ＩＩ−ＶＩ及びＩＩＩ−Ｖ半導体などの半導体材料を異方的にエッチングする方法が提供される。本方法は、エッチングマスクを通した非反応性ガスによる半導体材料のプラズマスパッタエッチングと、その後に続く、ポリマーフォーマーを使用したプラズマ重合による側壁の不動態化の繰り返しサイクルを含む。この手順を用いて、下方変換発光ダイオードデバイスの微細な画素を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム誘起付着、イオンビーム誘起付着およびレーザビーム誘起付着中に汚染物を除去する、または酸化可能な材料の付着またはエッチング中の酸化をリアルタイムで抑制する方法を提供する。
【解決手段】加工物にビームを照射すると同時に、付着前駆体ガスまたはエッチング前駆体ガスを、純化化合物およびキャリヤ・ガス（任意選択）とともに、または、予め混合してから、処理室内へ噴射する。ビームは、ビームを照射した領域にだけ膜を付着させ、または、ビームを照射した領域の膜だけをエッチングする。純化化合物は炭素などの不純物を、膜成長中に除去し、あるいは、エッチングされた材料の酸化を抑制する。付着前駆体ガスまたはエッチング前駆体ガスと膜純化化合物との同時注入または噴射前の予混合によって、成長／エッチング速度および達成可能な材料純度に関して、付着プロセスまたはエッチング・プロセスを最適化する。 （もっと読む）

【課題】下地に対する選択比が大きく、テーパー形状の配線を形成するドライエッチング
方法を提供する。
【解決手段】基板上に導電性材料からなる膜を形成し、ＩＣＰエッチング装置を用いて前
記導電性材料からなる膜をドライエッチングして、テーパー角が６０°以下の配線を形成
する。また、基板上に導電性材料からなる膜を形成し、ＩＣＰエッチング装置を用いて前
記導電性材料からなる膜をドライエッチングして、テーパー角が６０°以下のゲート配線
を形成し、前記ゲート配線上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上に活性層を形
成する。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果素子を構成する多層磁性膜を加工する際に生じるダメージを少なくし、前記のダメージを受けたことにより磁気特性に劣化が生じることを防止でき、高品質な磁気抵抗効果素子を製造することに適した磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子を構成する多層磁性膜が形成された基板に対して反応性イオンエッチングにより多層磁性膜を加工する工程を含んでいる磁気抵抗効果素子の製造方法において、反応性イオンエッチングが行われた多層磁性膜に対してイオンビーム照射する工程を含む磁気抵抗効果素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内のヒータ等の加熱機構がクリーニング処理によって生じる劣化や腐食を、クリーニング時における温度制御を要することなく行い、温度制御に伴う操作時間を不要とし、真空成膜装置の稼働率の低下を抑制する。
【解決手段】真空成膜装置において、クリーニング時において加熱機構の外周を不活性ガスで覆うことによって、反応性に高いクリーニングプラズマあるプラズマによって発生するラジカルが加熱機構に接触しないようにし、これによってクリーニング処理により劣化や腐食を防ぐ。保護機構は、ヒータの周囲空間に不活性ガスを導入する不活性ガス導入機構を備え、クリーニング時に不活性ガスを導入して加熱機構をクリーニングガスプラズマ又はラジカルから空間的に分離してヒータを保護する。 （もっと読む）

集積回路編集のための銅の集束イオンビームエッチング用のエッチング促進剤はイオンビームによる隣接する誘電体の損失を防ぎ、隣接面上のスパッタされ再堆積した銅を非導電性にして電気的短絡を回避する。促進剤は分子中にＮ−Ｎ結合を有し、約７０〜２２０℃の沸点を有し、ヒドラジン及び水の溶液と、ヒドラジン誘導体と、メチル、エチル、プロピル及びブチルから選択された２つの炭化水素基によって飽和したニトロソアミン誘導体と、ニトロソアミン関連化合物と、四酸化窒素とを含み、好適にはヒドラジン一水和物（ＨＭＨ）、ヒドロキシエチルヒドラジン（ＨＥＨ）、ＣＥＨ、ＢｏｃＭＨ、ＢｏｃＭＥＨ、ＮＤＭＡ、ＮＤＥＡ、ＮＭＥＡ、ＮＭＰＡ、ＮＥＰＡ、ＮＤＰＡ、ＮＭＢＡ、ＮＥＢＡ、ＮＰＹＲ、ＮＰＩＰ、ＮＭＯＲ及びカルムスチン単独、又は四酸化窒素との組合せである。促進剤は高アスペクト比（深さ）の孔の銅をエッチングするのに有効である。
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本発明は、シリコン基板の表面の気相中でのテクスチャリング方法および太陽電池用のテクスチャード加工シリコン基板を提供する。上記方法は、上記表面をSF₆/O₂高周波プラズマに2分〜30分の範囲内の時間暴露させてピラミッド構造を示すテクスチャード加工表面を有するシリコン基板を製造する少なくとも１つのステップa)を含み、上記SF₆/O₂比が2〜10の範囲内にある。本発明によれば、ステップa)においては、上記高周波プラズマによって発生させた出力密度は2500mW/cm²以上であり、反応チャンバー内の圧力は13.332Pa (100ミリトール)以下であって、転倒タイプのピラミッド構造を有するテクスチャード加工表面を有するシリコン基板を製造するようにする。
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【解決手段】基板の処理中にプラズマ処理システムの処理チャンバの中でプラズマ閉じ込めを実施するための構成が提供される。該構成は、補助ペリフェラルリングに隣接して位置決めされた第１のペリフェラルリングを含む。第１のペリフェラルリングは、基板をエッチングするためのプラズマを持続させる閉じ込めチャンバ体積を取り囲む。第１のペリフェラルリングは、閉じ込めチャンバ体積から処理副産ガスを排出するための第１の複数のスロットを含む。第２のペリフェラルリングは、第１の複数のスロットに重ならないように第１の複数のスロットに隣接して位置決めされることによって閉じ込めチャンバ体積の中から外側チャンバ体積（第１のペリフェラルリングの外側のエリア）への直接的な見通し線を阻止する第２の複数のスロットを含む。構成は、また、処理副産ガスを閉じ込めチャンバ体積から排出されるためのルートを提供するために２つのリングをつなぐマニホールドも含む。 （もっと読む）

【課題】横方向電界で液晶分子を回転させる方式を用いた場合、液晶は電極に対して基板から離れた方向に配置される。つまり、基板側に生じる電界は液晶分子の回転に寄与しない。そのため、電界の利用率が低下する。また、電気抵抗が低い結晶型ＩＴＯを用いた場合、ドライエッチングでは残渣が残り、ウェットエッチングでは寸法精度が出せないという課題がある。
【解決手段】電極間に位置する誘電体をエッチングして逆テーパー状に窪ませることで、電界強度が強い電極間に液晶が入る領域を設けた。窪ませた部分の液晶分子も電界により回転するため電界の利用率を向上させることができる。また、逆テーパー状に誘電体が形成されているため、スパッター法等で結晶型ＩＴＯ膜を形成した場合、自己整合的にＩＴＯ膜が分離されるため、ＩＴＯをエッチングすることなく所望のパターンを形成することが可能となる。 （もっと読む）

本発明は、比重誘起ガス拡散分離法によるプラズマ生成を用いた基板処理装置及び方法を供することができる。各異なる比重（つまり気体の構成要素の分子の重さと参照分子の重さとの比）を有する不活性ガスとプロセスガスを含むガスを追加又は使用することによって、2領域又は多領域プラズマを生成することができる。2領域又は多領域プラズマでは、一の種類のガスがプラズマ生成領域付近で強く閉じこめられ、かつ、他の種類のガスは、比重の違いにより誘起される拡散によって、前記一の種類のガスから大きく分離されて、前記一の種類のガスよりもウエハ処理領域の近くで閉じこめられる。
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本発明のあるいくつかの例示的な実施形態は、透明導電層（ＴＣＣ）としてのグラフェンの使用に関する。本発明のあるいくつかの例示的な実施形態において、グラフェン薄膜は、広い領域上に、例えば触媒薄膜上に、炭化水素ガス（例えば、Ｃ₂Ｈ₂、ＣＨ₄などといった）からヘテロエピタキシャル成長する。あるいくつかの例示的な実施形態のグラフェン薄膜は、ドープされていてもアンドープであってもよい。あるいくつかの例示的な実施形態において、一旦形成されたグラフェン薄膜は、それらのキャリア基板をリフトオフされていても、例えば中間および最終生成物を含め、受電基板に転写されていてもよい。この方法で成長させ、リフトされかつ転写されたグラフェンは、低いシート抵抗（例えば、１５０オーム／スクウェア未満でかつドープされているときより低い）および高い透過係数（transmission value）（例えば、少なくとも可視および赤外線スペクトルにおいて）を示してもよい。
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【課題】静電チャックと基板との間にトレーを介在させることなく、静電チャックに複数枚の基板を設置できる真空処理装置を提供する。
【解決手段】静電チャック１０は、そのチャック台１３の上面に、複数のチャック領域１６（１６Ａ〜１６Ｅ）を備えている。各チャック領域１６は、チャック台１３の上面に複数突出形成された島状部１７の各々の上面に形成されている。各島状部１７の内部には、基板吸着用の双極型の電極層２０ａ，２０ｂと、基板冷却用ガスの流出孔１８がそれぞれ設けられている。この構成により、複数の基板が載置されたトレー上面にカバーを取り付けて基板をトレーに保持する作業が不要となるので、作業性および生産性が向上し、基板の冷却効率も高められる。 （もっと読む）

【課題】高周波電力の投入時に発生した反射電力を速やかに極小値に導いて高周波電力を再現性良く安定に供給できるようにする。
【解決手段】高周波電力を負荷２に供給可能な高周波電源１１とマッチングボックス１２とをスイッチング稼働可能に設ける。高周波電源とマッチングボックスとの間に高周波反射電力検知器１３と制御信号発生器１４を設け、制御信号発生器１４から、高周波電源１１に対し基本制御信号を出力し、マッチングボックス１２と高周波反射電力検知器１３に所定時間の遅れをもって外部制御信号を出力する。それに同期して反射電力信号が制御信号発生器１４に帰還されるようにし、この反射電力信号が最小値となるように負荷の時間的変動に対する外部制御信号の制御信号パラメータを調節してマッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】プラズマの消費電力の経時変化を小さくし、プラズマ処理を安定化する。
【解決手段】プラズマ源の電源系６１は測定装置２２と制御装置２３と交流電源２４を有している。測定装置２２はアンテナ１２の電圧を測定し、測定結果を測定値として出力する。制御装置２３には、交流電源２４の出力電力の値と、アンテナ１２の電圧であるアンテナ電圧の値とから、プラズマの消費電力の変動量を求め、変動量が小さくなるような出力電力の修正値を求め、その修正値を交流電源２４から出力させる。アンテナ１２の電圧測定と、修正値の算出を繰り返しおこなうと、プラズマの消費電力が一定値になる。 （もっと読む）

【課題】処理対象物を支持部材上の正確な位置に載置して処理対象物を支持部材上に正しい姿勢で支持することができるようにしたプラズマ処理装置及びプラズマ処理装置におけるトレイの載置方法を提供することを目的とする。
【解決手段】トレイ６の下面側から下方に突出して設けられた突起５２と、トレイ載置面５に下方に窪んで設けられた突起嵌入穴５３を有する。昇降ピン７によってトレイ６がトレイ載置面５に載置される過程で、トレイ６の下面側に設けられた突起５２が突起嵌入穴５３に上方から嵌入する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基体の破損、損傷を生ずることなく安定に生産でき、かつアスペクト比が高い細孔が得られ、面積の大きいものであっても容易に生産できる高規則性ポーラスシリコンの製造方法を提供すること。
【解決手段】ポーラスアルミナ膜２をシリコン基体１の表面に固定してドライエッチングを行い、前記シリコン基体１の表面に前記ポーラスアルミナ膜２の細孔と同じ配列の窪み３を形成し、次いで前記シリコン基体１を陽極としてフッ化水素酸を含む水溶液中で電解エッチングを行い、前記窪み３を選択的に溶解して細孔を形成し、ポーラスシリコン４を製造する。 （もっと読む）

【課題】集束イオンビームによりエッチングする際に精度良くエッチング深さを制御する。
【解決手段】ステージ１２に電気的に導通させて固定した試料２を集束イオンビームによりエッチングする際に、グランドとステージ１２の間に設置した微小電流計１３によりエッチング電流を測定する。これにより、測定した電流の大きさ、変化に基づいて試料２の層毎の違いを検出できる。その結果、任意の深さでエッチングを止めて、エッチング深さを制御することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】磁性層の表面を酸化またはハロゲン化させることなく、かつ、ダストによって表面が汚染されず、製造工程が複雑にならない磁気的に分離した磁気記録パターンが形成された磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】非磁性基板上１に磁性層２を形成する工程と、磁性層２の上に磁気記録パターンを形成するためのマスク層３を形成する工程と、磁性層２のマスク層３に覆われていない部位にイオンビーム１０を照射し、該部位７の磁性層２の上層部を除去すると共に、下層部８の磁気特性を改質する工程をこの順で有し、イオンビーム１０には、質量の異なる２種以上の正イオンを使用し、イオンビームを形成するイオンガンが、イオン源からの正イオンを基板側に押し出す正電極と、正イオンを基板側に加速させる負電極を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理の工程数削減および処理時間短縮を図ることができるとともに、第１の被処理面および第２の被処理面に対して所望のプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、対向配置された上部電極２１および下部電極２２と、第１、第２の被処理面１０１、１０２を有するワーク１０を載置する載置部と、第１の被処理面１０１および第２の被処理面１０２に処理ガスを供給する処理ガス供給手段３と、上部電極２１および下部電極２２間へ通電する通電手段４とを有する。このようなプラズマ処理装置１は、第１の被処理面１０１側に発生したプラズマにより第１の被処理面１０１をプラズマ処理しつつ、第２の被処理面１０２側に発生したプラズマにより第２の被処理面１０２をプラズマ処理する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板へのパーティクルの付着や被処理基板へのダメージを防止することができる被処理基板の除電方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、ウエハＷを収容するチャンバ１１と、該チャンバ１１内に配置されてウエハＷを載置する載置台１２とを備え、該載置台１２は、載置されたウエハＷの裏面に接触して当該ウエハＷを静電吸着する静電チャック２１と、該静電チャック２１からウエハＷの裏面に向けて伝熱ガスを噴出する外周部伝熱ガス供給系２５を有し、裏面に負の電荷が蓄積され且つ表面に正の電荷が蓄積されているウエハＷを除電する際、まず、プラズマＰ中の電子によってウエハＷの表面の正の電荷を中和し、その後、外周部伝熱ガス供給系２５からウエハＷに向けてイオン化ガスを供給し、イオン化ガス中の陽イオンによってウエハＷの裏面の負の電荷を中和する。 （もっと読む）