本発明は、ガスまたはガス混合物、特にフッ素化ガス排出物の変換のための方法に関する。本発明によれば、ガスまたはガス混合物の少なくとも１つの分子の２つの原子間の少なくとも１つの結合を、ガスまたはガス混合物がさらされる電場および／または磁場の影響下で破断する。ガスまたはガス混合物の流れを、電場および／または磁場を通して非線形に注入し、ガス分子が場を通して移動する距離を増加させ、こうしてガスまたはガス混合物分子の変換の効果を増加させる。 （もっと読む）

【課題】 ダストの発生を抑制して、処理すべき半導体のパーティクル汚染を格段に低減し得るプラズマ処理装置用イットリアセラミックス部品の提供。
【解決手段】 純度が９９．９ｗｔ％以上のイットリア原料を用いて焼成された焼結体であり、かつ、結晶粒径の分布がＤ１０：３〜１０μｍ、Ｄ９０：１３〜３０μｍである。 （もっと読む）

プロセスツールからの排気流体流を処理するための低コストの装置を開示する。一実施形態では、装置は、緩和装置(12)と、緩和装置(12)を少なくとも部分的に排気する液体リングポンプ(14)とを有している。使用中、緩和装置(12)は、排気流体流の１つ以上の成分、例えばＦ₄又はＰＦＣを、環境に対する有害性の低い１つ以上の液体溶解性成分、例えばＨＦに変換する。液体リングポンプ(14)は、排気流体流及び液体を受入れ、液体と排気ガス流の液体溶解性成分とからなる溶液を排出する。かくして、液体リングポンプ(14)は、ウェットスクラバ及び大気圧真空圧送段の両方の作用を行う。
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酸化膜形成装置（１０）の導入管（１８）には、オゾン（３２）を生成するオゾナイザ（３１）と、脱イオン水（３５）が貯留されオゾナイザ（３１）のオゾン（３２）を供給するオゾン供給管（３３）が脱イオン水（３５）の中に浸漬されてバブリングされるバブラ（３４）と、オゾン（３２）のバブリングで生成したＯＨ＊を含む酸化剤（３７）を供給する供給管（３６）とを備えた酸化剤供給装置（３０）が、接続されている。オゾンを水中でバブリングして生成したＯＨ＊を含む酸化剤は強力な酸化力を有するので、ウエハに酸化膜を比較的に低温下で短時間に形成できる。プラズマを使用せずに済むので、ウエハに先に形成された半導体素子や回路パターン等にプラズマダメージを与えるのを未然に回避できる。酸化膜形成装置のスループットや性能および信頼性を向上できる。
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半導体を処理するためのプラズマリアクタは、チャンバ壁を有し、半導体ワークピースを支持するワークピース支持体を含むリアクタチャンバと、前記ワークピース支持体上にあり、前記チャンバ壁の一部を有するオーバヘッド電極と、ＲＦ電力発生器の周波数で電力を前記オーバヘッド電極に供給し、所望のプラズマイオン密度レベルで前記チャンバ内にプラズマを維持することができるＲＦ電力発生器とを有する。オーバヘッド電極は、オーバヘッド電極と所望のプラズマイオン密度でチャンバ内に形成されたプラズマが電極−プラズマ共振周波数で共に共振ような容量を有し、前記発生器の周波数は、前記電極−プラズマ共振周波数の少なくとも近くにある。このリアクタは、更に、ワークピース支持体に面したオーバヘッド電極の表面上に形成された絶縁層、ＲＦ電力発生器とオーバヘッド電極間の容量性絶縁層、及びワークピース支持体から離れて面しているオーバヘッド電極の表面上にあって、接触している金属フォーム層を含む。
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【課題】 本発明は、プラズマ処理チャンバの一貫性した結果を保持するために、チャンバ・ハードウェア部品の正しいアセンブリを確認しかつチャンバ・プラズマ処理システムを故障診断修理するために高速かつ正確な方法を提供する。
【解決手段】 本発明の方法は、チャンバ、ＲＦ電源、及び整合ネットワークを有しているプラズマ処理システムを試験する。ＲＦ電力信号は、チャンバ内のプラズマを点火することなくＲＦ電源からチャンバに生成される。チャンバで受け取った、ＲＦ電力信号の電圧、ＲＦ電力信号の電流、及びＲＦ電力信号の位相が測定され、同時にチャンバ係数に影響を及ぼすその他のパラメータが保持される。チャンバのインピーダンスを表す値は、電圧、電流、及び位相に基づき計算される。次いで、値は、プラズマ処理システムにおける欠陥を決定するために基準値と比較される。基準値は、欠陥なしチャンバのインピーダンスを表す。
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【課題】 従来の多層配線構造においては、配線格子及び垂直接続孔の制限があるため、上層配線１の接続点と、下層配線２の接続点とを結ぶ接続配線は最短経路ではなかった。
そこで、本発明は、半導体装置の多層配線のうち、異なる配線層に属する所定の２点間を、短縮した距離で接続する接続配線を含む多層配線構造、及び、該多層配線構造中の該接続配線の形成方法を提供する。
【解決手段】
上記課題を解決するため、多層配線構造であって、第１の配線と、前記第１の配線が属する配線層とは異なる配線層に属する第２の配線と、前記第１の配線と前記第２の配線を接続する第３の配線を備え、前記第３の配線は、異なる配線層に属し、かつ、平面的に異なる位置にある２点を結ぶ立体対角線にそった配線を含むことを特徴とする多層配線構造を提供する。また、前記第３配線を形成する工程が、前記立体対角線に沿った貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔に導電材料を充填する工程とを含むことを特徴とする多層配線構造を製造する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理システム及び方法
【解決手段】プラズマ処理システムと共に診断システムを作動させるプラズマ処理システム及び方法が提供される。該診断システムは、該プラズマ処理システムのプラズマ処理チャンバと連通しており、かつプラズマプロセス状態を検知する診断センサを含む。該診断システムは、該診断センサの汚染を実質的に低減するように構成されている。該方法は、該診断センサの汚染を実質的に低減することと、該プラズマプロセスおよび／または該処理チャンバ内の基板の状態を検知することとを含む。
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【課題】プラズマ処理システムとともに光学系を使用するための装置及び方法
【解決手段】プラズマ処理システムと連結して光学系を操作するためのプラズマ処理システム及び方法が提供される。該プラズマ処理システムは、該プラズマ処理システムのプラズマ処理チャンバと連通する光学系を含む。該光学系はウィンドウを含み、該ウィンドウを通してプラズマプロセス状態を、及び該ウィンドウの透過状態を検出するように構成、かつ配設されている。該方法は、該プラズマ処理領域から光学放射を検出することと、該光学系により提供されるウィンドウの汚れを監視することを含む。
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【課題】均一なΔＣＤ分布を示すプラズマソースコイルと、それを用いたプラズマチェンバーを提供すること。
【解決手段】プラズマソースコイル３２０は、中央部に配置されるブッシング３３０と、このブッシング３３０を中心に、ブッシング３３０の周りで同心円状に配置される複数個の単位コイル３２１〜３２４とを含む。これら各単位コイル及びブッシングの一側は、電源端子３１６に共通に接続され、これら各単位コイル及びブッシングの他側は、接地端子に共通に接続されるように配置される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、プラズマ処理装置において、整合器の検知部分から誘電体までの反射波を抑制し、定在波比を低減することである。
【解決手段】 マイクロ波透過窓と導波管の間に導電体のスロットアンテナを有し、誘電率が導波管内物質より高く透過窓部材より小さいことを特徴とする部材を、スロットアンテナとマイクロ波透過窓の間に導入することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理システム用の改良されたバッフル板を提供する。
【解決手段】プラズマ処理システムのバッフル板６４は、上面８２、下面８４、内側半径方向縁部８６、外側半径方向縁部８８、及びガスが流れることができるように構成された少なくとも１つの通路９０を有するリングを具備する。上面８２は、外側半径方向縁部８８に近接する第１の係合面１１６を具備する。下面８４は、外側半径方向縁部８８に近接する第２の係合面１１８と、内側半径方向縁部８６に近接する複数の締結具係合面１１３とを具備する。少なくとも１つの通路９０の夫々は、内側通路面９２を具備する。バッフル板６４の複数の露出面１４５に保護バリア１５０が結合される。露出面１４５は、第１の係合面１１６を除く上面８２と、第２の係合面１１８及び複数の締結具係合面１１３を除く下面８４と、少なくとも１つの通路９０の夫々の内側通路面９２とを含む。
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【課題】
上下２段に基板が保持されている状態でも、上下の基板の有無をそれぞれ個別に検出可能とする。
【解決手段】
上下２段に基板保持棚４，５を有し、該基板保持棚にそれぞれ基板３５が保持される基板保持台３と、上段の基板保持棚の上方に配置され検出光１１を射出して反射光の有無を検出して上段の基板保持棚の基板の有無を検出する上光センサ８と、下段の基板保持棚の下方に配置され検出光５６を射出して反射光の有無を検出して下段の基板保持棚の基板の有無を検出する下光センサ４７とを具備する。
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【課題】 無声放電により生成させたオゾンから電極由来の金属を除去する。
【解決手段】 オゾン発生ユニット３０で電極間の無声放電により発生させたオゾンを、フィルタ３３を構成する分子透過膜３３ａの前後の圧力差に基づき、分子透過膜３３ａを透過させる。透過させたオゾンを、別途生成させた水蒸気と併せて半導体ウエハＷ上のレジスト表面に供給して、レジスト除去を行う。かかるレジスト除去では、電極由来の金属による高濃度汚染を回避することができる。 （もっと読む）

【課題】 真空プラズマ装置の反応処理室、排気系、処理ガス供給系で使用されているステンレス等の金属部材とガス種との接触部位における発熱反応を抑制し、部材の異常昇温を防止することを目的とする。
【解決手段】 アルミニウム又は金属フッ化物の不動態にて、ガスとの接触部分を被覆し、発熱反応種と金属材料との接触を遮断する。 （もっと読む）

処理室（１１）の中に位置する１つ又は複数のマイクロ構造体をエッチングするためのエッチングガス源（１０）を備える装置（９）及び方法が提供される。この装置は、ガス源（２６）及びエッチング材料（２８）を含むための１つ又は複数の室（２７）に付設されたガス源供給ライン（１２）を有している。使用において、１つ又は複数の室（２７）の中でエッチング材料（２８）がエッチング材料蒸気に変換され、ガス供給ライン（１２）は、キャリヤーガスをエッチング材料蒸気に供給するための手段、及び次いでキャリヤーガスによって移送されたエッチング材料蒸気を処理室（１１）に供給するための手段を備える。有利なことに、本発明の装置（９）は、エッチングガスの連続的な流れを達成するためにいかなる膨張室又は他の複雑な機械的な特徴の組み込みも必要としない。
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パターニング方法は、相補的なレチクルの組を個別に転写することを可能にする。一実施形態においては、例えば本方法では、位相シフトマスク（ＰＳＭ）（１１２）をエッチングし、次にｃＰＳＭマスク（１１０）に対応するカットマスクをエッチングする。更に、分離相補型マスクパターン転写方法は２つの個別の、かつ分離されたマスクパターニング工程を含み、これらの工程では、像を最終ウェハパターニングの前に、複合パターンを、中間ハードマスク（１１２）に部分的に転写することにより形成する。中間ハードマスク材料（１１２）及び最終ハードマスク材料（１１０）は、像が最終エッチングプロセスの前に下層の基板（１０２）またはウェハに像が転写されることがないように選択される。
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プロセス条件測定デバイスの寸法は製造基板の寸法に近く、操作システムは、生産基板用に用いられる基板キャリアに類似の製造環境を用いて、プロセス条件測定デバイスおよび操作システムを高度に集積化することができる。製造環境をほとんど撹乱せずにプロセス加工条件を測定することができる。人手をほとんど、またはまったく借りずに、プロセス条件測定デバイスからユーザにデータを転送することができる。
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基材の温度を制御する装置が、基材テーブルと、基材テーブルに配置され、基材テーブルの熱表面と熱的に接続する熱組立体を有する。熱組立体は、熱輸送流体を輸送するチャネルを有する。装置は、熱輸送流体の温度を第１温度に制御するように構成される第１流体ユニットと、熱輸送流体の温度を第２温度に制御するように構成される第２流体ユニットと、熱組立体のチャネル、第１流体ユニットと第２流体ユニットと流路連通する出口流制御ユニットとを更に有する。出口流制御ユニットは、第１温度を有する熱輸送流体と第２温度を有する熱輸送流体の少なくとも１つまたはこれらの組み合わせを含む制御された熱輸送流体をチャネルに供給するように構成される。
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パターン内に存在する土地を横方向にトリミングしながら、パターンを上にある層から下にある層に転写するシステムおよび方法を記載する。パターンの転写は、プロセスレシピに基づくエッチング処理を用いて行われ、プロセスレシピ内の少なくとも１つの可変パラメーターは、目標トリム量を仮定して調節される。可変パラメーターの調節は、トリム量データを可変パラメーターに関連付けるために確立されたプロセスモデルを用いて行われる。
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