【課題】レーザを用いて被処理物に対するより効果的な処理が可能となるレーザ処理装置及び方法を提供することである。
【解決手段】液体の存在のもとで被処理物１００の表面にレーザビームを照射して当該被処理物を処理するレーザ処理装置であって、気体供給機構３４と、液体に前記気体供給機構からの気体を加えて気体含有液を生成する気体含有液生成機構３６、３８、３９と、処理槽１１内において、少なくとも被処理物１００の処理すべき部位を前記気体含有液生成機構からの気体含有液が満たされた状態を形成する処理状態形成機構１５ｃとを有し、前記気体含有液が満たされた状態の被処理物１００の表面の処理すべき部位に前記レーザビームを照射する構成となる。 （もっと読む）

【課題】構造部の断面をミル処理する際の、局部的な形状変化を制御する改良された方法であって、測定精度を向上させるため、記録ヘッドの断面での局部的な形状変化を抑制する際に使用される方法である。
【解決手段】局部的な形状変化は、大きな入射角において、その入射角における構造部のミル処理速度とほぼ等しいミル処理速度を有する材料からなる保護層によって抑制される。大きな入射角において、その入射角における構造部のミル処理速度とは異なるミル処理速度を有する材料を含む保護層を用いて、局部的な形状変化を意図的に導入することも可能である。 （もっと読む）

【課題】従来のクラスタビーム法ではエッチングできなかった金属膜を酸化ガスと錯化ガスと希ガスとを用いたクラスタビームによりエッチング加工することが可能な金属膜の加工方法を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗの表面に形成された金属膜７２をガスクラスタビームにより加工する金属膜の加工方法において、金属膜の元素を酸化して酸化物を形成する酸化ガスと酸化物と反応して有機金属錯体を形成する錯化ガスと希ガスとの混合ガスを断熱膨張させてガスクラスタビームを形成し、ガスクラスタビームを被処理体の金属膜に衝突させることにより金属膜をエッチング加工する。 （もっと読む）

【課題】基板の処理に好適なプラズマ源を提供すること。
【解決手段】基板を処理するための直線形状のプラズマ源であって、 内部にマグネトロンプラズマが生成される放電キャビティであるとともに、内面上に配置されたカソード電極（１６）上にマグネトロンプラズマが生成され、アノード電極が放電キャビティの外部に配置されている、放電キャビティと；放電キャビティの外部に配置された複数の磁石（１，２）であるとともに、放電キャビティ内に無磁界ポイントを形成する、複数の磁石と；を具備し、処理の一様性が、プラズマに対して基板を移動させることにより、あるいは、基板に対してプラズマを移動させることにより、得られている。 （もっと読む）

【課題】固体表面に存在する数１０ｎｍ〜１００μｍ程度の周期の表面粗さをガスクラスターイオンビームの照射によって低減する。
【解決手段】固体表面の法線とガスクラスターイオンビームとがなす角度を照射角度とし、固体とこの固体に衝突したクラスターとが相互作用する距離が飛躍的な増大に転じる照射角度を臨界角として、予め固体表面の形状データを取得する過程と、臨界角以上の照射角度で固体表面に対して、形状データに含まれる８００ｎｍ以上１．１μｍ以下の範囲の周期をもつ表面の凹凸のうねりの方向と照射方向とを一致させてガスクラスターイオンビームを照射する照射過程とを有する固体表面の平坦化方法とする。この臨界角は７０°である。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム誘起付着、イオンビーム誘起付着およびレーザビーム誘起付着中に汚染物を除去する、または酸化可能な材料の付着またはエッチング中の酸化をリアルタイムで抑制する方法を提供する。
【解決手段】加工物にビームを照射すると同時に、付着前駆体ガスまたはエッチング前駆体ガスを、純化化合物およびキャリヤ・ガス（任意選択）とともに、または、予め混合してから、処理室内へ噴射する。ビームは、ビームを照射した領域にだけ膜を付着させ、または、ビームを照射した領域の膜だけをエッチングする。純化化合物は炭素などの不純物を、膜成長中に除去し、あるいは、エッチングされた材料の酸化を抑制する。付着前駆体ガスまたはエッチング前駆体ガスと膜純化化合物との同時注入または噴射前の予混合によって、成長／エッチング速度および達成可能な材料純度に関して、付着プロセスまたはエッチング・プロセスを最適化する。 （もっと読む）

【課題】加工速度の向上を図る。
【解決手段】レンズで集束されるガスクラスターイオンビームを用いて固体表面を加工する方法において、ガスクラスターイオンビームの、照射軸に垂直な面内方向の電流密度分布の、照射軸方向の座標に対する変化のデータを実測によって取得し、その電流密度分布のデータから定められるガスクラスターイオンビームの焦点距離よりも短い照射軸方向の範囲において取得した加工対象領域の面積毎のエッチング加工速度の、照射軸方向の座標に対する変化のデータに基づいて、加工対象の固体表面を設置する照射軸方向の座標を、加工対象領域の面積毎に決定する。 （もっと読む）

プラズマ処理装置は、処理チャンバと、処理チャンバ内に設けられて、処理対象物を支持するプラテンと、処理対象物の前面に隣接するプラズマシースを有する処理チャンバにプラズマを生成させるソースと、絶縁変更器とを含む。絶縁変更器は、間隙平面がシースに最も近く間隙に近接した絶縁変更器の各部分により画定されており、間隙角度が、間隙平面と、プラズマに対向する処理対象物の前面が画定する処理対象物平面との間の角度である間隙を有する。さらに、処理対象物にイオンを衝突させる方法が開示され、本方法においては、イオンの処理対象物に対する入射角度の範囲には、中央角度と角度分布とが含まれ、絶縁変更器が形成する中央角度は処理対象物平面に垂直ではない。 （もっと読む）

【課題】集束イオンビームによりエッチングする際に精度良くエッチング深さを制御する。
【解決手段】ステージ１２に電気的に導通させて固定した試料２を集束イオンビームによりエッチングする際に、グランドとステージ１２の間に設置した微小電流計１３によりエッチング電流を測定する。これにより、測定した電流の大きさ、変化に基づいて試料２の層毎の違いを検出できる。その結果、任意の深さでエッチングを止めて、エッチング深さを制御することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】高い形状精度を要求される光学素子の加工において、形状修正加工と平滑化加工のための加工時間を短縮する。
【解決手段】複数の荷電粒子ビームを被加工物表面１００に対して同一の相対運動で同時に照射し、被加工物表面１００の加工を行う。同一の相対運動をする複数の荷電粒子ビームのうちの第１の荷電粒子ビームは、ラスター走査軌跡１０３に沿った走査速度を可変制御することで形状修正加工を行う形状修正加工用イオンビーム１０１である。第２の荷電粒子ビームは、前記走査速度の変化に応じてパルス幅や電流量を可変制御することで平滑化加工を行う平滑化加工用イオンビーム１０２である。被加工物表面１００における単位到達粒子数分布が異なる複数の加工を同時に行うことで加工時間を短縮する。 （もっと読む）

【課題】被処理体に対する熱の影響を抑制することができ、かつ光源が射出する光の径や幅と異なる寸法の加工ができるエッチング装置及びエッチング方法を提供する。
【解決手段】被処理体（基板Ｓ）とエッチング媒体（エッチングガスＧ）との界面Ｆの一部の照射領域Ｒにエッチング媒体を活性化させる光を照射する光源部３を有し、光源部３は、光の断面積を制御する光制御部３２を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良好に任意の形状に加工することが可能なエッチング装置、エッチング方法及びプログラムを提供する。
【解決手段】エッチング装置８０は、イオンガン１１と、ＸＹステージ１２と、制御部１３と、ＰＣ１５と、測定装置８１とを備える。測定装置８１は、基板３１上の所定の測定点の厚みを測定する。予めイオンガン１１のエッチングレートの分布と、基板３１の被エッチング量の分布とに基づいて、エッチング中心の位置に応じて測定点における基板３１の厚みの中間目標厚みが設定される。各領域でエッチングを施した際、測定点の厚みが当該中間目標厚みからの許容範囲に入る場合、ＸＹステージ１２を駆動し、エッチングを終了させる。 （もっと読む）

【課題】被処理基板自体がゆがんでいる場合などに、そのまま処理することを避けて無駄な被加工基板の処理を防止したり、処理してしまった被処理基板が所定の要件を満たさない場合に後工程で無駄に処理してしまうことを防止できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】被処理基板６０を保持する保持部１５と、レーザ光Ｌを照射するレーザ照射装置２０と、レーザ照射装置２０を移動させるレーザ移動部２２と、被処理基板６０の端部と、膜面６１の加工箇所の最も周縁側の位置を検出する検出器５０と、を備えている。検出器５０によって検出された被処理基板６０の端部の位置と膜面６１の加工箇所の最も周縁側の位置との位置関係が所定の条件を満たす場合にだけ、レーザ照射装置２０から照射されるレーザ光Ｌの膜面６１に対する照射位置を移動させて、被処理基板６０の膜面６１の縁部を除去する。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド基板エッチング表面の損傷欠陥を回復し、エッチングガスやさらには酸素やガリウム等の除去を行う方法、それにより得られる欠陥回復ダイヤモンド基板を提供する。
【解決手段】
ダイヤモンド基板表面にエッチング処理が施されたダイヤモンド基板であって、結晶構造(100)、 (111)又は(110)のいずれかの面方位、これら面方位の組合わさった結晶のダイヤモンド基板表面、若しくは結晶面方位がランダムで複数面方位を有するチップ状、針状、ドーム状、半球状、球状、柱状、多面体、三角錐、円錐構造から選ばれる形状のダイヤモンド基板表面を真空中で熱処理を行う工程と、酸素を含む化学薬品溶液による煮沸、又は、酸素プラズマに曝す、又は、酸素を含む気体に曝した後、真空中で熱処理する工程を含むことを特徴とするダイヤモンド基板の表面処理方法及びそれにより得られる欠陥回復ダイヤモンド基板。 （もっと読む）

【課題】モノマーイオンの影響を最小にして表面粗さを低減し、かつ照射エリア内を均一に平坦化する。
【解決手段】ガスクラスターイオンビームを用い、固体表面を平坦に加工する方法において、ガスクラスターイオンビームの照射過程の少なくとも一部の期間において固体表面の法線とガスクラスターイオンビームとがなす照射角度を７０度より大きくし、かつモノマーイオンを分離せずにガスクラスターイオンビームをレンズ機構によってフォーカスさせて照射する。 （もっと読む）

【課題】誘導電流が形成されるのを防止するトロイダル・プラズマ・チャンバを提供する。
【解決手段】トロイダル低電場プラズマソースとともに用いられ得る金属製プラズマチャンバ１００は、第１の誘電体領域１０８および第２の誘電体領域１１０を含む。誘電体領域１０８および１１０は、プラズマチャンバ１００を、第１の領域１１２および第２の領域１１４に電気的に分離する。第１の領域１１２および第２の領域１１４の各々は、高度真空シールにより誘電体領域１０８、１１０に接続されることにより、プラズマチャンバ１００を形成している。誘電体領域１０８、１１０は、プラズマチャンバ１００の組み合わせ面１１６を分離する誘電体スペーサを有してなっていてもよい。 （もっと読む）

【課題】露出した面に形成された凹部側壁の凹凸を低減して、凹部の側壁の表面荒れが原因の半導体装置の特性劣化を防ぐ。
【解決手段】露出した面に凹部１０４が形成された基板（１００）表面側から、基板の表面に対して斜めの方向からガスクラスタイオンビーム２００を照射することにより凹部１０４の側壁にガスクラスタイオンビーム２００を照射する。 （もっと読む）

【課題】 荷電粒子ビームを用いたフォトマスク欠陥修正において、孤立パターンのチャージアップを、パターンを傷つけることなく、効率よく抑止する。
【解決手段】 導電性プローブ1の先端に集束イオンビーム誘起化学気相成長金属膜で導電性のコイルバネ3を形成し、コイルバネ3によりマスクパターンとの接触圧を緩和して孤立したパターン4との導通を取り、チャージアップが起こらないようにしてから集束イオンビーム7で欠陥修正を行う。適切なバネ定数になるように、供給する原料ガス圧やビーム電流や走査方向・速度を制御して集束イオンビーム誘起化学気相成長で作製するコイルバネ3の太さ及び半径を制御する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板表面全体を平坦度および表面粗さに優れた表面に加工する方法の提供。
【解決手段】イオンビームエッチング、ガスクラスタイオンビームエッチング、プラズマエッチングおよびナノアブレージョンからなる群から選択される加工方法を用いてガラス基板１０の表面を加工する方法であって、前記ガラス基板１０の周囲に下記（１），（２）を満たす縁部２２を設けてガラス基板１０の表面を加工することを特徴とするガラス基板表面を加工する方法。（１）前記縁部２２の高さと、前記ガラス基板１０の表面の高さと、の差が１ｍｍ以内である。（２）前記縁部２２の幅が前記加工方法で用いるビーム径若しくはレーザ光の径の１／２倍以上である。 （もっと読む）

【課題】 十分なビーム強度が得られる多価イオン源を提供すると共に、その多価イオンビームを制御し、照射位置を制御して、効率よく精確に照射することができる多価イオンビーム照射方法及び装置を提供すること。
【解決手段】 多価イオンを発生させる多価イオン源と、その多価イオン源から導出された多価イオンビームを試料に向けて誘導するビームガイドと、試料を保持する試料保持部とを少なくとも備える多価イオンビーム照射装置において、試料に対向するビームガイド端部と試料保持部とを、支持すると共に並進移動させて位置調整する基盤ステージと、試料保持部に対してビームガイド端部を相対的に、２次元で並進移動させて位置調整するＸＹステージと、試料保持部のみを独立に、ＸＹステージの移動方向と略垂直なＺ方向へ並進移動させて位置調整するＺ並進移動機構とを有する照射位置制御部を設ける。 （もっと読む）