【課題】シリコン基板に異方性エッチングにより深さが大きい凹部を形成するための、簡便な方法およびプラズマエッチングシステムの使用方法を提供する。
【解決手段】反応性エッチングガスをエネルギー励起するためにプラズマを用いる。反応性エッチングガスは、連続的に流れるガスフローの成分である。凹部は、エッチング時に、上記ガスフローを中断することなく少なくとも５０マイクロメートルの深さに形成される。その結果、深さの大きい凹部を製造するための簡便な方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンサイズを必要以上に変動させることなく、レジストパターンのＬＷＲを改善できるレジストパターン改善化材料、レジストパターンの形成方法、及び半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】下記一般式（１）で表される化合物、及び下記一般式（２）で表される化合物の少なくともいずれかと、水とを少なくとも含有するレジストパターン改善化材料である。
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【課題】ＩＢＥにおいてイオンビームの斜め入射を行って基板上に凹凸構造を形成する際に、入射方向ごとに入射量が異なることによる影響を低減し、基板面内において、作製された素子間の特性のバラつきを低減させる。
【解決手段】基板がイオン引き出し用グリッド電極の斜向かいにある場合に、イオンビームエッチングによって形成される被処理面に平行であり且つ基板面に平行である第１の方向側に前記グリッド電極が位置する状態を第１の状態とし、該第１の方向と垂直であり且つ基板面に平行である第２の方向側に前記グリッド電極が位置する状態を第２の状態としたとき、前記第１の状態における基板の回転速度を前記第２の状態における基板の回転速度よりも速くする。 （もっと読む）

【課題】各高周波信号間で周波数干渉をなくすだけでなく、それらの各高周波信号に対して、ＩＣＰ電極用およびＦＳ電極用の各高周波電源とそれぞれに対応する各電極間で、容易にかつ短時間で正確にインピーダンス整合させることができ、プラズマの安定な着火を容易に実現し、プラズマ放電を確実に励起させることができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】自動整合処理のためのプリセット条件として、ＦＳ整合器ＦＭ１のＬｏａｄ用可変コンデンサＣＦＬ１を所定の容量値に固定することで複数ある整合点を一つにすることにより、ＩＣＰ電極ＩＤ１およびＦＳ電極ＦＤ１に対して入力パワー比と出力パワー比の比率を１：１に管理する。 （もっと読む）

【課題】シャッターの形状や導電性などシャッター装置の種類に関わらず、基板電位の変動を抑制し、ＥＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏsｔａｔｉｃ Ｄａｍａｇｅ）の発生を防ぐことができるイオンビームエッチング方法を提供する。
【解決手段】開閉移動するシャッター５を備えるイオンビームエッチング装置を用い、シャッター５が閉位置５ａから開位置５ｂに移動するとき、イオン源から放出されるイオンビームの量を一定にするとともに、中和器から放出される電子の量をシャッターの移動前と比べて一旦減量した後に増量することで基板電位の変動を抑制するイオンエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】固体表面上に存在するスクラッチやそれに類する表面粗さをガスクラスターイオンビームの照射によって低減すること。
【解決手段】固体表面に対してガスクラスターイオンビームを照射する照射過程を含むガスクラスターイオンビームによる固体表面の平坦化方法であるとし、この照射過程は、固体表面のうち少なくともガスクラスターイオンビームが照射されている領域（スポット）に、複数方向からクラスターをほぼ同時に衝突させる固体表面の平坦化方法とする。スポットに対する複数方向からのクラスター衝突は、複数のガスクラスターイオンビームを照射することによって行われる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置の処理チャンバのプラズマ発生領域においてｒｆ電磁界分布を発生するアンテナ装置を提供する。
【解決手段】プラズマ発生領域内に伸びる第１高周波電磁界を発生するｒｆ誘導性アンテナ２１０、および受動アンテナ２２０，２２２を備え、受動アンテナ２２０，２２２は誘導的にｒｆ誘導性アンテナ２１０に結合されることによって、第２高周波電磁界を生成するよう構成され、該第２高周波電磁界は、前記プラズマ発生領域における前記高周波電磁界の半径方向分布および方位角方向分布を変化させ、受動アンテナ２２０，２２２がないときと比較して処理装置の処理均一性を異ならせるように前記第１高周波電磁界を変更し、前記プラズマ発生領域における前記高周波電磁界分布は、ｒｆ誘導性アンテナ２１０に対して受動アンテナ２２０，２２２がないときとは異なる方位角対称性を有する。 （もっと読む）

【課題】凹凸構造の角部分の形状変形を防いで固体表面の加工を行う。
【解決手段】上部にクラスター保護層が被覆形成された凸部とクラスター保護層が被覆形成されない凹部とでなる凹凸構造を固体表面に形成するクラスター保護層形成工程と、クラスター保護層形成工程において凹凸構造が形成された固体表面に対してガスクラスターイオンビームを照射する照射工程と、クラスター保護層を除去する除去工程とを有するガスクラスターイオンビームによる固体表面の加工方法とする。ガスクラスターイオンビームのドーズ量をｎ、クラスター保護層のエッチング効率を１クラスターあたりのエッチング体積Ｙとした場合に（但しａ及びｂは定数）、クラスター保護層の厚さＴは、


を満たす。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理中に基板の縁部およびトレイに付着した副生成物の除去を行って、製品の品質を向上させる。
【解決手段】基板が収容される複数の基板収容孔が設けられ、この基板収容孔の内壁から突出する基板支持部を有するトレイを基板ステージのトレイ支持部上に載置するとともにそれぞれの基板保持部上に基板を載置して、基板保持部の端縁よりはみ出した基板の縁部と基板支持部とを離間させた状態とする基板載置工程と、チャンバ内を減圧するとともに処理ガスを供給して、それぞれの基板に対するプラズマ処理を行う第１プラズマ処理工程と、トレイおよびそれぞれの基板が基板ステージ上に載置された状態にて、チャンバ内を減圧するとともに処理ガスを供給してプラズマ処理を実施し、第１プラズマ処理工程の実施により基板の縁部と基板支持部とに付着した副生成物を除去する第２プラズマ処理工程とを実施する。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて処理の面内均一性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置及びその処理ガス供給構造を提供する。
【解決手段】
誘導結合プラズマを発生させて基板の処理を行うプラズマ処理装置であって、処理チャンバーの上部開口を覆うように設けられ誘電体窓を備えた上蓋と、上蓋に配設された複数のガス導入口と、処理チャンバー外の誘電体窓の上部に配設された高周波コイルと、誘電体窓の内側に位置するように前記上蓋に支持され、透孔を有する１枚の板体を具備し、板体と誘電体窓との間に設けられ端部が透孔の縁部に開口するとともにガス導入口と連通された複数の溝状のガス流路を介して、処理チャンバー内に複数の部位から水平方向に向けて処理ガスを供給するガス供給機構と、を具備している。 （もっと読む）

【課題】可能な限り従来の設備及び加工プロセスを継承してコストの上昇を抑制するも、Ｔａ含有の導電材料を難除去性の残留付着物を発生せしめることなく所望に加工し、容易且つ確実に信頼性の高い半導体装置を実現する。
【解決手段】半導体基板上に、Ｔａ含有層、ＴｉＮ層、及び多結晶シリコン膜等のドライエッチング可能な層を順次積層し、ＴｉＮ層をエッチングストッパーとして多結晶シリコン膜をドライエッチングして所定形状に残し、ＴｉＮ層及びＴａ含有層をＳＰＭ、ＡＰＭ等を用いてウェットエッチングして多結晶シリコン膜下で所定形状に残す。 （もっと読む）

【課題】誘導結合型のプラズマ処理装置において、高周波給電部（特に整合器）内のパワー損失を少なくして、プラズマ生成効率を向上させること。
【解決手段】この誘導結合型プラズマ処理装置は、同軸アンテナ群５４とトランス部６８との間で複数の独立した閉ループの二次回路９６，９８を形成し、可変コンデンサ６４，６６の静電容量を可変することにより、同軸アンテナ群５４の内側アンテナ５８および外側アンテナ６０でそれぞれ流れる二次電流Ｉ_2A，Ｉ_2Bを各々任意かつ独立に制御して、半導体ウエハＷ上のプラズマ密度分布を径方向で自在に制御できるようにしている。 （もっと読む）

【課題】基板表面のチャージアップダメージを抑制し、かつ、より高速度でレジストをアッシングすることが容易となる基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理室内にレジストが塗布された状態の基板を搬入し基板を載置する基板載置工程と、処理室内に水素含有ガス及び酸素含有ガスを含む第１の処理ガスを導入する処理ガス導入工程と、前記基板を、前記第１の処理ガスによりプラズマ処理する第１のプラズマ処理工程と、第１のプラズマ処理工程の後、水素含有ガスの供給を停止した第２の処理ガスの状態でプラズマ処理する第２のプラズマ処理工程と、処理室内から前記第１及び第２のプラズマ処理がなされた基板を搬出する基板搬出工程と、を備えるよう基板処理方法を構成する。 （もっと読む）

【課題】反転ＮＩＬ技術を使用した無機化合物膜のエッチング方法および半導体光素子の製造方法において、エッチングマスクのラインエッジラフネスを向上させる。
【解決手段】この方法は、基板生産物３０上に形成された絶縁膜２５上に樹脂層２７を形成したのち、所定パターンを有するモールドを樹脂層２７に押し付ける工程と、Ｓｉを含む樹脂層２８によって樹脂層２７を覆ったのち、ＣＦ_４ガス及び酸素ガスを用いたＲＩＥによって樹脂層２８をエッチングして樹脂層２７を露出させるエッチバック工程と、樹脂層２７を選択的にエッチングして絶縁膜２５を露出させる工程と、樹脂層２８をマスクとして絶縁膜２５をエッチングすることにより、所定パターンを絶縁膜２５に形成する工程とを含む。ＲＩＥは、自己バイアスを印加しながら行うことにより、エッチングにより生じるＳｉ生成物を除去しながら行われる。 （もっと読む）

【課題】高輝度化の半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、第１電極層と、第２電極層と、を備える。第１電極層は、第２半導体層の第１半導体層とは反対側に設けられ、第２半導体層と接する金属部と、第１半導体層から第２半導体層に向かう方向に沿って金属部を貫通し前記方向に沿って見たときの形状の円相当直径が１０ナノメートル以上５マイクロメートル以下である複数の開口部と、を有する。第２電極層は、第１半導体層と導通する。第２半導体層は、金属部に接する凸部と、開口部の底部において凸部よりも前記方向に沿って後退した凹部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】光電変換層への太陽光の入射効率の良好であり、光電変換効率の高い光電変換素子を製造可能な光電変換素子用シリコン基板を歩留まり良く製造する。
【解決手段】一導電型結晶シリコン基板１０の一主面１０ｓに、ドライエッチングに対して耐性を有し、且つ、平均粒径が０．０５μｍ〜０．３μｍである第１粒子と、第１粒子よりも耐性が低く、且つ、平均粒径が０．０５μｍ〜０．３μｍである第２粒子と、第１粒子よりも耐性が低い結着剤とを含む液状組成物を塗布成膜してマスク材を配する工程と、マスク材が配された主面１０ｓにドライエッチングにより太陽光の反射を抑制する凹凸構造１０ｔを形成する工程と、凹凸構造１０ｔに、水素ガスによるドライエッチング処理と、希フッ酸中に浸漬させる処理を順次実施する洗浄工程とを実施する。 （もっと読む）

【課題】異方的にエッチングされた銅膜に、簡単で実用的にＣｕバリア膜を形成できる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】Ｃｕバリア膜１００上に、銅膜１０１を形成する工程と、銅膜１０１上に、マスク材１０２を形成する工程と、マスク材１０２をマスクに用いて、銅膜１０１をＣｕバリア膜１００が露出するまで異方的にエッチングする工程と、マスク材１０２を除去した後、異方的にエッチングされた銅膜１０１上に、銅膜１０１に対して触媒作用があり、Ｃｕバリア膜１００には触媒作用がない選択析出現象を利用した無電解めっき法を用いて、銅の拡散を抑制する物質を含むめっき膜１０４を形成する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】銅を、異方的にエッチングすることが可能なエッチング方法を提供すること。
【解決手段】表面にマスク材１０２が形成された銅膜１０１の周囲を、有機化合物ガス２２雰囲気とする工程と、有機化合物ガス２２雰囲気中で、銅膜１０１に、マスク材１０２をマスクに用いて酸素イオン６を照射し、銅膜１０１を異方性エッチングする工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】サイドモード抑制の効果が大きく、均一性、再現性に優れる深さの異なる回折格子を含む半導体素子およびその作製方法を提供すること。
【解決手段】開口部幅の異なる複数の開口部を有するマスクを複数の組成の異なる層かなる半導体表面上に形成する。開口部幅が同じ開口部毎に、マスク端での水素プラズマ濃度が所定の濃度となる条件でエッチング（メタン／水素プラズマ照射）を行う。表面で凹凸を著しく増加させるようなエッチングとポリマーの生成が同時に起きるような水素プラズマ量の領域を避けるように、プラズマ条件（拡散距離または圧力）とマスク形状（開口部幅）を設定することにより、表面の凹凸を抑制して同一面内でエッチング深さが異なる形状を加工することができる。複数の組成の異なる層の内、エッチングされる層が開口部幅によって異なるようにエッチングする。 （もっと読む）

【課題】スループット良く、銅を、異方的にエッチングすることが可能なエッチング方法を提供すること。
【解決手段】 表面にマスク材１０２が形成された銅膜１０１に、マスク材１０２をマスクに用いて酸素イオン６を照射し、銅膜１０１内に、銅膜１０１の厚さ方向の全てに対して異方的に酸化された酸化銅１０３を形成する工程と、異方的に酸化された酸化銅１０３をエッチングする工程と、を具備する。 （もっと読む）