【課題】高密度ラジカルソース（プラズマ発生装置）を提供する。
【解決手段】ラジカルソース（プラズマ発生装置）１００は従来のＩＣＰ源に、一部改造を加えたものである。当該改造は円環状の電極１０を加えることである。即ち、１．Ａに示す通り、筒状の筐体１内部に、プラズマ発生管３とそれを取り巻くコイル４が納められている。筒状の筐体１右側からＳＵＳから成るガス供給管２が挿入され、接続管２３と円環状の電極１０を介してプラズマ発生管３に接続されている。１．Ａのラジカルソース（プラズマ発生装置）１００内部を高真空に減圧したのち、ガス供給管２から窒素ガスを供給し、ＳＵＳから成るガス供給管２を接地し（固定電位）、コイル４と電極１０に高周波を印加したところ、６．６×１０^-3Ｐａの低圧力で放電が容易に生じた。即ち、円環状の電極１０を外した従来のＩＣＰ源よりも、高密度の窒素ラジカルが生成できる。 （もっと読む）

プラズマ処理装置は、プラズマ処理のために基板を支持するプラテンを含む。ＲＦ電源が第１の電力レベルを有する第１の期間及び第２の電力レベルを有する第２の期間を有する複数レベルのＲＦ電力波形を出力端子に発生する。前記ＲＦ電源の出力端子に電気的に接続された電気入力端子を有するＲＦプラズマ源が、前記第１の期間の間前記第１のＲＦ電力レベルで第１のＲＦプラズマを発生し、前記第２の期間の間前記第２のＲＦ電力レベルで第２のＲＦプラズマを発生する。前記プラテンに電気的に接続された出力端子を有するバイアス電圧源がプラズマ処理のためにプラズマ中のイオンを基板に引き付けるのに十分なバイアス電圧波形を発生する。
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【課題】使用条件が異なる場合に容易に対応できる汎用性をもたせると共に、ビーム照射中に電子ビームの分布を変更することにより、リアルタイムに基板の処理状態を制御可能にする。
【解決手段】陰極としての放電容器１の内部に、陽極となる棒状の電極２を２本配置し、これらの電極２に直流電源６を接続して電圧を印加する。また、２本の電極２の間に１本の棒状の絶縁体３を配置し、かつ、絶縁体３を絶縁体駆動部２０により上下左右に移動可能な構造にする。さらに、放電容器１には、容器内でプラズマを発生させるために必要なガスを導入するガス供給口４、および電子ビームを放出する放出部であるビーム放出孔５を設ける。 （もっと読む）

【課題】原料ガスのリークの抑制と、装置コストの低減化とを図り得るプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】原料ガスに電圧を印加してこれをプラズマ化させるイオン発生部２と、接地電位に接続され、且つ、処理対象物１２が配置される処理部３と、イオン発生部２と処理部３とを電気的に絶縁する絶縁部４と、ガス導入口１４から導入された原料ガスをイオン発生部２に導くためのガス導入路５とを備えるプラズマ処理装置を用いる。イオン発生部２、絶縁部４、及び処理部３は、これらの接合体の内部にチャンバー１となる空間が設けられるように形成される。ガス導入口１４は、処理部３に設けられる。ガス導入路５は、チャンバー１の側壁の内部に形成された孔５ａ〜５ｃを備え、ガス導入口１４とイオン発生部２とを電気的に絶縁する。 （もっと読む）

【課題】電子部品の断面を観察するための技術において、同一のイオン源から引き出したイオンビームを用いて、試料を加工し、試料の被加工部分の観察を可能にするイオンビーム加工・観察技術を提供する。
【解決手段】試料を加工するガスイオンビーム種と試料を観察するときのガスイオンビーム種を切り替えることが可能である装置とする。試料加工時のガスイオンビーム種と試料観察時のガスイオンビーム種との切り替えを実現するためのイオン源として、ガスボンベ５３、５４、ガス配管、ガス量調整バルブ５９、６０およびストップバルブ５７、５８とを備えた導入系統を少なくとも２系統備え、各々のガス系統において各々のガス量調整バルブにより真空容器内のガス圧力条件を各々設定でき、各々のガス系統のストップバルブの操作により真空容器内に導入するガスを切り替えることが可能であるイオン源とする。 （もっと読む）

イオン源および制御可能なイオン電流密度分布を有するイオンビームを発生させるためにイオン源の電磁石を動作させる方法。イオン源（１０）は、放電チャンバ（１６）および放電チャンバ（１６）の内側でプラズマ密度分布を変化させるために磁界（７５）を発生させるようになっている電磁石（４２；４２ａ−ｄ）を含む。方法は、放電空間（２４）内でプラズマ（１７）を発生させること、電流を電磁石（４２；４２ａ−ｄ）に印加することによって、プラズマ密度分布を規定するのに有効である磁界（７５）を放電空間（２４）内に発生し形作ること、プラズマ（１７）からイオンビーム（１５）を抽出すること、イオンビーム密度について分布プロファイルを測定すること、および、イオンビーム密度について実際の分布プロファイルを所望の分布プロファイルと比較することを含んでもよい。
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【課題】 基本的に高品質の表面処理が行われる中性粒子ビームを用いた表面処理装置であって、しかも高い表面処理速度が得られる表面処理装置の提供。
【解決手段】 表面処理装置は、中性粒子ビームによって、真空処理室内に配置された被処理物の表面処理を行うものであって、前記被処理物に光を照射する光源を備えることを特徴とする。この表面処理装置においては、前記被処理物に照射される光は、波長３８０ｎｍ以下の光を含む光であることが好ましい。また、前記被処理物の被処理面における波長３８０ｎｍ以下の光の照度は、７ｍＷ／ｃｍ² 以上であることが好ましい。また、前記光源がキセノンフラッシュランプであって、前記被処理物の被処理面における光の照度は、２０ｍＷ／ｃｍ² 以上であることが好ましい。 （もっと読む）

基板を様々なプロセスに曝露するプロセスシステムが記載されている。前記基板上にプロセス材料を分配するため、当該処理システムと結合し、かつ当該プロセスシステムと共に利用されるように備えられた気体分配システムが供される。当該プロセスシステムは、プロセスチャンバ、該プロセスチャンバと結合するラジカル生成システム、該ラジカル生成システムと結合して基板の上に反応性ラジカルを分配するように備えられた気体分配システム、及び真空チャンバと結合して前記基板を支持するように備えられた温度制御された台を有する。当該気体分配システムは、前記基板へラジカルを効率的に輸送して前記基板の上に前記ラジカルを分配するように備えられている。
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【課題】加工物表面を損傷することなく荷電粒子で加工物を照射し処理する方法を提供する。
【解決手段】クラスタイオンビーム１０８を生成するクラスタイオン源１０２を使用して加工物１１２を処理する。クラスタイオンは同じ電荷をもつ単一のイオンと同じエネルギーを有するが、クラスタを形成する原子または分子は粒子当たりのエネルギーが低いので加工物の表面の数ナノメートル内に損傷を限定する。クラスタイオンはフラーレン、ビスマス、金、またはＸｅをを含む。クラスタイオンビームはガス注入システム１０４から供給されるガスを分解して堆積させ、またはガスを活性化させてエッチングすることもできる。好ましくは別の荷電粒子ビームを生成するカラム（電子ビームカラム１０６または集束イオンビームカラム）を備え、画像化、エッチング、堆積等の処理を行う。 （もっと読む）

【課題】基板に凹凸を形成した発光素子、その基板において、好適な特性を有するものを提供する。
【解決手段】基板10の第１主面上に、半導体20の発光構造を有する半導体発光素子100において、前記基板10の第１主面に、基板凸部11を有し、該凸部の底面14が上面13より断面幅広であり、若しくは基板面において底面14内に上面13が内包されており、該底面14の形状が略多角形状であり、該上面13が略円形状若しくは前記底面14の構成辺より多い構成辺の略多角形状である。 （もっと読む）

電子源カソード（５）およびアノード機器（７）を備えたプラズマ放電機器を用いることによって、基板のプラズマエッチ洗浄が実行される。アノード機器（７）は、一方ではアノード電極（９）を、他方では、自身から電気的に孤立されている閉じ込め部（１１）を備えている。この閉じ込め部（１１）は、洗浄されるべき基板（２１）の領域（Ｓ）に向けられた、開口部（１３）を備えている。電子源カソード（５）およびアノード電極（９）は、供給源（１９）を有する供給回路によって、電気を供給されている。この回路は、電気的に浮遊して操作される。
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【課題】フレキシブル基板上に室温成膜した比較的厚いＩＴＯ薄膜をエッチングにより残渣やサイドエッチなくパターニングすること。
【解決手段】不純物ドープ酸化インジウム薄膜のパターニング方法において、ドライエッチング法により該不純物ドープ酸化インジウム薄膜のエッチングを行う工程と、
ウェットエッチング法により前記ドライエッチング法を行った不純物ドープ酸化インジウム薄膜のエッチングを行う工程とを行うパターニング方法を用いる。具体的には、ＩＴＯ薄膜を約５０ｎｍ残すように上部をドライエッチングによりエッチングによりエッチングし、連続してウェットエッチングによりエッチングしてパターニングを行うパターニングを方法。 （もっと読む）

【課題】安定して処理室内の圧力制御を実現できる処理装置を提供する。
【解決手段】処理室内部に形成したプラズマを用いて試料を処理するプラズマ処理装置であって、内部に処理用ガスを供給しつつ、プラズマを形成する処理室と、上面に処理される試料が戴置される試料台と、試料下方から処理室内のガスを排出して減圧し、ケース内に配置され同軸状の複数の翼を有する回転翼及び固定翼と回転翼から排出された前記ガスをケース外に排出する排気口と回転翼の下方向に配置され不活性ガスが導入される導入口を円周上に複数備えた真空ポンプと不活性ガスのガス貯溜部とガス導入口との間に配置され、真空ポンプ内に供給する不活性ガスを調整するＭＦＣ（流量調整器）とを備えた。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールにおける開口部の歪みやＴｗｉｓｔｉｎｇを発生させずに、超微細に深穴コンタクトを形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、（ａ）Ｘｅガスを含む第１エッチングガスを用いたドライエッチングにより、酸化シリコンを含む絶縁層３内の上部にコンタクトホール（６）を形成する工程と、（ｂ）Ｘｅガスを含まない第２エッチングガスを用いたドライエッチングにより、絶縁層３内でコンタクトホール７をより深くする工程とを具備する。第１エッチングガスは、エッチングガスをＸｅガス又はＸｅガスとＡｒガスとの混合ガスで希釈したガスを含むことが好ましい。第２エッチングガスは、エッチングガスをＡｒガスで希釈したガスを含むことが好ましい。エッチングガスは、フロロカーボンガスとＯ_２ガスとの混合ガスを含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】近年、透明酸化物半導体の開発が活発に行われ、基板上に様々の透明酸化物半導体素子が試作された。そのため、高精度及びクリーンなパターニング方法が望まれている。本発明は、基板上に成膜されたＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏから構成される酸化物半導体膜に、不揮発性物質を発生させることなく安定してドライエッチングを施す方法を提供する。
【解決手段】少なくともＩｎと、Ｇａと、Ｚｎと、を含む酸化物を、ハロゲン系ガスを含むガス雰囲気中でエッチングする方法。 （もっと読む）

弾道電子ビーム(135)を用いて基板を処理する方法及びシステムが記載されている。ビーム源の高周波(RF)出力を変調することによって、電子ビーム束の半径方向の均一性が調節される。たとえば、前記基板(125)の支持が可能な下部電極(120)と結合する第1RF出力、前記下部電極に対向する上部電極(172)と結合する第2RF出力、及び、前記弾道電子ビームを生成するため前記上部電極と結合する負の高電圧直流(DC)出力(150)を有するプラズマ処理システムが記載されている。前記第2RF出力の振幅は、前記弾道電子ビーム束の均一性の変化に影響を及ぼすように変調される。
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【課題】微小電気機械システムデバイスの製造中の表面電荷を低減するための方法を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイスの製造中における表面付随電荷の形成および蓄積と、それに付随する有害作用を防止する方法がここに提供される。いくつかの実施形態において、ここに提供する方法は、イオン化ガスの存在下において犠牲物質をエッチングする。イオン化ガスは、エッチングプロセスの間に生成される荷電種を中性化し、他のエッチング副産物と一緒にそれらの除去を可能にする。また、本発明の方法によって形成された微小電気機械デバイスと、そのようなデバイスを包含する視覚ディスプレイデバイスが示される。
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【課題】既存のプラズマ技術のものを超えるアスペクト比およびプロセス速度を達成する。
【解決手段】プラズマを用いて基板をエッチングするための方法およびデバイスにおいて、プラズマは、プラズマ源（１）の陰極と陽極の間の少なくとも１枚の縦列伝導板系のチャネル内で、これらのプラズマ源の陰極と陽極の間で実質的に大気常態値以下の圧力で生成され加速される。前記プラズマは前記プラズマ源から処理チャンバ（２）へと放出され、その内部で前記基板（９）が前記プラズマに曝露される。処理チャンバは、作業中真空に近い低圧に維持される。この曝露中前記基板と前記プラズマの間に、交流バイアス電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】像ブレを防止できる簡単な構造、小型のイオンエッチング装置を提供する。
【解決手段】イオンエッチング装置１は、プラズマ生成室１０と、エッチング室２０と、プラズマ生成室１０からエッチング室２０へイオンビーム１００を引き出すための小孔４１の集合体からなる引出し電極領域４２を有するグリッド４０と、イオンビーム１００が通過するビームホール８１を有し、被加工対象物としての水晶ウエハ６０とグリッド４０との間に配設される遮蔽板８０と、を備えている。グリッド４０と水晶ウエハ６０との距離をＡとし、遮蔽板８０と水晶ウエハ６０との距離をＢとしたとき、距離Ａと距離Ｂとが、１．４３≦Ａ／Ｂ≦１．７０で示される関係にある。引出し電極領域４２の直径をＤｓとし、ビームホール８１の直径をＤとしたとき、前記ＤｓとＤとが、０．８Ｄｓ≦Ｄ≦１．２Ｄｓで表される範囲に設定される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、十分に微細化された薄膜パターンを形成することが可能なレジストパターンの形成方法及び薄膜パターンの形成方法を提供することを目的とする。さらに本発明は、十分に高密度化されたマイクロデバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板１の一面上に形成され、かつパターン化され、かつ酸を供給可能なレジスト層４においてその表面４ａを、フルオロカーボン１６を含むガス雰囲気下でプラズマ処理する工程と、プラズマ処理されたレジスト層の表面に酸の存在下で架橋する樹脂組成物を付着させる工程と、レジスト層からの酸の供給により、樹脂組成物のうちレジスト層に接する部分を架橋させ、レジスト層を被覆する架橋層を形成する工程と、樹脂組成物のうち架橋層以外の部分を除去し、レジスト層とこれを被覆する架橋層とを有するレジストパターンを得る工程とを備えるレジストパターンの形成方法。 （もっと読む）