【課題】基板処理装置の稼働率を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、稼働時間カウント値Ｔが交換稼働時間Ｔｅに達している場合、第１搬送アームのピックを真空状態のＰ／Ｃ内の空のピック載置台上に載置する。次いで、第１コイル電源をＯＮ状態にして第１搬送アームのコイルに電圧を印加して、第１搬送アームのコイルに磁力を発生させ、第１搬送アームの第３腕部においてこの磁力により磁性体が引っ張られて移動し、ピックが第１搬送アームから取り外し可能な状態になる。次いで、第１搬送アームを動かして第３腕部からピックを取り外し、第３腕部に対してこの新しいピックの位置決めを行い、コイル電源をＯＦＦ状態にしてこの新しいピックを第１搬送アームに固定する。 （もっと読む）

【課題】筐体の窓部材の加熱手段と、筐体内のエキシマランプとの照射光が互いに直接照射することのない紫外線照射装置を提供すること。
【解決手段】筐体１内部のエキシマランプ２と、該筐体１に設けた光取り出し窓部材３と、該窓部材３を加熱する加熱手段１０を備えた紫外線照射装置において、前記加熱手段１０が窓部材３の上方に設けられ、該加熱手段１０と前記エキシマランプ２からの放射光が互いに直接照射されることを防止する遮蔽部材１１を設けたことを特徴とする。さらには、遮蔽部材１１が前記エキシマランプ２からの放射光を窓部材３に向けて反射する反射ミラーである。 （もっと読む）

【課題】 タクトタイムを短縮して、生産性を向上させるとともに、安価な真空処理装置を提供する。
【解決手段】 基板を真空処理する真空処理室と、基板を載置して搬送する基板キャリア１２、１４と、基板を大気側と真空側との間で搬入、搬出するためにＬ／ＵＬ室３０とを具備した真空処理装置１０において、真空処理装置１０の大気側の基板搬送を行う大気側基板キャリア１２と、真空処理装置１０の真空側の基板搬送を行う真空側基板キャリア１４と、大気側基板キャリア１２及び真空側基板キャリア１４相互間で、基板を受け渡しする基板受け渡し機構とを備えた構成とした。
また、タクトタイムを短縮するには、大気側基板キャリア１２をＬ／ＵＬ室３０の基板入れ替え口の前面に２以上配置可能な構成とすると一層効果的である。 （もっと読む）

【課題】 プラズマソースと被処理基材とを相対移動して、被処理基材を安定にプラズマ処理するができる、プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 プラズマ処理装置１０は、プラズマソース３０および被処理基材２を収納する内チャンバ２０と、内チャンバ２０を収納する外チャンバ１２とを備え、内チャンバ２０の内圧が外チャンバ１２の内圧よりも大きい状態で被処理基材２をプラズマ処理する。内チャンバ２０には、内チャンバ２０の内部と外部を連通する開口部を設ける。開口部に、内チャンバ２０内に収納されたプラズマソース３０及び被処理基材２の少なくとも一方を支持するフレーム３２ａ，３２ｂを挿通する。フレーム３２ａ，３２ｂは、内チャンバ２０の外部まで延在して搬送機構３６に取り付けられる。搬送機構３６により、内チャンバ２０内においてプラズマソース３０と被処理基材２とを相対移動させる。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ装置、プラズマ処理装置等に用いる部材は腐食性ガスとの反応、或いはプラズマによるエッチングにより消耗し、パーティクル発生による製品の汚染、歩留まり生産性低下の問題があった。また腐蝕性ガス、プラズマに耐性のあるガラスは高価であった。
【解決手段】Ｓｉ、Ｏ及び３ａ族元素とＺｒ及び／又はＴｉとから構成された溶射膜からなる耐蝕性部材は、腐蝕性ガス及びプラズマに対する耐蝕性と耐熱強度が高く、パーティクルの発生が少なく、このような耐蝕性部材は、例えば、シリカ粉末及び３ａ族酸化物粉末と、ジルコニア及び／又はチタニア粉末との混合粉末を基材に対して溶射することによって製造することができる。 （もっと読む）

プラズマ処理システムにおいて、ガス供給システムをマルチゾーン噴射器に接続するための一体型ガス流量制御組み立て品を開示する。組み立て品は、第一流速を備えた第一バルブ組み立て品、第二流速を備えた第二バルブ組み立て品、第三流速を備えた第三流量組み立て品、および第四流速を備えた第四流量組み立て品にガス供給システムを接続する第一組のチャネルを有し、前記第一バルブ組み立て品が実質的に開であるとき第三流速は第一流速より小さく、前記第二バルブ組み立て品が実質的に開であるとき第四流速は第二流速より小さい。組み立て品はさらに、第三流量組み立て品と第一バルブ組み立て品をマルチゾーン噴射器の第一ゾーンに接続するための第二組のチャネルを有する。組み立て品はさらに、第四流量組み立て品と第二バルブ組み立て品をマルチゾーン噴射器の第二ゾーンに接続するための第三組のチャネルを有する。前記第一バルブ組み立て品が閉であればマルチゾーン噴射器の第一ゾーンの流速は第三流速と同様であり、第二バルブ組み立て品が閉であればマルチゾーン噴射器の第二ゾーンの流速は第四流速と同様である。
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【課題】光放射による、システムコンポーネントの腐食のモニタリング
【解決手段】プラズマ処理システムにおけるシステムコンポーネントの腐食をモニタリングする方法及びシステム（２１）が提供される。前記システムコンポーネントは、プラズマにさらされたときに、特徴のある蛍光放射を生成することが可能なエミッタを含む。前記方法は、前記エミッタからの蛍光放射をモニタリングしてシステムコンポーネントの状態を判断するために、光放射を利用する。前記方法は、前記エミッタからの蛍光放射をモニタリングすることにより、プラズマ中のシステムコンポーネントの腐食を評価することができる。前記方法を用いてモニタリングすることができる消耗するシステムコンポーネントは、リング（６０、６２）と、シールド（１４）と、電極（２４）と、バッフル（６４）と、ライナとを含む。
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【課題】プラズマチャンバーに関連した電気インピーダンスとプラズマチャンバーを駆動させるために必要な電圧量とを減少させること。
【解決手段】プラズマチャンバーを駆動する固定インピーダンス変換回路網を設けるための装置には、能動ＲＦ整合回路網３０６とプラズマチャンバーに関連したプラズマチャンバーロード３２０とを連結するように適合された予備整合回路網３０８を含む。予備整合回路網３０８には、第１容量性素子３１０、第１容量性素子３１０に平行に接続されて、増大したインピーダンスを、プラズマチャンバーロード３２０を駆動するために必要な電圧が減少するように、能動ＲＦ整合回路網３０６の出力部に与える平行回路を形成する誘導性素子３１２、および上記平行回路に連結されかつプラズマチャンバーロード３２０に連結されるように適合された第２容量性素子３１４を含む。 （もっと読む）

【課題】 半導体発光素子の基板表面に発光された光を散乱可能な凹凸を簡易に形成できる方法を提供する。
【解決手段】 エッチングとデポジションが同時に生じるように基板の表面をエッチング処理し、該基板表面へ光を散乱可能な凹凸を形成する。
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半導体に適用される薄い一面のｈｉｇｈ−ｋ層を形成する方法が提供される。当該方法は、処理チャンバー（１０、４０２）内に基板（２５、１０２、２０２、４０６）を設置する工程、基板（２５、１０２、２０２、４０６）上に厚い一面のｈｉｇｈ−ｋ層（２０６）を堆積する工程、及び基板（２５、１０２、２０２、４０６）上に薄い一面のｈｉｇｈ−ｋ層（１０６、２０７）を形成するために、堆積されたｈｉｇｈ−ｋ層（２０６）を薄層化する工程を有する。基板（２５、１０２、２０２、４０６）は該基板とｈｉｇｈ−ｋ層（１０６、２０７）との間に界面層（１０４、２０４）を含んでいてもよい。薄層化工程は、厚いｈｉｇｈ−ｋ層（２０６）を、反応性プラズマエッチング処理、又は、厚いｈｉｇｈ−ｋ層（２０６）の一部を変性した後、その変性部をウェット処理によって除去することが可能なプラズマ処理、に掛けることによって行われ得る。
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【課題】材料処理システムをモニタするための改良された装置及び方法を提供する。
【解決手段】材料処理システムは、処理ツールと、状況データを生成すると共に送信するために処理ツールに結合された複数のＲＦ応答性状況センサ１９０と、複数のＲＦ応答性状況センサから状況データを受信するためのセンサインターフェースアセンブリ（ＳＩＡ）１８０とを含む。
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【課題】 表面波プラズマ処理システム及び使用方法を提供することである。
【解決手段】 ＳＷＰソースは、プラズマに隣接する電磁気（ＥＭ）波ラウンチャのプラズマ表面上の表面波を生成することによって所望のＥＭ波モードのＥＭエネルギをプラズマに結合させるように構成されたＥＭ波ラウンチャを含む。パワー結合システムは、ＥＭ波ラウンチャに結合され、プラズマを形成するためのＥＭ波ラウンチャにＥＭエネルギを提供するように構成される。ＥＭ波ラウンチャのプラズマ表面に結合されたカバープレートは、ＥＭ波ラウンチャをプラズマから保護する。 （もっと読む）

【課題】 ウェハの基板電極への脱吸着に対して、信頼性が高くさらにスループットの高いプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】 プラズマ処理装置におけるプラズマ処理方法であって、処理終了時（Ｔ１）に、被処理材に印加する高周波電力（ＲＦ）の出力をエッチング処理の進行しない出力まで低下させ、冷却ガス排気終了（Ｔ２）後、被処理材に印加する高周波とアンテナ電極に印加する高周波との位相差を０度とするとともにＥＳＣ電源をオフし、被処理材に蓄積された電荷を放出する（Ｔ３）。 （もっと読む）

【課題】
近年における半導体製品の高集積化等に伴い、半導体加工装置用の部材には、より高い耐食性を有することが望まれている。本発明は、耐食性、特に耐ハロゲン腐食性に優れた皮膜を形成する耐食処理方法と、その処理が施された半導体加工装置用部材を提供することを目的とする。
【解決手段】
Mg薄膜もしくはMg−Al合金薄膜を表面に有する金属製基材またはMg合金製基材の表面を、弗素ガスまたは弗素化合物系ガス、水溶液状態もしくは溶融塩状態の弗素化合物のいずれかに接触させることによって、上記基材表面にMgＦ₂膜またはMgＦ₂を主成分とする防食膜を形成させる。この防食膜は、部材の表面を緻密かつ均等に覆うので、腐食性の強い弗素以外のハロゲン成分に対しても優れた耐食性を発揮して、環境の汚染源となる腐食生成物の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 ノッチングを回避するとともに、高エッチングレートでのエッチングが可能なエッチング方法を提供する。
【解決手段】 エッチング方法は、マスク層１０４と、シリコン層１０３と、ストッパー層１０２とを有する被処理体にエッチングガスのプラズマを作用させることによりストッパー層１０２に達する略垂直形状の開口を形成するものであり、フッ素含有ガスとＯ_２とを含み、ＨＢｒを含まない第１のエッチングガスにより、シリコン層１０２に壁面がテーパー形状の開口を形成する第１のエッチング工程と、フッ素含有ガスとＯ_２とＨＢｒとを含む第２のエッチングガスによりテーパー形状の開口に対してエッチングを行なう第２のエッチング工程と、を含んで実施される。 （もっと読む）

【課題】
高温プロセスで使用される反応管の変形を減少させ、半導体製造装置のランニングコストを低減する。
【解決手段】
基板を収納して処理する縦型の反応管２と、該反応管を収納して加熱する加熱装置とを具備し、前記反応管の肉厚は、側壁下部＞天井部＞側壁上部となっている。
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プラズマ加工システムで利用するプラズマ加工ステップの調整方法が開示されている。この方法はプラズマ加工システムのプラズマ反応器内で中性分子とイオンとを含んだ第１プラズマをストライク処理するステップを含んでいる。この方法はさらに、基板上の複数層を第１エッチングステップでエッチングするステップと、基板周囲に可動均一リングを設置するステップとを含んでいる。均一性リングの底面は基板の上面とほぼ同じ高さである。方法はさらに、プラズマ加工システムのプラズマ反応器内で本質的に中性分子で成る第２プラズマをストライク処理するステップを含んでいる。方法はさらに、基板上の複数層を第２エッチングステップでエッチングするステップを含んでいる。第１ステップのエッチングと第２ステップのエッチングとは実質的に均等である。
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本開示は、半導体処理装置においてガス分配に特に有用なスペース節約の一体化流体配送システムに関する。又、本発明は、流体フローチャンネルを含む積層基板に加えて、種々の流体取り扱い及び監視コンポーネントを含むことのできる一体化流体フローネットワークアーキテクチャーにも関する。積層基板は拡散ボンディングされ、種々の流体取り扱い及び監視コンポーネントは、設計及び材料要求に基づいて、基板へ部分的に一体化されてもよいし完全に一体化されてもよい。
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【課題】 表面に薄膜が成膜されている半導体基板のように、放射率が刻々変化する表面処理中の被処理物の温度を、放射率の変動の影響を受けずに非接触で正確に測温することのできる温度測定方法と放射温度計、および、それを用いた基板処理装置を提供すること。
【解決手段】 被測定体１の同じ領域からの放射光の異なる複数の波長λ_１、λ_２をそれぞれの受光手段４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄで受光し、受光手段４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄが受光したそれぞれ異なる波長毎の受光結果から被測定体１の温度を算出する放射温度計２０による測定で、異なる波長と、被測定体１の法線に対する受光手段４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄの受光角をそれぞれθ_１、θ_２とした場合に、波長と被測定体１の法線ｎに対する受光手段４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄの受光角との関係を、λ_１ｃｏｓθ_１＝λ_２ｃｏｓθ_２にする。 （もっと読む）

【課題】半導体、液晶製造工程に用いられるセラミックス焼結体である酸化アルミニウム質焼結体において、近年更に低コスト化の要求が高まっていた一方、耐食性の要求もありこれら２つの要求を満たす焼結体が必要とされていた。
【解決手段】酸化アルミニウムを主成分とし、副成分としてＳｉ、Ｍｇ、Ｃａ元素のいずれか１種以上の化合物を含む焼結体であって、該焼結体を構成する結晶粒子の粒界にＳｉ、Ａｌ、Ｃａ、Ｏ元素を含む非晶質相を形成したことを特徴とする酸化アルミニウム質焼結体とする。 （もっと読む）