本発明による大面積プラズマ処理装置は、複数の相互接続した基本共鳴メッシュ(M1,M2,M3)を有する少なくとも1つの平面アンテナを有する。各メッシュ(M1,M2,M3)は、少なくとも2つの導電性脚部(1,2)及び少なくとも2つのキャパシタ(5,6)を有する。高周波発生装置は、前記アンテナを該アンテナの共鳴周波数のうちの1つにまで励起する。処理チャンバは前記アンテナ(A)に近接して設けられる。前記アンテナ(A)は、明確に定められた空間構造を有する電磁場パターンを発生させる。これにより前記プラズマの励起を顕著に制御することが可能となる。
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【課題】形状性良くかつ高いエッチングレートで被エッチング膜をエッチングして高アスペクト比のホールを形成することができるプラズマエッチング方法を提供すること。
【解決手段】プラズマエッチングによりエッチング対象膜にホールを形成するにあたり、プラズマ生成用高周波電力印加ユニットをオンにして処理容器内にプラズマを生成し、かつ直流電源から負の直流電圧を上部電極に印加する第１条件と、プラズマ生成用高周波電力印加ユニットをオフにして処理容器内のプラズマを消滅させ、かつ直流電源から負の直流電圧を上部電極に印加する第２条件とを交互に繰り返し、第１条件によりプラズマ中の正イオンによりエッチングを進行させ、第２条件により負イオンを生成し、直流電圧により負イオンを前記ホール内に供給することによりホール内の正電荷を中和する。 （もっと読む）

【解決手段】透明基板上に位相シフト膜が形成され、更に位相シフト膜上に遮光膜が形成され、位相シフト膜及び遮光膜が各々ケイ素系材料層を有し、位相シフト膜のケイ素系材料層と遮光膜のケイ素系材料層とが互いに隣接し、位相シフト膜中のケイ素系材料層中の窒素及び酸素の合計の含有率と、遮光膜のケイ素系材料層中の窒素及び酸素の合計の含有率との差を有するフォトマスクブランクから、塩素系ガスと酸素ガスとの比率が設定された塩素系ドライエッチングにより、遮光膜のケイ素系材料層を選択エッチング除去する工程を含むフォトマスクの製造方法。
【効果】エッチングストッパー膜を用いなくとも、位相シフト膜と同種の材料であるケイ素系材料の遮光膜を、ケイ素系材料の位相シフト膜上に積層したものを用いても、位相シフト膜にダメージを与えることなく、遮光膜に対する高精度なエッチング加工が可能となる。 （もっと読む）

【課題】良好に任意の形状に加工することが可能なエッチング装置、エッチング方法及びプログラムを提供する。
【解決手段】エッチング装置８０は、イオンガン１１と、ＸＹステージ１２と、制御部１３と、ＰＣ１５と、測定装置８１とを備える。測定装置８１は、基板３１上の所定の測定点の厚みを測定する。予めイオンガン１１のエッチングレートの分布と、基板３１の被エッチング量の分布とに基づいて、エッチング中心の位置に応じて測定点における基板３１の厚みの中間目標厚みが設定される。各領域でエッチングを施した際、測定点の厚みが当該中間目標厚みからの許容範囲に入る場合、ＸＹステージ１２を駆動し、エッチングを終了させる。 （もっと読む）

【課題】処理容器内のクリーニング性能を確保しつつ、被処理体を載置する高周波電極に設けられる静電チャックのエロージョンを効率的に低減する。
【解決手段】真空排気可能な処理容器１０に上部電極３８と下部電極１２とが平行に配置され、下部電極１２には第１高周波電源３２より第１整合器３４を介して第１の高周波が印加される。制御部６８は、半導体ウエハＷの無い処理容器１０内で行われるプラズマクリーニングに際して、プラズマ生成に寄与する第１の高周波が、プラズマを生成させる第１の振幅を有する第１の期間と、プラズマを実質的に生成させない第２の振幅を有する第２の期間とを所定の周期で交互に繰り返すように、第１高周波電源３２を制御する。 （もっと読む）

【課題】顕微鏡付吸引型局所マイクロプラズマエッチング装置および局所マイクロプラズマエッチング方法を提供する。
【構成】試料台と、ガス導入部が設けられている真空容器と、キャピラリー管とＲＦマイクロ波発振用電極を具備したプラズマガンと、顕微鏡と、試料台を具備する試料ステージとを有する吸引型局所マイクロプラズマエッチング装置であって、前記試料ステージは真空容器内にあり、前記キャピラリー管の先端部は真空容器内に凸設され、後部端部は真空容器外に存在して排気装置が連結されており、前記顕微鏡鏡頭は真空容器内に凸設され、前記ガス導入部から真空容器内に導入されたプラズマ用反応性原料ガスをキャピラリー管の先端部から吸引するようにしたことを特徴とする顕微鏡付吸引型局所マイクロプラズマエッチング装置である。 （もっと読む）

基板から有機材料を除去するための基板工程のプラズマ灰化方法は、フォトレジスト、埋没したフォトレジスト、高分子及び／又は残留物を基板から選択的に除去するために基板にプラズマをさらす工程を一般的に含み、上記プラズマは酸素ガス及び窒素ガスからなる混合ガスのプラズマから算出される活性窒素及び活性酸素の比率よりも大きい活性窒素及び活性酸素の比率からなる。上記プラズマは基板酸化及びドーパント漂白を最小限にする及び／又は妨げるが、高い処理能力を示す。プラズマ装置についても同様に記載されている。
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【課題】プラズマ処理装置において、簡易な構造で確実にワークと金属製マスクを固定できるワーク保持治具を提供する。
【解決手段】処理チャンバと、プラズマ生成部と、ステージと、ワーク保持治具とで少なくとも構成され、プラズマ生成ガスを吸引しプラズマを処理基板上にダウンフローさせて基板を処理するプラズマ処理装置において、ワーク保持治具が、処理基板６０を所定の位置に保持すると共に磁気を生じさせるワーク保持台５０と、ワーク保持台に保持された処理基板上に載置固定される磁性体からなるメタルマスク８０とによって構成され、ワーク保持台が、ワーク保持台から延出する少なくとも一対の位置決めロッドを具備すると共に、処理基板及びメタルマスクには、所定の位置に位置決め用孔が形成され、処理基板及びメタルマスクを、位置決めロッドがそれぞれの位置決め用孔に貫通するようにワーク保持台に載置することにある。 （もっと読む）

【課題】良好に任意の形状に加工することが可能なエッチング装置、エッチング方法及びエッチングプログラム、並びに成膜装置を提供する。
【解決手段】エッチング装置３０は、イオンガン１１とＸＹステージ１２と制御部１３とＰＣ１５とを備える。予め測定されたエッチングが施される基板３１の厚みの分布から、升目状に区分された基板３１の各領域の被エッチング量を算出し、この被エッチング量に達するようにＰＣ１５は各領域におけるエッチング時間を判別する。このエッチング時間に負となる領域がある場合、当該領域にシャッタ４０を覆うことにより、エッチング時間に負となる領域での過剰なエッチングを防ぎ、基板３１を任意の形状に加工することができる。 （もっと読む）

【課題】表面処理装置のノズルを処理槽から分離可能とし、かつ、処理槽内のガスが処理槽の設置口の周縁部とノズルとの間を通って外部に漏れるのを防止する。
【解決手段】処理槽１０により、被処理物９の処理空間１９を囲む。ノズル２０を処理槽１０の設置口１３を介し処理空間１９に臨ませ、処理空間１９に処理ガスを供給する。ノズル２０を処理槽１０に対し分離可能又は移動可能にする。処理槽１０の設置口周縁部１４とノズル２０との間を環状のシール部材３０によって気密に塞ぐ。好ましくは、シール部材３０を、柔軟性及び伸縮性を有するシート状にし、設置口周縁部１４とノズル２０とで作る環状の空間１３ａに張り渡す。 （もっと読む）

【課題】被処理物を表面処理する処理槽から処理ガスが漏れるのを防止し、かつ処理空間での処理ガスの流れを安定化する。
【解決手段】被処理物９を搬送手段２０によって搬入開口１３から処理槽１０の内部に搬入し、処理空間１９に配置する。供給系３０から処理ガスを処理空間１９に供給し、被処理物９を表面処理する。その後、被処理物９を搬出開口１４から搬出する。排気系４０で処理槽１０の内部からガスを排出する。このガス排出によって外部のガスが開口１３，１４を通して処理槽１０の内部に流入する。この流入ガスの平均流速が、０．１ｍ／ｓｅｃ以上、かつ流入ガスが処理空間１９に達する大きさ未満になるよう設定する。 （もっと読む）

【課題】シリコンのエッチング加工において、マイクロトレンチの発生を防止し、更には垂直加工形状およびマスク選択比の向上をも図ること。
【解決手段】真空可能なチャンバ１０内に配置されたサセプタ１２上にシリコン基板Ｗを載置し、チャンバ１０内でエッチングガスを放電させてプラズマを生成し、サセプタ１２にイオンを引き込むための第１の高周波ＲＦ_Lを印加する。エッチングガスには、Ｃｌ₂ガスおよびＯ₂ガスを含む混合ガスを用いる。 （もっと読む）

【課題】取り外し可能なマスクを用いて基板上にパターン化された層を製造し得る装置及び方法を提供する。
【解決手段】マスクを基板上に直接形成する従来の技術と異なり、マスク１１０は基板１０５とは独立に形成される。使用中、マスク１１０は、例えば堆積、スパッタリング、エッチング等の処理のために基板１０５の一部分のみが露出されるように、基板１０５に接近して又は接触して設置される。処理が終了したら、マスク１１０は基板１０５から取り外され、廃棄されるか、別の基板１０５に使用される。マスク１１０は所定の数の基板１０５に対して循環使用された後に、洗浄又は廃棄のために取り外すことができる。 （もっと読む）

【課題】被処理物が大面積であっても品質にバラツキが生じ難く、且つ高速に凹凸加工を施すことができ、量産性及び低コスト化に優れた表面処理方法、及びそれに用いる表面処理用マスクを提供すること。また、当該表面処理方法により処理された基板を有する光学デバイスを提供すること。
【解決手段】被処理物の表面に凹凸を形成するための表面処理方法であって、第１粒子と第１粒子よりもエッチング耐性が低い第２粒子とを有する粒子群を含んで構成される表面処理用マスクを、被処理物表面に配置する工程と、表面処理用マスクが配置された被処理物の表面に対し、エッチング処理を施し、被処理物の表面に凹凸を形成するエッチング工程と、を有することを特徴とする表面処理方法である。また、当該表面処理方法に用いる表面処理用マスク、及び当該表面処理方法により得られる基板を有する光デバイスである。 （もっと読む）

【課題】長時間に渡って安定的に使用できると共に、製造コストを低減することが可能な基板処理装置及び薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】基板９を保持する導電性の基板ホルダ２０と、基板９にイオンビームを照射するイオンビーム源と、基板ホルダ２０をアースに接続するためのアース接続部１３と、アース接続部１３を基板ホルダ２０に対して接触又は非接触させるための駆動部１８とを具備する。そして、イオンビーム源から基板９にイオンビームを照射してエッチングしている間又はエッチングする直前に基板ホルダ２０にアース接続部１３を接触させることにより、基板ホルダ２０を接地する。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】大面積の処理対象物にイオンを均一に照射するための技術を提供する。
【解決手段】
イオン化室１１内で生成されたイオンは、第一〜第三の電極板１７〜１９に形成されたイオン通過路１２を通り、イオン化室１１から処理室３０に放出される。第一〜第三の電極板１７〜１９は中心が処理対象物３３の回転軸線２４から離間して配置され、イオン通過路１２は、回転軸線を通る直線で挟まれた中央領域に配置されており、略垂直に入射するイオンは、処理対象物３３のどの位置でも略等しい時間照射され、処理対象物３３表面に均一にイオンが照射される。 （もっと読む）

【課題】 グラフェンナノデバイスの製造を提供する。
【解決手段】 ナノスケールのグラフェン構造製造技術が提供される。マスクとして有用な酸化物ナノワイヤが、グラフェン層上に形成され、次にイオンビームエッチングが実施される。ナノスケールグラフェン構造は、イオンビームエッチング後、残った酸化物ナノワイヤを除去することにより製造される。 （もっと読む）

【課題】シャッタ駆動用ソレノイドを真空槽の中に配置した場合に、ソレノイドへのスパッタ粒子の付着を防止し、長期間にわたって安定した動作信頼性を得ることができる周波数調整装置のソレノイド被覆構造を提供する。
【解決手段】ソレノイド１２の本体部を第１カバー２０で覆い、シャフト１３を挿通穴２０ａに挿通させる。シャッタの開閉二位置において、シャフト１３と挿通穴２０ａとの隙間を塞ぎ、イオンビームでエッチングされて発生したスパッタ粒子が第１カバー１２の内側に侵入するのを防止する２枚の第２カバー２１ａ，２１ｂをシャフト１３に取り付ける。 （もっと読む）

【課題】プラズマ源とグランド電位またはグランド電位付近の電位を有する処理チャンバ各部（例えば、基板、壁など）との間に浮遊または寄生容量結合が実質的に生起しない高周波プラズマ処理方法を利用した製品の製造方法を提供する。
【解決手段】製品の製造方法は、基板を物質の組成物により処理する工程と、製品を完成させるために被処理基板を用いる工程とから成り、物質の少なくとも１つが、コイルを備えた螺旋共振器により供給される気相放電によって生起する種から生じ、周囲のシールド電位よりも大きい電位を有するコイル要素に対しプラズマの容量結合により流れる積分電流が、周囲のシールド電位未満の電位を有する他のコイル要素に対しプラズマの容量結合により流れる積分電流に実質的に等しいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ反応器内で制御可能な均一な誘導結合を可能にするプラズマ発生装置の提供。
【解決手段】二重のコイル結合システムは平行なアンテナ・エレメントを使用する。２つのコイル（コイル１およびコイル２）は対称的であり、コイルの各ループは半円と平行とのアンテナ・エレメントからなる。ＲＦは各コイル（平行軸により近い）の平行エレメントの中央に同時に供給され、コイルの他の端部は結合され、コンデンサＣ_Ｔを介して接地に終端される。 （もっと読む）