【課題】ＤＣバイアス電圧に応答した制御を含む真空プラズマプロセッサを提供する。
【解決手段】十分な電力を有するＡＣ電気エネルギーを電極の少なくとも１つに供給することによって室内のガスをプラズマに励起して、電極の少なくとも１つを介してガスに供給されたＡＣ電気エネルギーにより（ａ）供給されたＡＣ電気エネルギーの周波数におけるプラズマ励起ＡＣ電場を第１電極アセンブリと第２電極アセンブリとの間に存在させ（ｂ）ＤＣバイアス電圧を室内のガスがプラズマに励起されるのに応答して電極の少なくとも１つに発生させ、ＤＣバイアス電圧の指示に応答してプラズマ励起ＡＣ電場を制御する。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチングリアクタの静電チャックの寿命を向上させるチャンバ洗浄機構を提供する。
【解決手段】一実施形態において、プラズマを生成するよう構成されたプラズマ処理チャンバ１００は、基板を受けるよう構成された内側下部電極１３１と、内側下部電極の外側に配置された外側下部電極１３３とを備えた下部電極アセンブリを備えている。プラズマ処理チャンバは、上部電極１１１を備え内側下部電極１３１と外側下部電極１３３との真上に配置された上部電極アセンブリ１１２を、さらに備える。 （もっと読む）

【課題】大型基板を処理できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置は、チャンバと、前記チャンバ内に必要なガスを供給するガス供給部と、前記チャンバ内に配置され、高周波電力が印加される第１電極と、前記第１電極上に形成されて前記第１電極と電気的に接続されるコンデンサ部と、前記コンデンサ部上に形成されて前記コンデンサ部と電気的に接続される複数の第２電極と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大型の処理対象物の表面に対して分布が均一な処理を安価に行うことができる技術を提供する。
【解決手段】真空槽１２の外部に設けられた処理ガス供給源８と、処理ガス供給源８から供給された処理ガスを放電させるラジカル放出器１０とを備える。ラジカル放出器１０の処理ガス導入室１４の基板側に、導電体からなる面状のシャワープレート１５と、シャワープレート１５に対応する大きさ及び形状の導電体からなる面状のメッシュ状部材１６が設けられる。シャワープレート１５とメッシュ状部材１６とは電気的に絶縁されている。メッシュ状部材１６に高周波電力を印加し、シャワープレート１５とメッシュ状部材１６の間のプラズマ形成室１８において処理ガスのプラズマを形成して、メッシュ状部材１６から基板５に向って処理ガスのラジカルを放出する。 （もっと読む）

【課題】欠陥が低く、高次シラン混入の少ない高品質なアモルファスシリコン薄膜を大面積で得るために、広い面積に渡り陰極凹部（ホロー）にプラズマを発生させることができるプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】真空容器２内に、被成膜基板１３を置くための接地電極１１と、該接地電極と２〜５００ｍｍの間隔を空けて配置され高周波電源１５に接続された陰極３と、該陰極と前記接地電極との間に配置された電位シールド板８とを備え、前記陰極は、前記接地電極に対向する側に対向面５と複数の凹部４とを有する。前記電位シールド板は、前記陰極の各凹部と相対する各位置に、該各凹部の電位シールド板と平行な平面への投影面積の５０〜２５０％の投影面積を有する貫通孔９が形成されている。前記陰極と前記電位シールド板とは、最近接部の間隔が０．１〜２０ｍｍとなるよう配置されている。 （もっと読む）

【課題】処理の面内均一性の向上を図ることができるとともに、装置の小型化と処理効率の向上を図ることができ、かつ、上部電極と下部電極との間隔を容易に変更することのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理チャンバー２０１内に設けられた下部電極２０２と、シャワーヘッドとしての機能を備え上下動可能とされた上部電極１００と、前記上部電極の上側に設けられ処理チャンバーの上部開口を気密に閉塞する蓋体２０５と、前記上部電極の面内に形成された複数の排気孔１３と、前記上部電極の周縁部に沿って下方に突出するように設けられ該電極と連動して上下動可能とされて、下降位置において前記下部電極と前記上部電極とによって囲まれた処理空間を形成する環状部材２２０と、前記環状部材の内壁部分に誘電体製の容器２３０内に収容されて配置されたコイル２４０と、を具備したプラズマ処理装置とする。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ処理装置において、装置を停止することなく下部電極上の異物を除去
することにより高スループットを実現するプラズマ処理装置及び半導体装置の製造方法を
提供する。
【解決手段】 基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、前記基板を載置す
る支持テーブルと、前記支持テーブルに設けられた下部電極と、前記下部電極と対向する
ように設けられた上部電極と、前記支持テーブル上に被処理基板を搬送する搬送アームと
を有し、前記搬送アーム裏面に電圧を印加することができることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】容量結合型の片側電極に周波数の異なる２つの高周波（または高周波と直流）を印加する方式において両高周波のそれぞれの作用または働きを同時に最適化する。
【解決手段】プラズマ空間ＰＳを挟んでサセプタ（下部電極）１４と対向する上部電極８０は、第１上部電極８４と第２上部電極８６とを有する。シャワーヘッドを兼ねる第１上部電極８４には可変直流電源９２より直流電圧が印加される。また、第１上部電極８４の内部またはガス室にはガス供給管６０を介して処理ガス供給源６２が接続される。第２上部電極８６は、第１上部電極８４の背後に設けられ、第１上部電極８４やチャンバ９０から電気的に絶縁されている。この第２上部電極８６には高周波電源９６より整合器を介してプラズマ生成用の高周波が印加される。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置において、簡易かつ低コストの構成で、プロセスガスの導入位置を基板の配置（特にバッチ処理の場合）や基板のサイズ（特に枚葉処理の場合）に応じて高い自由度で設定可能とし、それによって高生産性と品質安定化を達成する。
【解決手段】チャンバ３の上部開口に配置された天板７には、ガス供給口７ｄとガス導入口７ｊ，７ｋが設けられている。天板７の上面７ａには、ガス供給口７ｄとガス導入口７ｊ，７ｋを接続するために、供給ガス溜め部７ｅ、共通導入溝部７ｇ、分配ガス溜め部７ｆ、分岐溝部７ｉ、及び個別ガス溜め部７ｈが設けられ、これらの上部開口は天板７の上面７ａに配置された蓋部材８により閉鎖されている。個々のガス導入口７ｊ，７ｋは基板サセプタ６に保持された基板２の中央領域の上方に位置している。 （もっと読む）

【課題】レジスト層等の有機マスク層の耐プラズマ性を高く維持して高選択比でエッチングすることができ、また、電極への堆積物の付着を有効に解消することができ、さらにプラズマ密度のコントロールが可能なプラズマエッチング装置を提供すること。
【解決手段】チャンバ１０に互いに対向して配置される上部電極３４およびウエハ支持用の下部電極１６を有し、下部電極１６に相対的に周波数の高い第１の高周波電力を印加する第１の高周波電源８９および相対的に周波数の低い第２の高周波電力を印加する第２の高周波電源９０を接続し、上部電極34に可変直流電源５０を接続し、チャンバ１０内に処理ガスを供給してプラズマ化し、プラズマエッチングを行う。上部電極３４に印加された直流電源５０からの直流電圧に基づく電流をプラズマを介して逃がすために、常時接地されている導電性部材９１を設ける。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】処理チャンバ内でプラズマ処理中にベベルエッチング速度を制御するための装置が開示されている。その装置は、電源およびガス分配システムを備える。装置は、さらに、下側電極を備え、下側電極は、基板を支持するように少なくとも構成される。装置は、さらに、基板より上方に配置された上側リング電極と、基板より下方に配置された下側リング電極とを備える。装置は、さらに、上側リング電極に結合され、基板の上側エッジの少なくとも一部をエッチングするために利用可能なプラズマの量を制御するために、上側リング電極を通して流れる電流を制御するよう少なくとも構成された第１の整合装置を備える。装置は、さらに、基板の下側エッジの少なくとも一部を少なくともエッチングするために利用可能なプラズマの量を制御するために、下側リング電極を通して流れる電流を制御するよう構成された第２の整合装置を備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマ密度分布制御の性能および自由度を大幅に改善し、プラズマ密度分布およびプロセス特性の可及的な均一性向上を実現するプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】サセプタ１２上のプラズマ密度分布を制御するためのツールとして、チャンバ下部室２５にプラズマ密度分布制御器７２を設けている。このプラズマ密度分布制御器７２は、サセプタ１２の背面の所望の部位に上面を向けて配置される導体板（第１の導体）７４と、この導体板７４をその下で保持し、かつ電気的に接地する導体棒（第２の導体）７６とを有する。導体棒７６の上端（第１の接続部）は、導体板７４の下面の任意の部位に固着されている。導体棒７６の下端（第２の接続部）は、チャンバ１０の底壁１０ａに固着あるいは接触して据付される容量結合型プラズマ処理装置となっている。 （もっと読む）

【解決手段】基板のプラズマ処理中にプラズマ処理チャンバ内でプラズマを閉じ込めつつ圧力を少なくとも部分的に調整するよう構成された複合型圧力制御／プラズマ閉じ込めアセンブリが提供されている。アセンブリは、複数の孔を有し、配備された時にプラズマを取り囲むよう構成された可動プラズマ閉じ込め構造を備える。アセンブリは、さらに、可動プラズマ閉じ込め構造の外側に配置された可動圧力制御構造を備えており、可動プラズマ閉じ込め構造は、プラズマ処理中にプラズマと可動圧力制御構造との間に配置され、可動圧力制御構造は、基板の取り扱いを容易にするために、可動プラズマ閉じ込め構造と共に配置および待避可能であり、可動圧力制御構造は、複数の孔の少なくとも一部を遮ることによって圧力を調整するために、可動プラズマ閉じ込め構造に対して独立的に移動可能である。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】プラズマによって少なくとも一つの基板を処理するためのプラズマ処理システム。プラズマ処理チャンバは、イオンエネルギ分布を制御することができる。プラズマ処理システムは、第１の電極を含んでよい。プラズマ処理システムは、また、基板を受けるように構成された、第１の電極と異なる第２の電極も含む。プラズマ処理システムは、また、第１の電極に結合された信号源も含んでよい。信号源は、プラズマ処理システムにおいて基板が処理されるときに基板におけるイオンエネルギ分布を制御するために、第１の電極を通して周期的な非正弦波信号を提供してよい。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造方法に於いて、簡便な方法により、処理容器の内壁面をプラズマによりコーティングし、内壁面から酸素等の汚染原子が放出されることを抑止し、成膜品質を向上させる。
【解決手段】基板５を処理する処理容器１の内面を、プラズマ処理により反応ガス１９でコーティング処理する工程と、前記処理容器内に基板を搬入する工程と、前記反応ガスを用いて基板をプラズマ処理する工程と、前記処理容器内から基板を搬出する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマの状態によらず、プラズマの均一性を容易に確保することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供すること。
【解決手段】上部電極434および下部電極16との間に処理ガスのプラズマを生成してウエハＷにプラズマエッチングを施すプラズマエッチング装置であって、上部電極434には高周波電源48および可変直流電源50が接続され、上部電極434は、電極板536と、電極板536を支持する一体構造の電極支持部材438とを有し、電極板536は、面内方向に所定の電気抵抗の分布が形成され、上部電極434の表面に所定の直流電界および高周波電界の分布を形成する。 （もっと読む）

【課題】検査対象の電極パッド表面に触れること無く、電極パッド表面の酸化被膜を除去することができる、半導体の電極パッド表面の酸化被膜除去方法および半導体の電極パッド表面の酸化被膜除去装置を提供する。
【解決手段】チャンバ内に、半導体と、上記半導体と所定の間隔に平板電極を配置し、さらに、上記半導体と上記平板電極の間に上記半導体に設けられた電極と相対する位置に穴が設けられたメッシュ電極を配置し、チャンバ内を所定のガス雰囲気状態とし、上記平板電極と上記メッシュ電極に電圧を加えて上記平板電極と上記メッシュ電極の間にプラズマを発生させ、上記メッシュ電極に設けられた穴を通じて上記プラズマを上記電極へと誘導し、誘導されたプラズマによって上記電極の表面の酸化被膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】基板表面の平坦性を損なうことなく自然酸化膜や有機物を除去する表面処理が可能となる洗浄手法を提供する。
【解決手段】プラズマ中のラジカルをプラズマ分離用のプラズマ閉じ込め電極板（１１０）のラジカル通過孔（１１１）を通して処理室に導入し、処理室に処理ガスを導入して処理室（１２１）内でラジカルと混合し、そしてラジカルと処理ガスとの混合雰囲気により基板表面を洗浄する。 （もっと読む）

フィールド強化型誘導結合プラズマリアクタ及びその利用法の実施形態が、本明細書に提供される。いくつかの実施形態では、フィールド強化型誘導結合プラズマ処理システムは、誘電性の蓋及び誘電性の蓋の上方に配置されるプラズマ源アセンブリを有するプロセスチャンバを含んでもよい。プラズマ源アセンブリは、プロセスチャンバ内にプラズマを形成して維持するためのＲＦ電力をプロセスチャンバ内に誘導結合するために構成される１以上のコイルと、プロセスチャンバ内にプラズマを形成するためのＲＦ電力をプロセスチャンバ内に容量結合するために構成され、１以上のコイルのうちの１つに電気的に結合される１以上の電極と、１以上の誘導コイル及び１以上の電極に結合されるＲＦジェネレータとを含む。いくつかの実施形態では、ヒーター要素は誘電性の蓋とプラズマ源アセンブリの間に配置されてもよい。
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【課題】成膜レートを安定に維持することができるプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の一形態に係るプラズマ処理方法は、エッチング工程と保護膜形成工程とを交互に繰り返し実施することでシリコン基板に高アスペクト比のビアを形成する。そして、保護膜の形成工程にはスパッタ法が適用される。スパッタ工程では、アンテナコイル２３に高周波電力（ＲＦ１）を供給して、真空槽２１内にスパッタ用ガスのプラズマを形成する。このとき、アンテナコイル２３に供給する高周波電力を２ｋＷ以上とする。アンテナコイル２３に供給する高周波電力が２ｋＷ以上の場合、当該高周波電力が２ｋＷ未満である場合と比較して、ターゲット３０の使用時間に依存しない安定した成膜レートを得ることが可能となる。 （もっと読む）