【課題】 本発明は、十分に微細化された薄膜パターンを形成することが可能なレジストパターンの形成方法及び薄膜パターンの形成方法を提供することを目的とする。さらに本発明は、十分に高密度化されたマイクロデバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板１の一面上に形成され、かつパターン化され、かつ酸を供給可能なレジスト層４においてその表面４ａを、フルオロカーボン１６を含むガス雰囲気下でプラズマ処理する工程と、プラズマ処理されたレジスト層の表面に酸の存在下で架橋する樹脂組成物を付着させる工程と、レジスト層からの酸の供給により、樹脂組成物のうちレジスト層に接する部分を架橋させ、レジスト層を被覆する架橋層を形成する工程と、樹脂組成物のうち架橋層以外の部分を除去し、レジスト層とこれを被覆する架橋層とを有するレジストパターンを得る工程とを備えるレジストパターンの形成方法。 （もっと読む）

一対のプラズマビーム源は、交流電源の両端に接続されて、基板上に材料を析出させるためのプラズマイオンビームを交互に生成する。各プラズマビーム源は、第１の幅を有する放電キャビティと、そこから外側に延びてイオンビームを放出するノズルを備える。ノズルの開口又は出口は第２の幅を有し、第２の幅は第１の幅よりも狭い。略互いに向き合う複数の磁石は、各放電キャビティに隣接して配置されて、放電キャビティ内に磁界ヌル領域を生成する。イオン化ガスは、各放電キャビティに注入される。交流電源は、各放電キャビティ内の電極に接続され、各プラズマビーム源は、交互に陽極又は陰極の役割をする。陰極としては、少なくとも１つのマグネトロン放電領域が、放電キャビティ内に維持される。動作においては、高密度の均一なプラズマビームが陰極源から放射し、イオンビームが陽極源から放射する。
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【課題】マスク等の多段階のプロセスを使用することなく基材の表面に１ナノメートルの微細な穴あけや幅２ナノメートルの溝掘り、また、これらを組み合わせた加工を行なうことができる加工方法とそのための装置を提供する。
【解決手段】基板４を収めた反応容器５の中に、真空ポンプ等で吸引６しながらハロゲン化合物の気体をハロゲン化合物供給ノズル１から供給し、基板の表面に高い加速電圧の電子線２を照射し、さらに基板に対して電子線の照射方向の磁場３をかけることによって電子線を細く絞り、ナノメートルオーダーの微細で精密な加工を行う。 （もっと読む）

【課題】長時間安定したプラズマを放出する。
【解決手段】電極ピン３８は、プラズマ発生ノズル３１から放出されるプラズマ中のイオンを取り込み、電流計９６１は、電極ピン３８により取り込まれたイオンのイオン電流値を測定し、センサ入力部９６に出力する。ＰＷＭ制御部９０１は、センサ入力部９６から出力されたイオン電流値が、目標イオン範囲に属するように、マイクロ波出力制御部９１にＰＷＭ信号を生成させ、マイクロ波のパワーを調整する。 （もっと読む）

【課題】良好に任意の形状に加工することが可能なエッチング装置、エッチング方法及びプログラムを提供する。
【解決手段】エッチング装置１０は、イオンガン１１とＸＹステージ１２と制御部１３とＰＣ１５とを備える。予め測定されたエッチングが施される基板２１の厚みの分布から、升目状に区分された基板２１の各領域の被エッチング総量を算出し、この被エッチング総量に達するようにＰＣ１５は各領域におけるエッチング時間を判別する。制御部１３は、このＰＣ１５によって判別されたエッチング時間に基づき、ＸＹステージ１２及びイオンガン１１を制御する。イオンガン１１とＸＹステージ１２との間にはマスク等の遮蔽物が設けられていないためエッチング可能領域を遮ることがなく、良好に任意の形状に加工することができる。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンの形状を損なうことなく不必要なレジストの現像残渣を除去することを可能とする、パターン付ガラス基板の製造方法及び装置を提供すること。
【解決手段】ガラス基板の表面にレジストパターンを形成する工程、前記レジストパターンの表面を電気的に正極性に帯電する工程、及び前記ガラス基板及びレジストパターンの表面にガスクラスターイオンビームを照射して、前記レジストパターンの現像残渣を除去する工程を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板への異物の付着を防止すると共に基板に付着している異物を除去することができ、歩留まりを大幅に向上することができる基板加工装置及び基板加工方法を提供する。
【解決手段】複数のノズル２３が設けられたノズル部２４を有すると共にノズル２３から不活性ガスを正又は負に帯電させた状態で噴射するガス噴射手段２０を設け、このノズル部２４を、ノズル２３が基板保持手段９に保持された基板１００に対向し且つ基板１００に隣接して配置可能に真空処理チャンバ２内に設ける。 （もっと読む）

【課題】イオンビームによる基板加工時にホルダからの塵の発生を防止することができる基板保持装置及び、ホルダからの発塵を防止して歩留まりを向上した基板加工装置を提供する。
【解決手段】基板１００が載置されるステージ１４と、ステージ１４上に載置された基板１００の周縁部に当接して基板１００をステージ１４との間に挟持可能に設けられた爪部１５を有するホルダ１６とを有し、ホルダ１６の爪部１５の少なくとも先端部に、爪部１５の母材よりもイオンビームによって加工され難い材料からなる剛体部２１を設ける。 （もっと読む）

【課題】半導体基板のエッチングレートを大きくし、マスク形成を容易にし、合わせ精度の低下を防止し、エッチング後のマスクの除去を容易にする。
【解決手段】半導体基板１の表面上に集積回路を作製したのち、厚さ０．５μｍのＳｉＯ_２膜２、厚さ０．５μｍのＮｉ膜３を堆積し、つぎに径が３０〜１００μｍで断面形状が円形の孔を有するパターニングされたレジスト４を形成し、つぎにレジスト４をマスクにしてＮｉ膜３を選択的にエッチングし、つづいてＳｉＯ_２膜２を選択的にエッチングしたのち、レジスト４を除去し、つぎにＳｉＯ_２膜２およびＮｉ膜３をマスクとして、エッチングガスとして塩素系ガスを用いたドライエッチングにより、半導体基板１を選択的にエッチングして、半導体基板１にビアホールを形成する。 （もっと読む）

【課題】新規なエッチング深さ推定方法、特に、従来法より精度の高いエッチング深さ推定方法および、このエッチング深さ推定方法を使用した、深さ方向における元素濃度分布評価方法を提供する。
【解決手段】イオンビーム照射によるスパッタエッチングのスパッタリング時間またはドーズ量とそのときのエッチング深さとの二以上の組から、エッチング深さとスパッタリング時間またはドーズ量との比としてのエッチングレートを求め、このエッチングレートから任意のスパッタリング時間またはドーズ量におけるエッチング深さを決めるエッチング深さ推定方法において、あるスパッタリング時間またはドーズ量におけるエッチング深さを定数として扱い、その後のスパッタリング時間またはドーズ量について、前記エッチングレートを求める。 （もっと読む）

【課題】誘導電流が形成されるのを防止するトロイダル・プラズマ・チャンバを提供する。
【解決手段】トロイダル低電場プラズマソースとともに用いられ得る金属製プラズマチャンバ１００は、第１の誘電体領域１０８および第２の誘電体領域１１０を含む。誘電体領域１０８および１１０は、プラズマチャンバ１００を、第１の領域１１２および第２の領域１１４に電気的に分離する。第１の領域１１２および第２の領域１１４の各々は、高度真空シールにより誘電体領域１０８、１１０に接続されることにより、プラズマチャンバ１００を形成している。誘電体領域１０８、１１０は、プラズマチャンバ１００の組み合わせ面１１６を分離する誘電体スペーサを有してなっていてもよい。 （もっと読む）

【課題】露光装置の解像限界に依存せずに、微小なパターン幅を有する薄膜パターンを高精度に形成することが可能な薄膜パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】アンダーカット部を有するマスクパターンを使用して薄膜を選択的にエッチングすることによりプレ薄膜パターン（上面２Ａ，側面２Ｂ）を形成し、引き続きプレ薄膜パターンの上面２Ａおよび側面２Ｂを覆うようにエッチング保護膜を形成したのち、そのエッチング保護膜をマスクとしてプレ薄膜パターンを選択的にエッチングすることにより薄膜パターン７（側面２Ｃ）を形成する。２段階のエッチング工程を経て形成される２つの側面２Ｂ，２Ｃに基づいて薄膜パターン７のパターン幅が決定される。しかも、上面２Ａの幅および側面２Ｂ，２Ｃの傾斜角度に基づいて薄膜パターン７のパターン幅が高精度に制御される。 （もっと読む）

【課題】ミリングレートのモニタリングが常時可能であり、安定した加工を行うことができると共に、ミリング加工の進度の正確な検出が可能であって所望のミリングレートで加工を終了できるイオンミリング装置を提供する。
【解決手段】被加工物５を自公転させながらミリング加工を行うイオンミリング装置１であって、振動子３８と、振動子の振動周波数を検出する周波数検出部４２と、振動周波数変化量をミリング加工量に換算する加工量換算部４３と、換算されたミリング加工量が設定値に達した場合に加工停止させる加工制御部４１とを備え、振動子の配置位置を、ホルダ部材３１の被加工物配置面中心からビームライン全長の５〜５０％相当の距離だけイオンビーム源２側に離隔し、且つ、公転外周円半径の４０〜１００％に相当する距離をビーム直交軸Ｙへの投影距離だけビーム照射軸Ｘの中心から離隔した位置に設定する。 （もっと読む）

【課題】エッングガスの過剰な解離を抑制することで良好なエッチング処理を実現する。
【解決手段】ドライエッチング装置１は、基板２と対向する前記真空容器の上部開口に配置され、その上面７ｇに誘電体板８を支持する梁状スペーサ７を備える。梁状スペーサ７は、円環状の外周部７ａ、平面視で外周部７ａによって囲まれた領域の中央に位置する中央部７ｂと、及び中央部７ｂから外周部７ａまで放射状に延びる複数の梁部７ｃを備える。キャリアガス供給源１９から供給されたキャリアガスが外周部７ａに形成された第１ガス導入口３１から斜め下向きに噴出される。エッチングガス供給源２０から供給されたエッチングガスが中央部７ｂに形成された第２ガス導入口３４から下向きに噴出される。 （もっと読む）

【課題】集束イオンビームを用いた欠陥部位を含むマイクロサンプリング摘出等の加工において、高速に安定して加工を行い、スループットを向上する。
【解決手段】加工を開始する前に、加工点でのビーム直径を計測し、ビーム径とビーム走査間隔とがほぼ一致するように加工条件を決める。サンプルプローブを欠陥部に可能な限り接近させて、プローブ移動時間を短縮し、マイクロサンプル切り出し時間を短縮化する為に、パターン部で発生した計測異常値を検出し、除去することで計測精度を上げる。更に、ガスアシスト処理を行っている間、試料室内の真空度を監視し、異常時にガスノズル、ガス源の温度を上昇させ、所定の圧力値まで制御を行うようにした。 （もっと読む）

【課題】 半導体結晶成長処理されるべき基板を保持する基板ホルダが、大気に曝されることを防止し、基板ホルダに付着する堆積物を除去することによって、基板ホルダおよび堆積物が半導体結晶を成長させる際の酸素汚染源となることを防止し、特性に優れた半導体結晶を得る。
【解決手段】 半導体結晶の成長が完了した基板２７の取外された基板ホルダ２８が、基板導入室２２の所定位置から取出されるとき、半導体結晶成長の過程において基板ホルダ２８に付着した堆積物を基板ホルダ処理室２６で除去するとき、および堆積物が除去された基板ホルダ２８を基板導入室２２の所定位置にセッティングするとき、のいずれのときにおいても、基板ホルダ２８は、不活性ガス雰囲気または真空雰囲気中で取り扱われる。 （もっと読む）

【課題】短時間でのドライエッチング作業を可能とし、しかも、許容誤差に関する厳格な要求にも十分応えることができるようにする。
【解決手段】ドライエッチング手段１を用意する。被エッチング材料５を、ドライエッチング手段１によってエッチングされるように配置する。水晶振動子２を、被エッチング材料５と同一条件でドライエッチング手段１によってエッチングされるように配置する。膜厚制御装置３を水晶振動子２に接続する。ドライエッチング手段１によって被エッチング材料５および水晶振動子２をエッチングする。エッチング作業中に膜厚制御装置３によって水晶振動子２の振動数をモニタリングし、振動数の変化に基づいて、水晶振動子２から除去された重量を求める。除去された重量を被エッチング材料５から減じられた厚みに換算し、その換算された値が所定値に達したときにドライエッチング手段１によるエッチング作用を停止する。 （もっと読む）

【課題】本発明はプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】本発明のプラズマ処理方法によれば、一つの工程チャンバに互いに異なっている種類の複数のプラズマソースを提供し、工程進行の時、用いられるプラズマソースを変化させて工程を進行する。本発明によれば、プラズマソースの種類を工程変数として使用することができるので、工程効率をさらに向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 構造が簡単で、処理対象である絶縁膜の絶縁破壊が減少する基板処理装置が提供される。
【解決手段】 処理される基板が載置される基板載置部と；前記基板載置部の上部に順次に備えられている第１プラズマ空間及び第２プラズマ空間と；前記第１プラズマ空間と前記第２プラズマ空間との間に位置し、前記第２プラズマ空間で生成されたプラズマの陽イオンと電子のうちのいずれか一つを選択的に抽出する第１抽出電極と; 前記第１プラズマ空間と前記基板載置部との間に位置し、前記第１プラズマ空間のプラズマから陽イオンと電子を抽出する第２抽出電極と；前記基板載置部、前記第１プラズマ空間及び前記第２プラズマ空間を収容する真空チャンバーとを含む。 （もっと読む）

【課題】 スキマーとイオン化器との間の異常放電を容易に防止することができるガスクラスターイオンビーム装置を提供する。
【解決手段】 ガスクラスターイオンビーム装置は、ノズル１からガスを導入させてガスクラスターを生成させるクラスター生成室２と、隔壁１８によってクラスター生成室２から分離され、ガスクラスターが隔壁１８に設けられたスキマー４を通して供給されるプロセス室１５とを有している。プロセス室１５には、プロセス室１５内に導入されたガスクラスターをイオン化するイオン化器５と、イオン化器５でイオン化されたガスクラスターを加速させてガスクラスターを被処理物である基板８に照射させる電極群７とが備えられている。ノズル１とスキマー４を接地電位にし、スキマー４とイオン化器５との電位差をクラスターイオンの基板８への照射エネルギーより小さくしてある。 （もっと読む）