【課題】装置を特に複雑化することなく、被処理物上でのプラズマの均一性を損なわずに、耐圧誘電体部材の内表面における不均一な反応生成物の付着防止と削れ防止とがバランスよくほぼ均一に達成できるようにする。
【解決手段】耐圧誘電体部材５を介し減圧可能なチャンバ１内に反応ガスからのプラズマ６を発生させて対向電極３上の被処理物２に働かせエッチングなどのプラズマ処理を行わせる第１の電極４と、第１の電極４と前記耐圧誘電体部材５との間に設けられて耐圧誘電体部材５の内表面５ａの反応生成物が付着するのを防止する第２の電極７とを備え、第２の電極７の耐圧誘電体部材５の内表面５ａからの電極距離Ｌ２を、それらの各対向域における耐圧誘電体部材５の内表面５ａでの反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材５の削れ量との部分的な違いに応じて設定することにより、上記の目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】金属エッチングと、残存フォトレジスト及び残留側壁パッシベーションの剥離のための改良された技術を提供する。
【解決手段】単一のエッチングチャンバ内で、金属エッチングと、エッチングマスク剥離と、残留側壁パッシベーションの除去とを実行する方法。ウエハは、エッチングチャンバ内に配置される。ウエハ上で、金属エッチングが実行される。酸素とアルゴンとの混合物等の剥離ガスが、エッチングチャンバに提供され、酸素プラズマを形成するために励起される。酸素プラズマは、エッチングマスクをウエハから剥離させ、残留側壁パッシベーションを除去する。酸素プラズマは、更に、エッチングチャンバをクリーニングする。 （もっと読む）

【課題】処理容器内壁の腐食の問題が生じ難い処理装置を提供すること。また、耐プラズマ性および耐腐食ガス性に優れた、処理装置に用いられる耐食性部材およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】被処理基板を収容する処理容器と、処理容器内の被処理基板に処理を施す処理機構とを具備する処理装置であって、処理容器は、基材と、その内壁に溶射により形成された周期律表第３ａ族素化合物を含む膜とを具備し、その溶射により形成された周期律表第３ａ族元素化合物を含む膜の表面が研磨されている。 （もっと読む）

【課題】蒸着重合によるポリイミドの成膜に適した基板処理装置を提供する。
【解決手段】真空ポンプにより排気可能なチャンバーとなる外部管と、前記外部管内に設けられており、内部に基板が設置される内部管と、前記内部管内にガスを導入するためのガス供給部と、前記基板、前記外部管、前記内部管を加熱するためのヒーターと、前記外部管と前記内部管との間に設けられたトラップ部と、を有し、前記基板を前記ヒーターにより第１の温度に加熱することにより、前記ガス供給部から供給されたガスが蒸着重合反応し、前記基板表面において前記蒸着重合反応によりに生成された膜が成膜され、前記内部管に設けられた開口部から流入した前記ガスにより、前記トラップ部においても、前記蒸着重合反応により生成された膜が成膜されることを特徴とする基板処理装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】エッチングの異方性と、エッチングレートとを高めることができるエッチング方法を提供する。
【解決手段】
エッチング方法では、接地された真空槽１１内に処理対象物である基板Ｓを搬入する以前に、真空槽１１に供給される成膜ガスを下部電極１３への高周波電力の供給によってプラズマ化して、該真空槽１１の内壁１１ｂに絶縁膜Ｉを形成する絶縁膜形成工程を実施する。その後、真空槽１１内に供給されるエッチングガスを真空槽１１内に配設された下部電極１３への高周波電力の供給によってプラズマ化して真空槽１１内に搬入された基板Ｓを該プラズマによってエッチングするエッチング工程を実施する。 （もっと読む）

【課題】反応室を構成するチャンバを大気開放せずに、チャンバ内壁に付着した堆積膜を除去できるエッチング方法を提供する。
【解決手段】まず、加工対象をエッチングするエッチャントガスを反応室内に導入するとともに、冷却流路に冷媒を流すことによって反応室を冷却し、加工対象とエッチャントガスとの反応生成物を加工対象上に生成する。ついで、冷却流路への冷媒の供給を停止し、加工対象が反応生成物の昇華温度以上となるように加熱する。そして、冷却流路への冷媒の供給を停止した状態で、反応室の内壁が反応生成物の昇華温度以上となるように加熱する。 （もっと読む）

【課題】誘電体窓の内側に設けられた誘電体保護カバーが局部的に削られて消耗することを抑制することができ、誘電体保護カバーの長寿命化により生産性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置及びその誘電体窓構造を提供する。
【解決手段】誘電体窓の外側に配設された高周波アンテナに高周波電力を印加して処理空間に誘導結合プラズマを発生させるプラズマ処理装置であって、誘電体窓は、処理空間と高周波アンテナとの間に介在するように配設され誘電体からなる窓部材と、窓部材を支持するための梁部材と、窓部材の処理空間側の面、及び、梁部材の処理空間側の面を覆いプラズマから保護する誘電体保護カバーと、少なくとも、梁部材と誘電体保護カバーとの間に設けられ、保護カバーの誘電率よりも低い誘電率を有する材料で形成された低誘電率誘電体層とを具備している。 （もっと読む）

【課題】真空処理室内壁表面に発生する自己バイアスを抑制することにより、真空処理室内壁表面の削れあるいは真空処理室内パーツの消耗を抑制することを課題とする。
【解決手段】本発明は真空処理室と、前記真空処理室の上部を閉塞する真空処理室蓋と、誘導アンテナと、前記誘導アンテナと前記真空処理室蓋との間に設置されたファラデーシールドと、前記誘導アンテナに高周波電力を印加する高周波電源とを有するプラズマ処理装置において、前記誘導アンテナは、２つ以上に分割され、前記ファラデーシールドは、前記誘導アンテナの分割数に応じた分割数で分割され、また、一つの前記高周波電源から整合器を介して、高周波電圧を印加されることを特徴とするプラズマ処理装置である。 （もっと読む）

【課題】high-k/メタルゲートを処理するドライエッチング装置における、クリーニングの課題を解決する。
【解決手段】high-k/メタルゲート構造のドライエッチング後にフッ素を含まずCl₂やBCl₃などの塩素を含むガスのプラズマクリーニングを行い、引き続いてSF₆,CF₄,NF₃などのフッ素を含むガスのプラズマクリーニングを行う。 （もっと読む）

【課題】エッチングステップによる残留したエッチングガスの排気効率を大幅に高めることができ，次に連続して実行されるアッシングステップを実行したときに，残留したエッチングガスによる被エッチング膜のエッチングを防止する。
【解決手段】エッチングステップが終了すると，アッシングステップの実行前に，処理室１０２の排気口１３０に設けられた圧力制御弁１３４を全開にして処理室内を所定時間だけ真空引きすることによって，エッチングステップ後に処理室内に残留したエッチングガスを排出する残留ガス除去ステップを，処理室内からウエハＷを搬出せずに連続して実行する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造を安定して効率よく行うため、処理室内壁の堆積物の状態やプラズマ内部をリアルタイムでモニタを行い、常時管理しながら処理する方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理室の内壁状態やプラズマの内部状態を把握するために、プラズマ処理室の内壁にプローブ基盤２１９を配置し、このプローブ基盤２１９にパルス化したバイアス電力を掛け、コンデンサ２２２の電圧変化を解析することにより、処理室内壁状態とプラズマ内部状態をリアルタイムでモニタし、そのデータ値からプラズマ処理装置を制御することにより、効率の良い処理を行い、且つ処理室内のプラズマを直接管理して、安定した半導体装置の製造を行う。 （もっと読む）

【課題】プロセスに応じて適正にＡ／Ｃ比を制御する。
【解決手段】第１の高周波電源１４０からプラズマ生成用の高周波電力を印加して処理容器内のプラズマ処理空間Ｕにプラズマを生成するプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法であって、プラズマ処理装置は、バイアス用の高周波電力を印加する第２の高周波電源１５０と、プラズマ処理空間Ｕを形成する処理容器１００の内壁に少なくとも一部が接し、処理容器内にて上下動することによりプラズマ処理空間Ｕの接地容量を調整する調整機構２００とを有し、プラズマ処理方法では、第２の高周波電源１５０から印加される高周波電力が５００Ｗ以下の場合、調整機構２００を可動範囲の上側に位置付け、該高周波電力が１５００Ｗ以上の場合、調整機構２００を可動範囲の下側に位置付ける。 （もっと読む）

【課題】プラズマの状態を安定的に保ちながら、プロセスに応じて適正に壁の電位を調整することが可能な、プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理容器１００内のプラズマ処理空間にプラズマを生成し、ウエハをプラズマ処理するエッチング装置１０は、プラズマ励起用の高周波電力を印加するプラズマ励起用高周波電源１５０と、電位調整用の高周波電力を印加する電位調整用高周波電源１４０又は直流電圧を印加する直流電源１３０の少なくともいずれかと、ウエハを載置する載置台１２０と、載置台１２０に載置されたウエハより外側であって載置台１２０に対向して配置され、電位調整用高周波電源１４０又は直流電源１３０の少なくともいずれかに接続された補助電極１６５とを備える。 （もっと読む）

【課題】稼動状態を維持したまま処理室内から付着物を除去することが可能なプラズマ処理装置およびその制御方法を提供する。
【解決手段】ウェハに対するプラズマ処理が開始される直前に下部電極に対してオーバーシュート電圧が印加される。このオーバーシュート電圧によって，下部電極の周辺部に付着し堆積した付着物が除去されるため，プラズマ点火直後の処理室内における異常放電の発生が防止される。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ処理装置において、装置を停止することなく下部電極上の異物を除去
することにより高スループットを実現するプラズマ処理装置及び半導体装置の製造方法を
提供する。
【解決手段】 基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、前記基板を載置す
る支持テーブルと、前記支持テーブルに設けられた下部電極と、前記下部電極と対向する
ように設けられた上部電極と、前記支持テーブル上に被処理基板を搬送する搬送アームと
を有し、前記搬送アーム裏面に電圧を印加することができることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマクリーニングにおいて、クリーニングの処理時間を短縮すると共に、プラズマによる真空チャンバ内の部品の劣化を低減する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ成膜装置の真空チャンバ内のプラズマによるクリーニングにおいて、高周波電極と対向電極とを平行して対向配置してなる平板電極間の放電で生成したプラズマによってエッチングを行うことでクリーニングを行う。このエッチングによるクリーニングをエッチングレートが異なる二段階のクリーニング工程で行う。二段階のクリーニング工程において、第１段階のクリーニング工程のエッチングレートを第２段階のクリーニング工程のエッチングレートよりも高速とし、真空チャンバ内に堆積する堆積膜が残存する間に第１段階のクリーニング工程から第２段階のクリーニング工程に変更する。 （もっと読む）

【課題】処理の結果得られる形状の変動の少ないプラズマ処理装置またはプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】真空容器内部に配置された処理室と、この処理室の下部に配置されその上面に処理対象のウエハが載置される試料台と、前記処理室内部を排気して減圧する排気装置と、前記試料台の上方に配置されて前記処理室に処理用ガスを導入する導入孔とを備え、前記ウエハの上面に配置された膜構造を前記処理用ガスを用いて形成したプラズマによりエッチング処理するプラズマ処理装置であって、前記膜構造が基板上にレジスト膜とマスク膜とポリシリコン膜と絶縁膜とを有して構成されたものであって、前記ウエハを前記試料台上に載せて前記マスク膜の下方に配置されたポリシリコン膜をエッチングする前に前記処理室内にプラズマを形成してこの処理室内部の部材の表面にＳｉを成分として含む皮膜を被覆する工程を行う。 （もっと読む）

【課題】容器内部に付着した金属の錯体化の効率を向上させることができる洗浄方法及び処理装置を提供する。
【解決手段】容器内部にガスを供給し、容器内部に付着した金属を供給したガスと化合させ、金属及びガスが化合した金属化合物を気化させて該容器を洗浄する洗浄方法において、容器内部に酸化ガス又はハロゲン化ガスを供給して、容器内部に付着した金属に酸化処理又はハロゲン化処理を施す第一工程と、容器内部に錯体化ガスを供給して、酸化処理又はハロゲン化処理を施した金属に錯体化処理を施す第二工程とを備える。 （もっと読む）