【課題】真空処理室に設けられる基板載置台の表面部の状態の確認や当該表面部の交換を行うことによる真空処理の停止時間を短くすると共に、前記表面部の状態を精度高く管理すること。
【解決手段】基板が搬送される常圧雰囲気の常圧搬送室と、常圧搬送室とロードロック室を介して接続される真空処理室と、前記真空処理室に設けられ、本体部と、当該本体部に対して着脱自在な表面部とを有する基板載置台と、前記ロードロック室または常圧搬送室に設けられ、前記表面部を収納するための保管部と、常圧搬送室からロードロック室を介して真空処理室へ基板を搬送し、また前記保管部と前記真空処理室の本体部との間で前記表面部を搬送するための搬送機構と、を備えるように基板処理装置を構成する。これによって真空処理室の大気開放を防ぐと共に表面部の状態の確認が容易になるので当該表面部を精度高く管理することができる。 （もっと読む）

【課題】
本発明の実施形態では、ずれを防止し、取り替え作業を容易に実施できる保護層を有した載置台を提供する。
【解決手段】
載置台１０は、ウェーハＷを載置する載置面４を有する電極本体２と、前記載置面４に設けられ、紫外光を照射されることによって前記載置面４に対する粘着力が可変となる着脱自在な保護層３とを有することを特徴とする。また、載置台１０をプラズマ処理装置１００に適用し、プラズマ発生時の紫外光を用いて、保護層３の粘着力を可変とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチングリアクタの静電チャックの寿命を向上させるチャンバ洗浄機構を提供する。
【解決手段】一実施形態において、プラズマを生成するよう構成されたプラズマ処理チャンバ１００は、基板を受けるよう構成された内側下部電極１３１と、内側下部電極の外側に配置された外側下部電極１３３とを備えた下部電極アセンブリを備えている。プラズマ処理チャンバは、上部電極１１１を備え内側下部電極１３１と外側下部電極１３３との真上に配置された上部電極アセンブリ１１２を、さらに備える。 （もっと読む）

【課題】表面処理時では被処理物以外の箇所に副生成物が堆積することを抑制し、クリーニング処理時では堆積した副生成物が効率的に除去される表面処理装置を提供する。
【解決手段】筐体部１０内に設けられる円筒状の試料保持台１２上の基板１８に対して表面処理に利用される原料流体が供給される際には、試料保持台１２の側方周囲に設けられる隔壁１４は、試料保持台１２の側面を覆う位置に移動し、基板１８に対して筐体部１０内のクリーニング処理に利用されるクリーニング流体が供給される際には、隔壁１４は、試料保持台１２の側面が露出する位置に移動する表面処理装置を用いる。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板の表面にマスクパターンに応じた凹凸構造を形成する基板のプラズマ処理において、凹凸構造を形成するための第１プラズマ処理により生じる副生成物を除去するための第２プラズマ処理の時間を短縮化する。
【解決手段】基板のプラズマ処理方法において、サファイア基板をチャンバ内に配置して、ＢＣｌ_３が主体のガスに、ＣＦ_４、ＳＦ_６およびＮＦ_３のいずれかのガスを混合した混合ガスをチャンバ内に供給して、サファイア基板に対してプラズマ処理を行い、サファイア基板の表面にマスクパターンに応じた凹凸構造を形成する、第１プラズマ処理工程と、チャンバ内へ処理ガスを供給してプラズマ処理を実施し、第１プラズマ処理工程の実施によりチャンバ内に付着した副生成物を除去する第２プラズマ処理工程とを含んで実施する。 （もっと読む）

【課題】基板に対してプラズマ処理を行う装置についてダミー基板を用いずにプラズマによりクリーニングするにあたり、載置台表面の損傷を抑制することのできる技術を提供すること。
【解決手段】プラズマエッチング処理後に、サセプタ３の表面を露出した状態でプラズマエッチング装置の真空容器１の内部をプラズマＰによりクリーニングし真空容器１の内部に付着した反応生成物Ａを除去する。このとき、プラズマＰに直流電圧を印加する。これにより、高密度なプラズマＰを得ながらそのプラズマＰのイオンエネルギーを低減させることができるため、良好なクリーニングを行いつつサセプタ３の表面の損傷を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】稼働率を向上させる基板の製造方法、半導体装置の製造方法、基板処理方法、クリーニング方法及び処理装置を提供する。
【解決手段】基板の製造方法は、反応管に設けられたガス導入ノズルにより、前記反応管内に酸化性ガスを導入して支持具により支持した基板に酸化膜を形成する工程と、酸化膜形成後の基板を前記反応管内から搬出して、前記反応管内をクリーニングする工程とを有し、前記反応管内をクリーニングする工程は、前記反応管内を所定の温度に維持した状態で、前記反応管内にフッ化水素ガス、フッ化水素ガスと水素ガス、または、フッ化水素ガスと水蒸気を少なくとも含むガスを供給することにより、前記反応管、前記支持具及び前記ガス導入ノズルのうちの少なくとも何れかの部材に形成された酸化膜を除去する工程と、前記所定の温度を維持した状態で前記反応管内に不活性ガスを供給する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】堆積プロセスの効率が低下しない、真空コーティング装置の動作方法を提供する。
【解決手段】フェーズＩでは、コーティングチャンバ１１がフッ素を含むガスによって洗浄された後、残留物１３がチャンバ壁に付着している。フェーズＩＩでは、ＰＥＣＶＤ法を用いて基板なしで堆積ステップが行われ、コーティングチャンバ１１の内壁全体に拡散防止層１５が形成される。拡散防止層１５は、フェーズＩで残った残留物１３の全てを覆い、当該の残留物１３がチャンバ内へ拡散することを阻止する。フェーズＩＩＩでは、拡散防止層１５によって完全に覆われたコーティングチャンバ１１に、ソーラーセルを製造するための基板１７が配置され、従来のコーティングステップが開始される。Ｓｉを含む層を１回または複数回析出した後、再び、フッ素を含むガスによる洗浄ステップが行われ、その際に拡散防止層１５が除去され、初期の状態（フェーズＩ）が達成される。 （もっと読む）

【課題】フォトレジスト除去速度を維持又は増進しながら、バッフルプレートの衝突部分、すなわち、中心部分で、温度を低下させるプラズマアッシング法を提供する。
【解決手段】本発明に係るプラズマアッシング法は、炭素、水素、あるいは炭素と水素との化合物からなる低ｋ誘電体材料を含む基板から、フォトレジスト材料及びエッチング後の残留物を除去するためのプラズマアッシング法であって、基本的に無酸素及び無窒素のガス混合物からプラズマを形成し、バッフルプレートアッセンブリを介して前記基板上に前記プラズマを流し、フォトレジスト材料、エッチング後の残留物、及び揮発性の副生成物を前記基板から除去し、前記プラズマが形成されない操作の周期中に、前記バッフルプレート上に冷却ガスを流す、ことからなる。 （もっと読む）

【課題】窓部の損傷を低減させることができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は処理容器２と、前記処理容器の内部を減圧する減圧部９と、被処理物を載置する載置部４と、内部にガスを供給するガス供給部１８と、電磁波を透過させる窓部３と、前記窓部の外方に配置され、電磁場を発生させる複数の導体部２１と複数の容量部とを有した負荷部２０と、前記負荷部２０に電力を印加する電源６ｂと、を備えている。前記導体部２１と前記容量部とは電気的に交互に接続され、被処理物のプラズマ処理を行う場合には、前記容量部同士の間に設けられた前記導体部２１において電位差の虚数成分が０（ゼロ）となる位置が生じるようにされ、前記負荷部２０の第１の端子と、第２の端子と、の間における電位差の虚数成分の値が電位差の実数成分の値以下とされている。 （もっと読む）

【課題】クリーニングガスを用いて縦型反応炉内をクリーニングする際あるいは成膜中に粉末状の粒子が発生することを防止する半導体製造装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、モータ６の回転軸に固定される下部接続部５と、下部接続部５上に固定される上部接続部４と、上部接続部４上に固定されて被処理基板１０を支持するボート２とを有する上下移動可能な回転構造と、回転構造を収容する反応室を形成する反応管１と、を備え、上部接続部４を下部接続部５の熱膨張率とボート２の熱膨張率との中間の熱膨張率を有する材料で構成する半導体製造装置である。上部接続部４は、反応室で使用するクリーニングガスおよび反応ガスに対し耐腐食性を有するコーティング膜によってコーティングされている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、炭化珪素に含まれる炭素成分及び珪素成分を精度よく除去可能な炭化珪素除去装置、及び炭化珪素の除去方法を提供することを課題とする。
【解決手段】炭化珪素が付着した炭化珪素形成装置の部材を収容する処理チャンバー内に、プラズマ化させたフッ素含有ガスを供給することで、炭化珪素に含まれる珪素成分を除去する第１のステップと、処理チャンバー内に、プラズマ化させた酸素含有ガスを供給することで、炭化珪素に含まれる炭素成分を除去する第２のステップと、を含み、第１のステップと、第２のステップと、を交互に行なう。 （もっと読む）

【課題】防着板へのエッチング生成物の付着の影響を抑制することが可能なエッチング装置及びエッチング方法を提供すること
【解決手段】本発明のエッチング装置１は、チャンバＣと、ステージ４と、防着天板６と、防着板５と、第１の加熱部９とを具備する。チャンバＣは、電磁波を透過する窓部３が設けられている。ステージ４は、チャンバＣに収容され、エッチング対象物Ｗが載置される。防着天板６は、窓部３とステージ４の間に配置される。防着板５は、防着天板６と共にステージ４の周囲を囲う。第１の加熱部９は、第１の加熱部９はチャンバの外部Ｃに配置され、窓部３を介して防着板天６を加熱する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ装置内の堆積物のリモートプラズマクリーニング法に用いられるクリーニングガスにおいて、地球温暖化係数が低く、かつ、高いエッチング速度が得られるクリーニングガス、及びそれを用いるリモートプラズマクリーニング方法を提供する。
【解決手段】ＣＶＤ装置の反応チャンバー１内に堆積した、Ｓｉ含有物、Ｇｅ含有物、又は金属含有物を、リモートプラズマクリーニング法により除去するクリーニングガスにおいて、該ガスはＣＦｘＯｙ［但し、ｘは２又は４であり、ｘ＝２のときｙ＝１〜３の整数、ｘ＝４のときｙ＝１〜４の整数を表す。］とＮ_２が含有されている混合ガスである。 （もっと読む）

【課題】部品の洗浄効率を向上することができる半導体製造装置の洗浄装置及びそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体製造装置の洗浄装置１には、半導体製造装置の部品に付着した付着物の表面の酸化物を除去する酸化物除去部３と、酸化物除去部３により表面の酸化物が除去された付着物を除去する付着物除去部２と、が設けられている。 （もっと読む）

【課題】処理室の内壁に付着した被膜を除去する際に使用するクリーニングガスの使用量を従来に比して削減することができる半導体製造装置のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、クリーニング工程と、濃度測定工程と、微分値算出工程と、変化検出工程と、排気工程と、を含む半導体製造装置のクリーニング方法が提供される。クリーニング工程では、チャンバ１１内にクリーニングガスを封入し、チャンバ１１内の堆積物とクリーニングガスとを反応させた反応ガスを生成する。濃度測定工程では、チャンバ１１内のガスを排気しながら排気ガス中の実反応ガス濃度を測定する。微分値算出工程では、実反応ガス濃度を時系列で並べて得られる曲線の実反応ガス濃度測定時の時間に対する微分値を算出する。変化検出工程では、微分値が過去に算出された微分値と異なる値を示すかを判定する。そして、排気工程では、チャンバ１１内のガスを排気する。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチング装置の温度差の大きい２つのフォーカスリングの隙間において低温の部品に堆積物が付着するのを防止する。
【解決手段】プラズマエッチング装置の処理室１５内に配置されたウエハＷの周縁を囲む内側フォーカスリング２５ａ及び外側フォーカスリング２５ｂからフォーカスリング２５を構成し、内側フォーカスリング２５ａはウエハＷに隣接して配置され且つ冷却され、外側フォーカスリング２５ｂは内側フォーカスリング２５ａを囲み且つ冷却されず、更に、ブロック部材２５ｃが、内側フォーカスリング２５ａ及び外側フォーカスリング２５ｂの間に配される。 （もっと読む）

【課題】温度差の大きい２つの部品の隙間において低温の部品に付着した堆積物を、基板処理装置の稼働率を低下させることなく除去することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０では、チャンバ１１がウエハＷを収容し、フォーカスリング２５がチャンバ１１内に配置されたウエハＷの周縁を囲み、側面保護部材２６がレーザ光を透過し、レーザ光照射装置が側面保護部材２６にレーザ光を照射し、フォーカスリング２５において、内側フォーカスリング２５ａがウエハＷに隣接して配置され且つ冷却され、外側フォーカスリング２５ｂが内側フォーカスリング２５ａを囲み且つ冷却されず、側面保護部材２６の対向面は、内側フォーカスリング２５ａ及び外側フォーカスリング２５ｂの隙間に対向する。 （もっと読む）

【課題】磁気中性線放電（ＮＬＤ）プラズマエッチング装置のクリーニングの終点を制度良く検出することが可能なプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】磁気中性線放電（ＮＬＤ）プラズマエッチング装置において、チャンバクリーニング処理の際に磁気コイルに流す電流値を、基板エッチング処理の際に前記磁気コイルに流す電流値よりも小さくすることにより、プラズマ中の分子種の時間変化をアンテナコイル電圧Ｖｐｐの変化に反映させ易くして監視し、クリーニングの終点を検出する。 （もっと読む）

【課題】クリーニング・プロセスの結果生じる副産物がウェファを汚染することを防止する、収集プロセスを提供すること。
【解決手段】装置及びそれを作動させる方法。この方法は、チャンバ（２００）を含む装置を準備するステップを含み、チャンバは、第１（２６０ａ）及び第２（２６０ｂ）の入口と、チャンバ内のアノード（２１０）及びカソード（２３０）構造体と、カソード構造体（２３０）上のウェファ（１００）とを含む。クリーニングガス（２６０ｂ）は、第１の入口を通じてチャンバ内に注入される。収集ガス（２６０ａ）は、第２の入口を通じてチャンバ内に注入される。クリーニング・ガスはイオン化されたときに、ウェファの上面をエッチングしてチャンバ内に副産物混合物をもたらす性質を有する。収集ガスは、副産物混合物がウェファの表面に再度堆積することを防止する性質を有する。 （もっと読む）