【課題】 低抵抗導体を主成分とする配線を備え、熱膨張率および絶縁信頼性の高い多層配線基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、クォーツを主結晶とし、フォルステライトを副結晶として含む複数のガラスセラミック絶縁層１１、１２、１３、１４を積層した絶縁基体１の内部に、Ｃｕ、ＡｇおよびＡｕの群から選ばれる少なくとも一種の低抵抗導体を主成分とする貫通導体２および配線層３を備えた多層配線基板において、絶縁基体１のボイド率が５％以下であり、Ｘ線回折のピーク強度からリートベルト解析により求めた絶縁基体１におけるクォーツの含有量が３０〜４０質量％、フォルステライトの含有量が１６〜２５質量％、コージェライトの含有量が１．０質量％未満であることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】画像認識によってセラミックグリーンシートと導体パターン層を容易に識別することを可能にする、セラミック原料粉末およびその製造方法、セラミックグリーンシートおよびその製造方法、ならびにセラミック基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミック原料粉末は、酸化性雰囲気にて第１の原料粉末を仮焼することによって作製された仮焼粉末と、仮焼されていない第２の原料粉末とを混合して含むセラミック原料粉末であって、第１の原料粉末は酸化性雰囲気にて仮焼されても実質的に変色しない成分からなり、第２の原料粉末は酸化性雰囲気にて仮焼されると実質的に変色する成分を含む。 （もっと読む）

【課題】 緻密な主面を有する耐薬品性に優れた高熱膨張のガラスセラミックスからなる絶縁基体を備えた多層配線基板およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 絶縁基体１が、Ｓｉ、Ｂ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｃａ、ＳｒおよびＺｒを所定の割合で含有する内側領域１２と、内側領域１２と同じ成分を含み内側領域１２よりもＭｇ含有量がＭｇＯ換算で１５〜２３％多くＳｉ含有量がＳｉＯ_２換算で３〜６％少なく、かつ他の成分の含有量が内側領域１２とほぼ等しい主面近傍領域１１とを有し、内側領域１２のボイド率Ａ２が３〜６％であるとともに内側領域１２の最大ボイド径Ｂ２が６〜９μｍであり、かつ内側領域１２のボイド率Ａ２に対する主面近傍領域１１のボイド率Ａ１の比Ａ１／Ａ２が０．６以下であるとともに内側領域１２の最大ボイド径Ｂ２に対する主面近傍領域１１の最大ボイド径Ｂ１の比Ｂ１／Ｂ２が０．７以下である。 （もっと読む）

【課題】電子部品の実装に用いるセラミックス多層配線板の製造には、従来、グリーンシート法が用いられていたが、ビアが微細化すると、導体ペーストを充填する際、導体ペーストのビア未充填の確率が増加してオープン不良が発生しやすく配線板の製造歩留まりが著しく低下するという問題があった。
【解決手段】導電性バンプ上に揮発性の溶媒を含む絶縁性スラリーをコーティングし、加熱又は乾燥により一部の溶媒を蒸発させ、形成した絶縁性被膜の厚さを減少させることにより、導電性バンプの頭出しを行うことにした。導電性バンプの微細化が可能で、製造歩留まりが向上する。 （もっと読む）

【課題】機械的強度に優れていて変形も少ないセラミック基体を有するとともに、セラミック基体との接着強度及び同時焼結性に優れた低抵抗かつ好適形状の導体を有するセラミック部品を提供すること。
【解決手段】本発明のセラミック配線基板１０は、銅の融点よりも高い温度で焼結するセラミックを主体とするセラミック基体１１に導体１８，１９，２３，２７，２８が形成されたものである。導体１８，１９，２３，２７，２８は、無機化合物フィラーと銅との混合相からなる。フィラーは、チタン−アルミニウム系金属化合物、チタン酸化物及びアルミニウム酸化物のうちから選択される少なくとも２種の無機化合物を主体とする。フィラー中のチタン酸化物及びアルミニウム酸化物としては、チタン−アルミニウム系金属化合物が熱分解して酸化することにより生じたものが好適である。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜中の貫通配線が、絶縁膜よりも下層に配置されている配線層あるいは半導体素子層の配線と剥離するのを防ぐ。
【解決手段】マイクロカプセルと、前記マイクロカプセルが分散された絶縁性樹脂と、前記マイクロカプセルの空孔が接する貫通孔と、前記貫通孔中に形成され、前記絶縁性樹脂の両面に露出している貫通配線を有する配線基板及びその作製方法に関する。また、マイクロカプセルと、前記マイクロカプセルが分散された絶縁性樹脂と、前記マイクロカプセルの空孔が接する貫通孔と、前記貫通孔中に形成され、前記絶縁性樹脂の両面に露出している貫通配線を有する配線基板と、絶縁膜の表面に配線が露出した半導体素子層とを有し、前記配線が前記貫通配線と接触するように、前記半導体素子層が前記配線基板と密接している半導体装置及びその作製方法に関する。 （もっと読む）

【課題】効率よく冷却できるとともに，発熱時にも半導体素子に大きな応力が加わることのない積層配線板およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のプリント配線基板１は，３枚以上のセラミック板を積層してなるとともに，少なくとも一方の面上に発熱素子を搭載するものであって，３枚以上のセラミック板のうち１枚が，全厚にわたり導電体で構成された熱伝導部１５を有する熱伝導板であり，３枚以上のセラミック板のうち熱伝導板以外の１枚が，厚さ方向に貫通して形成され冷媒を流通させる流路１６を，熱伝導板における熱伝導箇所の面内位置と同じ面内位置に有する冷却板であり，熱伝導板が，３枚以上のセラミック板の積層順序における一方の端に位置しており，冷却板が，３枚以上のセラミック板の積層順序中，両端以外に位置しており，発熱素子の搭載箇所は，熱伝導板の熱伝導箇所の上であるものである。 （もっと読む）

【課題】非導電性シートを突き破った導電性バンプを介して接続される非導電性シートを挟んだ導電性バンプ付基板シート間における抵抗値が小さくなるような多層プリント配線板が得られる多層プリント配線板製造方法を提供する。
【解決手段】多層プリント配線板５０を製造するにあたり、まず基板シート１０において各導電性バンプ１４が形成されるべき各々の箇所にそれぞれ凹部１２を予め形成しておく。そして、この基板シート１０の各凹部１２に導電性バンプ１４を形成し、その後、導電性バンプ１４付きの基板シート１０と、非導電性シート４０とを重ね合わせ、この重ね合わせ体を挟圧するときに、導電性バンプ１４が形成された基板シート１０の各凹部１２をそれぞれ凸部１６に変形させる。 （もっと読む）

【課題】セラミック多層配線板の各層における寸法精度を高精度にすることができるとともに、セラミック多層配線板の積層枚数にかかわらずにセラミック多層配線板の設備費用を安価にすることができるセラミック多層配線板の製造方法およびセラミック多層配線板を提供する。
【解決手段】本発明のセラミック多層配線板１の製造方法においては、４層のセラミックグリーンシート２１、２２、２３、２４は、１枚マザーシート２に各層の配線パターンのすべてを形成した後にマザーシート２を分割することにより形成されている。そしてこれらを積層焼成することにより本発明のセラミック多層配線板１が得られる。これより、全層のセラミックグリーンシート２１、２２、２３、２４の製造時期が一致し、それらの有機溶剤の揮発量および残存量が一定になる。マザーシート２が１種類なら冶工具も少なくてすむ。 （もっと読む）

【課題】アライメントマークの近傍領域の剥離を防ぐことができる薄膜積層体の加工方法を提供する。
【解決手段】（ａ）薄膜積層体の少なくとも最上層の薄膜６ｄに複数のアライメントマーク２２ａ〜２２ｈを形成した後、（ｂ）保護マスクを設けた状態で薄膜を加工する薄膜加工工程を複数回行う。薄膜加工工程では、毎回異なる少なくとも１つのアライメントマークを選択して位置決めに用い、選択されずに残っているアライメントマークに保護マスクを設けて薄膜を加工する。２回目以降の前記薄膜加工工程において選択されずに残っているアライメントマーク２２ｃ〜２２ｈに設ける保護マスク３２ｃ〜３２ｈは、１回目の薄膜加工工程においてそのアライメントマーク２２ｃ〜２２ｈに保護マスクを設けた第１回マスク領域と、その外周縁に接して全周に渡って取り囲む外周領域とに形成する。 （もっと読む）

【課題】多層セラミック基板の製造におけるグリーンシートに形成されたビアホール内へのビア充填方法に関し、従来の厚膜印刷技術より簡略されたビア充填装置及びビア充填方法を提供する。
【解決手段】ビア充填装置１０は、グリーンシート１１の孔加工及び充填をするため、下から、加圧シリンダ２５と、グリーンシート１１に微細な空孔を形成するボトムキャスト１２と、ガイドピン２２，２３と、リリースマスク１３と、厚膜ペーストシート３０と、背板２１と、アッパーキャスト１４と、プレスヘッド１６と、ボトムキャスト１２によって開けられたパンチ屑を除去するための粘着テープ１７を繰り出す繰り出しローラ１８と、粘着テープ１７を巻き取る巻き取りローラ１９と、を有している。 （もっと読む）

【課題】部品の内蔵が容易であるとともに、設計自由度を高めることが可能な部品内蔵セラミックス基板。
【解決手段】この部品内蔵セラミックス基板１は、Ａ方向に延びる短冊状に形成された複数のセラミックス部材１０と、複数のセラミックス部材１０の少なくとも一部に形成されたスルーホール１１と、セラミックス部材１０のスルーホール１１内に配設されることによってセラミックス部材１０に内蔵されたチップ型電子部品３０と、セラミックス部材１０に設けられ、チップ型電子部品３０と電気的に接続された配線導体１２を含む配線部とを備えている。そして、複数のセラミックス部材１０は、Ａ方向と直交するＢ方向に連結されることによって、板状に構成されているとともに、チップ型電子部品３０が、セラミックス部材１０内部に主面２に対して実質的に平行に配設されている。 （もっと読む）

【課題】 絶縁基板を構成する複数の絶縁層の層間に、対向する一対の容量電極が形成された容量内蔵基板において、容量電極間のばらつきが効果的に抑制された容量内蔵基板を提供する。
【解決手段】 複数の絶縁層11が積層されてなる絶縁基板１に、絶縁層11の一部を間に配して上下に対向し合う容量電極２ａ，２ｂが形成された容量内蔵基板９であって、容量電極２ａ，２ｂが２層以上の絶縁層11を間に配して対向しており、対向し合う容量電極２ａ，２ｂの間に位置する絶縁層11の層間に、平面視で容量電極２ａ，２ｂの外縁部分と重なる接地導体層３が形成されている容量内蔵基板９である。容量電極２ａ，２ｂの絶縁層11を間に配して対向し合う面積が、接地導体層３と重なる部分の内側の面積に応じて定まるので、絶縁層11の積層ずれに起因する容量電極２ａ，２ｂ間の静電容量の変化を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】分割溝に無電解めっき被膜、個片体断面に導体配線を有さない安価なセラミックパッケージの製造方法及びパッケージを提供する。
【解決手段】導体配線１９、スルーホール２０、分割溝１８、無電解めっき被膜を設け、個片体に分割するセラミックパッケージの製造方法において、グリーンシート１１に貫通孔１２と、導体パターン１３を隙間１４を設けて形成する工程、積層体１５の挿通孔１６壁面に導体パターン１７と、隙間１４部分を通る分割溝１８を形成し、焼成して複数個取りセラミック多層基板２１を形成する工程、これにパラジウム触媒付着、塩素含有水溶液で水洗してエチレンジアミンと、オキシカルボン酸含有水溶液で分割溝１８中のパラジウム残渣を不活性化させる工程、導体配線に無電解めっき被膜を形成し、分割溝１８中に形成させない工程、個片体の分割断面に導体配線を形成させない工程を有する。 （もっと読む）

【課題】 伝送遅延の抑制された伝送線路を構成する配線導体を表面に備え、絶縁性の低下、誘電損失の増大および変色が抑制された配線基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 上下の最外層を構成する第１のガラスセラミック絶縁層１１ａ、１１ｃと、最外層の内側に接する層を構成する、第１のガラスセラミック絶縁層よりも結晶化度が高い第２のガラスセラミック絶縁層１２ａ、１２ｂとを含む複数のガラスセラミック絶縁層からなる絶縁基体１と、絶縁基体１の表面に設けられたＡｇを主成分とする表面配線導体２ａとを備えてなる配線基板において、第１のガラスセラミック絶縁層１１ａ、１１ｃはカーボン含有量が０．０１質量％以下であり、第１のガラスセラミック絶縁層１１ａ、１１ｃにおける表面配線導体２ａの近傍領域Ａには他の領域よりもボイドが多く偏在している。 （もっと読む）

【課題】実装強度に優れるとともに導体部分の電気抵抗が低く、しかも同時焼成により反りや剥がれ等を起こすことなく製造可能なセラミック配線基板を提供すること。
【解決手段】本発明のセラミック配線基板１０は、銅の融点よりも高い温度で焼結するセラミックを主体とするセラミック基体１１に導体１８，１９，２３，２７，２８が形成されたものである。導体１８，１９，２３，２７，２８は、フィラーと銅との混合相からなる。フィラーは、銅よりも高融点であるクロム系の無機金属酸化物を主体とする。無機金属酸化物の含有量は１０体積％以上６０体積％以下である。フィラー中の無機金属酸化物としては、例えば酸化クロムまたは銅クロム複合酸化物が好適である。 （もっと読む）

【課題】層間接続導体による接続及びはんだ付けの接続の両方が可能な外部電極を備えたチップ部品及びそのチップ部品を内蔵した部品内蔵モジュールを製造して提供する。
【解決手段】部品内蔵モジュールの絶縁層に内蔵されるチップ部品１Ａの端部の外部電極３の少なくとも前記絶縁層の一主面側の電極部３１を外部電極３の残りの電極部３２と異なる金属にしてチップ部品１Ａを形成する。この場合、例えば金属部３１を部品内蔵モジュールのビアホール導体やスルーホール導体のような層間接続導体との接続に好適な金属とし、金属部３２をはんだ付けに好適な金属とすることで、部品内蔵モジュールの絶縁層の一主面側の電極と他主面側の電極とを外部電極３を利用して接続し、部品内蔵モジュールを低背化して小型化できる。 （もっと読む）

【課題】多層セラミック基板において、端部やキャビティにおいて、平坦な傾斜面を有する多層セラミック基板の製造方法及び、この平坦な傾斜面に導体パターンを形成した多層セラミック基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】（ａ）複数のセラミックグリーンシートを階段状に積層する工程と、（ｂ）積層された前記複数のセラミックグリーンシートの上面に、少なくとも階段状部に斜面部形成用グリーンシートを積層する工程と、（ｃ）前記積層体の階段状部に斜面部形成用グリーンシートを沿わせるとともに、階段形状を平坦化する圧縮成形工程と、（ｄ）圧縮成形された積層体を焼結する工程と、を含む多層セラミック基板の製造方法とした。 （もっと読む）

【課題】セラミックと高融点金属からなる配線基板を被搭載対象に搭載してなる接合体の厚みを薄くした場合でも、その接合部分に十分な残留応力の緩和効果を発揮させることができるセラミック配線基板を提供する。
【解決手段】セラミック製の基板２と、基板２の表面に形成される第１の配線パターン４と、基板２の裏面２ｂ側に形成され基板２を被搭載対象上に実装させるための第２の配線パターン９とを有し、第１の配線パターン４は、Ｗ又はＭｏからなり、第２の配線パターン９は、Ｃｕからなり、厚さが２０μｍ以上であることを特徴とするセラミック配線基板による。 （もっと読む）

【課題】 脱バインダー不良および焼結挙動の不整合による貫通導体の絶縁基体表面からの突出が抑制された配線基板およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、３層以上のガラスセラミック絶縁層からなる絶縁基体１と、絶縁基体１の表面および内部に形成された配線層２と、内層を構成するガラスセラミック絶縁層１ｂ〜１ｈに形成された第１の貫通導体３１と、表層を構成するガラスセラミック絶縁層１ａ、１ｉに形成され第１の貫通導体３１に直に接続された第２の貫通導体３２とを備えた配線基板であって、第１の貫通導体３１および第２の貫通導体３２は同じ金属を主成分として含むとともに、第１の貫通導体３１はさらにガラスを含みガラスからの析出結晶を実質的に含んでおらず、第２の貫通導体３２はさらにガラスおよびガラスからの析出結晶を有していることを特徴とするものである。 （もっと読む）