールの製造方法であって、絶縁基板１０４の素材の厚み方向に貫通孔を設け、電気的な層間接続を行うためのインナービア１０３を１又は複数個形成するインナービア形成工程と、インナービア１０３に導電性組成物１１１を充填する充填工程と、インナービア１０３の中央部１０３ａの直径が、開口部１０３ｂの直径と比較して短くなるように加熱を行う加熱工程と、絶縁基板１０４の素材の両面に、第１基板１０１及び第２基板１０８を配置し、積層する積層工程と、積層された絶縁基板１０４の素材、第１基板１０１及び第２基板１０８を加圧及び加熱する加圧加熱工程とを備えた、回路部品内蔵モジュールの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】接続端子の密着強度を十分に高めることができ、信頼性の高い多層配線基板を提供する。
【解決手段】多層配線基板１０において、配線積層部３０の上面３１には、ＩＣチップ接続端子４１及びコンデンサ接続端子４２が形成され、下面３２側には、母基板接続端子４５が形成されている。配線積層部３０の下面３２側には、ソルダーレジスト３８が配設されている。ソルダーレジスト３８に接している樹脂絶縁層２１には複数の開口部３７が形成される。母基板接続端子４５は、開口部３７内に埋設されかつ端子外面４５ａが樹脂絶縁層２１の表面２１ａよりも内層側に位置している。ソルダーレジスト３８は開口部３７内に入り込んで端子外面４５ａの外周部に接触している。 （もっと読む）

【課題】電源ビアの抵抗を上げることなく、配線の設計自由度が高く、インピーダンスマッチングを良好に取ることが可能な配線基板を提供する。
【解決手段】配線基板１は、少なくとも１つの信号層１０Ｓと、少なくとも１つのグランド層１０Ｇと、少なくとも１つの電源層１０Ｖと、半導体素子チップが実装される一方の基板面２１上の配線３１と他方の基板面２２上の配線３２と電源層１０Ｖとを電気的に導通する少なくとも１つの電源ビア４０Ｖと、複数の半導体素子チップ間の信号伝送がなされる信号配線とを備え、電源層１０Ｖが信号配線より一方の基板面２１側に設けられたものである。電源ビア４０Ｖは、一方の基板面２１から電源層１０Ｖまで形成された相対的に孔径の大きい大孔径部４１Ｖと、電源層１０Ｖから他方の基板面２２まで形成された相対的に孔径の小さい小孔径部４２Ｖとからなる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の実装時及びそれ以降に発生し得る基板の反りを低減すること。
【解決手段】配線基板（パッケージ）１０は、複数の配線層１１，１３，１５，１７，２１が絶縁層１２，１４，１６，１８，２０を介在させて積層され、各絶縁層に形成されたビア１３ａ，１５ａ，１７ａ，２１ａを介して層間接続された構造を有している。配線基板１０の、半導体素子４１が実装される側と反対側の最外層の絶縁層２０もしくはその近傍部分に、半導体素子４１と同程度の弾性率及び熱膨張係数を有するシート状部材３０が埋設されている。このシート状部材３０は、半導体素子４１が実装された後の基板面と直交する方向での弾性率及び熱膨張係数の分布をほぼ対称系とするのに十分な弾性率及び熱膨張係数を有する材料からなる。 （もっと読む）

【課題】コア用の配線導体においてもその幅や間隔を２０μｍ以下とするとともにコアの配線導体を自動光学検査装置により正確に検査することが可能な高密度な微細配線を有する配線基板を提供すること。
【解決手段】両面に銅箔が積層されたコア用の絶縁板１に設けたスルーホール７内に第１の導体層１３を被着するとともに孔埋め樹脂８を充填し、次に絶縁板１の表面に銅箔の層が残るようにして孔埋め樹脂８の両端を研磨して平坦化し、次に絶縁板１上下面の銅箔の層をエッチング除去してから絶縁板１および孔埋め樹脂８上に第２の配線導体１４ａ・１４ｂをセミアディティブ法に被着させてコア用の配線導体４を形成するとともにコア用の配線導体４の表面を梨地面とした後、自動光学検査装置により検査する。 （もっと読む）

【課題】実装される半導体チップの端子部の狭ピッチ化に対応した配線基板を提供する。
【解決手段】半導体チップが実装される配線基板１であって、厚さ方向に互いに並行して延在する複数の貫通孔１１が形成された陽極酸化層１２と、複数の貫通孔１１のうち導体で充たすように設けられた線状導体部１４、１５、１６とを備えている。線状導体部１５は、一端部が端子部３４と接合され、他端部が配線パターン１８ｂと接合されている。また、線状導体部１６は、一端部が端子部３３と接合され、他端部が配線パターン１８ａと接合されている。線状導体部１４は、一端部が端子部３５と接合され、他端部が接続部２２と接合されている。 （もっと読む）

【課題】ＩＣチップ及び受動部品を確実に接続することができる多層配線基板を提供する。
【解決手段】多層配線基板１０において、配線積層部３０の上面３１には、ＩＣチップ接続端子４１及びＩＣチップ接続端子４１よりも面積の大きいコンデンサ接続端子４２の２種類が存在する。コンデンサ接続端子４２は、端子上段部４２ａと端子下段部４２ｂとにより構成される。端子上段部４２ａは最外層の樹脂絶縁層２４上に形成され、端子下段部４２ｂは樹脂絶縁層２４において端子上段部４２ａの内側領域となる複数箇所に形成された開口部３６に対応して配置される。端子上段部４２ａの上面の高さは樹脂絶縁層２４の表面よりも高く、ＩＣチップ接続端子４１の上面及び端子下段部４２ｂの高さは樹脂絶縁層２４の表面よりも低くなっている。 （もっと読む）

【課題】配線層同士の相対的な位置精度が向上された多層基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】多層基板１０は、厚い金属コア層１１と、金属コア層１１の上面に絶縁層を介して積層された配線層（第１配線層１６Ａ、第３配線層１６Ｃ）と、金属コア層１１の下面に絶縁層を介して積層された配線層（第２配線層１６Ｂ、第４配線層１６Ｄ）と、金属コア層１１等を貫通して形成された確認孔２８とを主要に具備している。確認孔２８は、上方および下方の両方から位置認識を行うことが可能であるので、同一の確認孔２８を基準として各配線層を形成することにより、配線層同士の位置精度が向上される。 （もっと読む）

【課題】実装される電子部品との接続性の向上を図りうる配線基板を提供する。
【解決手段】めっきにより形成された接続パッド３８及び配線層１８ａ〜１８ｃと、樹脂からなる絶縁層２０，２０ａ，２０ｂとが積層された配線基板において、接続パッド３８を最外層の絶縁層２０中に設け、この最外層の絶縁層２０の表面に露出すると共に表面から窪んだ曲面状の第１の面３８ａと、この第１の面３８ａの反対側の第２の面とを有した構成とする。また絶縁層を、接続パッド３８の第２の面を露出させるビアホール２０Ｘを有した構成とする。また、配線層１８ａをビアホール２０Ｘ内及び最外層の絶縁層２０の表面に対し反対側の面に形成されたシード層と、このシード層上に形成された銅めっき層とにより構成し、最外層の絶縁層２０中で第２の面と接続させる。 （もっと読む）

【課題】信号配線に例えば２．５ＧＨｚを超える高速信号を低損失で良好に伝送させることが可能であるとともに、良好な電源供給が可能な配線基板を提供すること。
【解決手段】外周部および中央部に多数のスルーホール５を有するコア基板１の上下面にビルドアップ絶縁層２を介して信号配線および接地配線および電源配線を含むビルドアップ配線層３を積層してなる配線基板であって、前記外周部に小径スルーホール５Ｓを第１の隣接間隔で配列するとともに前記中央部に大径スルーホール５Ｌを前記第１の隣接間隔以下の第２の隣接間隔で配置し、小径スルーホール５Ｓに信号線を接続するとともに大径スルーホール５Ｌに接地配線および電源配線を接続した。 （もっと読む）

【課題】粗化処理された硬化物の表面の表面粗さを小さくすることができ、更に粗化処理された硬化物の表面に金属層が形成された場合に、硬化物と金属層との接着強度を高めることができる樹脂組成物を提供する。
【解決手段】本発明に係る樹脂組成物は、シアネートエステル樹脂と、エポキシ樹脂と、充填剤とを含む。本発明に係る樹脂組成物では、上記シアネートエステル樹脂１００重量部に対して、上記エポキシ樹脂の含有量が２２０〜４００重量部の範囲内である。 （もっと読む）

【課題】小型化を達成しつつ複数の導体層間の電気的接続を可能にする放熱多層基板を提供する。
【解決手段】放熱多層基板１０は、表面及び裏面にそれぞれ基板導体層１１１，１１２を有する第一の基板１１と、表面及び裏面にそれぞれ基板導体層１２１，１２２を有する第二の基板１２と、基板１１の表面と基板１２の裏面とを貼り合わせる貼り合わせ層１３と、基板１１に形成された第一の貫通孔１１３と、貫通孔１１３に埋め込まれた放熱板１４と、放熱板１４上に載置する電子部品１５を収容するために貼り合せ層１３及び基板１２に形成された第二の貫通孔１６と、貫通孔１６の内壁面において基板導体層１２１，１２２，１１１同士を電気的に接続する内壁面導体層１６１と、を備える （もっと読む）

【課題】容易に認識することが可能な位置合わせマークを有する配線基板及びその製造方法、並びに前記配線基板に半導体チップやチップキャパシタ等の各種電子部品を搭載した半導体パッケージを提供すること。
【解決手段】本配線基板は、絶縁層と、前記絶縁層の表面に形成された凹部内に設けられた位置合わせマークと、を有し、前記位置合わせマークの一方の面は、粗化面とされており、前記一方の面は、前記絶縁層の前記表面に対して窪んだ位置に露出している。 （もっと読む）

【課題】製造コストの増大を抑制でき、かつ、微細配線に対応可能な配線基板及びその製造方法並びに前記配線基板を有する半導体パッケージを提供する。
【解決手段】本配線基板は、積層された複数のセラミック層及び内部配線を備え、前記内部配線と電気的に接続された電極が一方の面から露出しているセラミック基板と、主面に形成された配線パターンと、一端が前記配線パターンと電気的に接続され、他端が前記主面の反対面である裏面から露出しているビアフィルと、を含む配線層を備えたシリコン基板と、を有し、前記シリコン基板の前記裏面は、前記セラミック基板の前記一方の面にポリマー層を介して接合され、前記シリコン基板の前記ビアフィルは、前記ポリマー層を貫通し、前記セラミック基板の前記電極と直接接合されている。 （もっと読む）

【課題】キャリアの構造を簡単にし、金属層の側面だけでなく上面にも接合手段を結合してキャリアの外周部の接合信頼性を向上させることができるプリント基板製造用キャリア及びその製造方法、並びにこれを用いたプリント基板の製造方法を提供する。
【解決手段】第１接合手段１０２、及び第１接合手段１０２の第１開口部１０５に形成された第１金属層１０１を含む第１キャリア１００ａ；及び第１キャリア１００ａに結合されるもので、第２接合手段１０４、及び第２接合手段１０４の第２開口部１０６に形成されて第１金属層１０１と部分的に重なった第２金属層１０３を含む第２キャリア１００ｂ；を含む。 （もっと読む）

【課題】総板厚を薄くする為にコアレス基板に部品を内蔵しても、内蔵された部品の電極と上層の配線層との絶縁性を保つことが出来る部品内蔵型多層プリント配線板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁樹脂層内部に部品を備えた部品内蔵型多層プリント配線板に於いて、当該部品の上部に位置する絶縁樹脂層内部に、当該絶縁樹脂層の硬化工程前に硬化した絶縁物が配置されている部品内蔵型多層プリント配線板。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板の表面または内部にインダクタを構成する導体パターンが形成された配線基板において、インダクタが大きな面積を占めることがなく配線基板の小型化を実現できるとともに、搭載する能動素子を高い周波数帯域まで正常に作動させることが可能な配線基板を提供すること。
【解決手段】複数の絶縁層が積層されて成る絶縁基板１の表面および内部に複数の配線導体２が形成されているとともに、絶縁基板１の表面または内部に配線導体２の一部に接続された細長い帯状の導体パターンから成るインダクタ３を形成して成る配線基板において、前記導体パターンは、絶縁基板１の外周部を配線導体２と上下に重ならないようにして一周以下の巻き数で巻回しているとともに、前記導体パターンと異なる層において配線導体２の一部に接続されている配線基板である。 （もっと読む）