【課題】 プラズマ装備に使用されるイオン中性化装置において、反射板の熱伝逹を容易にし、反射板の反りを防止すること。
【解決手段】 イオン中性化装置１０は、フレーム１１と、プラズマイオンを中性化する複数の反射板１３と、を備え、複数の反射板１３は、フレーム１１と一体形成される。反射板１３は、片持ち梁形状を有し、この片持ち梁形状の反射板１３は、支持端部１３ａでフレーム１１と面接触し、自由端部１３ｂ側には、熱変形による伸び時に反りを防止するための離隔空間Ｇが確保される。 （もっと読む）

【課題】微細加工を行うドライエッチング方法に関し、エッチング反応生成物が堆積して精度良くエッチングできないという課題を解決し、精度良くエッチングできるドライエッチング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｓｉ基板１上に形成されたパターニング膜面側に耐エッチング膜をパターニングしてＳｉ基板１をエッチングするドライエッチング方法において、上記耐エッチング膜が形成されていない側の面に導電性材料からなるエッチングストッパー層４を設けてからエッチングする方法により、エッチングストッパー層４までエッチングが進行しても、エッチングストッパー層４がＳｉ基板１と同電位になるために側壁付着物が堆積せず、かつエッチングストッパー層４が導電性材料のために剥離が容易であり、精度良く、かつ安価にエッチングができる。 （もっと読む）

【課題】 腐食性ガス、プラズマ等に対する耐食性に優れた被膜を備えた材料であり、基材と被膜との密着性に優れており、半導体製造工程、特に、プラズマ処理装置での繰り返し操業においても好適に使用することができるイットリウム系セラミックス被覆材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 基材表面にＤＬＣ膜をプラズマＣＶＤ法により形成する工程と、前記ＤＬＣ膜上にイットリウム系セラミックス膜をＭＯＤ法により形成する工程とを備えた製造方法により、イットリウム系セラミックス被覆材を製造する。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜とエッチングガスが反応して細かいパーティクルが形成されるのを防ぎ、良好な特性を持つ半導体装置を作製することを課題とする。
【解決手段】透明導電膜を形成し、前記透明導電膜上に第１の導電膜を形成し、前記第１の導電膜上に第２の導電膜を形成し、前記第２の導電膜を、塩素を含むガスでエッチングし、前記第１の導電膜を、フッ素を含むガスでエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法に関するものである。塩素を含むガスで第２の導電膜をエッチングする際には、第１の導電膜により透明導電膜が保護され、フッ素を含むガスで第１の導電膜をエッチングする際には、透明導電膜とフッ素を含むガスは反応しないので、パーティクルが形成されない。 （もっと読む）

【課題】 ウェットクリーニングによる真空処理装置におけるダウンタイムを短縮する。
【解決手段】 ウェットクリーニングや部品交換等の目的で、チャンバ１を大気に開放したときに、装置の真空排気を行った後、被処理物の実際の処理に先立って、チャンバや処理室のエージングを必要とする真空処理装置において、プロセス用の高精度絶対圧真空計８と、高範囲の圧力域で測定可能なワイドレンジ真空計９を備え、真空排気中の圧力トレンドを用いて、真空排気の良否を判定し、排気良好と判断される場合には、実際の圧力が規定値よりも下がっていなくても、エージングを開始する制御手段１２を備えた。制御手段１２は、絶対圧真空計８によって測定されるチャンバ真空封止時の見かけのガス流量（リークレート）とワイドレンジ真空計９で測定されるチャンバ圧力との間の関係を求めておき、あとは圧力のみの測定で、基準となるリークレートに到達したか否かを判断する時刻を予測し、その時刻近傍にエージングが終了するように、エージングを開始する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】比較的高濃度の置換型ドーパントを含むＳｉ含有膜を製造する方法は、トリシランおよびドーパント前駆体を用いる化学気相成長法を含む。２．４原子％以上の置換型炭素を含む結晶性シリコン膜を含む、極めて高濃度の置換型の取込みを得ることが可能である。置換的にドーピングされたＳｉ含有膜を、堆積中にエッチャントガスを導入することによって、混合基板の結晶性表面上に選択的に堆積することが可能である。 （もっと読む）

【課題】高真空の装置が必要なく、付随する高度な保守作業も不要とし、多品種・少量のＭＥＭＳ製品の製造を簡便、安価に行える経済性に優れたプラズマ加工装置を提供する。
【解決手段】大気圧にてプラズマ放電を発生る一組のプラズマ発生用電極２、３と、プラズマ発生用電極２、３の外側に配置され、プラズマを引き出す開口４１、４２を有する引き出し電極４と、引き出し電極４に対向して配置され、加工用基板５を支持する基板ホルダ６とで構成され、プラズマ発生用電極２、３で発生したプラズマを開口４１、４２から基板ホルダ６方向に引き出して加工用基板５に照射し、開口４１、４２の形状に倣った溝５１、５２を加工用基板５に形成する。 （もっと読む）

【課題】 基板処理装置の稼働中に異常が発生したことにより稼働が停止された際に，その基板処理装置の復旧処理の時間と手間を省き，また基板処理装置内に残留する被処理基板をできる限り多く救済する。
【解決手段】 少なくともカセット容器から搬送されたウエハＷを処理する処理室を含む複数の室からなる基板処理装置においてその基板処理装置の稼働中に異常が発生したことにより稼働が停止された際，その異常解消後に基板処理装置の状態を復旧させる基板処理装置の復旧処理方法であって，基板処理装置の各室内に残留しているウエハＷに対して稼働停止時までに実行された処理の段階に応じた基板救済処理を行って被処理基板をカセット容器へ回収させる基板回収工程（ステップＳ１１０〜ステップＳ１５０）と，基板処理装置の各室内の状態を復旧させる装置内状態復旧工程（ステップＳ１６０等）とを有する。 （もっと読む）

【課題】 吸着力の時間応答性を向上させた静電チャックを提供する。
【解決手段】
静電チャックであるサセプタ５にウエハ６を吸着する際には、所望の吸着力が得られる所定電圧よりも高い電圧を電極７に印加することで速やかに吸着力を増加させて所望の吸着力を得た後に、前記所定電圧に電圧制御して、従来よりも速やかに所望の吸着力を得ると共に、脱離する際には、吸着時の印加電圧と正負逆の電圧を電極７に印加することで速やかに吸着力を減少させた後に、電圧印加を停止したり、又は前記静電チャックにウエハ６と同電位になるような電圧を印加したりする電圧制御を行い、従来よりも速やかに脱離作業を行う。 （もっと読む）

【課題】 エッチング部に形成される保護膜における欠陥の発生を抑制するとともに、高いエッチングレートを実現する。
【解決手段】 エッチング方法は、処理室５内にエッチングガス１を供給して該処理室内に配置された被処理物１２のプラズマエッチングを行う第１の工程と、該処理室内にパッシベーションガス２を供給して被処理物のエッチング部にパッシベーション層を生成する第２の工程とを交互に繰り返す。さらに第２の工程の後、第１の工程の前に処理室内にパージガス３を供給する。 （もっと読む）

【課題】 高密度の中性粒子ビームを被処理物に照射することができ、被処理物の加工速度を向上させることができる中性粒子ビーム処理装置を提供する。
【解決手段】 中性粒子ビーム処理装置１０は、イオン生成室１４の内部にイオンを生成するイオン生成手段と、イオン生成室１４の内部のイオンを中性化室１６に引き出す引出手段と、引き出されたイオンを中性化して中性粒子ビームを生成する中性化手段とを備える。中性粒子ビーム処理装置１０は、中性粒子ビーム中に残留する荷電粒子を除去する荷電粒子除去手段と、中性粒子ビームが照射される被処理物１８を保持する保持台４８とを備えている。荷電粒子除去手段は、ビームの進行方向に垂直な方向に磁界を形成して荷電粒子の軌道を曲げる磁界形成手段と、軌道が曲げられた荷電粒子を捕捉する捕捉板６６とを有している。 （もっと読む）

【課題】パターン間隔が狭くなっても近接効果を起こさずに超微細加工を行うことができるシリコン基板の加工方法を提供すること。
【解決手段】シリコン基板１１上にシリコン酸化膜１２を形成する。このようにシリコン基板１１上に形成されたシリコン酸化膜１２の溝加工領域に電子線１３を照射して、溝加工領域のシリコン酸化物を還元してシリコン１４にする。このシリコン酸化膜１２をマスクとして溝加工領域のシリコン１４及びシリコン基板１１をシリコンに対するエッチャント１６を用いてエッチングして溝１５を加工する。シリコン酸化物に対するエッチャント１７を用いてシリコン基板１１上に残存したシリコン酸化膜１２をエッチングして除去する。 （もっと読む）

【課題】 基板載置台からの輻射熱に磁石がさらされても、磁石の高温化を回避して、所定の磁場を安定して得ることができるようにする。
【解決手段】 反応室内に基板を載置する基板載置台が設けられ、この基板載置台に基板を加熱するヒータが埋め込まれる。反応室の外周囲に筒状電極２１５が配設される。この筒状電極２１５の外周囲に接して磁石２１６が配置される。筒状電極２１５に冷却媒体を流す流路１０６が形成される。また少なくとも外周囲に筒状電極２１５および磁石２１６が配置されている部位に対応する反応室の壁は石英で構成される。 （もっと読む）

【課題】 グロー放電が維持できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 プラズマ処理装置１００は、電源部１０３と、昇圧トランス１０７と、電極１０１ａ，１０１ｂと、予め接地されている接地電極１０９ａ，１０９ｂとを含む。電源部１０３は、高周波発振器１０５と、周波数逓倍器１０６とを含む。プラズマ処理装置１００には、外部から被処理基材１０８が搬入され、電極１０１ａと電極１０１ｂとの間において予め定められた位置に配置され、予め定められたプラズマ処理が実行される。電極１０１ａと接地電極１０９ａとは、これらの電極の間隔が、電極１０１ａと搬入予定の被処理基材１０８との表面との距離よりも短くなるように、配置されている。電極１０１ｂと接地電極１０９ｂとの位置関係も同様である。 （もっと読む）

センサから供給される電圧、電流、およびこれらの間の位相角の値を用いてプラズマチャンバのインピーダンスを決定する半導体ウェハのプラズマエッチング制御方法である。第１の期間中のデータの全部またはそれ以下を用いてモデルを計算する。第２の期間中、リアルタイムのデータを用いてチャンバの瞬時インピーダンスのバージョンを計算する。このインピーダンスのバージョンは前記モデルのタイムプロジェクテッドバージョン（time-projected version）と比較される。この方法は、受信データが外挿モデル（extrapolated model）から所定量離れた場合にエッチングを停止すべきと判断する。いくつかの実施例では、第２の期間中にローリングアベレージを用いて、このローリングアベレージをモデルと比較して終了条件を判定する。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ処理装置において、プラズマ処理室中に生成するプラズマのアースとして、金属を含む導体材料で構成されるアース電極から発生する金属汚染を防止する。
【解決手段】 プラズマ処理装置において、プラズマ処理室内でプラズマに面する部材として、非晶質材である石英もしくはゲルマニウムの基材に導電性材料を含有させて形成した材料で構成された部材を用いる。 （もっと読む）

【課題】パーティクルが発生することのないプラズマエッチング用電極板を提供する。
【解決手段】電極板の厚さ方向に平行に貫通細孔５が設けられているプラズマエッチング用電極板２において、前記貫通細孔５の内壁面は、表面粗さが大きい面部分（以下、粗面部分という）と表面粗さが小さい面部分（以下、平滑面部分という）とからなり、前記粗面部分１２は貫通細孔のエッチングガス流入側内壁面に形成されており、前記平滑面部分１３は貫通細孔５のエッチングガス流出側内壁面に形成されていることを特徴とするプラズマエッチング用電極板。 （もっと読む）

【課題】 稼働時間の低下および製造コストの増大を可及的に防止し、半導体デバイスを安定した処理条件で製造することを可能にする。
【解決手段】 プラズマ処理を行う反応室２と、反応室に処理用ガスを導入する導入管１８と、反応室の上方に設けられた上部電極１０と、上部電極に対向するように反応室内に設けられ被処理基板１００が載置される下部電極１２と、上部電極および下部電極の少なくとも一方と電気的に接続され上部電極と下部電極との間に高周波電力を印加して処理用ガスのプラズマを発生させる高周波電源１６と、反応室内が所定の圧力となるように排気する真空ポンプ２２と、反応室内に設けられた視認マーク４ａを反応室に設けられた窓５ａを介して撮像する撮像装置８と、を備えている。 （もっと読む）

本発明の薄膜形成装置（１）は、内部を真空に維持する真空容器（１１）と、真空容器（１１）内に反応性ガスを導入するガス導入手段（７６）と、真空容器（１１）内に反応性ガスのプラズマを発生させるプラズマ発生手段（６１）と、を備える。そして、真空容器（１１）内の壁面には、熱分解窒化硼素（Ｐ）が被覆されている。
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【課題】耐プラズマ性、耐ハロゲンガス性に優れたイットリアが、アルミナ基材あるいはアルミニウム基材に設けられたガス噴出孔の全面に渡って強固に施され、ガス噴出孔内部の放電による材料のエッチングを防止してパーティクル発生をなくし、半導体製造の歩留を向上させることができ、かつ安価な拡散プレートおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本ガス拡散プレートは、１個あるいは多数の円形透孔が設けられたアルミナ基材あるいはアルミニウム基材と、円形透孔に焼嵌され、ガス噴出孔が設けられたイットリア製円筒パイプからなる。また、その製造方法。 （もっと読む）