【課題】２００℃以上の環境温度でも実用上十分な電流増幅率を確保できるバイポーラトランジスタ、わけても小型な電力用バイポーラトランジスタを提供する。
【解決手段】ベースのアクセプタ濃度勾配をコレクタ層端に比較してエミッタ層端で大きくした。また、エミッタ層およびベース層からなる第１のメサ構造と、ベース層およびコレクタ層からなる第２のメサ構造との距離（Ｌ２）を３μｍ以上９μｍ以下とした。さらに、ベース層を均一なアクセプタ濃度を有する第１のｐ型ベース層と、深さ方向に濃度傾斜を有する第２のｐ型ベース層から構成した。これらの手段により、電流増幅率を確保でき、小型化に適した高温対応電力用バイポーラトランジスタ。 （もっと読む）

【課題】ワイドギャップバイポーラ半導体素子を高信頼性かつ低損失で駆動でき、可制御電流を大きくできる電力変換装置を提供する。
【解決手段】この電力変換装置では、ＳｉＣ−ＧＴＯサイリスタ１の稼動に先立ち、温度上昇用ｎ型ＭＯＳＦＥＴ１１のゲート１３に信号を印可してオンさせ、電源１４ → アノード端子２ → ゲート端子４ → 抵抗１２ → 温度上昇用ｎ型ＭＯＳＦＥＴ１１ → 電源１４の経路で温度上昇用電流(加熱電流)として約４０Ａの電流を流す。上記温度上昇用電流により、ＳｉＣ−ＧＴＯサイリスタ１の温度を上昇させる。これにより、サイリスタ１の稼動により積層欠陥が増大したとしても、オン電圧の増大や最小ゲート点弧電流の増大、ターンオン時間の増大およびオフ時の電流の不均衡の増大などの劣化現象を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】下層からのマグネシウムの拡散を利用した電界効果トランジスタの製造。
【解決手段】マスク層２ｍでｐ型層１ｐの表面の一部を覆い、Ｍｇ原料を導入せずにＧａＮ層を形成するべくエピタキシャル成長を行うと、下層のｐ型層１ｐに接触する部分においては、当該ｐ型層１ｐからＭｇが拡散してｐボディ層４ｐが形成され、マスク層２ｍの上部は、アンドープＧａＮから成るチャネル形成層４ｉが形成される。同様に、ｐボディ層４ｐの上部には、ｐボディ層４ｐからＭｇが拡散してｐ−ＡｌＧａＮ層５ｐが形成され、チャネル形成層４ｉの上部には、アンドープＡｌＧａＮ層５ｉが形成される。このようにして製造されたＨＥＭＴ１００は、ボディ電極Ｂｄの形成されるｐ−ＡｌＧａＮ層５ｐ表面がエッチング処理されていないのでオーミック性が良好であり、ボディ電極Ｂｄからチャネル形成層４ｉの電位を安定して保つことができ、素子特性の安定した素子となる。 （もっと読む）

【課題】層厚の厚い高品質な窒化物半導体結晶層が、該結晶層内の歪を緩和させた状態で、再現性よく得られる半導体装置を提供すること。
【解決手段】基板１であるＳｉ基板上に、核形成層２であるＡｌＮ層(層厚１５０ｎｍ)、バッファ層３であるＩｎ_１−ＸＡｌ_ＸＮ組成傾斜層(層厚２１０ｎｍ、Ｉｎ組成１−Ｘは、上から下に向けて、０.１７から０.１まで変化、組成変化率 層厚３０ｍｎあたり０.０１)、窒化物半導体結晶層４である、ＧａＮ層(層厚１０００ｎｍ)およびＡｌＧａＮバリア層(層厚２５ｎｍ、Ａｌ組成０.２５)を、順次積層してなる積層構造を有する半導体装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】特にＧａＡｓＳｂ系ベース層を有するＨＢＴにおいて、ＨＢＴ素子の特性を劣化させることなく、素子表面を部分的に不活性化するＨＢＴを提供する。
【解決手段】所定の材質の基板１上に形成したコレクタ層３、ベース層４、エミッタ層５を含む層構造の少なくとも側壁をＡｌ酸化膜８で覆っている構造とする。基板１としてＩｎＰを、ベース層４に、少なくとも一層はＡｌ（ｘ）Ｇａ（１−ｘ）Ａｓ（ｙ）Ｓｂ（１−ｙ）を用いる（ｘ，ｙ：組成比、０．０≦ｘ≦０．２，０．２≦ｙ≦０．８）。すなわち、基板１上に、エミッタ層５、ベース層４、コレクタ層３を含むＨＢＴの層構造を結晶成長により作製した後、エッチングによりメサ状に加工し、さらに、表面に堆積させた前記Ａｌ化合物を酸化させることによりＡｌ酸化膜８を形成し、電極形成領域に堆積させたＡｌ酸化膜８をエッチングにより除去して電極９を形成する。 （もっと読む）

【課題】携帯電話機などに使用されるＲＦモジュールの小型化を図ることのできる技術を提供する。
【解決手段】ＲＦモジュール２５を構成する配線基板２６上に、増幅回路が形成された半導体チップ２８と、増幅回路を制御する制御回路が形成された半導体チップ２７とを搭載する。そして、半導体チップ２７上のボンディングパッド３０と半導体チップ２８上のボンディングパッド３１とを中継パッドを介さずにワイヤ３２で直接接続する。このとき、半導体チップ２８上に形成されているボンディングパッド３１の形状を正方形ではなく矩形形状（長方形）にする。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の発生を抑制しつつ、絶縁層上に配置された厚膜半導体層と薄膜半導体層とを同一基板上に形成する。
【解決手段】絶縁層１２上に配置された半導体層１３の薄膜ＳＯＩ形成領域Ｒ１に第１半導体層２１および第２半導体層２２を選択的に形成し、第２半導体層２２を半導体層１３上で支持する支持体２７を形成してから、第１半導体層２１をエッチング除去して、半導体層１３と第２半導体層２２との間に空洞部３０を形成し、半導体層１３および第２半導体層２２の熱酸化を行うことにより、半導体層１３と第２半導体層２２との間の空洞部３０に埋め込み絶縁層３１を形成する。 （もっと読む）

【課題】デュアルバンド電力増幅器の最終段トランジスタにおける電流集中を、バンド間アイソレーションを劣化させることなく回避する。
【解決手段】最終段電力増幅トランジスタ（Ｔｒｇ３，Ｔｒｄ３）の単位トランジスタについて、最終出力増幅トランジスタ形成領域（ＰＷ３）内に単位トランジスタを交互にまたは取囲むように混在して配置する。また、これらの最終出力段トランジスタが結合する出力信号線の間に、インダクタンス素子（Ｌｃｃ）を接続する。 （もっと読む）

【課題】高出力化に付随して要求される高耐破壊化を満たすヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。
【解決手段】ＧａＡｓからなるｎ型のサブコレクタ層１１０と、サブコレクタ層１１０上に形成され、サブコレクタ層１１０よりアバランシェ係数の小さい半導体材料からなるｎ型の第１のコレクタ層１２１と、第１のコレクタ層１２１上に形成され、サブコレクタ層１１０より低い不純物濃度のｎ型又はｉ型のＧａＡｓからなる第２のコレクタ層２０３と、第２のコレクタ層２０３上に形成され、ＧａＡｓからなるｐ型のベース層２０４と、ベース層２０４上に形成され、ベース層２０４よりバンドギャップの大きな半導体材料からなるｎ型のエミッタ層２０５とを備えるヘテロ接合バイポーラトランジスタ。 （もっと読む）

【課題】従来の回路では生じるコストや面積の増大を低く抑えながら高いＥＳＤ耐性が実現できる保護回路を備えた電力増幅器を提供する。
【解決手段】半導体基板には、少なくとも１つのバイポーラトランジスタ１０を有する能動素子と、バイポーラトランジスタ１０のベース５とエミッタ６間をベース・エミッタ間ダイオードとは逆方向となるように接続されたダイオードＤと、ダイオードＤとバイポーラトランジスタ１０のベース５との間に直列に接続された抵抗Ｒと、バイポーラトランジスタ１０のベース５にバラスト抵抗Ｒを介して接続されたバイアス回路１７が形成されている。抵抗Ｒは、バイアス回路１７のバラスト抵抗Ｒを兼ねている。 （もっと読む）

【課題】本来InP基板に格子整合性を有するInP系半導体素子をGaAs基板に形成することができるようにする。
【解決手段】GaAs基板１上にInPメタモルフィックバッファ層２を、厚さ４μｍ以上として、その表面の欠陥密度を１０^８／ｃｍ^２以下にすることによって、GaAs基板上に、すぐれた特性と信頼性を有する、InP系半導体素子１１を構成する （もっと読む）

【課題】オン電圧を容易に制御し得る化合物半導体エピタキシャル基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板２上に、バッファ層３、サブコレクタ層４、コレクタ層５、ベース層６、エミッタ層７、コンタクト層９を有し、ベース材料のＶ族原料としてＡｓを有する材料を用い、エミッタ材料のＶ族原料としてＰを有する材料を用いたバイポーラトランジスタ用化合物半導体エピタキシャル基板のＭＯＣＶＤ法による製造方法であって、ベース層成長の後、Ｖ族原料をＡｓを有する材料からＰを有する材料に切り替えた後の待機時間と、得られるバイポーラトランジスタのオン電圧との相関を調べ、その相関から所定のオン電圧を得るために待機時間を設定して、当該オン電圧を得ることを特徴とするバイポーラトランジスタ用化合物半導体エピタキシャル基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＨＥＭＴやＨＢＴなど高速なトランジスタのＩＣ化やＭＭＩＣ化などにおいて、トランジスタの寄生容量を効果的に抑制し、かつ製造歩留良く、基板と素子表面との同電位化を図るビアを形成する事ができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】トランジスタ素子領域の直下の領域のバッファ層を、選択的なエッチングによって除去して空洞領域を形成することで低誘電率化を図って高速動作を可能とし、またトランジスタ素子領域がある表面側からビアを形成して導電性基板と導通を図ることで、回路動作の安定化を製造歩留の低下を抑制して可能にする。 （もっと読む）

【課題】熱暴走対策としてエミッタバラスト方式を採用するＲＦ信号増幅用のパワーバイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）を採用したＲＦ電力増幅器全体の電力利得と電力効率とを改善すること。
【解決手段】ひとつのパワー素子を構成する複数のユニット・トランジスタには、ぞれぞれエミッタバラスト抵抗が接続されている。その結果、複数のユニット・トランジスタの複数のベースには、１個の結合容量ＣによりＲＦ入力信号を共通に供給できる。ＲＦ入力信号が供給される１個の結合容量Ｃの一方の電極プレート１００の配線幅Ｗを、複数のベースへの信号注入配線領域２０４＿１、２０４＿２…２０４＿Ｎの配線幅ｗより大きくする。複数のコレクタ増幅出力信号の間での位相差が小さくなる。 （もっと読む）

【課題】リサーフの効果を用いる構造により窒化物系ヘテロ接合トランジスタの高耐圧化を行う。
【解決手段】窒化物半導体により構成されるトランジスタにおいて、ＧａＮ層３とＡｌ_ｙＧａ_１−ｙＮバリアー層４のヘテロ接合に形成された二次元キャリアガスの特性を持つｎ型チャンネルに対して、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮバリアー層２とＧａＮ層３のヘテロ接合にｐ型の二次元状キャリアを持つ電界制御チャンネルを平行に形成し、チャンネルと電界制御チャンネルが空乏化したときの空間固定電荷の面密度が実質的に等しくなるトランジスタ構造とすることにより、リサーフ効果を持たせ、これにより、オン耐圧やオフ耐圧の向上を行う。 （もっと読む）

【課題】ベース・エミッタのへテロ接合における伝導帯下端のバンド不連続（ΔＥｃ）を無くすことが可能なヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。
【解決手段】半絶縁性ＧａＡｓから構成される基板１０１と、基板１０１に格子整合するエピタキシャル層１００とからなるヘテロ接合バイポーラトランジスタであって、エピタキシャル層１００は、ｎ⁺−ＧａＡｓから構成されるサブコレクタ層１０２と、ｎ−ＧａＡｓから構成されるコレクタ層１０３と、ｐ⁺−ＧａＰＳｂから構成されるベース層１０４と、ＧａＰＳｂと電子親和力が同じで、ＧａＰＳｂよりもバンドギャップエネルギーが大きいＩｎＧａＰから構成されるエミッタ層１０５とを有する。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の少ないエピタキシャル層を成長し、電流利得βの長期信頼性を向上させるIII−Ｖ族化合物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】加熱された半絶縁性化合物半導体基板１上に、ドーパント原料、III族原料、Ｖ族原料及び希釈用ガスを供給し、気相成長法により、III−Ｖ族化合物半導体から成るヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）用の少なくともサブコレクタ層２、コレクタ層３、ベース層４、エミッタ層５、エミッタコンタクト層６、ノンアロイ層７を順にエピタキシャル成長させる。ベース層４等の成長速度を従来よりも約３０％以上高い成長速度に設定し、結晶欠陥の少ないエピタキシャル層を成長させる。 （もっと読む）

【課題】増幅利得の向上（高出力動作）と熱暴走抑制効果の向上（安定動作）とを両立させた、半導体電力増幅器及びその製造方法を提供する。
【解決手段】各ＨＢＴ４０のエミッタは、並列接続された第１のエミッタバラスト抵抗体４１及び第２のエミッタバラスト抵抗体４２を介して、エミッタ（接地）端子３にそれぞれ接続される。第１のエミッタバラスト抵抗体４１と第２のエミッタバラスト抵抗体４２とは、温度変化に伴う抵抗値の変化傾向が相反する温度特性を有した材料で形成される。これにより、第１のエミッタバラスト抵抗体４１が有する温度上昇に従って抵抗値が減少（又は増加）する欠点を、第２のエミッタバラスト抵抗体４２が有する温度上昇に従って抵抗値が増加（又は減少）する欠点で緩和させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】サブコレクタ層のキャリア濃度による電流増幅率への影響を抑え、信頼性の高い半導体デバイスの製作を可能にする薄膜半導体エピタキシャル基板及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】サブコレクタ層４１及びコレクタ層４２が形成されている薄膜半導体エピタキシャル基板１において、コレクタ層４２の一部にホウ素（Ｂ）が添加されているＢ添加層４２Ａを形成し、これによりサブコレクタ層４１を高濃度にドーピングした場合であっても電流増幅率を低下させることがないようにした。 （もっと読む）

【課題】低いオン抵抗を有し且つ高い破壊耐圧を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。
【解決手段】 基板１００上に形成された導電型のサブコレクタ層１０１と、サブコレクタ層１０１上に形成された第１のコレクタ層１０２と、第１のコレクタ層１０２上に形成され、サブコレクタ層１０１の導電型と同一の導電型を有する第２のコレクタ層１０３とを備え、第１のコレクタ層１０２には、その内部にデルタドープ層１０８が介在している。 （もっと読む）