【課題】処理室容器（チャンバ）から排出される排出ガスに含まれる帯電したパーティクルが排気流路の内壁面へ付着することによる排気流路の詰まりを防止できる排気方法を提供する。
【解決手段】 処理対象のウエハＷを収容するチャンバ５０と、チャンバ５０の容器内ガスを排気する排気流路５１と、排気流路５１にガス流通方向に沿って順次設けられたドライポンプ５２及び排ガス中の有害成分を捕集する除害装置５３とを有する基板処理装置のチャンバ５０の容器内ガスを排気する排気方法において、排気流路５１を流れる排ガスに、ドライポンプ５２の上流側の排気流路５１に接続されたイオン化ガス供給管５５からイオン化ガスを供給して排ガスに含まれる帯電したパーティクルを除電し、排ガスと共に系外に排出する。 （もっと読む）

【課題】冷却層と加熱層を併用しても装置構造が複雑にならず、加熱応答性及び冷却応答性に優れた温度調節装置を提供する。
【解決手段】ウエハを載置するサセプタ１２と、サセプタ１２と対向するように配置されたシャワーヘッド２２とを有し、サセプタ１２及びシャワーヘッド２２の間に供給される処理ガスを励起してプラズマを生成し、プラズマによってウエハにプラズマ処理を施す基板処理装置内のプラズマに晒される部材の温度を調整し、シャワーヘッド２２が有する上部電極板２４を加熱する加熱層３１と、加熱層３１の上部電極板２４に対向する面とは反対側の面に当接するように配置された断熱層３２と、断熱層３２の加熱層３１に対向する面とは反対側の面に当接するように配置された冷却層３３とからなり、冷却層３３の冷媒として流水を使用する。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内に残留する水分や内壁に付着したガス成分を従来以上に効率よく除去する。
【解決手段】真空雰囲気下で基板に所定の処理を施す処理室（プロセスチャンバ）２００と，処理室内を排気して所定の真空圧力に減圧する排気系２７０と，所定温度以上の過熱水蒸気を発生させる過熱水蒸気発生装置３００と，処理室に設けられた過熱水蒸気導入口２０４から過熱水蒸気発生装置で発生した過熱水蒸気を導入するための過熱水蒸気導入配管３１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】縦型熱処理装置を用いて基板に対してシリコンの成膜処理例えばシリコンのエピタキシャル成長を行う場合にパーティクル汚染を低減することのできる技術を提供すること。
【解決手段】予めシラン系のガスにより反応管１内及びウエハボート２１にシリコン膜３をプリコートし、次いで、ウエハＷを反応管１内に搬入した後、混合ガス（ＨＦ＋ＮＨ_３）によりウエハＷの表面の自然酸化膜を除去し、その後シラン系のガスによりウエハＷに対してエピタキシャル成長処理を行う。混合ガスを供給する第３のインジェクタ１４の開口端１４ａの高さ位置は、反応管１内にプリコートされたシリコン膜よりも上方位置となるように設定されている。これにより、混合ガスによって反応管１がエッチングされ、パーティクルが発生することを防止できる。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスを製造する際のプラズマ処理工程において、ウエハに付着する異物を大幅に低減し、歩留まりを向上させる。
【解決手段】プラズマ分布を制御可能なプラズマ源を備えたプラズマ処理装置において、プラズマＯｎ／Ｏｆｆ時に、ウエハ上のシース／バルク境界面の形状を凸型に制御する。プラズマＯｎ／Ｏｆｆ時に、低めのソース電力とウエハバイアス電力を印加し、プラズマ分布を外高に制御するステップを入れることにより、ウエハの中心付近では厚いシースが、外周付近ではそれより薄いシースが形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体製造に用いるプラズマ処理装置の、被処理基板を用いず処理容器内をプラズマ洗浄する工程において、被処理基板載置用電極の消耗の少ないプラズマ洗浄を実現する。
【解決手段】プラズマ洗浄を行っている間、磁場発生装置１５１により処理容器１００外から発生させた磁場により、処理容器内の載置用電極１１２外周部に電子サイクロトロン共鳴を発生させ、載置用電極１１２上でのプラズマ密度を低下させる。 （もっと読む）

【課題】処理室内壁等へのダメージを抑制しつつ、高誘電率膜中へのボロンの混入を抑制する半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室２０１内に基板２００を搬入する工程と、処理室２０１内に処理ガス２３２ａ，ｂを供給して基板２００上に高誘電率膜を形成する処理を行う工程と、処理後の基板を処理室２０１内から搬出する工程と、処理室２０１内にボロンを含むハロゲン系ガス２３２ｃを供給して処理室２０１内に付着した高誘電率膜を含む堆積物を除去し処理室２０１内をクリーニングする工程と、処理室２０１内に酸素系ガス２３２ｄを供給してクリーニング後に処理室内に残留するボロンを除去もしくは固定する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】異物の発生を抑制して信頼性を向上させたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器内部の処理室内に配置された試料台上に載せられた試料をこの処理室内に形成したプラズマを用いて処理するプラズマ処理装置であって、前記処理室と連通して水平方向に接続されこの処理室内のガスが通る排気用の空間と、この空間に連通し前記排気されるガスが排出される排気口と、この排気口と連通して配置され前記ガスを排気するためのポンプと、前記排気用の空間の内部で前記処理室との接続部と前記排気口との間に配置されこれらの間を結ぶ方向に沿って延びる板部材であって、前記試料台の上面からの見込み角外に配置された板部材とを備えた。 （もっと読む）

【課題】従来に比べてより確実に堆積物を除去することができ、堆積物の残留に起因する不具合の発生を防止することのできるプラズマ処理装置のクリーニング方法及び記憶媒体を提供する。
【解決手段】酸素ガスと窒素ガスとを含み、窒素ガス流量／（窒素ガス流量＋酸素ガス流量）が０．０５〜０．５の範囲のクリーニングガスを、載置台上に基板が載置されていない状態で前記処理チャンバー内に導入し、載置台と上部電極との間に高周波電力を印加してクリーニングガスのプラズマを発生させ、処理チャンバー内をクリーニングする。 （もっと読む）

【課題】プラズマの異常放電を抑制することができるプラズマエッチング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】平板状の第１電極１１および第２電極１２を平行に対向して内部に有するチャンバー１０内に、後述の第２ガスよりもプラズマを励起させ難い第１ガスを導入するプラズマ放電準備工程と、プラズマ放電準備工程と同時乃至直後に、チャンバー１０内にプラズマ励起用の第２ガスを導入し、第１電極１１と第２電極１２の放電面間で第２ガスを介してプラズマ放電させるプラズマ放電開始工程と、プラズマ放電開始工程後、エッチングガスを導入することにより、第１・第２電極間の基板を処理するか、あるいはチャンバー１０内をクリーニングするエッチング工程とを含むことを特徴とするプラズマエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】エッチング処理中に、チャンバの構成部品の表面上にもポリマー堆積物が形成され、時間が経つと、剥離、剥がれ落ちて、パーティクル汚染源となる。そのパーティクルを低減できるプラズマ反応室の構成部品を提供する。
【解決手段】プラズマ処理チャンバに用いられる構成部品を、洗浄し、ポリマーの付着を促進する表面粗さに粗面化し、セラミック又は高温ポリマー等の被覆材料３２を構成部品の面上にプラズマ溶射する。構成部品としては、チャンバ壁、チャンバライナ３０、バッフルリング、ガス供給板２２、プラズマ閉じ込めリング１４及びライナ支持体が含まれる。ポリマーの付着を向上させることによって、プラズマ溶射構成部品の面は、処理チャンバ内のパーティクル汚染レベルを低下し、それによって歩留まりを改善し、チャンバ構成部品を洗浄及び／又は取り替えるのに必要な停止時間を減らすことができる。 （もっと読む）

【課題】基板上に堆積されるべき物質は、半導体処理チャンバの種々の表面上の望ましくない物質を堆積する。高製造品質を維持するために、これを定期的、かつ最小の休止時間で、洗浄する必要があり、その方法と装置を提供する。
【解決手段】洗浄ガス混合物１０６の予備反応器１０２、と、そのバッファータンク１０７を有する装置を用い、ある時間に亘ってバッファータンク１０７に貯蔵した後、半導体処理チャンバ１００へ導入して、プラズマの発生なしで、かつ３００℃未満の温度で、前記チャンバの種々の表面から望ましくない物質を取除く。処理ガスとしては、ＮＦ３：ＮＯを１：１〜５：１で予備反応させたガスを用いる。又、表面上の望ましくない物質としては、ＰＳＧ、ＢＰＳＧ、ＳｉＯ２，ＳｉＮ、ＳｉＯＮ，ポリＳｉ、αＳｉ、微結晶Ｓｉ、やＭ（Ｍ；Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｗ）の、Ｍ、ＭＮ、ＭＯｘ、ＭＯＮ、ＭＳｉＯｘＮｙ等が有る。 （もっと読む）

【課題】排気時間を短縮することが可能なプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】エッチング処理装置１０は、ガス供給源１４０から導入されたガスをプラズマ化し、内部にてウエハＷをプラズマ処理する処理チャンバＰＣと、処理チャンバＰＣの内部と連通し、処理チャンバＰＣにてプラズマ化されたガスを排気する排気チャンバＥＣと、排気チャンバＥＣに設けられ、処理チャンバＰＣの内部と排気チャンバＥＣの内部との連通を遮断する真空カバー２００と、を有する。 （もっと読む）

【課題】主にカソード電極の放電面に付着した堆積物を残留させずに効率よく、かつ電極にダメージを与えることなく除去することができるプラズマクリーニング方法を提供すること。
【解決手段】平板状のカソード電極１およびアノード電極２を平行に対向して内部に有するチャンバーＣ１内にクリーニングガスＧ２を導入し、カソード電極１とアノード電極２の間でクリーニングガスＧ２を介してプラズマ放電させ、プラズマ放電を維持しながらカソード電極１とアノード電極２の間の電極間距離を所定の電極間距離まで広げる方向にカソード電極１とアノード電極２を相対的に徐々に移動させる電極クリーニング工程を含むことを特徴とするプラズマクリーニング方法。 （もっと読む）

【課題】下部電極を構成する電極部材を長寿命化して部品消耗コストを低減するとともに、飛散物付着による装置内部の汚染を防止することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理装置用の電極部材を提供することを目的とする。
【解決手段】板状のワークを対象としてプラズマ処理を行うプラズマ処理装置においてワークの下面に当接する電極部材４６を、複数の貫通孔４５ａが形成された板状の吸着部材４５と冷却プレート４４とをろう付けして構成し、吸着部材４５の上面にアルミナを溶射した溶射膜６５を形成するとともに、貫通孔４５ａが開口した孔部４５ｄのエッジを溶射膜６５によって覆うようにする。これにより、電極部材のスパッタリングによる消耗を低減させて長寿命化し部品消耗コストを低減するとともに、飛散物による装置内部の汚染を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】成膜処理後、確実にリフトピン及び貫通孔内に付着した成膜処理後の堆積物やクリーニングの際に発生する堆積物等を除去することができる電気光学装置の製造装置のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】チャンバー内においてサセプタに載置された基板を成膜処理後、チャンバー外に搬出する基板搬出工程と、チャンバー内に設けられた、前記サセプタの厚さ方向に沿った貫通孔から厚さ方向に昇降自在なリフトピンの少なくとも一部を突出させるリフトピン突出工程と、リフトピンの少なくとも一部が貫通孔から突出した状態で、チャンバー内にフッ素系ガスを導入し、プラズマ処理にて、リフトピン及び貫通孔内に成膜処理後に付着した異物を除去するクリーニング工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】出口部での清掃残りの発生を抑制し、マウンドやランプ加熱式成長装置の場合のスリップを抑制可能な枚葉式ＣＶＤ用チャンバのクリーニング方法を提供する。
【解決手段】チャンバ内のクリーニング時、エッチングガスを成長ガスの流れ方向とは反対方向から内部流路へ供給するので、分解生成物が堆積し易い出口部の内壁に対して、充分な量のエッチングガスを供給できる。そのため、出口部における分解生成物の清掃残りの発生を抑制できる。その結果、分解生成物が内壁から剥がれて生じるパーティクルを原因としたマウンドや、ランプ加熱方式の気相成長装置を採用したときのスリップを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】剥離するのが困難な窒化チタン膜を二酸化ケイ素および窒化ケイ素被覆された表面から除去するのに用いることができる新規なエッチング剤を提供する。
【解決手段】半導体堆積チャンバーおよび半導体用具、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）における装置、およびイオン注入システムのための洗浄もしくはエッチングにおいて、例えばケイ素、モリブデン、タングステン、チタン、ジルコウム、ハフニウム、バナジウム、タンタル、ニオブ、ホウ素、リン、ゲルマニウム、ヒ素およびそれらの混合物を、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、ニッケル、アルミニウム、ＴｉＮｉ合金、フォトレジスト、リンケイ酸ガラス等およびそれらの混合物から、選択的に除去する場合に、Ｘｅをフッ素含有化学物質と反応させてＸｅＦ_２を形成しエッチング剤として用いる。 （もっと読む）

【課題】性能の変動を抑制したプラズマ処理装置またはプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】真空容器内に配置された処理室と、この処理室内に配置された試料台上に載せられたウエハを該処理室内に形成したプラズマを用いて処理するプラズマ処理装置であって、前記ウエハ上に配置された金属の物質を有する膜およびこの下方に配置された酸化膜又は高誘電率を有する材料から構成された膜層をエッチングする処理の前に、予め前記金属の物質と同種の金属を含む膜を表面に備えた別のウエハを処理してこの金属から構成された粒子を堆積させてから前記ウエハ上の前記膜層を処理する。 （もっと読む）

【課題】反応管の内部及びガス供給ノズルの内壁における膜質及び膜厚に差がある場合であっても、効率良く半導体装置のクリーニングが行なえる方法を提供する。
【解決手段】基板２００上に膜を形成する膜形成工程と、ガス導入部の内壁に付着した第１の堆積物を除去する第１のクリーニング工程と、処理室２０１の内部に付着し第１の堆積物と化学組成が異なる第２の堆積物を除去する第２のクリーニング工程とを有し、第１のクリーニング工程では、ガス導入部から処理室２０１内に供給される第１の処理ガスの累積供給時間に応じてクリーニング条件を設定し、第２のクリーニング工程では、基板２００に形成された膜の累積膜厚に応じてクリーニング条件を設定する。 （もっと読む）