【課題】処理室の内部の汚染を抑制して、エッチングの均一性を可及的に高める。
【解決手段】被エッチング材２が設けられた被処理基板３を収容するための処理室３０と、処理室３０の内部に設けられ、被処理基板３を表面に保持するための基板保持部１０ａとを備え、処理室３０の内部のプラズマＰから生成したエッチング種Ｅにより被エッチング材２をエッチングするドライエッチング装置５０ａであって、基板保持部１０ａの被処理基板３を保持する領域の周囲に、被エッチング材２と同材質により構成され、エッチング種Ｅを消費するための周囲部材９ａが設けられている。 （もっと読む）

本発明は、プラズマプロセスチャンバの内部領域に配置される少なくとも１つの部材をクリーニングガスによりクリーニングする方法であって、クリーニングガスがフッ素ガスを含み、プロセスチャンバが少なくとも１つの電極及び対応電極を、プラズマ処理、特に１ｍ^２より大の表面を有するフラットな基板のＣＶＤ処理又はＰＥＣＶＤ処理のためにプラズマを発生させるために有している、プラズマプロセスチャンバの内部領域に配置される少なくとも１つの部材をクリーニングガスによりクリーニングする方法において、内部領域にガス状のフッ素化合物を５ｍｂａｒより大の分圧で作用させることを特徴とする。プロセスチャンバの内部領域に配置される少なくとも１つの部材をクリーニングガスによりクリーニングする別の方法であって、クリーニングガスがフッ素ガスを含み、プロセスチャンバが少なくとも１つの電極及び対応電極を、特に１ｍ^２より大の表面を有するフラットな基板のＣＶＤ処理又はＰＥＣＶＤ処理のためにプラズマを発生させるために有している、プロセスチャンバの内部領域に配置される少なくとも１つの部材をクリーニングガスによりクリーニングする方法において、温度調整手段により、フッ素ガスを熱活性化し、クリーニングしたい部材が＜３５０℃の温度を有するようにした。
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【課題】無駄を排除することができるプラズマ処理装置用の消耗部品の再利用方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素がＣＶＤによって積層されて炭化硅素塊４１が生成され、炭化硅素塊４１が加工されてフォーカスリング２５が製造され、製造されたフォーカスリング２５がプラズマ処理装置１０に装着された後、プラズマエッチング処理が所定の回数ほど繰り返され、プラズマエッチング処理中に消耗したフォーカスリング２５’の表面が酸洗浄され、洗浄されたフォーカスリング２５の表面へＣＶＤによって炭化硅素が積層されて炭化硅素塊４２が生成され、炭化硅素塊４２が加工されてフォーカスリング２５”が再製造され、再製造されたフォーカスリング２５”がプラズマ処理装置１０に装着された後、プラズマエッチング処理が所定の回数ほど繰り返される。 （もっと読む）

【課題】部材表面、特に段差部に形成された破砕層を容易に消滅させることができる表面処理方法を提供する。
【解決手段】表面に破砕層２５ｈを有する炭化珪素からなるフォーカスリング２５に対し、表面に電子ビーム４５を照射するか、表面をプラズマトーチ５０で加熱するか、又はアニール処理装置６０に収容して加熱し、これによって、フォーカスリング２５の表面を、炭化珪素の再結晶温度、例えば１１００℃〜１３００℃まで加熱し、当該部分の炭化珪素を再結晶させて緻密層に改質してフォーカスリング２５をプラズマ処理装置１０に適用した際のフォーカスリング２５表面から放出される粒子数を減少させる。 （もっと読む）

【課題】磁性体層又は反磁性体層をエッチングする際のパーティクルの混入を抑制し、高性能なTMR素子を提供する。
【解決手段】炭化水素類ガス、アルコール類ガス、エーテル類ガス、アルデヒド類ガス、カルボン酸類ガス、エステル類ガス及びジオン類ガスからなる化合物ガス群から選択された少なくとも一種の化合物ガス、及び酸素ガスを有する混合ガス中の全炭素原子数Ｃｎと全酸素原子数ＯｎとがＯｎ／Ｃｎ＞１の関係を満たし、該混合ガスを用いて形成したプラズマ雰囲気下で、磁性体層又は反磁性体層をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】磁性膜又は反磁性膜をエッチングする際に発生するパーティクルの混入を抑制し、高性能なTMR素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】炭化水素類、アルコール類、エーテル類、アルデヒド類、カルボン酸類、エステル類及びジオン類からなるガス化化合物群から選択された少なくとも一種のガス化化合物を０．５×１０^１７分子数／分・ｍ^２以上、好ましくは２×１０^１７分子数／分・ｍ^２以上の分子流速の条件下において形成したプラズマ雰囲気下で、磁性膜又は反磁性膜をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】被加工試料とプラズマ発生部の相対位置を可変とする下部電極上下駆動機構を有するドライエッチング装置において、高周波のリターン電流が流入して下部電極カバー内側にプラズマが発生する事を防止する。
【解決手段】内部にプラズマが生成される真空容器と、真空容器の下部を構成し、接地されたベースフランジ１５と、真空容器内に設けられ被加工試料１を載置する下部電極２と、下部電極を上下駆動する上下駆動機構１０と、下部電極が有す接地電位部１３に固定され上下駆動機構をプラズマから遮蔽する円筒形状の第１のカバー１４と、ベースフランジに固定され上下駆動機構をプラズマから遮蔽する円筒形状の第２のカバー１６とを有し、プラズマにより被加工試料の表面処理を行うプラズマ処理装置において、接地電位部とベースフランジとを接続する導体１７を有し、導体は下部電極の径方向の中心と第１のカバーとの中間よりも第１のカバー側に配置した。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理する半導体基板を載せるステージ上の異物を検知し、該異物を、チャンバーを大気開放してのメンテナンスなく除去できる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】エッチングを行うプリクリーンチャンバー4と、バッファチャンバー8と、基板搬送用のロボット5と、基板処理毎のバイアス電圧を検出する検出部7と、設備パラメータの異常判定を行う異常判定部11と、基板の搬送および処理シーケンスを切り替え可能な制御部12とを備え、チャンバー8内にダミー基板を格納する。異常判定部11は、設備のメンテナンス後に変更設定されたバイアス電圧の異常判定規格から前記検出部7での検出値が外れるチャンバー4の異常の有無を判断し、制御部12は、異常判定部11で異常有りと判断されたときに、チャンバー4への被処理基板9の搬入を停止しダミー基板を搬入するクリーニング処理を行う。 （もっと読む）

【課題】ベローズの腐食、ベローズからの発塵を抑制すると共に、被駆動部分の体積、重量を小さくした基板支持台の構造及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１０において、円筒状の内筒１２、ベローズ１３、外筒１４及び覆設部材１５を、順次、内側から同心円状に配置すると共に、駆動機構２４により駆動される駆動部材２１を、開口部１１ｂ及び内筒１２の内部を通って、載置台１６の裏面に取り付けた基板支持台の構造とした。 （もっと読む）

【課題】ロット処理中のダミーウエハの交換を回避する。
【解決手段】ウエハを処理する基板処理室ＰＭ、製品ウエハを収納する製品用キャリアＬＰ１〜ＬＰ３、ダミー用キャリアＬＰ４を有する基板処理システム１０におけるロット処理開始判定方法は、製品用キャリアに収納された各ロットのプロセス条件とダミー用キャリアに収納されたダミーウエハの使用可能回数とを所与のメモリに記憶し、ダミー用キャリアに収納された複数のダミー用ウエハの使用回数をカウントし、メモリに記憶された各ロットのプロセス条件に基づき、製品用キャリアに収納され、次ロットの全製品ウエハを処理するために必要なダミーウエハの枚数を求め、求められた次ロットのダミーウエハの枚数を前記カウントされたダミーウエハの使用回数に積算し、積算値がダミーウエハの使用可能回数を越えていると判定された場合、次ロットの処理開始を抑制する。 （もっと読む）

【課題】部材から発塵する異物を低減し、生産効率の向上が図れるようにした真空処理置を提供すること。
【解決手段】真空搬送室１３０にエッチング室１４０とアッシング室１５０を備えた真空処理装置において、真空容器の内面に熱収縮シートによる被膜を備えたものを真空搬送室１３０として用い、マイクロクラックによる異物の発生を抑え、生産効率の向上が図れるようにした。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理の時間効率を高めつつ、電極の変形を抑制することができるプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】電極対が放電を開始され（ＳＴ０）次に、電極対に一の値の交流電力Ｐ１を供給し続けながら第１のプラズマ処理が行なわれる（ＳＴ１）。次に、電極対に一の値よりも大きい値の交流電力Ｐ２を供給し続けながら第２のプラズマ処理が行なわれる（ＳＴ２）。最終的に、さらに大きい値の交流電力Ｐ３を供給し続けながら第３のプラズマ処理が行なわれる（ＳＴ３）。かくして、電極の変形を抑制しながら効率的にプラズマ処理が可能になる。 （もっと読む）

【課題】試料に付着する異物の低減を図るとともに装置全体のスループットを向上させることのできる真空処理装置の運転方法を提供する。
【解決手段】可変バルブを所定の開度に解放して真空処理室内を減圧するとともに減圧が完了した時点で前記圧力センサの出力値をリセットする零点補正を行い、その後、ガス供給機構を介して試料搬送用ガスを供給し、供給した状態でゲート弁を解放して試料の搬入を行い、試料の搬入完了後にゲート弁を閉じた状態で、かつ試料搬送用ガスの供給を継続した状態で試料処理用のガスを供給し、その後、試料搬送用ガスの供給を停止した後、プラズマ処理を施し、プラズマ処理の終了後は、試料処理用ガスの供給停止に先立って試料搬送用ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】被処理体に対して処理を行う処理容器を備えた処理装置において、処理容器及び被処理体の金属汚染を防ぐこと。
【解決手段】被処理体に対して処理を行うための処理容器を備えた処理装置において、少なくとも一部が金属により構成され、ハロゲンを含む腐食性ガスを前記処理容器に供給するためのガス供給流路と、前記ガス供給流路における金属部分を通流した前記腐食性のガスに光エネルギー、熱エネルギー及び衝突エネルギーの少なくとも一つを供給して、前記腐食性ガス中のハロゲンと前記金属とを含む化合物を安定化させるためのエネルギー供給部と、このエネルギー供給部によりエネルギーが供給されて安定化した化合物を捕捉する捕捉手段と、を備えるように処理装置を構成し、前記化合物が処理容器に供給されることを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】帯電粒子からウェハを遮蔽するためにウェハに磁場を印加する磁石を備えたウェハ・チャックを有するプラズマ・エッチング・システムを提供する。
【解決手段】磁場はウェハと平行であり、その強度はウェハ表面の近傍で最も強い。磁場は直線状であっても、円形状であってもよい。動作中には、電子はローレンツ力によってウェハから偏向され、ウェハは正電荷を帯び、イオンは静電反発力によって偏向される。中性化学種は磁場を通り抜けることができ、ウェハに衝突する。中性化学種は一般に、帯電粒子より等方性および材料選択性の高いエッチングを実現するので、本発明の磁場は、エッチングの等方性および材料選択性を高める傾向がある。また、シーズニング・プロセスは、通常は帯電粒子によるエッチングに依拠しているので、磁場により、チャンバ表面から望ましくない膜を除去するようになされたシーズニング・プロセスからウェハを遮蔽することができる。 （もっと読む）

【課題】 チャンバ内で基板を処理するとともに蓄積した物質をチャンバ構成要素から洗浄する装置を提供する。
【解決手段】 本装置は、蓄積した物質をチャンバ構成要素から化学的にエッチングする反応性ガス化学種を生成するように適合した反応性化学種発生器、及び反応性化学種に曝露される鏡面研磨面をもつ少なくとも１つの構成要素を有する処理チャンバを含んでいる。好ましくは、チャンバ洗浄効率に対する効果を最大にするために、鏡面研磨面６４はガス分配プレート１２又はバッキングプレート１３のような構成要素の表面、及び/又は反応性化学種に曝露される表面積の割合の大きい複数の小さな構成要素（例えば、チャンバ壁ライナ２９、ガスコンダクタンスライン４８等）の表面である。更に好ましくは、反応性化学種が接触するはだかのアルミニウム表面すべてが鏡面研磨される。 （もっと読む）

【課題】 静電チャックが確実に再生されたことを判断し得る静電チャックの再生方法を提供する。
【解決手段】 真空チャンバ１２内にプラズマを発生させ、このプラズマにより誘電体たるチャックプレート３の表面をクリーニングする。次に、チャックプレート表面にダミー基板を搬送し、チャック本体の電極４ａ、４ｂ間に電圧を印加してダミー基板を吸着させる工程と、前記ダミー基板の裏側に画成された空間３ｂに不活性ガスを供給し、そのときの前記空間からのガス漏洩量を測定する工程とを含む。そして、前記ダミー基板の複数枚を順次搬送して前記各工程を行い、前記ガス漏洩量が所定の閾値以下になると、静電チャックの再生が終了したと判断する。なお、ガス流量は、所定流量まで段階的または連続して増加させるようにする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ雰囲気の周囲に存在する銅による影響を抑制する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１の上方に絶縁膜１８〜２１を形成する工程と、絶縁膜１８〜２１上にレジスト膜２４を形成する工程と、レジスト膜２４の上方にマスク膜２５を形成する工程と、マスク膜２５の上方にレジストパターン２７を形成する工程と、レジストパターン２７をマスクにしてマスク膜２５をエッチングする工程と、酸素ガスとハイドロフロロカーボンガスの混合ガスを導入し、３０ｍＴｏｒｒ以上の圧力の雰囲気内で、マスク膜２５から露出する領域のレジスト膜２４をエッチングする工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置において、チャンバ内壁からの反応生成物の剥離によるパーティクルの抑制とチャンバ内雰囲気の安定化を、簡易な制御と構成で実現する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、アウターチャンバ１１とインナーチャンバ１２からなるチャンバ４を備える。インナーチャンバ１２は薄肉円筒状の放熱部１２ａと、この放熱部１２ａの上端側に一体に形成された温調部１２ｂを備える。温調部１２ｂにはシーズヒータ３１が取り付けられている。アウターチャンバ１１の排気口１１ｃと対向して、インナーチャンバ１２の放熱部１２ａに排気貫通孔１２ｃが設けられている。インナーチャンバ１２の温調部１２ｂには排気貫通孔１２ｃの上方に相当する部位に熱電対３５が取り付けられている。この熱電対３５の検出する温度に基づいて、シーズヒータ３１の発熱量が制御される。 （もっと読む）

【課題】大がかりな可動部を設けることなくＡＣ比を可変にすることが可能な、プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】エッチング装置１０は、処理容器内部１００にてウエハＷをプラズマ処理する装置であって、処理容器内のプラズマ存在領域に少なくとも一部が接するように配設された調整部材２００と、調整部材に連結され、調整部材と接地面との電気的接続状態を制御することによりプラズマ存在領域の接地容量を調整するインピーダンス調整回路２１０とを有する。 （もっと読む）