【課題】３次元構造をもつ加工対象物の各面にガスクラスターイオンビームを照射することができ、かつ各加工対象面の照射位置におけるビーム電流値やビーム電流分布をプロセス中にも計測可能なコンパクトなステージ構造を有する加工装置を提供する。
【解決手段】ガスクラスターイオンビームに対する加工対象物の位置・角度を並進方向３自由度、回転方向３自由度の計６自由度で制御可能なパラレルリンク２０を具備し、パラレルリンク２０の可動テーブルの、加工対象物が搭載される上面側と反対の下面にビーム検出器を設置し、可動テーブルを上下反転可能とする。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド基板エッチング表面の損傷欠陥を回復し、エッチングガスやさらには酸素やガリウム等の除去を行う方法、それにより得られる欠陥回復ダイヤモンド基板を提供する。
【解決手段】
ダイヤモンド基板表面にエッチング処理が施されたダイヤモンド基板であって、結晶構造(100)、 (111)又は(110)のいずれかの面方位、これら面方位の組合わさった結晶のダイヤモンド基板表面、若しくは結晶面方位がランダムで複数面方位を有するチップ状、針状、ドーム状、半球状、球状、柱状、多面体、三角錐、円錐構造から選ばれる形状のダイヤモンド基板表面を真空中で熱処理を行う工程と、酸素を含む化学薬品溶液による煮沸、又は、酸素プラズマに曝す、又は、酸素を含む気体に曝した後、真空中で熱処理する工程を含むことを特徴とするダイヤモンド基板の表面処理方法及びそれにより得られる欠陥回復ダイヤモンド基板。 （もっと読む）

【課題】プラズマチャンバーに絶縁領域を具備せずにプラズマチャンバーを堅固かつ簡便に構成することができ、エネルギーの伝達効率を高めて大容量のプラズマを安定的に発生することができる内蔵変圧器を有するプラズマ反応器を提供する。
【解決手段】ガス入口４１２とガス出口４１４を有してプラズマ放電空間を提供するプラズマチャンバー４００と、上記プラズマ放電空間でコア保存空間４２７を提供し、貫通口４２４を具備してプラズマ集中４５０及び非集中チャンネル４５２を形成するコアシリンダジャケット４２０と、一次巻線を有して貫通口４２４を覆うようにコア保存空間４２７に設置されるマグネチックコア４３２を具備する変圧器４３０を含み、上記プラズマ放電空間は、プラズマ集中チャンネル４５０を形成するための第1空間領域４４０と、プラズマ非集中チャンネル４５２を形成するための第2空間領域４４６を含む。 （もっと読む）

チャンバ外圧とは異なるチャンバ内圧を保持することができる内部を有する処理チャンバを含むことのできる基板処理システムが記載される。このシステムは、処理チャンバの内部の外側でプラズマを生成するように動作可能な遠隔プラズマシステムも含むことができる。さらに、このシステムは、遠隔プラズマシステムから処理チャンバの内部に第１のプロセスガスを輸送するように動作可能な第１のプロセスガス流路、および遠隔プラズマシステムによって処理されない第２のプロセスガスを輸送するように動作可能な第２のプロセスガス流路を含むことができる。第２のプロセスガス流路は、処理チャンバの内部に通じ、第１のプロセスガス流路によって少なくとも部分的に取り囲まれた遠位端を有する。
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【課題】モノマーイオンの影響を最小にして表面粗さを低減し、かつ照射エリア内を均一に平坦化する。
【解決手段】ガスクラスターイオンビームを用い、固体表面を平坦に加工する方法において、ガスクラスターイオンビームの照射過程の少なくとも一部の期間において固体表面の法線とガスクラスターイオンビームとがなす照射角度を７０度より大きくし、かつモノマーイオンを分離せずにガスクラスターイオンビームをレンズ機構によってフォーカスさせて照射する。 （もっと読む）

【課題】 反りがある被処理部材を固定した場合でも、被処理部材に反り力が生じない状態で被処理部材を保持面に均一に当接させる。
【解決手段】 ウエハ１３の反りに応じた曲率のウエハステージ２１に吸引手段によりウエハ１３を吸引させ、反り力を生じさせることなくウエハ１３をウエハステージ２１の上面に保持させ、保持面に対してウエハ１３を均一に当接させる。また、ウエハ１３の反りに応じた傾斜面２９を有するホルダ２６により、ウエハ１３の周縁部に対して面方向の相対移動がない状態でウエハ１３をウエハステージ２１に固定する。 （もっと読む）

【課題】処理チャンバのメンテナンスを簡単且つ短時間で行うことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、処理チャンバ１１と、シリコン基板Ｋが載置される基台１５と、処理ガスを処理チャンバ１１内に供給するガス供給装置２３と、コイル２６と、コイル用高周波電源２７と、処理チャンバ１１の環状部材１３ａを加熱する加熱装置３０とを備える。加熱装置３０は、環状部材１３ａの外側に２重構造に配置された環状のシート体３１及び支持体３２と、シート体３１に埋め込まれた発熱体と、圧縮空気供給装置３３とから構成される。シート体３１は、耐熱ゴムから構成されており、内周面が環状部材１３ａの外周面と間隔を隔てるように支持体３２の内側に配置され、支持体３２との間に気密空間が形成されるように支持体３２の内周面に上部及び下部が固着される。圧縮空気供給装置３３は、気密空間内に圧縮空気を供給する。 （もっと読む）

【課題】処理チャンバを効率的にメンテナンスすることができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、下部チャンバ１２及び上部チャンバ１３を有する処理チャンバ１１と、シリコン基板Ｋが載置される基台２０と、処理ガス供給装置２７と、コイル３２と、コイル用高周波電源３３と、貫通穴４１ａを有し、昇降自在に設けられる昇降板４１と、昇降板４１を支持して昇降させる昇降機構４２と、上部チャンバ１３を固定するための固定機構４６とを備える。固定機構４６は、固定板４７と、固定板４７により天板１６と昇降板４１とを連結，固定するための固定板４７及び第１固定ボルト４８，４９と、保持部材３２の鍔部３２ｂと環状板１４とを固定するための第２固定ボルト５０と、環状板１４と下部チャンバ１２の側壁１２ａとを固定するための第３固定ボルト５１とからなる。 （もっと読む）

【課題】酸化イットリウム材料の加工性を高めると共に、耐摩耗性を高める。
【解決手段】静電チャック２０は、破壊靱性をＫ_IC（ＭＰａ・ｍ^1/2）、加重９．８Ｎにおけるビッカース硬度をＨｖ（ＧＰａ）とすると、ビッカース硬度Ｈｖが１０ＧＰａ以上であり、Ｋ_IC／Ｈｖが０．１５以上である好適範囲にある酸化イットリウム材料により構成されている。この酸化イットリウム材料は、酸化イットリウムを母材としての第１相とすると、第１相以外の第２相が５体積％以上２０体積％以下で含有していることが好ましい。この第２相は、加重９．８Ｎにおけるビッカース硬度Ｈｖが１２ＧＰａ以上を示す化合物、例えば、窒化物又は炭化物としてもよい。あるいは、この第２相は、酸化イットリウムに対して５ｍｏｌ％以上に固溶限が存在する酸化物又は該酸化物と酸化イットリウムとの化合物、例えば希土類酸化物などとしてもよい。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜をアッシングにより除去する際に、イオン注入による変質層のポッピングを防止できるとともに、半導体基板の酸化や掘れを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】表面に変質層が形成されたレジスト膜を有する半導体基板を、処理チャンバ内に搬入するステップと、半導体基板を加熱するとともに、処理チャンバ内に不活性ガスを導入して処理チャンバ内の圧力を上げるステップと、次いで、処理チャンバ内に酸素ガスを導入し、酸素ガスのプラズマによってレジスト膜をアッシングするステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】誘導電流が形成されるのを防止するトロイダル・プラズマ・チャンバを提供する。
【解決手段】トロイダル低電場プラズマソースとともに用いられ得る金属製プラズマチャンバ１００は、第１の誘電体領域１０８および第２の誘電体領域１１０を含む。誘電体領域１０８および１１０は、プラズマチャンバ１００を、第１の領域１１２および第２の領域１１４に電気的に分離する。第１の領域１１２および第２の領域１１４の各々は、高度真空シールにより誘電体領域１０８、１１０に接続されることにより、プラズマチャンバ１００を形成している。誘電体領域１０８、１１０は、プラズマチャンバ１００の組み合わせ面１１６を分離する誘電体スペーサを有してなっていてもよい。 （もっと読む）

【課題】露出した面に形成された凹部側壁の凹凸を低減して、凹部の側壁の表面荒れが原因の半導体装置の特性劣化を防ぐ。
【解決手段】露出した面に凹部１０４が形成された基板（１００）表面側から、基板の表面に対して斜めの方向からガスクラスタイオンビーム２００を照射することにより凹部１０４の側壁にガスクラスタイオンビーム２００を照射する。 （もっと読む）

【課題】サブトレンチの形成による半導体装置の特性の低下を容易に抑止することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体の表面の一部を反応性イオンエッチングにより除去することによって半導体に溝を形成する反応性イオンエッチング工程と、溝の底面に対して０°より大きく４５°以下の角度に傾斜した方向からイオンビームを照射することによって溝の底面の一部を除去する低角度イオンミリング工程とを含む半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】サイドエッチングおよびオーバーエッチングの双方を抑制することができる金属パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】基板１上に金属膜２が堆積される。金属膜２上に金属膜２の一部を覆うマスク３が形成される。異方性エッチングにより金属膜２のマスク３から露出された部分を厚み方向に部分的にエッチングすることで、金属膜２に異方性エッチングにともなう再付着膜４に覆われた側壁が形成される。側壁を有する金属膜２ｍのマスク３から露出された部分と再付着膜４とを基板１の材質のエッチング速度よりも金属膜２ｍの材質のエッチング速度が大きくなるようなエッチング条件で等方性エッチングによりエッチングすることで、金属パターン２ｐが形成される。 （もっと読む）

【課題】安定したイオンビームを照射可能なイオンビーム処理装置及びイオンビーム処理方法の提供。
【解決手段】イオンビーム照射前の準備工程において、イオン源及び処理室に原料ガスを供給し（Ｓ１１）、待機室を真空排気し（Ｓ１２）、電子中和器によって処理室内に電子が放出される（Ｓ１３）。そして、コイルに電圧が印加され（Ｓ１４）、放電容器内にプラズマが生成される。放電容器内にプラズマを生成された状態で、スクリーングリッド及び加速グリッドに０Ｖ、減速グリッドにプラスの電圧を印加する（Ｓ１５）。このとき、電子中和器３２から放出された電子は減速グリッドに引寄せられ衝突し、減速グリッドを加熱する。一方、スクリーングリッドは、放電容器内のプラズマ中の電子が衝突し加熱されている。よって、イオンビーム照射前に、予めスクリーングリッド及び減速グリッドを加熱しておくことができる。 （もっと読む）

【課題】基板であるウエハに対して面内均一性の高いプラズマ処理を行うことができる技術を提供する。
【解決手段】上部側が開口する気密な処理容器２の開口部２０を塞ぐように、誘電体材料により構成された天板５を設け、この天板５を介して前記処理容器２内部にマイクロ波を供給する。前記天板５の下面に、対向する側周面同士の間隔が上に向かって狭くなるような環状の凹部７を周方向に沿って形成し、この凹部７の外縁は、前記天板５の中心よりも外縁に近くなるように位置させる。このような天板５では、前記凹部７内にプラズマが閉じ込められるので、天板５直下では、中央よりも外縁に寄った位置の電子密度が高いプラズマが形成されるが、プラズマは外縁側から外方に拡散しながら降下していくので、ウエハＷに到達するときにはプラズマの電子密度が面内において揃えられた状態になる。 （もっと読む）

【課題】被処理基板中の構造体に熱ストレスが加わり難いドライクリーニング方法を提供すること。
【解決手段】 酸化銅、及び有機汚染物質の少なくともいずれか一方が基板表面に形成、もしくは付着した被処理基板をチャンバ内に設置する工程（ステップ１）と、チャンバ内の雰囲気を有機化合物ガス雰囲気として被処理基板の基板表面にガスクラスターイオンビームを照射し、基板表面に形成、もしくは付着した酸化銅、及び有機汚染物質の少なくともいずれか一方を除去する工程（ステップ２）とを具備する。 （もっと読む）

【課題】異常放電の発生を抑えることができ、パーティクルの発生を低減することができるコスト安価なプラズマ処理装置、及びこれを用いた半導体製造装置、並びに板状の製品の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバーを有し、チャンバーの内部に導入したガスのプラズマを発生させて、チャンバーの内部に設置された半導体ウェハ（被処理物）に対して、プラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、チャンバーの上方及び外周外方にそれぞれ設けられた上部部材２及び側壁部材３の接合部の形状を、曲率中心がチャンバーの内部に設定された湾曲状に形成した。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の裏面端部や側面に付着した膜（汚染物質）を除去することを可能にする汚染物質除去方法等を提供する。
【解決手段】本発明の汚染物質除去方法は、表面に薄膜が形成された被処理基板７の裏面縁部及び側面に対して、真空中において、指向性を有するビームを照射することを含む。 （もっと読む）

処理プロセスにおいて加工物を処理するための装置及び方法が記載されている。多数ウェハ用チャンバは、チャンバ内部に少なくとも２つの加工ステーションを有するチャンバ内部を形成しており、加工ステーションはチャンバ内部を共有している。各加工ステーションは、プラズマ源と、加工物の１つを個々のプラズマ源を用いる処理プロセスに曝すための加工物台座とを有する。チャンバは、各加工物の主面に処理プロセスの所定の均一性のレベルを生ぜしめるように、各加工ステーションにおける加工物の周囲に非対称に配置された１つ又は２つ以上の導電性の面を有する。シールド配列は、シールド配列が存在しない場合に提供される所定の均一性のレベルよりも高い、個々のプラズマ源への加工物の露出の向上した均一性を提供する。
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