【課題】太陽光発電基板面のサブ波長反射防止微細構造のような反射防止微細凹凸構造の形成に好適な単粒子膜エッチングマスクを有する基板の製造方法を提供する。
【解決手段】易揮発性分散媒中の球形単粒子分散液を調製する工程、該単粒子分散液を、該単粒子及び該分散媒と非親和性の液体収容槽中の液体面に滴下して単粒子分散液膜を形成する工程、該単粒子分散液膜中の分散媒を揮発させて単粒子が２次元に最密充填配列している単粒子膜を形成する工程、単粒子膜を基板面に移し取る工程を有する。 （もっと読む）

【課題】腐食性が極めて強い不活性ガスや水素及び酸素ガス等の高密度プラズマに完全な耐腐食性を有するとともに、水分を全く放出せず、しかも、安定した整流状態のガス放出が得られる無数のガス放出穴を有するＡｌ合金系材料のシャワープレートを提供すること。
【解決手段】Ａｌ合金系材料の薄板に、溝の深さが０．０２〜０．５ｍｍで、横巾が０．０２〜１０ｍｍで、長さが３〜３０ｍｍで、無数の溝と溝との間隔が０．１乃至２ｍｍの範囲内の角状溝を形成し、次いで、表面粗さが０．１ｓ以内のＡｌ_２Ｏ_３保護膜を生成させたシートを積層してシャワープレートを形成した。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果素子のスピン注入磁化反転特性の劣化が抑制され、製造歩留まりが高い不揮発性記憶装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、複数のメモリセルを有する不揮発性記憶装置の製造方法であって、前記メモリセルのそれぞれは、第１電極を含む下地層と、前記下地層の上に設けられた磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子の上に設けられた第２電極と、を有する。前記磁気抵抗効果素子は、記憶層である第１磁性層と、前記第１磁性層の上に設けられたトンネルバリア層と、前記トンネルバリア層の上に設けられ、参照層である第２磁性層と、を含む。前記第２磁性層の表面の一部もしくは前記第１磁性層の表面の一部にイオン化されたガスクラスタを照射して、前記第２磁性層の一部および前記第１磁性層の一部をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】ハーフピッチ６５ｎｍ以降のフォトリソグラフィ技術に用いられ、微小パターンの寸法精度に優れ、かつ寸法の面内分布の均一性が高いマスクパターンを有するマスクを安価に製造するフォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板と、この透明基板の一主面上に少なくとも遮光膜が形成されたフォトマスクブランクスを用い、前記遮光膜上に非感光性の有機基を有するシリコン系ポリマー層を塗布形成し、前記シリコン系ポリマー層は塩素系ガスによるドライエッチング耐性が大きく、前記透明基板が合成石英ガラスであり、前記遮光膜がクロムを主成分とし、前記シリコン系ポリマー層をフッ素系ガスによりドライエッチングし、前記遮光膜を塩素系ガスによりドライエッチングして遮光膜パターンを形成することを特徴とする。
【選択図】 図３
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【課題】プラズマ発生室に誘導結合方式で放電プラズマを発生させるようにしたエッチング装置１において、主としてラジカルでエッチングが進行する場合にエッチング速度が向上するようにする。
【解決手段】誘導放電式でプラズマが発生されるプラズマ発生室３ａ及びこのプラズマ発生室に連通し、エッチング処理すべき被処理物Ｓが配置される待機室３ｂとを有する真空チャンバ３と、プラズマ発生室に所定のエッチングガスを導入するガス導入手段９とを備える。そして、エッチングガス及び被処理物の種類により、主としてラジカルでエッチングが行われる場合、プラズマＰ発生領域に被処理物Ｓが存するように、待機室に配置された被処理物の位置を変更する位置変更手段１０、１２を設ける。 （もっと読む）

【課題】 本発明はドライプラズマエッチングを用いた基板のエッチング方法に関する。
【解決手段】 ドライプラズマエッチングシステム内で誘電体層をシリコン及びポリシリコンに対して選択的な均一エッチングを行う方法及びシステムが記載されている。エッチング用化学は、たとえばCH₂F₂やCHF₃のようなフルオロハイドロカーボンを有する。高いエッチング選択性及び受容可能な均一性は、CH₂F₂の流速やドライプラズマエッチングシステムと結合する出力を含むプロセス条件を選択することによって実現されて良い。それにより、エッチングプラズマ中での活性エッチングラジカルとポリマー生成ラジカルとの適切なバランスがとられる。 （もっと読む）

【課題】反応器チャンバ内部のパーティクル汚染度を低減するプラズマ反応器の構成部品を提供する。
【解決手段】反応器１５０のプラズマ処理チャンバ１５２において、プラズマ閉じ込めリング（不図示）、チャンバ壁１７２、チャンバライナ（不図示）及び／又はシャワーヘッド１５４のプラズマ露出面は、ポリマーの付着を促進する表面粗さ特性を持つプラズマ溶射された被膜１６０を備え得る。更に、基板支持体１６８のプラズマ露出面は、プラズマ溶射された被膜（不図示）も備え得る。高密度プラズマを閉じ込める実質的に全ての面がポリマーの付着を促進する表面粗さ特性を持つことができ、反応器内のパーティクル汚染は実質的に減少され得る。 （もっと読む）

【課題】処理ガスの供給を交互に切り換える際に，これらの処理ガスが混ざり合うことなく，過渡現象を従来以上に抑制する。
【解決手段】ウエハのプラズマ処理中に少なくとも２種類以上の処理ガス（例えばＣ_４Ｆ_６ガスとＣ_４Ｆ_８ガス）を交互に切り換えて処理室内に供給する際に，切り換える処理ガスを供給する各ガス供給路については，そのガス供給路に設けられたマスフローコントローラ（ＭＦＣ）の下流側の開閉バルブを開いたまま，マスフローコントローラに所定流量とゼロ流量を繰り返して設定することによって，各処理ガスの供給を交互にオンオフする。 （もっと読む）

【課題】微細化及び高集積化を達成した酸化物半導体を用いた半導体装置、及び半導体装置の作製工程において、安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。また、上記半導体装置の作製工程において、不良を抑制し、歩留まりよく作製する技術を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を含むトランジスタを有する半導体装置において、酸化物半導体膜を、絶縁層に設けられたトレンチに設ける。トレンチは下端コーナ部及び曲率半径が２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の曲面状の上端コーナ部を含み、酸化物半導体膜は、トレンチの底面、下端コーナ部、上端コーナ部、及び内壁面に接して設けられる。酸化物半導体膜は、少なくとも上端コーナ部において表面に概略垂直なｃ軸を有している結晶を含む酸化物半導体膜である。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板に形成される凹部の加工精度を高めることのできるシリコン基板のエッチング方法及び該方法を用いるシリコン基板のエッチング装置を提供する。
【解決手段】シリコン基板に対してその厚さ方向に延びる凹部を形成する際に、シリコン基板を含む基板Ｓを収容する真空槽１１内に六フッ化硫黄（ＳＦ_６）ガスのプラズマを生成して、該シリコン基板の厚さ方向に延びる凹部を形成する。加えて、真空槽１１内に三フッ化ホウ素（ＢＦ_３）ガスのプラズマを生成して、上記凹部の内壁面にホウ素とシリコンとを含む保護膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】光学的手法を用いて被処理基板の構造をより高精度に評価することができるプロセスモニター装置を提供する。
【解決手段】プロセスモニター装置１１は、光を出射する光源部と、光の強度を検知可能な光検知部と、光源部から出射された光をウェハＷまで導き、ウェハＷから反射した反射波を光検知部まで導く第一光経路２１と、第一光経路２１と同等の光伝搬特性を有するように構成され、光源部から出射された光を、ウェハＷを経由することなく光検知部まで導く第二光経路と、第二光経路を通して光検知部により検知された光の強度情報に基づいて、第一光経路２１を通して光検知部により検知された光の強度情報を補正し、ウェハＷの構造を解析するコントローラ１７とを備える。 （もっと読む）

【課題】電磁波を入射する入射窓の冷却ムラを抑制し、かつ、冷却に使用する空気流量を減らすことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】アンテナ１５からの電磁波をチャンバ内部に入射する入射窓（天井板）を有するプラズマ処理装置において、アンテナ１５の上方に、入射窓（天井板）を冷却する空気を供給する噴出孔３１ａ〜３１ｆを複数設けると共に、噴出孔３１ａ、３１ｂ、３１ｄ、３１ｅを、アンテナ１５の周囲で密に配置した。 （もっと読む）

【課題】エッチング深さが異なる形状を簡単に、且つ精度よく加工できる半導体素子の作製方法を提供する。
【解決手段】開口部幅の異なる領域毎に、半導体のエッチングの進行、またはポリマーの生成のどちらか一方のみが発現するように前記開口部幅が設定された開口部を有するマスク１９００を半導体表面に形成すると共に、マスクの周辺に周辺窓１７０１を有する周辺マスク１７００を形成する第１の工程と、メタンプラズマおよび水素プラズマをマスクが形成された半導体表面に照射する第２の工程を有し、マスク１９００が、第１のパターンを有す第１のマスク部１９１０と、第１のマスク部上に形成され、第１のマスク部のマスク厚よりも厚く、第１のパターンの開口部幅を画定する第２のパターンを有す第２のマスク部１９２０とからなり、周辺マスクの窓領域が第１のパターンの回折格子方向周辺に配されるようにした。 （もっと読む）

【課題】ウエハの温度を精度良く制御する方法を提供する。
【解決手段】ウエハの裏面膜の種類の測定結果を取得する取得ステップと、チャンバ内に投入されるパワーと裏面膜の種類とウエハの温度とを対応付けて記憶した第１のデータベース３３０から、前記測定結果であるウエハの裏面膜の種類と、前記ウエハを処理するために投入されるパワーとに対応したウエハの温度を選択する選択ステップと、前記選択されたウエハの温度に基づき、前記ウエハの温度を調整する調整ステップと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンの形成において、残膜をエッチングする工程後のレジストパターンの凸部の幅が、残膜をエッチングする工程前におけるレジストパターンの凸部の幅以上の所望の幅となることを可能とする。
【解決手段】凹凸パターンが転写されたレジスト膜２の残膜エッチング工程が、エッチングの際に堆積物４を生成する堆積性ガスを含有する第１のエッチングガスを用いて、レジストパターンにおける凸部の側壁に堆積物４が堆積しかつ残膜がエッチングされる条件でレジスト膜２をエッチングする第１のエッチング工程を含み、堆積物４を含めた上記凸部の幅が残膜エッチング工程前における上記凸部の幅以上の所望の幅となるように第１のエッチング工程以後の工程によってレジスト膜２をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】複数の伸縮可能な部材を用いて温調制御の対象物との接触圧力を可変に制御する。
【解決手段】少なくとも一部が温調制御の対象物に接触する、伸縮可能な縦ベローズ２１５と、縦ベローズ２１５に連結され、伸縮可能な横ベローズ２２０と、縦ベローズ２１５及び横ベローズ２２０の内部空間に流す液体を制御する制御部３１０と、を備えることを特徴とする温調機構２００が提供される。 （もっと読む）

【課題】より良質な膜を形成する。
【解決手段】実施形態の膜形成方法は、下地の上に設けられた酸素及び窒素の少なくともいずれかを含む膜の表面に、酸素及び窒素の少なくともいずれかを含むイオン化されたガスクラスタを照射して、前記ガスクラスタを照射した後の前記膜の密度を前記ガスクラスタを照射する前の前記膜の密度よりも高くする。 （もっと読む）

【課題】イットリア部品の製造方法を提供する。
【解決手段】固形イットリアサンプルが処理開始時に用意される。固形イットリアサンプルを高温環境に曝露することでイットリアサンプルを焼結し、機械加工して部品を形成し、部品を既定の加熱速度で加熱してアニーリングする。部品を一定のアニーリング温度で維持し、部品を既定の冷却速度で冷却することを含む。この方法を用いて製造したバルクイットリア部品は、例えば応力の軽減や強化された耐化学薬品性を含む、特性の改善を示すことが判明した。 （もっと読む）

【課題】エッチング層内に特徴をエッチングするための方法であって、エッチング層の上に配されたアモルファスカーボン又はポリシリコンのパターン化疑似ハードマスクに対するコンディショニングを提供する。
【解決手段】コンディショニングは、炭化水素ガスを含む無フッ素蒸着ガスを供給することと、無フッ素蒸着ガスからプラズマを形成することと、５００ボルト未満のバイアスを提供することと、パターン化疑似ハードマスクの上端上に蒸着を形成することとを含む。エッチング層は、パターン化疑似ハードマスクを通してエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】半導体の構成原子の脱離による欠陥（Ｖ族原子空格子）の誘起または表面モフォロジーの劣化を生じさせずに、表面の凹凸を抑制して同一面内でエッチング深さが異なる形状を容易に加工することができる半導体素子の作製方法を提供する。
【解決手段】酸素プラズマを所定の拡散距離に対して、開口部幅の異なる領域毎に、半導体表面のエッチングが進行する第１の状態か、半導体表面にポリマーが生成される第２の状態のどちらか一方のみが発現するように前記開口部幅が設定された開口部１９０１を有するマスク１９００を半導体表面に形成する第１の工程と、メダンプラズマをマスク１９００が形成された半導体表面に照射しつつ、酸素プラズマを開口部１９０１の幅方向にてマスク１９００の端部から開口部へ所定の拡散距離にて拡散させる第２の工程を有するようにした。 （もっと読む）