【課題】チャックプレート３の表面に堆積した汚染物質を、プラズマエッチングを行うことなく、安価且つ簡便に除去できるようにした静電チャックのクリーニング方法を提供する。
【解決手段】チャックプレート３の表面にダミー基板６を吸着した状態で、ダミー基板６を加熱又は冷却してクリーニングを行う。ダミー基板６のチャックプレート３に対する接触面６ｂの硬度を、被処理基板の硬度よりも高く、チャックプレートの硬度よりも低くする。チャックプレートが窒化アルミニウム製であり、被処理基板がシリコンウエハである場合、前記接触面６ｂは窒化シリコンで形成される。ダミー基板６を加熱又は冷却すると、ダミー基板６とチャックプレート３との熱膨張差により、チャックプレート３の表面に堆積した汚染物質Ｓがダミー基板６で擦り取られる。 （もっと読む）

改良された耐プラズマ性を有する充填ポリマー組成物が開示される。組成物はポリマーマトリックス中に分散された粒子フィラーを含む。粒子フィラーは、Ｎｂ_２Ｏ_５、ＹＦ_３、ＡｌＮ、ＳｉＣ又はＳｉ_３Ｎ_４、及び希土類酸化物であることが可能である。一実施形態では、組成物は、静電チャック用接着剤、シャワーヘッド用接着剤、ライナー用接着剤、シール材、Ｏリング、又はプラスチック部品として利用される。
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【課題】プラズマの状態によらず、プラズマの均一性を容易に確保することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供すること。
【解決手段】上部電極434および下部電極16との間に処理ガスのプラズマを生成してウエハＷにプラズマエッチングを施すプラズマエッチング装置であって、上部電極434には高周波電源48および可変直流電源50が接続され、上部電極434は、電極板536と、電極板536を支持する一体構造の電極支持部材438とを有し、電極板536は、面内方向に所定の電気抵抗の分布が形成され、上部電極434の表面に所定の直流電界および高周波電界の分布を形成する。 （もっと読む）

【課題】耐食性に優れ、プラズマ環境で使用したときに発生するパーティクルを低減できる耐食性部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】耐食性部材は、基材と、基材上に溶射により形成され、５％以上２０％以下の気孔率を有する酸化ガドリニウム皮膜とを備える。耐食性部材の皮膜は、低気孔率の酸化ガドリニウムにより形成されているため、耐食性に優れ、プラズマ環境で使用したときに発生するパーティクルを低減できる。また、酸化ガドリニウム皮膜の気孔率が２０％以下であるため、皮膜の強度が向上し、カケや剥離等が発生しにくく、プラズマが皮膜を透過して基材を損傷する可能性も低い。一方、酸化ガドリニウム皮膜の気孔率は５％以上であり、皮膜が緻密すぎないため、クラックが発生しにくい。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、プラズマ処理装置のクリーニング方法であり、プラズマ処理室表面を効率良く清浄化し、スループットを向上できるプラズマ処理装置のクリーニングの方法を提供する。また、クリーニング中にウエハを設置する電極表面がプラズマに曝されないので電極の劣化を防止することができる。更に、クリーニングと同時に被処理体である低誘電率膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）上に形成されたレジストマスクを除去する方法を提供する。
【解決手段】
スループットを向上させる手法として、ＣｘＦｘ系ガスを用いてエッチングされた低誘電率膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）を、そのまま下部電極に載置した状態でＣＯ₂ガスによりプラズマクリーニングを行い、プラズマ処理室表面に付着したデポ物を除去する。この時、同時にＬｏｗ−ｋ膜上にパターニングされたレジストマスクを除去できるため、処理時間の大幅な短縮化が可能となる。 （もっと読む）

【課題】電極を保護する部材を用いることなく、クリーニング時の電極のエッチングを抑制すると共にクリーニング作業時間を大幅に短縮でき、電極保護による経済性の向上と、クリーニング作業時間の短縮化とを両立させて、クリーニング作業の高品位化を図ったプラズマ処理装置及びそのクリーニング方法を提供する。
【解決手段】カソード電極３の上面部及び側面部にはガス噴出穴１３が複数開口されており、カソード電極３の下面部にはガス噴出穴１３と連通するガス供給口１４が形成されている。ガス供給口１４にはＨｅ又はＯ_２などのエッチング抑制ガス１５が供給されるように構成されている。 （もっと読む）

【解決手段】内部にドライエッチング領域が形成されるチャンバーと、チャンバー内部に配設された電極と、チャンバー外部に配設されたコイルとを備えるドライエッチング装置を用いてドライエッチングした後、コイルに印加する電力に対する電極に印加する電力の比を、ドライエッチング時と同じ又は大きくして、電極とコイルとに電力を印加してプラズマを発生させて、チャンバー内をクリーニングし、更に、コイルに印加する電力に対する電極に印加する電力の比を、ドライエッチング時より小さくして、電極とコイルとに電力を印加してプラズマを発生させて、チャンバー内をクリーニングする。
【効果】本発明のクリーニング方法は、膜のドライエッチングによりドライエッチング装置のチャンバー内壁に付着した金属化合物などを簡易な方法によって、効率的、かつ確実に除去することができる。 （もっと読む）

【課題】反応槽のクリーニングのためのドライエッチングの終点判断を正確に行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】製造装置の反応槽内で基板上に構造膜を形成することにより半導体装置を製造するプロセスにおいて、反応槽内のクリーニングを行う。すなわち、反応槽の内壁にホウ素を含有したシリコン窒化膜からなるプレコート膜を堆積させ（ステップＳ１１）、反応槽内において基板上に構造膜としてホウ素を含まないシリコン窒化膜を形成し（ステップＳ１２）、反応槽の内壁をドライエッチングしてクリーニングする（ステップＳ１３）。このとき、ドライエッチングは、反応槽から排出されるガスにホウ素が検出された後で終了させる。 （もっと読む）

【課題】 ノズル等のガス出力手段の内壁全体をクリーニングガスによってクリーニングすることができるようにする。
【解決手段】 基板に所定の処理を施す反応管と、反応管内に反応ガスを供給する複数のノズルと、複数のノズルとは別に設けられ、反応管内にクリーニングガスを供給するクリーニング用ノズルと、ノズルの内部をクリーニングする場合に、複数のノズルのうち選択したノズルにクリーニングガスを供給し、選択していないノズルに不活性ガスを供給すると共に、反応管の内部をクリーニングする場合に、少なくともクリーニング用ノズルより反応管内にクリーニングガスを供給するように制御するコントローラと、を有する。 （もっと読む）

【課題】ロットの切り替わりにおいても適切なクリーニング条件，かつ適切なタイミングでクリーニングを実行するクリーニング方法を提供する。
【解決手段】各ロットのプロセス条件とこれらプロセス条件にそれぞれ設定されたクリーニング条件とを予め記憶しておき，各処理室においてプロセス処理を実行する前に，クリーニング条件が異なるロットの切り替わりか否かを判断しＳ１１０，クリーニング条件が異なるロットの切り替わりであると判断した場合には，その処理室にクリーニング用基板を割込み搬送して，切り替わり前のロットのクリーニング条件を読み出してＳ１２０，その条件に基づいてクリーニング処理を実行しＳ１４０，クリーニング条件が同じロットの切り替わりであると判断した場合には，その処理室に対するクリーニング処理は実行しない。 （もっと読む）

【課題】環境や洗浄部品に影響されずに、装置立上げおよびメンテナンス後の初期金属汚染量を低減することを可能とするプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】新規装置立上げ工程および／またはメンテナンス後再稼働工程後における製品ウエハ生産処理（本処理）工程前に、初期金属汚染防止工程を設ける。初期金属汚染防止工程は、処理室内に設けられたサセプタにプロダクトウエハを載置しないで処理室に窒素ガスを含むガスを供給しつつプラズマ放電するステップと、処理室内に設けられたサセプタにプロダクトウエハを載置しないで処理室に酸素ガスを含むガスを供給しつつプラズマ放電するステップと、で構成し、窒素プラズマ処理ステップおよび酸素プラズマ処理ステップを初期金属汚染の状況に応じて繰り返して実施する。 （もっと読む）

基板を処理し、プロセスチャンバを処理するための装置及び方法が提供される。一実施形態では基板を処理する装置が提供され、この装置は、電源と、前記電源に接続された切り替えボックスであって、第１位置と第２位置との間で相互に切り替え可能なスイッチを有する切り替えボックスと、前記切り替えボックスに接続された第１マッチングボックスと、前記第１マッチングボックスに接続されたプラズマジェネレータと、前記切り替えボックスに接続された第２マッチングボックスと、前記第２マッチングボックスに接続されたリモートプラズマ源とを含む。
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基板処理チャンバ中に配置された基板を処理した後で、基板処理チャンバの１つまたは複数の内側表面から不要な堆積物蓄積を除去する遠隔プラズマプロセス。一実施形態では、基板が基板処理チャンバから外に移送され、フッ素含有エッチャントガスの流れが遠隔プラズマ源の中へ導入され、そこで反応種が形成される。遠隔プラズマ源から基板処理チャンバへの反応種の連続的な流れが発生され、一方では、高圧力洗浄ステップと低圧力洗浄ステップのサイクルが繰り返される。高圧力洗浄ステップ中に、基板処理チャンバ内の圧力が４〜１５トルの範囲に維持されている間、反応種は基板処理チャンバの中へ流される。低圧力洗浄ステップ中に、高圧力洗浄ステップで到達された高圧力の少なくとも５０パーセントだけ基板処理チャンバの圧力を減少させながら、反応種が基板処理チャンバの中へ流される。
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【課題】基板へのパーティクルの付着を効果的に防止した、優れた性能の絶縁膜エッチング装置を提供する。
【解決手段】プロセスチャンバー１内の基板ホルダー２上に基板９が保持され、エッチング用ガスがガス導入系３により導入される。プラズマ形成手段４に手段によりプラズマが形成され、プラズマ中の活性種やイオンの作用により基板９の表面の絶縁膜のエッチングが行われる。制御部８は、エッチング終了後、クリーニング用ガスをガス導入系３により導入し、プラズマ形成用手段４によりプラズマを形成して、プロセスチャンバー１内の露出面に堆積した膜をプラズマの作用により除去する。基板保持面より下方に設けられた冷却トラップ１２は、強制冷却され、堆積作用のあるガス分子を捕集して多くの膜を堆積させる。冷却トラップ１２は交換可能である。 （もっと読む）

【課題】ドライクリーニングにおいてガス供給管の破損を防ぎ、メンテナンス効率を高めるようにする。
【解決手段】ウエハ２００を処理室２０１内に搬入する工程と、ガス供給管１６５，１６６，１６７に原料ガスを供給して処理室２０１内に原料ガスを導入し、基板２００にシリコン又はシリコン化合物の膜を形成する工程と、処理室２０１内から基板を搬出する工程と、処理室２０１内を加熱する加熱工程と、加熱工程後に処理室２０１内の温度を低下させる降温工程と、降温工程後にガス供給管１６５，１６６，１６７にクリーニングガスを供給して処理室２０１内にクリーニングガスを導入するクリーニングガス導入工程と、を含む半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】洗浄手順が簡単である上に洗浄効果も高く安全に洗浄することができるチャンバ洗浄方法を提供する。
【解決手段】希塩酸蒸気ＰＳＭがチャンバ１９内を満たすので、チャンバ１９内に用いられているフッ素樹脂から金属成分が溶出する。バブリングを停止するとともに希塩酸蒸気ＰＳＭをチャンバ１９外へ排出し、チャンバ１９内に付着している希塩酸蒸気ＰＳＭの凝結分を洗浄除去する。希塩酸ＰＳを貯留した容器７１をチャンバ１９内に導入して、バブリングさせるだけで洗浄ができ、手順を大幅に簡単化できる。その上、希塩酸蒸気ＰＳＭによって洗浄するので、従来では洗浄できなかった部位の洗浄をも行うことができ、洗浄効果を向上させることができる。さらに、チャンバ１９に大量の塩酸を貯留する場合に比較して、希塩酸ＰＳの漏洩の恐れが極めて少なくなるので、安全に洗浄を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】基板へのパーティクルの付着を効果的に防止した、優れた性能の絶縁膜エッチング装置を提供する。
【解決手段】プロセスチャンバー１内の基板ホルダー２上に基板９が保持され、エッチング用ガスがガス導入系３により導入される。プラズマ形成手段４に手段によりプラズマが形成され、プラズマ中の活性種やイオンの作用により基板９の表面の絶縁膜のエッチングが行われる。制御部８は、エッチング終了後、クリーニング用ガスをガス導入系３により導入し、プラズマ形成用手段４によりプラズマを形成して、プロセスチャンバー１内の露出面に堆積した膜をプラズマの作用により除去する。基板保持面より下方に設けられた冷却トラップ１２は、強制冷却され、堆積作用のあるガス分子を捕集して多くの膜を堆積させる。冷却トラップ１２は交換可能である。 （もっと読む）

【課題】基板へのパーティクルの付着を効果的に防止した、優れた性能の絶縁膜エッチング装置を提供する。
【解決手段】プロセスチャンバー１内の基板ホルダー２上に基板９が保持され、エッチング用ガスがガス導入系３により導入される。プラズマ形成手段４に手段によりプラズマが形成され、プラズマ中の活性種やイオンの作用により基板９の表面の絶縁膜のエッチングが行われる。制御部８は、エッチング終了後、クリーニング用ガスをガス導入系３により導入し、プラズマ形成用手段４によりプラズマを形成して、プロセスチャンバー１内の露出面に堆積した膜をプラズマの作用により除去する。基板保持面より下方に設けられた冷却トラップ１２は、強制冷却され、堆積作用のあるガス分子を捕集して多くの膜を堆積させる。冷却トラップ１２は交換可能である。 （もっと読む）

【課題】クリーニングによる損傷を防止することができる半導体製造装置及びそのクリーニング方法を提供する。
【解決手段】ＬＰＣＶＤ装置１において、処理チャンバー１１を設け、処理チャンバー１１の外部に配置され、水素ガスとフッ素ガスとを反応させてフッ化水素ガスを生成すると共に、このフッ化水素ガスを冷却する反応冷却手段２５を設ける。そして、反応冷却手段２５によって冷却されたフッ化水素ガスを、クリーニングガスとして処理チャンバー１１の内部に供給する。 （もっと読む）

【課題】基板へのパーティクルの付着を効果的に防止した、優れた性能の絶縁膜エッチング装置を提供する。
【解決手段】プロセスチャンバー１内の基板ホルダー２上に基板９が保持され、エッチング用ガスがガス導入系３により導入される。プラズマ形成手段４に手段によりプラズマが形成され、プラズマ中の活性種やイオンの作用により基板９の表面の絶縁膜のエッチングが行われる。制御部８は、エッチング終了後、クリーニング用ガスをガス導入系３により導入し、プラズマ形成用手段４によりプラズマを形成して、プロセスチャンバー１内の露出面に堆積した膜をプラズマの作用により除去する。基板保持面より下方に設けられた冷却トラップ１２は、強制冷却され、堆積作用のあるガス分子を捕集して多くの膜を堆積させる。冷却トラップ１２は交換可能である。 （もっと読む）