【課題】プラズマ内部で誘導される２次電流とのカップリング（ｃｏｕｐｌｉｎｇ）が発生しても、磁場圧力の傾きに影響を与えない程度の強力な磁界を形成する電磁気誘導加速装置の提供。
【解決手段】外部シリンダー２０７の外側面を巻くコイル２０１と、内部シリンダー２０９の内側面を巻くコイル２０３と、接続部２１１の上側面に沿って直径が減少するように巻くコイル２０５とが全て連結されて１つのコイルを形成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマの生成と加速とのそれぞれで駆動周波数を最適化することで、プラズマの生成／加速の両能力の向上が図れる電磁誘導加速装置、を提供する。
【解決手段】放電コイル(350)には第１駆動周波数の電流が同方向に流れる。そのとき生成される交流磁界がチャネル(390)内にプラズマを生成し、軸方向の初期速度を与える。外部及び内部コイル(310、330)には第２駆動周波数の電流が同方向に流れる。チャネル（390）の出口に近いコイルほど、第２駆動周波数が低い。それにより生成される交流磁界が軸方向に傾きを持ち、かつ軸方向に伝搬するので、プラズマが軸方向に加速され続ける。第１及び第２駆動周波数は互いに独立に最適化される。 （もっと読む）

【課題】低ｋ誘電体材料等に対するイオンビーム照射による加工に際し、被加工材に帯電を招くことのない誘電体材料の加工方法及びこの方法によって製造された半導体デバイスを提供する。
【解決手段】基板に形成された集積回路等における誘電体材料５に対する加工方法であって、前記誘電体材料５表面に導電性ガラス６を被覆した後、加工対象部位にイオンビーム１０を照射して誘電体材料５に加工を施すようにした誘電体材料５の加工方法。また、この加工方法によって得られた半導体デバイス。 （もっと読む）

本発明は、次の工程：ボディ（１）の表面をマスク層（２）で被覆する工程、予め成形されたマスク成形体（３）を前記マスク層（２）上に設ける工程、前記マスク成形体（３）により覆われていない位置の前記マスク層（２）を貫通エッチングする工程、前記マスク層（２）から露出した箇所のボディ（１）の表面をエッチングする工程を有する、ボディ（１）の表面を粗面化する方法に関する。更に、本発明はオプトエレクトロニクスデバイスに関する。付加的補助マスクとしてマスク層（２）を使用することにより、ポリスチレン球に対して低い選択性を有するエッチング法を使用することができる。
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【課題】 処理の均一性を非常に良く制御することができるような方法および装置を提供すること。
【解決手段】 少なくとも１つの基板がプロセスチャンバ内に配置され、プロセスチャンバ内の圧力が比較的低くなっており、少なくとも１つのプラズマ源によりプラズマが生成され、処理を行う間、少なくとも１つのプラズマ源（３）および／または任意で設けられた少なくとも１つの処理流体供給源が、基板の表面に対して移動するようになっているような、少なくとも１つの基板の表面を処理する方法である。本発明は更に、プロセスチャンバと少なくとも１つのプラズマ源とを備え、少なくとも１つのプラズマ源（３）および／または少なくとも１つの任意で設けられた処理流体発生源が移動自在に設けられた、少なくとも１つの基板の表面を処理する装置を提供する。
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【課題】 簡単な装置構成によりドライエッチングを行うことができる固体ソースエッチング装置及び固体ソースエッチング方法を提供する。
【解決手段】 エッチングチャンバ１０には、高周波プラズマを発生させる等の機能を有する電極１２と、エッチング処理の対象となるサンプル１４を保持するサンプルホルダ１６とが設置され、またサンプルホルダ１６の上にはエッチングガス用の固体ソース１８も配置されている。さらに、エッチングチャンバ１０内には、放電用ガス２０が導入されている。電極１２から放電用ガス２０に高周波電力が印可されて放電用ガス２０のプラズマが発生すると、このプラズマにより固体ソース１８がたたかれ、固体ソース１８の成分がガス化し、反応性エッチングガスとなる。この反応性エッチングガスは、電極１２から高周波電力が印可されてプラズマ化し、このプラズマによりサンプル１４がドライエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】局部的プラズマ処理を提供すること。
【解決手段】局部的プラズマ処理方法は、帯電粒子蒸着およびエッチングに比べて、処理速度を向上させ、加工物損傷を低減する。一実施形態において、プラズマ噴流は、プラズマ生成チャンバを出て、反応ガスを活性化させる。プラズマおよび反応ガスの噴流は、加工物に衝撃を与え、それを処理する。反応ガスにおけるプラズマおよびイオンは、低運動エネルギーを有することが可能であるため、表面損傷がほとんどまたはまったく起こりえない。これは、蒸着プロセスに特に有用である。材料をエッチングすることが望まれる場合は、反応イオンをより高エネルギーにして、エッチングを増強することができる。 （もっと読む）

被加工物の有向多偏向イオンビームミリングならびにその程度の決定および制御のための方法、装置、およびシステム。方法は、イオンビームを発生させるステップ（１０）と、発生したイオンビームを方向付けかつ少なくとも２回偏向させ、有向多偏向イオンビームを形成させるステップとを含み、有向多偏向イオンビームが被加工物の表面に向かって方向付けられ、入射し、衝突し、かつミリングする。装置は、イオンビーム源組立体（１１０）と、有向多偏向イオンビームを形成するために発生したイオンビームを方向付けかつ少なくとも２回偏向させるためのイオンビーム方向付け兼多偏向組立体（１２０）とを備え、有向多偏向イオンビームが被加工物の表面に向かって方向付けられ、入射し、衝突し、かつミリングする。 （もっと読む）

【課題】 電子線によるガスデポジション法で作製したものと同サイズ（ナノメートルオーダー）の微細構造を、位置とサイズを自由に制御しつつ、任意の材料、結晶性にて作製することができる新規な作製方法及び作製装置を提供する。
【解決手段】 マスクの原料となる元素を含んだガスを材料上に流しながら、電子線を材料上の所望位置に向かって照射してマスクを形成した後、エネルギービームを照射してマスクで被覆された部分以外の材料部分を取り除くことにより、材料に微細加工を行う。 （もっと読む）

本発明は、プラズマ源に関するものであって、第１幅を有しているとともに、頂部と壁部とを備えて構成された、放電キャビティと；頂部に配置され、かつ、頂部から外向きに延出されているとともに、頂部を貫通しかつ放電キャビティ内にまで延出されている開口が形成された、ノズルであり、開口が第２幅を有し、この第２幅が第１幅よりも小さなものとされた、ノズルと；を具備している。プラズマ源は、さらに、電源と；放電キャビティ内にイオン化可能ガスを導入し得るよう放電キャビティ内に配置された導管と；電源に対して接続されたカソード電極と；を具備し、カソード電極は、放電キャビティ内において、少なくとも１つのマグネトロン放電領域を支持することができる。プラズマ源は、さらに、壁部に隣接して配置された複数の磁石であるとともに、放電キャビティ内に無磁界ポイントを形成するものとされた、複数の磁石を具備している。
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ガスクラスターイオンビーム処理を用いた多孔質超低ｋ値（ＵＬＫ）絶縁体材料内に二重ダマシン構造を形成する方法に関して開示する。これらの方法においては二重ダマシンＵＬＫ処理中におけるハードマスク層を最小にし、最終的なＵＬＫ二重ダマシン構造内には、ハードマスク層が存在しない。ガスクラスターイオンビームのエッチング処理、緻密化処理、孔のシーリング処理、アッシング処理の各方法が記載されており、該方法は、材料の除去と同時にＵＬＫインターフェースの緻密化を進行させる。緻密なインターフェースとハードマスクがない新規なＵＬＫ二重ダマシン構造が含まれている。 （もっと読む）

波形ナノ構造を形成する本発明の方法は、周期的な波形ナノ構造が材料表面に形成され、および該ナノ構造の波峰がイオンの入射面に対して垂直方向に配向するように、分子状窒素Ｎ_２^＋イオン流束を用いて半導体材料に照射するものである。ナノ構造振幅を増大させるため、更なる照射をＯ_２^＋イオン流束を用いて、そのイオンボンバードメント面を窒素Ｎ_２^＋イオンによるボンバードメント面に一致させて実施する。Ｏ_２^＋イオンボンバードメントのエネルギーおよび角度は、形成できる波形ナノ構造の波長がＮ_２^＋イオンおよびＯ_２^＋イオンの単独照射におけるものと一致するように選択する。また、規則的な波形ナノ構造をヒ素、ガリウムおよびシリコンの構造体に形成する３つの変形体も開示される。 （もっと読む）

【課題】強誘電体膜をエッチングする際に生じる反応副生成物を形成される素子に悪影響を与えることなく除去する。
【解決手段】強誘電体膜をエッチングしたあと、燐酸水溶液を用いてウェット処理をする。レジストをマスクとして強誘電体膜をエッチングしたあと、レジストアッシング後またはアッシング前後の両方に燐酸水溶液を用いてウェット処理をする。 （もっと読む）