【課題】
地球環境保全およびプラズマプロセスの高性能化を実現するため、非温室効果ガスを用いたプラズマ処理方法を開発し、デバイスへの損傷を抑制することができる高精度のプラズマエッチング方法を提供すること。
【解決手段】
本発明に係るプラズマ処理方法は、プラズマ生成室にフッ素ガス（Ｆ₂）を含む処理ガ
スを供給し、高周波電界の印加と印加の停止とを交互に繰り返すことによりプラズマを生成し、該プラズマを基板に照射して基板処理を行うことを特徴とする。また、前記プラズマから負イオンまたは正イオンを、個別にまたは交互に、あるいは、負イオンのみを選択的に引き出して中性化することにより中性粒子ビームを生成し、該中性粒子ビームを基板に照射して基板処理を行ってもよい。 （もっと読む）

本発明の目的は歩留りおよび生産性向上が図れる半導体装置の製造方法を提供することにある。本発明に係わる半導体装置の製造方法は、本発明は、真空容器１と、前記真空容器１内に設けられたウエハ８を設置するためのサセプタ７と、前記真空容器に原料ガスを導入するためのガス導入手段２と、および高周波電力導入手段６とを有するプラズマエッチング装置が準備され、前記ガス導入手段２により前記真空容器１内に導入されたガスを前記高周波電力でプラズマ化し、前記プラズマ雰囲気中でウエハ主面の酸化膜２３に選択的に複数の穴を形成する工程を含む半導体装置の製造方法であって、前記穴を形成する工程で前記半導体ウエハ主面の平坦部と穴部とに連続スペクトルを有する光１５を照射させ、前記平坦部と前記穴部との反射率変化を測定することを特徴とする。
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【課題】 試料の表面の広い範囲にわたり高精度に微細な加工を実現できるプラズマ処理装置を提供する
【解決手段】 処理室１０１内に設けた試料台１０２およびシャワープレート１０９の中央部と周縁部とにそれぞれ異なる量のガスおよび冷媒を供給するようにしたするプラズマ処理装置１００において、処理室１０１内のプラズマ発光を受光する受光部１２５および発光分析器１２４と、処理室下部内のガスの質量を分析する質量分析器１２９と、制御部１３０とを備え、発光分析と質量分析の双方のデータを用いて、処理室内へ供給するガスの流量を制御する流量制御装置１２０，１２１と、試料台１０２へ供給する冷媒の流量を制御する冷媒流量調節器１３１とを制御する。 （もっと読む）

【課題】 基材の裏面外周部の不要膜を表側の膜に影響を与えることなく除去する。
【解決手段】 ステージ１０上にウェハ９０を外周部が突出するようにして支持する。輻射加熱器２０から熱光線をウェハ９０の裏面外周部に向かって収束するように照射し、この基材裏面外周部を局所加熱する。この局所加熱された部位の近傍の反応性ガス吹出し口３０ｂから不要膜除去のための反応性ガスを吹出す。 （もっと読む）

【課題】ガスを使用する複数の基板処理装置が同時に作動していても所望のガスについて重複使用を回避可能な基板処理システムを提供すること。
【解決手段】基板処理工程中にガス使用工程を含む複数の基板処理装置１１と、これら各装置１１を制御する処理制御装置１２と、前記各装置１１と前記処理制御装置１２とを接続するネットワーク１３と、前記各装置１１と離れた場所に設置されたガス共通供給源１６から導出され、分岐を経て前記各装置１１の基板処理室に導入されるガス配管群１４とを有し、処理制御装置１２により、ネットワーク１３を介して各基板処理装置１１間の基板処理工程の実行開始タイミングを調節する基板処理システムとする。 （もっと読む）

【課題】 有害成分を含む排ガスを処理しないときの消費電力を小さくすることができるようにした排ガスの除害装置及びその除害方法、電子デバイスの製造システムを提供する。
【解決手段】 半導体処理装置から排出された排ガスを反応筒５１内に導入して当該排ガス中に含まれるＣＦ_４等の有害成分を無害化する除害装置であって、反応筒５１内を加熱するハロゲンランプ５２を有する。反応筒５１内の温度を常時高温に維持する必要がなく、有害成分を含む排ガスを処理しないときの除害装置５０の消費電力を小さくすることができる。除害処理コストを低減することが可能である。 （もっと読む）

製造検査のための方法は、半導体基板及び該基板を覆って形成された非導電層を含むウェーハを受け取ることと、それに続いて、該非導電層を貫通して該基板に達するコンタクト開口のエッチングを実行することであって、該コンタクト開口が、該ウェーハ上の検査領域内に予め画定されたテストパターン内に配列されたコンタクト開口から構成される配列を含むこととを含む。電子ビームは、該検査領域を照射するように向けられ、該電子ビームに反応して該基板を流れる試料電流が測定される。該試料電流は、該コンタクト開口の寸法を評価するために分析される。
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基材上のＴＥＲＡ層を化学的に処理するための処理システムおよび方法。基材の化学処理は、基材上の露出表面を化学的に変更する。一実施形態では、ＴＥＲＡ層を処理するためのシステムは、ＴＥＲＡ層を基材上に蒸着するためのプラズマ促進化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）システムと、形状構成をＴＥＲＡ層の中に創出するためのエッチングシステムと、ＴＥＲＡ層中の形状構成のサイズを縮小するための処理サブシステムとを含む。
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【課題】 プラズマによるダメージを低減し、かつガスの分解や解離を促進させることにより、高品質な電子デバイスを製造できるプラズマプロセス装置および該プラズマプロセス装置を用いた電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】 プラズマプロセス装置は、被処理基板４が内部に配置される処理室１と、処理室１の内部にガスを導入するガス導入口７と、処理室１の内部に設けられ被処理基板４にプラズマ処理を施すプラズマ発生部とを備える。プラズマ発生部は、被処理基板４に対し同じ側に、はしご状あるいは格子状のアノード電極３と、複数のガス導入口７を有するカソード電極２と、カソード電極２とアノード電極３との間に誘電体６とを有し、カソード電極２、誘電体６およびアノード電極３が、被処理基板４の処理面４ａに垂直方向に配置される。 （もっと読む）

【課題】 ゲート容量が小さく、短チャネル効果が抑制された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を作製する。またゲート配線の配線抵抗を減少させ、回路面積の減少とＴＦＴの高速駆動を可能にする。
【解決手段】 ゲート電極を二層にし、下層の幅を上層よりも小さくすることにより、ゲート電極と半導体膜からなる活性層の重なる面積が小さくなる。これによりゲート容量を減少させ、短チャネル効果を抑制することができるので、ＴＦＴを高速駆動させることが可能である。また、ゲート電極と配線を一体形成せず別々に形成することによって、ＴＦＴによって構成される回路面積も縮小でき、高速化に寄与できる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハの汚染を防止し、複数の処理ガスの解離を独立に制御することが可能で、コンパクトなプラズマCVD装置を与える。
【解決手段】デュアル反応チャンバプラズマ処理装置は、異なるガス流入ライン及び異なるRFシステムが取り付けられた２つの反応チャンバから成る。それぞれの反応チャンバは、RF電源からのRF電力を供給するためのRF波エントリーパス及び同一のRF電源へRF電力を戻すためのRF波リターンパスを具備する。 （もっと読む）

【目的】 プラズマ処理装置の処理速度に合わせて、他の処理装置における処理速度も速くすることができる基板処理装置を提供する。
【構成】 基板処理装置は、一対のカセット１，１、搬入搬出装置２、一対の洗浄装置（液体供給装置）３，３、ハンドリングロボット４、冷却装置５、一対のロードロック室６，６及び一対のアッシング装置（プラズマ処理装置）７，７が配置されている。冷却装置５は、冷媒が循環するクールプレート５１とこのクールプレート５１に基板Ｗを載置する昇降ピン５２を備えている。特にクールプレート５１は上下２段とされ、各クールプレート５１に形成した貫通穴５３に昇降ピン５２を挿通するとともに、各昇降ピン５２を共通の支持部材５４に取り付け、シリンダユニットを駆動して支持部材５４を昇降せしめることで、２枚の基板Ｗを同時に昇降動せしめるようにしている。また、カップ３１とチャック２からなる洗浄装置３も冷却装置５と同様に多段式となっている。 （もっと読む）

【課題】
ドライエッチング装置において、真空容器壁のスパッタで生じる被加工試料への汚染や異物発生の抑制および真空容器壁交換に伴うランニングコスト増加や稼働率低下を抑制することが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】
平行平板構造のドライエッチング装置において、被加工試料４と対向する位置に配置され、放電生成用高周波電源２が接続される放電生成用電極１に、放電生成用高周波電源２の周波数に対して高インピーダンスで、かつ直流的に低抵抗でアースと接続される低周波通過フィルタを３接続するか、または直流的に低抵抗でアースと接続される低周波通過フィルタ３とそれに直列に挿入された直流電源を接続する構成とする。 （もっと読む）

【課題】 Ｏリング近傍のガラス部材を保護しながらＯリングをも保護し、高い真空度を維持できる真空装置用チャンバを提供する。
【解決手段】 カバー１と、カバー１と共に閉空間１００を形成するフランジ５とを備え、形成された閉空間１００内の真空状態をＯリング１０によって封止する真空装置用チャンバにおいて、フランジ５は、カバー１と対向する周縁面５ａと、周縁面５ａにあってＯリング１０と嵌合する溝部２２とを備える。また、カバー１は、周縁面５ａと対向する対向面１ａと、対向面１ａ上にあって、かつ耐プラズマ性を有する第１面３０と、第１面３０に比して平滑度が高く、かつ溝部２２に対向する溝対向面２２ａに沿う第２面３２とを備える。 （もっと読む）

【課題】 磁気発生手段が小型であって安価になり低価格のプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 永久磁石装置６が与える磁場の元で媒質ガスを励起してプラズマ化し、このプラズマを被処理体の表面処理に用いるプラズマ処理装置であって、永久磁石装置６は、一方の永久磁石１５を磁性体製の一方の磁石保持ケース１３に吸着収容した一方の磁気ユニット１１と、他方の永久磁石１５―１を磁性体製の他方の磁石保持ケース１３に吸着収容した他方の磁気ユニット１２とを有し、一方の磁石保持ケース１３と他方の磁石保持ケース１３とを、それぞれの合せ目１３ａにおいて磁気保持回路（磁気誘導回路）を構成するように磁気吸着させて枠体Ａを構成し、一方の永久磁石１５と他方の永久磁石１５―１との磁極間において磁界を発生することで磁場を形成するようにした。 （もっと読む）

【課題】 処理室内のデポ膜の除去と壁面材料の腐食を抑えることできる、プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 処理室内１０１に処理ガスを導入してプラズマ１１０を発生させ、被処理物を真空処理するプラズマ処理装置において、プラズマ発生手段１０６〜１０８と、処理室内壁１０２を構成する材料を含む反応物の存在を検出するモニタ手段１１２と、処理室内壁１０２を構成する材料を含む反応物の存在が所定量以上となったことを報知するアラーム手段を具備し、任意のエッチング処理毎にプラズマクリーニングを行い、その後Ｏ_２ガスあるいはＦガスを用いて壁面安定化処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は半導体装置の製造工程において、レジストなどのマスクパターンを用いる際に発生する反応生成物等のレジスト等への不均一な付着によるパターン形状等の不良を生じさせず、また、寸法精度が良好な微細パターンの形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 パターン形成方法を含む半導体装置の製造方法として、第１の薄膜の側壁に第２の薄膜を形成し、その側壁に形成された第２の薄膜の先端部が不均一にならないように、平坦化法により、精度良くエッチバックして揃える。 （もっと読む）

【課題】 容量結合プラズマと誘導結合プラズマとを組み合わせたプラズマの高性能化を実現できる高周波プラズマ装置を提供する。
【解決手段】 所定の間隔で対面する壁面部１ａ，１ｂを有する所望のガス雰囲気を形成するための反応容器１と、高周波電源７と、前記反応容器１の一方の壁面部１ａの外面部にコイル軸が壁面に対して直交する方向で配置された第１のコイル４と、前記反応容器１の他方の壁面部１ｂの外面部にコイル軸が壁面に対して直交する方向で且つ前記第１のコイル４と対向する位置に配置された第２のコイル５とを備え、前記高周波電源７より前記第１のコイル４及び前記第２のコイル５に高周波電流を流すことによって前記壁面部１ａ，１ｂの壁面を横切る高周波磁界を形成するとともに、前記壁面１ａ，１ｂ間に強電界を形成し、前記反応容器１内に誘導結合プラズマ及び容量結合プラズマを放電維持させ、該プラズマによって、前記反応容器１内のガス雰囲気中に位置する被処理物１０に対して所望のプラズマ処理を行う。 （もっと読む）

基板の処理のためのプラズマ処理システムが開示されている。プラズマ処理システムは、基板を保持するように構成されたチャックを含む下部部材を有している。また、プラズマ処理システムは、基板を処理するプラズマを発生させるための電磁場を形成するように構成された誘導コイルと；加熱及び冷却システムのために構成された、下部部材と結合する最適化された上部部材を含んで成る。前記加熱及び冷却システムが、最適化された上部部材によって電磁場とは実質的に遮断され、該上部部材は実質的に一人で操作可能であることを特徴とする。 （もっと読む）

プロセスツールからの排気流体流を処理するための低コストの装置を開示する。一実施形態では、装置は、緩和装置(12)と、緩和装置(12)を少なくとも部分的に排気する液体リングポンプ(14)とを有している。使用中、緩和装置(12)は、排気流体流の１つ以上の成分、例えばＦ₄又はＰＦＣを、環境に対する有害性の低い１つ以上の液体溶解性成分、例えばＨＦに変換する。液体リングポンプ(14)は、排気流体流及び液体を受入れ、液体と排気ガス流の液体溶解性成分とからなる溶液を排出する。かくして、液体リングポンプ(14)は、ウェットスクラバ及び大気圧真空圧送段の両方の作用を行う。
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