【課題】
微細な凹部パターンに金属が埋め込まれ堆積されたパターン表面の平坦化と、パターン高さを精度よくエッチバックにより制御する。
【解決手段】
表面に微細な格子パターン１２が形成されている基板１０の表面上に格子パターン１２を被ってアルミニウム膜１４を堆積し、その上にレジスト層１６を塗布し、レジスト層１６には格子パターン１２が形成されている領域以外の領域に開口１８を設ける。レジスト層１６とアルミニウム膜１４をエッチバックし、ＳｉＦから発生するプラズマ強度の微分値が所定の値を越えた時点から所定の設定時間（制御時間）後にエッチングを停止する。 （もっと読む）

【課題】
近年における半導体製品の高集積化等に伴い、半導体加工装置用の部材には、より高い耐食性を有することが望まれている。本発明は、耐食性、特に耐ハロゲン腐食性に優れた皮膜を形成する耐食処理方法と、その処理が施された半導体加工装置用部材を提供することを目的とする。
【解決手段】
Mg薄膜もしくはMg−Al合金薄膜を表面に有する金属製基材またはMg合金製基材の表面を、弗素ガスまたは弗素化合物系ガス、水溶液状態もしくは溶融塩状態の弗素化合物のいずれかに接触させることによって、上記基材表面にMgＦ₂膜またはMgＦ₂を主成分とする防食膜を形成させる。この防食膜は、部材の表面を緻密かつ均等に覆うので、腐食性の強い弗素以外のハロゲン成分に対しても優れた耐食性を発揮して、環境の汚染源となる腐食生成物の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 ノッチングを回避するとともに、高エッチングレートでのエッチングが可能なエッチング方法を提供する。
【解決手段】 エッチング方法は、マスク層１０４と、シリコン層１０３と、ストッパー層１０２とを有する被処理体にエッチングガスのプラズマを作用させることによりストッパー層１０２に達する略垂直形状の開口を形成するものであり、フッ素含有ガスとＯ_２とを含み、ＨＢｒを含まない第１のエッチングガスにより、シリコン層１０２に壁面がテーパー形状の開口を形成する第１のエッチング工程と、フッ素含有ガスとＯ_２とＨＢｒとを含む第２のエッチングガスによりテーパー形状の開口に対してエッチングを行なう第２のエッチング工程と、を含んで実施される。 （もっと読む）

【課題】 基板載置台が受けるダメージを低減し、基板載置台から発生する載置台の材料汚染を低減する。
【解決手段】 上面１０にウェハ２００を載置するサセプタ（基板載置台）１１に、筒状の周辺カバー１７を設ける。周辺カバー１７は、その上端部１７ａを内側に折り返して、ウェハ２００からはみ出すサセプタ１１の周辺部上面を覆い、その中間部で側面１４を覆うようになっている。また、周辺カバー１７の下端部１７ｂをサセプタ１１の下面１５より下方に延在させて、下面１５を間接的に覆うように構成されている。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】
プラズマを制御するシステム及び方法。本システムは作動電極２０２、別の電極２５２及び可調整接地連結回路２０８を含む半導体チャンバ２００を含んでいる。作動電極２０２はウェハーあるいは基板を受領するように設計されている。作動電極２０２との電気接続を発生させるように設計された少なくとも１つの接地電極２０６が存在する。少なくとも１つの接地電極２１２は可調整接地連結回路２０８に電気連結されている。可調整接地連結回路２０８は接地電極２０６のインピーダンスを修正するように設計されている。プラズマのイオンエネルギーは可調整接地連結回路２０８によって制御される。
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【課題】
プラズマ処理室内面の酸化イットリウムを被覆した部材の消耗を低減し、長期に渡り安定したプラズマ処理を可能とする。
【解決手段】
内壁のプラズマに触れる部分に酸化イットリウムを形成した真空処理室１０７と、該処理室内に処理ガスを供給するガス供給手段と、アンテナを備え第１の高周波電源１０１から処理室内に高周波電力を供給して処理室内にプラズマを生成するプラズマ生成手段１０４と、処理室内に配置され試料を載置する基板電極１０９と、該基板電極に高周波バイアス電圧を供給する第２の高周波電源１１１を備え、一枚または複数枚の試料の処理終了毎に、塩素を含み、フッ素を含まず、シリコン原子またはホウ素原子を含むガス中で処理室内面にプラズマ処理を施す。 （もっと読む）

【課題】 シール性能が安定して信頼性の高いプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 その内側が減圧される真空容器５０９と、この真空容器の壁に配置されその内外を連通し処理対象の試料がやりとりされる開口１２０１と、前記壁の外側に配置され前記開口１２０１を気密に閉塞および開放する弁体１００１と、この弁体上の前記開口の周囲の前記壁と接する側に配置されこの弁体が開口１２０１を閉塞した状態で前記壁及び弁体１００１と接触して前記開口の内側を封止するシール部材１００２と、このシール部材を構成する前記壁と接触する凸状の曲面を有した第１の凸部及びこの凸部から延在し弁体１００１と係合してその内側に取り付けられる張り出し部と、弁体１００１の前記壁と接する側に取り付けられ前記張り出し部の少なくとも一部をこの弁体に押し付けて位置決めするカバー１００３とを備えた真空処理装置。 （もっと読む）

【課題】 強誘電体キャパシタを含む半導体装置の製造方法において、強誘電体膜の劣化を原因とするリーク電流を抑制することにある。
【解決手段】 半導体基板に回路素子を形成するステップと、半導体基板上に回路素子を覆う第１絶縁膜を形成するステップと、第１絶縁膜上に第１電極を形成するステップと、第１電極上に強誘電体膜を形成するステップと、強誘電体膜上に第２電極を形成するステップと、第２電極上に所定のパターンを有するマスク膜を形成するステップと、半導体基板の温度または半導体基板を載置する載置電極の温度を第１温度とし、マスク膜をマスクとして第２電極をエッチングするステップと、半導体基板の温度または半導体基板を載置する載置電極の温度を第１温度以下の第２温度とし、マスク膜をマスクとして強誘電体膜をエッチングするステップと、半導体基板の温度または半導体基板を載置する載置電極の温度を第１温度と略同一の第３温度とし、マスク膜をマスクとして第１電極をエッチングするステップとを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】小型で設置面積の小さいプラズマ処理装置を提供することにある。
【解決手段】その内側が減圧される真空容器と、この真空容器内に配置されその上に処理対象の試料が載置される試料台とを備え、前記真空容器内の前記試料台の上方の空間にプラズマを形成して前記試料を処理するプラズマ処理室であって、前記真空容器内の前記試料台上方に配置され前記プラズマが形成される空間を囲む側壁を有する放電室と、この放電室の下方の前記真空容器内に配置され該放電室と連通する真空室と、前記真空容器の内側に配置されて前記試料台の周囲を囲んで前記真空室の側面を構成する側壁と、前記放電室の側壁の外周側に配置されこの温度を調節する第１の温度調節手段と、前記真空室の側壁の温度を前記放電室の側壁の温度より低い温度に調節する第２の温度調節手段とを備えたプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理室へシャワー状にガスを供給するシャワープレートのガス供給孔内での放電を防止し、装置の安定稼動を実現する。
【解決手段】プラズマ処理室内に導入される電磁界のシャワープレート面内における電磁界分布に従い、所定の電界強度以下となる電界の弱い領域にシャワープレートのガス供給孔を配置する。 （もっと読む）

【課題】 簡単な装置構成により高密度のプラズマを発生させることのできるプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】 エッチングチャンバー１０内にプラズマ発生用高周波印加電極１１を備え、円形状又はリング状の表面を有する磁石２０が、当該円形状又はリング状の表面を高周波印加電極１１に対向させるよう配置されているプラズマエッチング装置１とする。このようなプラズマエッチング装置１によれば、簡単な装置構成により、高密度のプラズマを発生させることができる。また、この高密度のプラズマを生成することにより、異方性の高いエッチング処理を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】帯電粒子からウェハを遮蔽するためにウェハに磁場を印加する磁石を備えたウェハ・チャックを有するプラズマ・エッチング・システムを提供する。
【解決手段】磁場はウェハと平行であり、その強度はウェハ表面の近傍で最も強い。磁場は直線状であっても、円形状であってもよい。動作中には、電子はローレンツ力によってウェハから偏向され、ウェハは正電荷を帯び、イオンは静電反発力によって偏向される。中性化学種は磁場を通り抜けることができ、ウェハに衝突する。中性化学種は一般に、帯電粒子より等方性および材料選択性の高いエッチングを実現するので、本発明の磁場は、エッチングの等方性および材料選択性を高める傾向がある。また、シーズニング・プロセスは、通常は帯電粒子によるエッチングに依拠しているので、磁場により、チャンバ表面から望ましくない膜を除去するようになされたシーズニング・プロセスからウェハを遮蔽することができる。
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【課題】被加工物をプラズマエッチングする場合において、フッ素系安定ガスを有効利用して経済性を向上させると共にガスの排出量を削減して環境破壊を防止する。
【解決手段】被加工物を収容しフッ素系安定ガスをプラズマ化して被加工物をエッチングするエッチング処理部５２と、エッチング処理部５２にフッ素系安定ガスを供給するガス供給部５１と、エッチング処理部５２から使用済みガスを排出するガス排出部７０とを含むエッチング処理装置において、エッチングに供されなかったフッ素系安定ガスを回収するガス回収部８０をガス排出部７０に連結し、回収したガスを再利用部９０によってガス供給部５１に供給して再利用可能とする。 （もっと読む）

【課題】 簡単な装置構成によりドライエッチングを行うことができる固体ソースエッチング装置及び固体ソースエッチング方法を提供する。
【解決手段】 エッチングチャンバ１０には、高周波プラズマを発生させる等の機能を有する電極１２と、エッチング処理の対象となるサンプル１４を保持するサンプルホルダ１６とが設置され、またサンプルホルダ１６の上にはエッチングガス用の固体ソース１８も配置されている。さらに、エッチングチャンバ１０内には、放電用ガス２０が導入されている。電極１２から放電用ガス２０に高周波電力が印可されて放電用ガス２０のプラズマが発生すると、このプラズマにより固体ソース１８がたたかれ、固体ソース１８の成分がガス化し、反応性エッチングガスとなる。この反応性エッチングガスは、電極１２から高周波電力が印可されてプラズマ化し、このプラズマによりサンプル１４がドライエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】ハードマスクの角部分を、ラウンド形状に加工するドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】パターンニングされたホトレジスト１３によりシリコン窒化膜１２のマスクを形成した後、ホトレジスト１３をドライエッチングにより縮小させ、露出したシリコン窒化膜マスク１２の角部分をエッチングすることで、シリコン窒化膜マスク１２の角部分にラウンド形状を有する溝加工処理が可能となる半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハのロット間に品質のバラツキがある場合でも、異常を早期発見でき、不良品の発生も最小限に抑えられ、かつ、装置の異常検出の精度が向上できる。
【解決手段】この発明は、同一の複数の被処理物を、同一のドライエッチング装置１、２でそれぞれ処理する際に、データ処理部７が、その両装置１、２のドライエッチングに要するエッチング時間をそれぞれ検出する。さらに、データ処理部７は、その検出した２つのエッチング時間からその差を求め、求めた差を所定の判定値と比較し、その差が判定値を超えた場合に、ドライエッチング装置１、２が異常であると判定し、その旨の信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】 エッチングプロセス及び／又はクリーニングプロセス中の物理的損傷及び／又は化学的損傷から、プラズマ反応器又は反応性種発生器等の半導体処理装置の内部コンポーネントを保護する装置及び方法を提供すること。
【解決手段】 ストロンチウムビスマスタンタレート（ＳＢＴ）等の３種以上の金属元素を有する層状超格子材料を使用して、反応室の内部コンポーネントの表面上に保護バリヤーを形成する。 （もっと読む）

【課題】 処理レートが高く且つ均一な気相反応処理装置を提供する。
【解決手段】 気相反応処理装置のチャンバー２内には触媒体９が配置されている。触媒体９はタングステンなどの高融点金属線からなり、３本の独立した高融点金属線１０，１１，１２にて触媒体９を構成している。各高融点金属線１０，１１，１２は何れも、その直径は０．５〜５．０ｍｍ、長さは５００〜５０００ｍｍとされ、その形状は両端部を上方に折曲した横コ字状をなし、且つ３本の高融点金属線内のうち２本の高融点金属線１０，１１は平行に配置され、残りの高融点金属線１２は前記２本とは高さを異ならせるとともに平面視で前記２本と直交するように配置されている。このように配置した結果、隣接する高融点金属線１０，１１，１２の間隔は１０ｍｍ以上で且つ５０ｍｍ以下となっている。 （もっと読む）

【課題】ガス流に対するコンダクタンスを確保しつつプラズマ発生領域の容積を従来に比べて小さくすることができ、かつ、プラズマリークの発生や堆積物の発生を抑制することのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理容器１の内部の側壁部にフィン状構造物２３が設けられている。このフィン状構造物２３は、アルミニウム等からなるリング状の部材に、所定幅の切り込み２３ａを所定間隔で形成して構成されている。フィン状構造物２３は、少なくとも、側壁部１ａの上端部から、載置台２の半導体ウエハＷの載置面高さと同じ高さ位置までの領域に位置するよう設けられている。切り込み２３ａの所定幅（隣接するフィン状構造物との間隔）は、プラズマシースの幅より狭く設定されている。 （もっと読む）

【課題】 マスクを用いたエッチング加工を改良した半導体素子の作製方法及び半導体素子を提供すること。
【解決手段】 ＳｉＯ_２膜６３上にレジストを塗布した後に回折格子作製マスク用のレジストパターン６４を作製する（ｃ）。レジストパターンをマスクとしてＳｉＯ_２膜を加工することにより、レジストパターンをＳｉＯ_２膜６３に転写する（ｄ）。レジストパターン６４を除去することにより、ＩｎＰ上に傾斜面ａを有する導波層構造を作製するためのＳｉＯ_２マスクが形成される（ｅ）。マスクから半導体表面への塩素プラズマの拡散によりマスク端から離れるにつれてエッチング深さが浅くなり、傾斜面ａを有する形状が形成される（ｆ）。最後にＳｉＯ_２膜６３を、炭化フッ素系ガスを用いたＲＩＥにより除去する（ｇ）。 （もっと読む）