エッチング作用する環境において使用するウエハ保持器のための理想的な石英ガラスは、高い純度および高い乾式エッチング耐性の点で傑出している。この要求をかなりの程度まで満たす石英ガラスを提供するために、本発明によれば次のことが提案される。すなわち石英ガラスが、少なくとも表面に近い範囲において窒素によってドーピングされており、３０重量ｐｐｍ以下の準安定のヒドロキシル基の平均含有量を有し、かつその仮想温度が、１２５０℃より下であり、かつ１２００℃の温度におけるその粘性が、少なくとも１０^１３ｄＰａ・ｓである。このような石英ガラスを製造するための経済的な方法は、次の方法ステップを含んでいる：石英ガラス素材になるようにＳｉＯ_２原料を溶融し、その際、ＳｉＯ_２原料または石英ガラス素材が、脱水処理を受け、アンモニアを含む雰囲気において１０５０℃と１８５０℃との間の範囲における窒化温度にＳｉＯ_２原料または石英ガラス素材を加熱し、石英ガラス素材の石英ガラスを１２５０℃またはそれより低い仮想温度に設定する熱処理を行い、かつ石英ガラス保持器を形成しながら石英ガラス素材の表面処理を行う。
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【課題】 腐食性を有する反応性ガスの流れによって境界端部が腐食されて摩耗してしまうことを防止する反応装置を提供する。
【解決手段】 大略キャップ状の蓋部材２０と、蓋部材２０が載置される基台容器１０と、蓋部材２０と基台容器１０との間の境界部分Ｇで挟持されるシール部材５０と、を備えて、腐食性流体Ｆが、蓋部材２０の内壁面２４から基台容器１０の内壁面１４に沿って流動する反応装置１において、蓋部材２０の内壁面２４の境界端部２８には、腐食性流体Ｆが上記境界部分Ｇに回り込むことを防止する突出部４０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 ウェハ等の基材の外周部の不要物を反応性ガスにて除去する際、反応効率を向上させ、ガス所要量を低減する。
【解決手段】
基材Ｗの外周部を、ガス案内部材３０の差し込み口３０ｂに差し込み、差し込み口３０ｂの奥に形成された案内路３０ａに位置させる。案内路３０ａは、基材Ｗの外周部を包むようにして周方向に延びている。この案内路３０ａに不要物除去のための反応性ガスを導入し、案内路３０ａの延び方向すなわち基材Ｗの外周部に沿って流す。 （もっと読む）

【課題】対向電極を構成する多孔質板が、プラズマ処理時の急激な温度上昇にともなう熱膨張のために外縁部にクラックが発生するなどして破損するのを防止し、均一で安定したプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】下部電極３のステージ３１と、下部電極の対向電極である上部電極４と、下部電極と上部電極４が配設される処理室２とを備え、下部電極と上部電極４の間のプラズマ処理空間Ａにガスを供給してプラズマを発生させてステージ３１上の処理対象物Ｗのプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、上部電極４をガス供給口Ｔが形成された本体部４１と、ガス供給口Ｔを塞ぐように本体部４１の下側に配設された通気性の多孔質板４３と、多孔質板の外縁部を支持する支持部材４５とから構成し、多孔質板４３の外縁部にプラズマ処理時の熱膨張によるひずみ吸収用のスリットＳをピッチをおいて形成した。 （もっと読む）

支持体（１０）上に感光性高分子材料の層（１１）の形成、高分子層の一部に化学的な変性を引き起こすために高分子層の選択的露光、高分子層の上記のようにして露光された部分又は上記のようにして露光されなかった部分の１方のみを溶媒で除き、そうして高分子層内の空洞（１２、１２’・・・）の形成、上記空洞の底部および残りの高分子上に陰極析出によりゲッタ材料の薄い層（１３）の形成、そして支持体表面の上に少なくとも１つのゲッタ材料蒸着層（１３１、１３１’、・・・、２０）を残して、第１溶媒で除かれなかった高分子部分を第２溶媒により除く、各工程を含む小型ゲッタ蒸着層の形成方法が記載される。同様に、本発明はこの方法によって得られた小型ゲッタ蒸着層に関する。
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【課題】 プラズマ処理装置において、上部電極に第１の周波数電力より低い第２の高周波電力３００Ｗ以上１０００Ｗ以下を加えた後、１〜３秒の時間差をもって第１の周波数電力を加えて、最初に第２の高周波電力によりシースを生成することにより、第１の高周波電力を印加しても、シャワーヘッドのガス孔の中にプラズマが入り込むことを阻止してアーク放電を抑制する。
【解決手段】 プラズマ処理装置１０において、上部電極１３と下部電極１４とを処理室１２内に対向して配置し、上部電極１３に第１の周波数より低い第２の高周波電源から第２の高周波電力を最初に印加し、その後１〜３秒の時間差をもって第１の高周波電力を重畳して印加することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ加工に用いるエッチングチャンバを提供する。
【解決手段】ガスチャンバは、キャビティを形成する上部チャンバ本体及び下部チャンバ本体と、ウェーハのための加熱チャックと、遠方ガス源と、排気装置と、を含む。ガスは、インジェクタのチャネルを通ってキャビティの中に注入される。各チャネルは、チャネルに入る入力光線が反射なしでチャネルから出て行くことを実質的に防止するのに十分な角度で互いに曲げられた部分を有する。チャネルは、チャックに最も近い端に漏斗状ノズルを有する。また、インジェクタは、熱膨張緩和スロットと、インジェクタとチャンバ及びガス源の合わせ面との間に小さな間隙と、を有する。インジェクタの温度は、冷却チャネルの冷却液及びインジェクタの容器の電気ヒータによって制御される。上部チャンバ本体は、漏斗状であり且つチャンクに最も近い上部チャンバ本体の端で下向きに湾曲する。 （もっと読む）

下部電極３と上部電極４の間のプラズマ処理空間Ａにプラズマを発生させ、下部電極３上に載置された処理対象物Ｗのプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、上部電極４を構成するガスシャワープレート４３の外縁部にプラズマ処理時の温度急上昇にともなう熱膨張によるひずみを吸収するための切り欠き部Ｓを等ピッチにて複数形成することで、プラズマ処理時の急激な温度上昇にともなう熱膨張のために、ガスシャワープレートの外縁部にクラックが発生するなどして破損するのを防止する。
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【課題】 本発明は、ウェハ単位で処理条件を更新する際に、連続的にウェハの処理の続行を可能とする半導体製造設備の制御装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 半導体製造設備１０５の状態情報の収集を行う設備制御部１０４と、前記収集された半導体製造設備１０５の状態情報を元に、処理ロットのスロット毎に処理室を割り当てる設備情報記憶部１０６と、生産進捗管理部１０１からロット情報の収集を行うロット情報収集部１０２と、前記収集された半導体製造設備１０５の状態情報とロット情報を元に、処理室単位で処理条件を算出するパラメータ算出部１０３とを備え、設備制御部１０４は、設備情報記憶部１０６に対して処理対象スロットの対象処理室の確認を行い、パラメータ算出部１０３に対してこの対象処理室における処理条件の収集を行い、対象処理室に対して処理対象スロットの処理条件を設定し、リモートコントロールを行う。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ装置、プラズマ処理装置等に用いる部材は腐食性ガスとの反応、或いはプラズマによるエッチングにより消耗し、パーティクル発生による製品の汚染、歩留まり生産性低下の問題があった。また腐蝕性ガス、プラズマに耐性のあるガラスは高価であった。
【解決手段】基材とその上に形成された溶射膜からなる耐蝕性部材であって、Ｓｉ、Ｏ、Ｎおよび２ａ族と、Ｂ、ＺｒおよびＴｉからなる群より選ばれる少なくとも１つの元素によって構成された溶射膜からなる耐蝕性部材は、腐蝕性ガスおよびプラズマに対する耐蝕性と耐熱強度が高く、パーティクルの発生が少なく、このような耐蝕性部材は、例えば、窒化ケイ素、シリカおよび２ａ族酸化物粉末と、ジルコニア粉末との混合粉末を基材に対して溶射することによって製造することができる。 （もっと読む）

【課題】チャンバ壁のエッチングや，チャンバ壁へのエッチング副産物の堆積を低減するようプラズマを閉じ込める。
【解決手段】第１に，チャンバ壁に対して約０．８インチ〜約１．５インチのギャップ距離を持つ環状プラズマ閉じ込めリングを配置する。第２に，頂部電極に供給される電圧をプラズマ処理中に電圧比で低減し、かつ頂部電極に供給された残りの電圧を逆相で基板支持体，又は基板に供給するインピーダンス閉じ込めスキームに依ってプラズマを閉じ込める。電圧比は、基板支持体および頂部電極を包囲する誘電体シールのインピーダンスを変化させることによって調整する。これにより，接地されたチャンバ壁に引き寄せられるプラズマの量を低減し、そのためプラズマの閉じ込めを改善する。プラズマ閉じ込めは、記載された環状リング、インピーダンス閉じ込めスキーム、または両方の組合せのいずれかを使用することによって改善することができる。 （もっと読む）

【課題】プロセス中の吸着力の維持と、プロセス後の残留吸着力の低減との間のトレードオフを解決すること。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、（Ａ）ウエーハ３を静電チャック３０の試料台１に載置する工程と、（Ｂ）試料台１に直流電圧を印加する工程と、（Ｃ）複数のステップにおいてウエーハ３にプラズマ５を照射する工程とを備える。その直流電圧の極性は、複数のステップのステップ間において反転する。 （もっと読む）

【課題】処理部材上に隣接するコーティングを接合する方法。
【解決手段】 プラズマ処理システムの処理部材に適用された２つ以上のコーティングは、保護バリアまたはコーティングで処理される。処理部材上の２つ以上のコーティングを接合するための方法が記載される。第１の保護バリアを適用し、第１の保護バリアの一部は、処理される。そして、第２の保護バリアは、第１の保護バリアが適用された領域の少なく一部の上に適用される。
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【課題】 アッシングレートや防食性能を低下させることなく、基板上に残留する塩素成分が確実に除去され、剥離性の高い半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】 基板２上に形成された絶縁層３上にＡｌ又はＡｌ合金からなるＡｌ含有層４を形成する工程と、Ａｌ含有層４上にレジスト層５を形成する工程と、レジスト層５の所望のパターン領域をパターニングする工程と、Ａｌ含有層４のうちパターン領域外のＡｌ含有層を塩素含有ガスによって除去するエッチング工程と、エッチング工程後に水素含有ガスの供給量を可変しながら基板１上に残留する塩素成分を除去するアッシング工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】排気の除害を行う除害手段の負担を軽減し，排気の除害に必要なエネルギやコストの低減を図れる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ガスを導入して所定の処理を行う複数の処理室２００Ａ，２００Ｂ等と，これらの各処理室にそれぞれ設けられた排気系２２０Ａ，２２０Ｂ等と，これら各処理室の排気系のうち少なくとも２以上の処理室の排気系を接続する共通排気系３１０とを備える基板処理装置であって，共通排気系は，各処理室の排気系からの排気を除害手段３４０により除害してから排気する除害共通排気系３２０と，各処理室の排気系からの排気を除害手段を介さずに排気する非除害共通排気系３３０とを切換え可能に構成され，各処理室で実行される処理の種類に応じて，除害共通排気系と非除害共通排気系との切換制御を行う制御部４００を設けた。 （もっと読む）

【課題】窒素ガスを主成分とするプラズマ放電処理用ガスを用いて大気圧近傍の圧力下で行う薄膜堆積や洗浄等の各種のプラズマ放電処理において、実用にたえる良好な処理を行うことが可能なプラズマ放電処理用ガス、プラズマ放電処理用ガスの生成方法、およびプラズマ放電処理方法を提供する。
【解決手段】大気圧近傍の圧力下で電界をかけて行うプラズマ放電処理に用いられるプラズマ放電処理用ガスであって、時間平均密度が８．０×１０^１６［ｍ^−３］以上のＮ_４^＋イオンを含有する。 （もっと読む）

【課題】既存の方法で先ず線幅やサイズの大きい（例えば、５０ｎｍ以上）パターン２０２などを製作した後、物理的、化学的、機械的蝕刻を利用してパターンのサイズを更に縮める。
【解決手段】従来の方法で線幅が２０ｎｍ以上の所定サイズの線幅を有するパターン２０２を作るステップＳ３０２、及び前記パターン２０２を物理的、機械的加工で削ってサイズを縮めるステップ、前記パターン２０２を化学的方法で蝕刻することによって前記パターン２０２のサイズを縮めるステップ、並びに前記パターン２０２を材料の最外から分解して前記パターン２０２のサイズを縮めるステップなどの中から選択された一つのステップＳ３０６を含むことにより金属、半導体、絶縁体パターンの線幅及びサイズを縮める。 （もっと読む）

【課題】安全かつ高速に高真空排気を行うことのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】試料にプラズマ処理を施すプロセスユニット１０５と、処理の終了した前記試料をプロセスユニット外に搬出する搬送ユニット１０４と、搬送ユニット１０４と各プロセスユニット１０５を接続する通路を開閉するゲートバルブ１０７と、搬送ユニット１０４内を搬送処理時の圧力に真空排気する高真空用排気ポンプと、少なくとも前記高真空用排気ポンプ内を粗引き排気する低真空用排気ポンプと、前記高真空用排気ポンプを接続した搬送ユニット１０４内に配置した溜め込み式の真空排気手段１０６を備え、溜め込み式の真空排気手段１０６とプロセスユニット１０５の間を接続するゲートバルブ１０７を全て閉じた状態でのみ処理ガスをプロセスユニット１０５に供給する。 （もっと読む）

【課題】 搬送される基板にプラズマ処理することのできる小型で簡素な構成のプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 Ｚ方向側で搬送経路Ｃの近傍位置に配置された突起電極２と、該突起電極２をＸ方向に挟み込むように突起電極２と近接しながら対向配置されたスリット電極３との間に選択的にプラズマを発生させることで、プラズマ処理ヘッド１０の外部雰囲気をほぼ大気圧に近い準開放形とすることができる。これにより、基板Ｗを真空容器に収容する必要がなく、基板Ｗを搬送する搬送経路Ｃに沿って搬送しながら基板Ｗに対してプラズマ処理を施すことができ、処理効率を向上させることができる。さらに、減圧排気等にかかる装置の構成を簡素化するとともに、搬送方向（Ｘ方向）にプラズマ処理ヘッド１０をコンパクトに構成して装置を小型化することができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置において、ガス吹出し口付近に付着した反応生成物の洗浄、除去のメンテナンス性を向上させること。
【解決手段】ガス供給部１７を真空容器１内側面のプラズマ源１０から基板３までの間に設け、ガス供給部１７を構成する環状の連通路１８やガス吹出し口９が、天板１５の、基板２に対向する面において開口して形成されているため、ガス吹出し口９内での放電発生を防止し、ガス吹出し口９の洗浄や反応生成物除去作業等のメンテナンスが容易に、かつ十分な清浄度まで実施でき、ダストの発生防止と安定したプラズマ処理が可能となる。 （もっと読む）