【課題】高アスペクト比を有しながら内径が均一なパターンを形成することが可能なプラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係るプラズマエッチング方法は、表面にマスクパターンが形成された基板Ｗを真空槽２１内に配置し、真空槽２１内に導入したガスのプラズマを発生させ、基板Ｗに高周波電場を印加しながらプラズマを用いて基板Ｗをエッチングし、基板Ｗに対するエッチングの進行に応じて高周波電場の周波数を変化させる。これにより、エッチングの指向性（等方的か異方的か）を変化させることが可能となる。エッチングが等方的となる周波数とエッチングが異方的となる周波数を切り替えることにより、パターンの拡張と縮小を抑え、内径が均一なパターンを形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板のパーティクル汚染を減少させるプラズマ処理装置の炭化シリコン部品を提供する。
【解決手段】半導体基板処理装置のシャワーヘッド電極１０の下側バッフル板２２ａに用いられる炭化シリコン部品について、シリコン蒸気と炭素との反応により生成した後、パーティクル汚染の要因となる遊離炭素を、少なくともその表面から除去するために、およそ７５０℃かおよそ１２００℃の温度で加熱する処理を行なう、あるいは酸素プラズマで処理する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板上に形成されたＳｉＯ_２膜を除去するラジカルクリーニング方法であって、Ｓｉ基板に付着した（ＮＨ_４）_２ＳｉＦ_６等の残留生成物を除去する際に反応室（真空槽）内へ再付着した残留生成物も除去することができるラジカルクリーニング方法を提供する。
【解決手段】プラズマによりＨラジカル生成用ガスを分解してＨラジカルを生成させ、このＨラジカルとＮＦ_３ガスを反応させてＮ、Ｆ及びＨからなるラジカルを生成するＮＦＨラジカル生成工程と、真空槽内で、Ｓｉ基板上に形成されたＳｉＯ_２膜に前記Ｎ、Ｆ及びＨからなるラジカルを照射することにより前記ＳｉＯ_２膜を除去するエッチング工程と、真空槽内で、前記エッチング工程で前記Ｓｉ基板上に生成した残留生成物を加熱して蒸発させることにより、前記残留生成物を前記Ｓｉ基板上から除去する第１残留生成物除去工程と、前記第１残留生成物除去工程で真空槽内に付着した前記残留生成物にマイクロ波を照射することにより、真空槽内に付着した前記残留生成物を昇華させて除去する第２残留生成物除去工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 本発明により解決すべき課題は、反応生成物の堆積による電極板ガス分散孔の閉塞による、反応の均一性低下が起こらないプラズマ処理装置を提供することである。
【解決手段】本発明に関るプラズマ処理装置は、多数のガス分散孔が設けられたＲＦ印加電極板を有するプラズマ処理装置であり、前記、ＲＦ印加電極板ガス分散孔周囲に、それ以外の領域と較べ表面Ｒａが７０％以下とするか、１０μｍ〜２ｍｍの凹凸形状を設けた防塞領域を有することを特徴とし、この防塞領域はガス分散孔の外周と少なくとも一部を接し、ガス分散孔の中心から、ガス分散孔の孔径の２倍までの範囲に設けることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製膜室内で発生したパーティクルに起因した製膜室における内部リークの発生が防止され、良好な面内均一性を長期間、安定に実現可能な半導体膜製造装置および半導体膜製造方法を得ること。
【解決手段】製膜室５と、製膜室５の一側壁部に設けられて製膜室５へ基板２を搬入し且つ搬出するための搬入出ゲート１５と、搬入出ゲート１５を介して製膜室５と接続されて製膜室５へ基板２を搬入し且つ搬出するための減圧可能な搬送室２０と、一側壁部の搬送室２０側の側面における搬入出ゲート１５の周縁部の全周にシール材１１を挟んだ状態で搬入出ゲート１５を塞いで製膜室５を密閉可能な開閉自在のゲートバルブ１０と、搬入出ゲート１５に配置されて製膜室５内で発生したパーティクル８を捕捉するためのトラップ板９と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明では、処理室内壁や処理室内のパーツのＹ₂Ｏ₃表面の変質層に起因した異物の抑制または低減するプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】本発明は処理室内壁面を構成する材料、または処理室内パーツの材料がイットリアからなるプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法において、前記処理室内に試料を配置し、前記試料をエッチングする工程と、前記エッチング工程により前記処理室内に堆積した堆積物を、フッ素または塩素を含むガスを用いたプラズマにより除去する堆積物除去工程と、前記堆積物除去工程後の前記処理室内を、希ガスのプラズマに曝す工程とを有することを特徴とするプラズマ処理方法である。 （もっと読む）

【課題】 水酸化カルシウムを含有する除去剤を用いてフッ素（Ｆ_２）や三フッ化塩素（ＣｌＦ_３）のようなハロゲン元素からなるフッ化物のガスであるハロゲンガスや該ハロゲンガスとの反応により生成するフッ化物ガスを除去する場合、上記のように除去剤に含有する水分を蒸発させるより、蒸発させずに除去剤と、ハロゲンガス又はフッ化物ガスとを、反応させる方法より、さらに除去剤の単位質量あたりの処理量を多くできる除去方法を提供する。
【解決手段】 ハロゲンガス又はフッ化物ガスを含有する排出ガスを、水酸化カルシウムを主成分とする除去剤に接触させて、ハロゲンガスを固定して除去する方法において、該除去剤に水分を供給することを特徴とするハロゲンガス又はフッ化物ガスの除去方法。 （もっと読む）

【課題】処理室の壁部との間において不必要な電界が生じるのを防止することができる電極構造を提供する。
【解決手段】電極構造としてのシャワーヘッド２２は、プラズマ処理装置のチャンバ１１内において、ウエハＷを載置するサセプタ１２と対向し、且つチャンバ１１の側壁部によって囲まれ、また、シャワーヘッド２２は、サセプタ１２に載置されたウエハＷの中心部と対向する内側電極２５と、該内側電極２５と絶縁され且つ内側電極２５を囲う外側電極２６と、該外側電極２６と絶縁され且つ外側電極２６を囲う接地電極２７とを備え、内側電極２５及び外側電極２６には第２の高周波電源３２からそれぞれ高周波電力が印加され、接地電極２７は接地され且つチャンバ１１の側壁部によって囲まれる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ閉じ込めリングのプラズマに露出する面上のポリマー堆積を回避するために、これらの面上が十分な高温に達するように構成されたプラズマ閉じ込めリング組立体を提供する。
【解決手段】プラズマ閉じ込めリング１４、１６、１８および２０は、それぞれサーマルチョーク５４、５６、５８および６０を含む。プラズマエッチング処理中に、プラズマおよび他の加熱効果によって、プラズマ閉じ込めリング１４、１６、１８および２０に熱が供給される。サーマルチョーク５４、５６、５８および６０は、サーマルチョーク５４、５６、５８および６０の位置から外方向への放射状の熱伝導を低減し、それによって、サーマルチョーク５４、５６、５８および６０と内側リング状面３４、３６、３８および４０のそれぞれとの間に規定されたそれぞれのプラズマ閉じ込めリング１４、１６、１８および２０の内側部分の加熱を促進する。 （もっと読む）

【課題】プラズマプロセスチャンバ用プラズマ閉じ込めリングのプラズマ曝露面の上へのポリマーの堆積を大幅に低減する。
【解決手段】プラズマプロセスチャンバ用プラズマ閉じ込めリングのプラズマ曝露面の上で十分に高い温度に達するようになされる。プラズマ閉じ込めリングは、リングの部分の加熱を効果的に向上させるＲＦ損失材料を含む。加熱効果を向上させるために低放射率材料をプラズマ閉じ込めリングアセンブリの部分に設けることができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理中に基板の縁部およびトレイに付着した副生成物の除去を行って、製品の品質を向上させる。
【解決手段】基板が収容される複数の基板収容孔が設けられ、この基板収容孔の内壁から突出する基板支持部を有するトレイを基板ステージのトレイ支持部上に載置するとともにそれぞれの基板保持部上に基板を載置して、基板保持部の端縁よりはみ出した基板の縁部と基板支持部とを離間させた状態とする基板載置工程と、チャンバ内を減圧するとともに処理ガスを供給して、それぞれの基板に対するプラズマ処理を行う第１プラズマ処理工程と、トレイおよびそれぞれの基板が基板ステージ上に載置された状態にて、チャンバ内を減圧するとともに処理ガスを供給してプラズマ処理を実施し、第１プラズマ処理工程の実施により基板の縁部と基板支持部とに付着した副生成物を除去する第２プラズマ処理工程とを実施する。 （もっと読む）

【課題】焼成時における膜中の異常結晶成長を防止することができる熱処理装置および熱処理方法を提供する。
【解決手段】表面に薄膜が形成された半導体ウェハーＷがチャンバー６内に搬入されて保持部７に保持される。チャンバー６内の雰囲気置換が行われた後、光照射部５のフラッシュランプＦＬから半導体ウェハーＷに向けてフラッシュ光が照射され、薄膜の焼成処理が行われる。フラッシュ光照射と同時に、光照射部５のハロゲンランプＨＬによる光照射も開始する。発光時間が極めて短く強度の強いフラッシュ光であれば、薄膜の表面温度を瞬間的に昇温することができる。このため、膜中に長時間焼成に起因した異常結晶成長が生じるのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】ボロン酸化物等の異物を生じさせることなくプラズマ処理装置の処理室表面におけるＴｉ系堆積物の除去が可能なプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】製品エッチング（工程Ｓ１：Ｔｉ材料を含む試料の処理）後に、処理室表面に堆積するＴｉ反応生成物に対してカーボン系膜を堆積させるカーボン系堆積放電（工程Ｓ２）と、その後に処理室表面に堆積するカーボン系膜とＴｉを除去する塩素系放電（工程Ｓ３）とを含むプラズマの処理方法とする。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハに対する加工特性に影響することなく異物を好適に除去し得る半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。
【解決手段】処理室１１内の圧力を調整可能な圧力調整手段１９と、処理室１１内に流量が調整された不活性ガスを流入させるガス供給源１５ｂおよびマスフローコントローラ１７ｂとが設けられている。そして、ドライエッチング後に、圧力調整手段１９により処理室１１内の排気圧力Ｐをドライエッチング時における処理室１１内の圧力よりも高くし、かつ、マスフローコントローラ１７ｂによりガス供給源１５ｂからの不活性ガスの流入ガス流量Ｑｂをドライエッチング時におけるエッチングガスの流入ガス流量Ｑａよりも高くすることで、処理室１１内の排気が促進される。 （もっと読む）

【課題】処理室内壁に付着する微小異物を低減して生産性を向上する。
【解決手段】内部にコーティングを施した真空処理室と、前記真空処理室内に配置され被処理材を前記真空処理室内に保持する載置電極１０２と、多孔板を有し前記真空処理室内に処理ガスを分散して供給するガス供給系１０４と、前記真空処理室内を真空排気する排気手段１０５を備え、前記真空処理室内に高周波電力を供給して、プラズマを生成し前記載置電極上に載置された被処理材にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記コーティング膜は耐プラズマ性の材料を含む膜であり、該膜のスパッタ物に前記コーティング膜を形成する物質が吸収する波長のレーザ光を照射するレーザ光源１２３を備えた。 （もっと読む）

【課題】処理チャンバ内の発熱チャンバクリーニング処理を制御する方法及びシステムである。
【解決手段】この方法は、システム部品から材料堆積物を除去するためにチャンバクリーニング処理においてクリーニングガスにシステム部品を晒すこと、チャンバクリーニング処理において少なくとも１つの温度関連システム部品パラメータをモニタリングすること、モニタリングによりシステム部品のクリーニング状態を決定すること、を含み、そして、決定された状態に基づいて、（ａ）晒すこと及びモニタリングの継続、（ｂ）処理の停止、のうち一つを行う。 （もっと読む）

【課題】パーティクル汚染の低減したプラズマエッチングチャンバを提供する。
【解決手段】プラズマ処理チャンバ１０を構成する、ガス供給板２２、チャンバライナ３０、フォーカスリング１４などの部品の表面を、ポリマーの付着を促進する表面粗さ特性を持つ、セラミック又は高温ポリマー等の材料をプラズマ溶射し、被覆３２する。ポリマーの付着を向上させることによって、プラズマ溶射構成部品の面は、処理チャンバ内のパーティクル汚染レベルが低下し、それによって歩留まりを改善し、チャンバ構成部品を洗浄及び／又は取り替えるのに必要な停止時間を減らすことができる。 （もっと読む）

【課題】製造装置における運転工程、製造装置に供給されるガスの種類およびガス流量をコントローラに入力することにより、真空ポンプ、排ガス処理装置等を最適な運転条件で運転することができ、また排気系システム側の機器のメンテナンス要求等を製造装置側に出力することにより、適正なタイミングで排気系システムの機器をメンテナンスできる排気系システムを提供する。
【解決手段】半導体デバイス又は液晶又はＬＥＤ又は太陽電池を製造する製造装置のチャンバを排気する排気系システムにおいて、真空ポンプ装置３と、排ガスを処理する排ガス処理装置５と、真空ポンプ装置３及び／又は排ガス処理装置５を制御するコントローラ６とを備え、製造装置１の運転工程、製造装置１に供給されたガスの種類およびガス流量の情報をコントローラ６に入力して真空ポンプ装置３及び／又は排ガス処理装置５を制御するようにした。 （もっと読む）

【課題】クリーニング効率を改善することでポンプ内部での生成物堆積を低減させ、ポンプの長寿命化を図ると共に、半導体の製造効率を上げた半導体製造装置に適用のポンプを提供する。
【解決手段】クリーニング指令信号３５の発信を受けてバルブ２５は開かれる。このとき、ヒータ２３で加熱された窒素ガスがドライポンプ１３内に例えば４０リットル／分の流速で導入される。ヒータ２３は図示しない熱電対により制御され常時例えば２００℃程度に加熱されている。加熱された窒素ガスがドライポンプ１３内に導入されたことで、プロセス処理期間中は内部温度が８０℃程度に低く、一方、クリーニング期間中は内部温度を１００℃程度にまで上昇できる。このように、クリーニング期間中だけドライポンプ１３内部を昇温させることで、クリーニングガスを効率良く機能させ、堆積物の除去をし易くできる。 （もっと読む）

【課題】成膜処理する基板の歩留まりを向上できる技術を提供する。
【解決手段】ガス供給ノズル２３２１ａのクリーニング工程において、ガス供給ノズル２３２１ａからはエッチングガスＥＧが放出されるが、ガス供給ノズル２３２１ａとは別のガス供給ノズル２３２１ｂから希釈ガスを放出している。この結果、インナーチューブ２３０内の処理室２０１内へ放出されたエッチングガスＥＧが処理室２０１内に配置されたウェハ２００へ到達することを抑制できる。 （もっと読む）