本発明は両立できないガスを収容する多数の真空処理室を真空化するための装置及び方法である。ガスはプレコンディショニング装置を収容する大気中より低い除去室へ導かれる。ガスは除去室において両立できるように処理される。次いで、両立できるようになったガスは単一のストリーム６として除去室から支援ポンプを通して引き出される。 （もっと読む）

【課題】 プロセスガスの添加成分が雰囲気ガス成分と同じである場合、雰囲気ガスをプロセスガス流に混入することにより、設備の簡素化を図る。
【解決手段】 プラズマ処理装置Ａの一対の電極３１を保持部２１にて支持する。保持部２１のフレーム２２には、雰囲気導入路２５を形成する。雰囲気導入路２５は、保持部２１の外面から延び、電極間のプラズマ放電部２０ｂより上流側のプロセスガス通路２０ｅに斜めに連なっている。プロセスガス通路におけるプロセスガスの流れによって雰囲気ガスが雰囲気導入路２５を経てプロセスガス通路に引き込まれる。これによって、雰囲気ガスをプロセスガスに混入できる。 （もっと読む）

【課題】 最小幅が可及的に小さい孤立した狭いスペースからなるパターンを有する半導体装置を製造することを可能にする。
【解決手段】 半導体基板２上に形成されたハードマスク材膜４上にフォトレジストを塗布する工程と、フォトレジストを露光・現像することにより、ハードマスク材膜に転写形成されるハードマスクパターンの最小加工スペース幅よりも小さな幅のスペース１１ｂを複数有するライン／スペースからなるパターン中に最小加工スペース幅以上の幅を有するスペース１１ａを含むレジストパターン１０を形成する工程と、レジストパターンをマスクとしてハードマスク材膜をパターニングする工程とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

プラズマ小室（１２）に自己支持する壁部材となる誘電体窓（４００）を備えたプラズマ小室（１２）を含んで成る誘導結合プラズマ加工装置を提供する。誘電体窓（４００）にはプラズマ小室（１２）に対して外側面と内側面が設けられる。電磁界源（１４０）は、プラズマ小室（１２）内に電磁界を発生させる誘電体窓（４００）の外側面の前に配置される。電磁界源は少なくとも１個の磁心（３０１、３０２、３０３）から構成される。この少なくとも１個の磁心（３０１、３０２、３０３）は、該少なくとも１個の磁心によって誘電体窓（４００）が作動中にプラズマ小室内の負圧によって生ずる崩壊力に耐えることが補助されるように、誘電体窓（４００）の外側面へ取り付けられる。
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【課題】 構造を単純化するとともに、プラズマ領域を容易に可変できるプラズマ限定装置を備えた半導体製造装置を提供する。
また、同一の駆動装置を用いて、プラズマ領域を小さな体積または大きな体積に限定することで、構成を単純化できるプラズマ限定装置を備えた半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 反応室１３内のプラズマ領域を限定するプラズマ限定装置３０を備えた半導体製造装置であって、プラズマ限定装置３０は、反応室１３内のプラズマ領域を第１プラズマ領域Ｐ１に限定する第１限定装置３１と、反応室１３内のプラズマ領域を第１プラズマ領域Ｐ１より大きい第２プラズマ領域Ｐ２に限定する第２限定装置３５と、プラズマ領域を可変するために第１限定装置３１及び第２限定装置３５を一緒に移動する駆動装置３９とを含む。 （もっと読む）

スピン塗布によりレジストの被膜を形成する場合、無駄となってしまうレジスト材料が存在し、さらに、必要に応じて端面洗浄の工程が増えてしまう。また、真空装置を用いて、基板上に薄膜を成膜する際には、チャンバー内を真空にする特別な装置や設備が必要で、製造コストが高くなってしまう。本発明は、絶縁表面を有する基板上に、ＣＶＤ法、蒸着法又はスパッタ法により選択的に導電層を形成するステップと、前記導電層に接するように、組成物を吐出してレジストマスクを形成するステップと、前記レジストマスクを用いて、大気圧又は大気圧近傍下で、プラズマ発生手段により前記導電層をエッチングするステップと、大気圧又は大気圧近傍下で、前記プラズマ発生手段により前記レジストマスクをアッシングするステップを有することを特徴とする。上記特徴により、材料の利用効率を向上させて、製造コストの低減を実現する。
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【課題】微細なパターンを安定して形成することができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板とその基板上に形成された微細パターン領域を有する半導体装置の製造方法において、（ａ）パターニングされたハードマスク層５を基板１上に形成する工程と、（ｂ）酸化により、前記ハードマスク層５表面に酸化層９を形成させる工程と、（ｃ）前記酸化層９を除去する工程と、（ｄ）前記酸化層９を除去したあとのハードマスク層５を用いて基板をエッチング加工する工程を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

従来のフォトリソグラフィーを用いた配線作製工程では、レジストや配線材料、またプラズマ処理時に必要なプロセスガス等の多くが無駄になってしまう。また真空装置等の排気手段が必要であることから、装置全体が大型化するため、処理基板の大型化に伴い製造コストが増加する。そこで、レジストや配線材料を液滴として基板上の必要な箇所に直接噴射し、パターンを描画するという手段を適用する。またアッシングやエッチング等の気相反応プロセスを大気圧又は大気圧近傍下で行う手段を適用する。
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配線パターンやレジストパターンを直接基板上に描写する手段と、成膜やエッチングなどの気相プロセスを大気圧または大気圧近傍下で局地的に行なう手段を適用することにより、製造ラインの省スペース化、効率化、材料の利用効率の向上、さらには作製費用の削減を実現する。
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【課題】プラズマ生成のための高周波給電において伝送損失や発熱を少なくして給電効率を大幅に向上させ、整合器の小容量化ないし小型化を図り、チャンバ側の設計の自由度を高めること。
【解決手段】高周波給電部３０は、高周波電源３２、整合器３４、給電線３６およびインピーダンス変換器３８を有する。インピーダンス変換器３８は、リアクタンス素子たとえばコンデンサ４８,５０,５４とコイル５２とで構成され、サセプタ１４の直近に設置または取付された筐体４６内に設けられている。インピーダンス変換器３８は、整合器３４からみた負荷インピーダンスをサセプタ側の実際のインピーダンスよりも高いインピーダンスに変成または変換するものであり、好ましくは給電線３６の特性インピーダンスと整合をとる整合回路網として構成される。 （もっと読む）

本発明による処理システムは、内部に被処理基板が載置される反応容器と、基板処理時に前記反応容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給機構と、クリーニング時に前記反応容器内に腐蝕性を有するクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給機構と、前記反応容器に接続された排気路部材と、前記反応容器及び前記排気路部材のうちの特定の一部分を加熱する加熱手段と、前記特定の一部分の温度を検出する温度検出手段と、前記温度検出手段により検出された検出値に基づいて、前記特定の一部分が所定の目標温度となるように前記加熱部材を制御する温度制御手段と、前記目標温度を、基板処理時とクリーニング時とで変更する温度変更手段と、を備える。前記目標温度は 前記温度変更手段により、基板処理時においては当該特定の一部分への反応副生成物の付着が抑制され得る温度とされる一方、クリーニング時においては当該特定の一部分の腐蝕が抑制され得る温度とされる。
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【課題】
半導体ウェハ等を載置する基板支持部材の外周部に載置する環状ヒータにおいて、ウェハ面内を均一に成膜したりエッチング加工できないという問題があった。
【解決手段】
主面を加熱面とした環状絶縁体に抵抗発熱体を備えてなる環状ヒータにおいて、上記抵抗発熱体は帯状に形成されており、上記環状絶縁体の内部に上記加熱面に並行に抵抗発熱体を配置する。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチング装置に使用するシリコン製スリングを提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置内で上部電極板と相対向する位置に設置される被エッチング物を支持するための内段１４を有するシリコン製リングにおいて、前記シリコン製リングの内段１４の少なくとも支持面２１に耐エッチング性被膜２４を形成したことを特徴とする。 （もっと読む）

簡単な構造でありながら、プラズマやオゾンを高効率に発生し、取り扱いが容易な発生装置を得るようにする。 誘電体を介在しない電極１１、１２からなる電極部１０を構成する。この電極部１０に電荷を蓄積する電荷蓄積部としての消弧コンデンサ１３を直列に接続する。電極部１０と消弧コンデンサ１３との直列回路の両端に、交流電圧を印加して消弧コンデンサ１３を充放電させ、電極１１、１２間に自己消弧放電を生じさせてプラズマを発生させる交流電源１５を接続する。電極部の多極化を容易にするために、消弧コンデンサ１３と、これに接続される側の電極部１０の一方の電極１２とをユニット化する。ユニットは、電極部１０の一方の電極１２とコンデンサ１３の一方の電極とを兼用した浮遊電極と、浮遊電極の周囲に設けられた絶縁体と、絶縁体周囲に設けられた接地電極とから構成する。
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【課題】 プラズマ処理装置において、電極と固体誘電体の熱膨張差でアーキングが発生するのを防止する。
【解決手段】
プラズマ処理部１０Ｌ，１０Ｒの筐体２０の底部を開放し、これを固体誘電体の板５０で塞ぎ、筐体２０内に電極３０を長手方向にフリーにして収容する。固体誘電体板５０は、単独で電極３０の自重を支持可能な強度を有している。電極３０は、固体誘電体板５０の上面に非固定状態で載置され、自重のほぼ全てを固体誘電体板５０に掛けている。 （もっと読む）

【課題】 圧力の制御性を低下させることなく圧力差の大きく異なる複数の処理を行なうことを可能とする真空装置を提供する。
【解決手段】 真空チャンバーと該真空チャンバーにガスを供給する手段と該真空チャンバーを排気する排気手段とを有する真空装置において、前記排気手段は、第一の圧力で処理を行なうための第一の排気手段１２４と第二の圧力で処理を行なうための第二の排気手段１２６とを有し、第二の圧力で処理を行なう際には第一の排気手段１２４は停止させ、かつ第一の排気手段１２４を通して真空チャンバーを排気することが可能なように第二の排気手段１２６が第一の排気手段１２４より下流に設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 電極と筐体との間の絶縁性を高めるとともに、電極を外側から温調することも可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 電極３０の放電空間形成面に固体誘電体５０を設ける。この放電空間形成面の固体誘電体５０を露出させるようにして電極３０を筐体２０に収容する。電極３０の放電空間形成面以外の外面と筐体２０の内面との間に電極外空間１３，１４を形成する。この電極外空間１３，１４を実質的に純正の窒素ガスにて満たす。この窒素ガス圧を放電空間より高くする。望ましくは、窒素ガスを流通させる。 （もっと読む）

【課題】１つのチャンバー内にカソード・アノード電極体が複数組、同一方向に向けて設置されており、簡便な構造であって安定したプラズマ放電を確保することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】基板１を収容する密封可能なチャンバー（図示略）と、チャンバー内に反応性原料ガスを供給するガス導入管１０と、チャンバー内に配設され、外部の電源に接続されて反応性ガスを介してプラズマ放電させる三組のカソード・アノード電極体７とを備えてなる。これらのカソード・アノード電極体７は、同一方向に向けて略垂直にかつ直列状に配設されているとともに、隣接する左右二組のカソード・アノード電極体７における一方のカソード電極２と他方のアノード電極４との間隔Ｂが、それぞれのカソード・アノード電極体７におけるカソード電極２とアノード電極４との間隔Ａの２倍以上になるように配設されている。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置の稼働率を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、稼働時間カウント値Ｔが交換稼働時間Ｔｅに達している場合、第１搬送アームのピックを真空状態のＰ／Ｃ内の空のピック載置台上に載置する。次いで、第１コイル電源をＯＮ状態にして第１搬送アームのコイルに電圧を印加して、第１搬送アームのコイルに磁力を発生させ、第１搬送アームの第３腕部においてこの磁力により磁性体が引っ張られて移動し、ピックが第１搬送アームから取り外し可能な状態になる。次いで、第１搬送アームを動かして第３腕部からピックを取り外し、第３腕部に対してこの新しいピックの位置決めを行い、コイル電源をＯＦＦ状態にしてこの新しいピックを第１搬送アームに固定する。 （もっと読む）

【課題】筐体の窓部材の加熱手段と、筐体内のエキシマランプとの照射光が互いに直接照射することのない紫外線照射装置を提供すること。
【解決手段】筐体１内部のエキシマランプ２と、該筐体１に設けた光取り出し窓部材３と、該窓部材３を加熱する加熱手段１０を備えた紫外線照射装置において、前記加熱手段１０が窓部材３の上方に設けられ、該加熱手段１０と前記エキシマランプ２からの放射光が互いに直接照射されることを防止する遮蔽部材１１を設けたことを特徴とする。さらには、遮蔽部材１１が前記エキシマランプ２からの放射光を窓部材３に向けて反射する反射ミラーである。 （もっと読む）