【課題】
一様で安定したプラズマを形成でき、大面積基板に均一な膜厚及び膜質分布で成膜できるプラズマ処理方法及び装置並びにプラズマＣＶＤ方法及び装置を提供する。
【解決手段】
本発明によるプラズマ処理装置又はプラズマＣＶＤ装置では、電極が、金属製電極本体と、基板ホルダーに対向する金属製電極本体の表面に埋め込まれた複数個の誘電体とで構成され、基板ホルダーに対向する金属製電極本体の表面が平坦であり、該表面に埋め込まれる複数個の誘電体の端表面が金属製電極本体の表面と同じ平面内に位置している。
また、本発明によるプラズマ処理方法又はプラズマＣＶＤ法は、高周波電力を供給する電極として、放電に対向する金属製電極本体の表面に複数個の誘電体を埋め込みそれぞれの誘電体の端表面が金属製電極本体の表面と同じ平面内に位置する構造の金属電極を使用し、大面積基板に均一に成膜できるように構成される。 （もっと読む）

【課題】基板から製造される半導体デバイスの歩留まりが高い状態で所定の処理を開始することができる処理開始可否判定方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷを収容するチャンバ１１と、該チャンバ１１を排気する排気系１４とを備える基板処理装置１０において、チャンバ１１の構成部品のクリーニング後、半導体デバイスの製造のためのプラズマエッチング処理よりも高温の雰囲気及び／又は低圧の雰囲気のシーズニング処理を所定の回数だけ繰り返して実行し、排気系１４の粗引きライン１５内を流れるパーティクルの数を計測し、該計測されたパーティクルの数の時間経過に伴う変動度合いを監視し、該監視されているパーティクルの数の減少度合いが変化したときに、プラズマエッチング処理を開始可能と判定する。 （もっと読む）

【課題】相変化デバイスの製造工程において、サイドエッチングを世紀させないカルコゲン元素を含んだカルコゲン化合物半導体膜のプラズマ処理方法を提供する。
【解決の手段】エッチングガスにＣｌ_２とＡｒを特定の比率で混合したガスを用いて、カルコゲン化合物半導体膜２３を途中までエッチングし、その後、Ａｒのみを用いてカルコゲン化合物半導体膜２３をエッチング処理する。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内のヒータ等の加熱機構がクリーニング処理によって生じる劣化や腐食を、クリーニング時における温度制御を要することなく行い、温度制御に伴う操作時間を不要とし、真空成膜装置の稼働率の低下を抑制する。
【解決手段】真空成膜装置において、クリーニング時において加熱機構の外周を不活性ガスで覆うことによって、反応性に高いクリーニングプラズマあるプラズマによって発生するラジカルが加熱機構に接触しないようにし、これによってクリーニング処理により劣化や腐食を防ぐ。保護機構は、ヒータの周囲空間に不活性ガスを導入する不活性ガス導入機構を備え、クリーニング時に不活性ガスを導入して加熱機構をクリーニングガスプラズマ又はラジカルから空間的に分離してヒータを保護する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、クリーニング時間を短縮し、生産性を向上させることのできる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】 処理容器内の下部から上部まで立ち上がった第１ノズル部、第２ノズル部を介して、それ単独で膜を堆積させることのできる第１ガス、それ単独で膜を堆積させることのできない第２ガスをそれぞれ処理容器内に供給してその下方に向けて流し、処理容器の下部に設けられた排気口より排気して、基板上に薄膜を形成する処理を繰り返した後、処理容器の天井壁に設けられた第３ノズル部および第１ノズル部を介して、クリーニングガスを処理容器内に供給してその下方に向けて流し、排気口より排気して処理容器内および第１ノズル部内に付着した堆積物を除去するようにした。 （もっと読む）

【課題】ＥＳＣの外周部に堆積したＣＦベースでＳｉ及びＡｌを含有する肩デポを効率よく除去するチャンバ内クリーニング方法を提供する。
【解決手段】Ｏ_２ガスとＦ含有ガスとの混合ガスをＥＳＣ２４の外周部２４ａに向けて圧力４００〜８００ｍＴｏｒｒで供給し、この混合ガスから生成されたプラズマをＥＳＣ２４の外周部２４ａに選択的に照射すると共に、ＥＳＣ２４の外周部２４ａ以外の上部表面にマスキングガスとしてＯ_２単ガスを供給し、ＥＳＣ２４の外周部２４ａ以外の上部表面のＦラジカルによる被曝を防止しつつ該外周部２４ａに付着した肩デポ５０を分解、除去する。 （もっと読む）

堆積処理中に、材料が基板上だけでなく他のチャンバ構成要素の上にも堆積することがある。ＭＯＣＶＤチャンバでは、これらの構成要素の１つはガス分配シャワーヘッドである。シャワーヘッドは、不活性ガスおよび塩素を含むプラズマで発生させたラジカルでシャワーヘッドをボンバードすることによって洗浄することができる。プラズマを発生させるために、シャワーヘッドを基板支持体に対して負にバイアスするか、またはフローティングさせることができる。シャワーヘッドはステンレス鋼を含み、セラミックコーティングでコーティングすることができる。
（もっと読む）

【課題】チャンバ内壁や絶縁体等のチャンバ内部材への堆積物の付着を有効に防止することができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】チャンバ１０に互いに対向して配置される上部電極３４およびウエハ支持用の下部電極１６を有し、上部電極３４に相対的に周波数の高い第１の高周波電力を印加する第１の高周波電源４８を接続し、下部電極１６に相対的に周波数の低い第２の高周波電力を印加する第２の高周波電源９０を接続し、上部電極３４に可変直流電源５０を接続し、チャンバ１０内に処理ガスを供給してプラズマ化し、プラズマエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】真空処理装置の真空処理室内部のメンテナンス性を改善する。
【解決手段】真空処理装置１は、被処理物１０７を収容して真空処理を施す第１の処理室１０１と、真空処理される前の被処理物と、真空処理された後の被処理物と、を収容する真空排気可能な第２の処理室１０２と、第１の処理室と第２の処理室との間に、第１の処理室と着脱可能に介装されるゲート部１０３と、ゲート部１０３を通じて、真空処理される前の被処理物を搬入部１０８から真空処理部１０４へと搬入し、真空処理された後の被処理物を真空処理部１０４から搬出部１１９へと搬送する搬出する搬送装置２０２と、第１の処理室と第２の処理室とを離間させる移動機構２００とを備える。 （もっと読む）

【解決手段】
基板処理時にプラズマ処理システムの処理チャンバの閉じ込め領域内の圧容積を制御するための直接駆動装置が提供される。閉じ込めリングによって囲まれるチャンバ容積である閉じ込め領域が提供される。この装置は、垂直にプランジャーアセンブリを移動するように構成されるモーターアセンブリの圧力を変化させ、プランジャーアセンブリの設定点位置の値を記録するように構成されるプランジャーアセンブリを含む。この装置は、モーターアセンブリを駆動して、プランジャーアセンブリを移動して閉じ込め領域内の圧容積を変化させるように構成される１組の回路をさらに含む。この１組の回路は、モーターアセンブリに電源を供給するようにも構成される。この１組の回路は、モーターアセンブリから設定点位置の値を受信するようにさらに構成される。 （もっと読む）

【課題】シリコン系薄膜の成膜を行なうための成膜室が大気開放される際に生じるＨＦガスの量を抑制することができる、成膜装置のクリーニング方法およびシリコン系薄膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜室５０内においてフッ素系ガスを用いてプラズマが発生させられる。フッ素系ガスを用いてプラズマが発生させられた後に、成膜室５０内においてシリコン系材料が堆積させられる。シリコン系材料が堆積させられた後に、成膜室が大気開放される。 （もっと読む）

【解決手段】半導体処理チャンバにおいて基板を処理するために複数の処理流体を供給する装置を開示する。装置は、複数の処理流体供給弁と、交差弁と調整供給弁との間に画成された流体供給ネットワークとを含む。装置は、更に、調整供給弁を介して流体供給ネットワークに接続されている調整流体供給部を含む。更に、装置と共に、複数の処理流体供給弁を介して流体供給ネットワークに接続された複数の処理流体が含まれる。更に、装置には、基板支持部を有する処理チャンバが含まれる。処理チャンバは、更に、縁端流体供給部と中心流体供給部とを含み、縁端流体供給部は、縁端有効化弁を介して流体供給ネットワークに接続され、中心供給部は、中心有効化弁を介して流体供給ネットワークに接続される。交差弁、縁端有効化弁、及び中心有効化弁により、調整流体又は処理流体の一方を、縁端流体供給部又は中心流体供給部の一方へ流動させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】最適なメンテナンス時期を通知する膜厚検知器を提供する。
【解決手段】減圧雰囲気において被処理体の上に薄膜を形成しまたは前記被処理体をエッチングする真空処理装置内に設けられる膜厚検知器であり、第１の導電性端子と、前記第１の導電性端子に隣接する第２の導電性端子と、を備え、前記被処理体以外の部分に堆積する被膜の厚みを、前記第１の導電性端子と前記第２の導電性端子との間に堆積する被膜の厚みに応じた前記第１及び前記第２の導電性端子の間の電気特性の変化として検知可能としたことを特徴とする膜厚検知器が提供される。 （もっと読む）

【課題】容器が加熱された場合でも、装置内の雰囲気の気密性を保持することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理容器２の容器突出部２ａと蓋体３の蓋体突出部３ａとの接触面には、Ｏリング４、５が環状に二重に設けられている。容器突出部２ａには、Ｏリング４、５の間に形成された隙間６に、不活性ガスを流入させるためのガス流入口７と、その不活性ガスを隙間６から流出させるためのガス流出口８が形成されている。ガス流入口７とガス流出口８は、対向して形成されている。ガス流入口７から流入した不活性ガスは流出口８に向かって流れ、隙間６内に充満する。この隙間６内に充満した不活性ガスの層によって、処理容器２内の気密性が保持される。 （もっと読む）

【課題】高電圧の高周波を基板載置電極に印加し堆積性の強い処理条件を用いて基板を処理するエッチング装置において、基板載置電極のエッジの堆積物の除去の効率を上げる。
【解決手段】本発明は真空処理容器内に被処理基板を載置し、高周波電力を印可する手段を備えた下部電極と、下部電極と対向する位置に配置され、高周波電力を印可する手段を備えた上部電極と、プラズマ処理に用いるガスを導入するガス導入機構と、真空処理容器内を所望の圧力に保持できる排気機構とを有するプラズマエッチング装置において、下部電極の外側の電極エッジ部に導体線路を形成し、プラズマクリーニング時に、この導体線路に電力供給を行い、電極エッジ部を加熱することによりプラズマクリーニングの効率化を図る。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス時間を短縮して処理の効率や装置の稼働効率を向上させたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内部に配置され減圧された処理室内において基板状の試料が配置される真空容器と、この真空容器が連結され減圧された内部を前記試料が搬送される搬送容器と、この搬送容器と前記真空容器とが連結された状態で前記搬送室と前記処理室とを連通してその内部を処理前または処理後の前記試料が搬送される通路と、前記通路の内側壁面を覆って取り付けられ取り外し可能なカバー部材とを備え、前記処理室内において前記試料をこの処理室内に形成したプラズマを用いて処理する真空処理装置。 （もっと読む）

【課題】半導体製造工程に使用されて消耗劣化した石英ガラス部材に対し、品質の安定化と再生の合理化を図れる石英ガラス部材の再生方法を提供する。
【解決手段】消耗または汚染劣化した石英ガラス部材の受入検査後、石英ガラス部材に蛍光作用を奏する所定波長の光線を照射し、該石英ガラス部材とデポとの蛍光色の差により汚染劣化状況を検査し、前記石英ガラス部材の洗浄方法を決定する。洗浄後、デポの残留を検査して火炎処理加工可能とされた石英ガラス部材に対し、該石英ガラス部材の消耗劣化部の消耗劣化状況に応じて、消耗劣化部と非消耗劣化部とを分離し、非消耗劣化部に消耗劣化部に代わる新規材料を溶着し一体化して再生し、または分離しないで消耗劣化部を修復して再生する。 （もっと読む）

【課題】均一なエッチング、延いては均一な反応管内のクリーニングを行なう。
【解決手段】基板を反応管に搬入する第１の工程と、反応管内に複数の反応ガスを供給して基板を処理する第２の工程と、処理された基板を反応管外へ搬出する第３の工程と、反応管内をベース圧力に設定する第４の工程と、反応管内の排気を実質的に止めた状態で、第１の流量でクリーニングガスを供給して反応管内の圧力を徐々に上昇させる第５の工程と、第１の流量より少ない第２の流量でクリーニングガスを供給して、反応管内にクリーニングガスを充満させて封じ込める第６の工程と、クリーニングガスの供給を止めた状態で、反応管内を排気する第７の工程とを有し、第１の工程から第３の工程を２サイクル以上繰り返して基板を処理した後、第４の工程から第７の工程を２サイクル以上繰り返して反応管内に付着した反応生成物を除去する。 （もっと読む）

【課題】本来プラズマが入り込まないと想定されている部位等における堆積物に対して、製造コストの増大を招くことなく簡易に対策を行うことのできる堆積物対策用カバー及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内部でプラズマを発生させて基板を処理する処理チャンバー内に、所定部位を覆うように着脱自在に配置される堆積物対策用カバーであって、表面に陽極酸化処理を施したアルミニウム製の板材からなり、カバー本体から突出するように設けられた電極部を使用して陽極酸化処理を実施し、陽極酸化処理後に前記電極部を除去してアルミニウムの素地面の露出部面積を減少させ、かつ、電極部を除去した切断面が処理チャンバー内においてプラズマに直接晒されない部位に設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】修理や補修を容易に行える加熱ユニットを提供する。
【解決手段】加熱ユニット１０１は、インナーシェル１１１に対してアウターシェル１２１ａ及び１２１ｂはネジ１５１により着脱可能に接合する。インナーシェル１１１とアウターシェル１２１ａ及び１２１ｂとの間に、面状発熱体１３１ａ及び１３１ｂを介在させる。面状発熱体１３１ａ及び１３１ｂの周囲には、Ｏリング１４１ａ及び１４１ｂを配設し、面状発熱体１３１ａ及び１３１ｂが外部のガスに曝されるのを防ぐ。 （もっと読む）