【課題】プラズマ処理装置において、簡単な構造でフォーカスリングを試料と同等の温度に冷却することでフォーカスリングの消耗を抑制し、試料の外周部のエッチング特性を長期間良好に保つ。
【解決手段】真空処理室と、試料台４と、試料３を静電吸着させるための第一の静電吸着層２０と、フォーカスリング１４を静電吸着させるための第二の静電吸着層２１と、試料３の裏面に伝熱ガスを供給する手段２４，２５と、前記第一及び第二の静電吸着層２０，２１の表面にそれぞれ伝熱ガス供給溝２７，２８，２９と、を有するプラズマ処理装置において、試料３の中心側と試料３の外周側に異なる圧力で伝熱ガスを供給するため２系統の伝熱ガス供給手段２４，２５とし、かつ、供給手段２５からの伝熱ガスを伝熱ガス供給経路２６によってフォーカスリング１４の載置面の伝熱ガス供給溝２９に分岐し、フォーカスリング冷却用伝熱ガスをウェハ冷却用伝熱ガスと共用する。 （もっと読む）

【課題】設置スペースが少なくて済み、装置構成を簡素化することができる温度調節手段を備えた基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板にプラズマ処理を施すチャンバ１１と、チャンバ１１内で、基板を載置するサセプタ１２と、サセプタ１２と処理空間Ｓを隔てて対向するように設けられたシャワーヘッド１４と、処理空間Ｓに高周波電力を印加してプラズマを発生させる高周波電源１５と、温度調節面としてのサセプタ１２の表面１２ａの裏面１２ｂに水の濡れ面を形成する水吹きつけ装置１６と、水の濡れ面を周囲の雰囲気から隔離する蒸発室１７と、蒸発室１７内の圧力を調整する圧力調整装置１８、１９とを備えた基板処理装置において、圧力調整装置１８、１９によって蒸発室１７内の圧力を調整して濡れ面を形成する水を蒸発させ、水の蒸発潜熱を利用してサセプタ１２の表面１２ａの温度を制御する。 （もっと読む）

【課題】取換え可能な部分を有する半導体処理反応器用の多部品上部電極、およびこの電極の一部を取り換える方法の提供。
【解決手段】リング状のバッキングプレート１１６と、リング状の電極を形成する複数の電極セグメント１１４と、複数の電極セグメント１１４をリング状のバッキングプレート１１６に固定する導電性のエラストマと、を備え、複数の電極セグメント１１４は、内径が約１２インチ（３０．４８センチメートル）のリングと、傾斜した面を有する内側エッジ１４０とを形成し、リング状のバッキングプレート１１６は、ねじ込みねじ１３４，１３６でプラズマ反応チャンバの上板１１８に取り付け可能であり、ねじ込みねじ１３４，１３６は、上板１１８の裏面からリング状のバッキングプレート１１６の中に延びる。 （もっと読む）

【課題】加工精度を向上できる制御装置を提供する。
【解決手段】１つの実施形態によれば、処理室内に配され被処理基板が載置される電極と、前記電極に電力を供給する第１の電源回路と、前記処理室内における前記電極から隔てられた空間にプラズマを発生させるプラズマ発生部と、前記プラズマ発生部に電力を供給する第２の電源回路とを有するプラズマ処理装置を制御する制御装置であって、前記第１の電源回路から出力されるパラメータを検知する検知部と、前記検知部により検知されたパラメータが目標値に一致するように、前記第２の電源回路により供給される電力を制御する制御部とを備えたことを特徴とする制御装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】ＥＣＲ方式で大口径ウエハをドライエッチングするような場合であっても、エッチング速度など処理特性のウエハ面内均一性を向上することができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】チャンバ１０７と、チャンバ１０７の中にプラズマを生成するための電源１０１と、電源１０１からの電力をチャンバ内へ導く導波路１０２と、電源１０１を制御する電力制御部とを含む半導体製造装置において、前記電力をチャンバ１０７の外周部からチャンバ内へ導入するアンテナ１０４を有し、前記電力制御手段は、前記電力をオンした後、これにより発生したプラズマが定常状態に至る前にオフする、ことを周期的に繰り返す。 （もっと読む）

【課題】熱膨張しても下部電極との間に隙間が発生せず、下部電極における異常放電及びエロージョンの発生を防止できるシールド部材を提供する。
【解決手段】下部電極の矩形の載置面の一辺に沿って配置される絶縁性の長尺状物からなり、長さ方向の一端に設けられた固定用ねじ孔と長尺状物の長さ方向に離間して設けられた支持用ねじ孔を有するリング構成部品を、各リング構成部品の長さ方向の一端の端面が、隣接する他のリング構成部品の長さ方向の一端の側面に当接し、他端の側面が、隣接する他のリング構成部品とは異なる別のリング構成部品の一端の端面に当接するように組合せ、各リング構成部品の長さ方向の一端を固定用ねじ孔で載置台の基材に固定し、他端を、支持用ねじ孔で変位自在に支持し、各構成部品が、固定端を起点にして長尺状物の長さ方向に熱膨張又は熱収縮可能に配列し、下部電極の各角部を平面で面取りし、面取り面に当接する平面を有する三角形状の嵌合部材を配置した。 （もっと読む）

【課題】ＲＦアンテナに１対１で対応するプラズマをパワーに応じて生成することができ、処理室内のプラズマ分布を任意に制御することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｇにプラズマ処理を施す真空排気可能なチャンバ１１と、チャンバ１１内で、基板Ｇを載置するサセプタ１２と、サセプタ１２と処理空間Ｓを隔てて対向配置された誘電体窓３０と、誘電体窓３０を介して処理空間Ｓと隣接する空間内に設けられた複数又は多重のＲＦアンテナ３１ａ、３１ｂと、処理空間Ｓに処理ガスを供給するガス供給部３７、３６と、複数又は多重のＲＦアンテナ３１ａ、３１ｂに高周波ＲＦ_Ｈを印加して誘導結合によって処理空間Ｓ内にプラズマを発生させる高周波電源とを有し、誘導磁場合成防止手段として複数又は多重のＲＦアンテナ相互間に対応する誘電体窓の下面に誘電体からなる突出部３４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法を用いて、ガスの切り替え時に発生するガス流量のハンチングを抑制し、ガス流量の安定した制御を行う。
【解決手段】エッチングガスの供給方法は、エッチングプロセスに使用される第１のエッチングガスを処理容器内に供給するステップと、前記エッチングプロセスに使用される第２のエッチングガスを前記処理容器内に供給するステップと、を含み、前記第１のエッチングガス及び前記第２のエッチングガスの一方から他方にガスを切り替える際、切り替え前のエッチングガスとして必要であって切り替え後のエッチングガスとして必要でないガスを微少量だけ供給し続ける。 （もっと読む）

【課題】サイドエッチングによるパターン細りを抑制しつつ、ドライ処理によってパターン側壁に堆積した金属を含む堆積物を効率良く除去することのできるプラズマ処理方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板に形成された金属層をプラズマエッチングする工程を経て積層構造中に金属層を有するパターンを形成した後、金属層を構成する金属を含みパターンの側壁部に堆積した堆積物を除去するプラズマ処理方法であって、金属層の側壁部に当該金属の酸化物又は塩化物を形成する保護層形成工程と、フッ素原子を含むガスのプラズマを作用させて堆積物を除去する堆積物除去工程と、保護層形成工程及び堆積物除去工程の後、水素を含むプラズマを作用させて金属の酸化物又は塩化物を還元する還元工程とを具備している。 （もっと読む）

【課題】従来に比して速やかにガス流量を変化させることができるマスフローコントローラを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、マスフローコントローラ１００は、ガス流路構成部材１１０と、流量調整部１３０と、変位量記憶部１４４と、設定回路１４５と、を備える。流量調整部１３０は、ガス流路１１３中に配置され、ガスの流量を調整する弁１３１、および弁１３１の変位量を制御するアクチュエータ１３３を有する。変位量記憶部１４４は、処理手順を実行する前にガス流路１１３に処理手順で規定される流量のガスを流すときの弁１３１の変位量を処理手順ごとに求めた変位量情報を記憶する。設定回路１４５は、処理手順に対応する変位量を変位量記憶部１４４から取得して、取得した変位量に基づいてアクチュエータ１３３を制御する。 （もっと読む）

【課題】ワークピースへの高度に均一なプラズマ束（すなわちプラズマ密度）を達成するために改善されたワークピース処理方法を提供する。
【解決手段】異なる第１と第２の周縁長および幾何学的に類似した形状を有するワークピースを同じ真空プラズマ処理チェンバもしくは同じ幾何学形状を有する複数の真空プラズマ処理チェンバ内で処理するワークピース処理方法であって、第１と第２の異なる周縁寸法を有する高周波プラズマ励起コイルを前記チェンバもしくは複数のチェンバ内のイオン化可能なガスに結合させ、その間で前記ワークピースが前記チェンバもしくは複数のチェンバ内で処理され、その間では前記チェンバもしくは複数のチェンバが真空下におかれ、かつ前記ガスを処理プラズマへと励起するために前記コイルに高周波エネルギーが供給されるステップを含み、前記第１の周縁長が第２の周縁長を超え、前記第１の周縁寸法が第２の周縁寸法よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜をマスクとした反射防止膜のエッチング工程の前に、良好にレジスト膜を改質する。
【解決手段】プラズマ処理方法は、被エッチング層上に反射防止膜であるＳｉ−ＡＲＣ１５が形成され、反射防止膜上にパターン化されたＡｒＦレジスト膜１６が形成された積層膜に対して、エッチングガスから生成されたプラズマにより前記レジスト膜をマスクとして前記反射防止膜をエッチングするエッチング工程と、前記エッチング工程の前に実行され、プラズマ処理装置内にＣＦ_４ガスとＣＯＳガスとＡｒガスとを含む改質用ガスを導入し、該改質用ガスから生成されたプラズマによりＡｒＦレジスト膜１６を改質する改質工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】下部電極又は上部電極の少なくとも一方を支持する接地基板及び収容容器の内壁の間における電位差を低減することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１０は、ガラス基板Ｇを収容するチャンバ１１と、該チャンバ１１内に配置されてガラス基板Ｇを載置する載置台としての下部電極板２３と、該下部電極板２３に対向して配置され且つチャンバ１１内に処理ガスを供給するシャワーヘッド１２と、該シャワーヘッド１２の上部電極板１３に接続された高周波電源２０と、下部絶縁部２５を介して下部電極板２３を支持すると共にチャンバ１１の内壁から離間して配置される接地基板２６と、該接地基板２６及びチャンバ１１の内壁を短絡する短絡板３６とを備え、該短絡板３６は断面が矩形の直線導体からなり、途中で少なくとも２つに分岐している。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置と半導体装置の製造方法において異常放電の有無を判断すること。
【解決手段】チャンバ１１内のステージ１２上にシリコン基板１１を載置するステップP1と、第１のステップの後、チャンバ１２内にプラズマ２２を発生させるステップP2と、プラズマ２２が発生している状態で、ステージ１２の電位V_sとプラズマ２２の発光強度Iとが同時に変動したときに、チャンバ１１内で異常放電が発生していたと判断するステップP5とを有する半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】金属エッチングと、残存フォトレジスト及び残留側壁パッシベーションの剥離のための改良された技術を提供する。
【解決手段】単一のエッチングチャンバ内で、金属エッチングと、エッチングマスク剥離と、残留側壁パッシベーションの除去とを実行する方法。ウエハは、エッチングチャンバ内に配置される。ウエハ上で、金属エッチングが実行される。酸素とアルゴンとの混合物等の剥離ガスが、エッチングチャンバに提供され、酸素プラズマを形成するために励起される。酸素プラズマは、エッチングマスクをウエハから剥離させ、残留側壁パッシベーションを除去する。酸素プラズマは、更に、エッチングチャンバをクリーニングする。 （もっと読む）

【課題】均一なプラズマを励起することが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内部に被処理体を載置する真空容器１００と、２つの電極部を有し、真空容器の内部に隙間を設けて配列された複数の電極対２００と、真空容器の内部にプラズマを励起するための電磁波を供給する伝送路とを備え、複数の電極対のそれぞれは、２つの電極部間に形成され、前記伝送路に接続され、前記プラズマ空間に向けてスリット状に開口する導波路２０５と、導波路に挿入され、プラズマ空間に露出する誘電体板２１０とを有し、伝送路から供給された電磁波が、導波路を伝搬した後に誘電体板のプラズマ露出面から真空容器内に放出してプラズマを励起することを特徴とするプラズマ処理装置１０が提供される。 （もっと読む）

【課題】プラズマ密度を高め、誘導結合効率の高い高密度プラズマを均一に分布させることができるプラズマ発生装置の提供。
【解決手段】アンテナシステム２０を構成する並列構造の３本のアンテナコイル２２，２３，２４は、仮想円の中心を基準に、各アンテナコイル２２，２３，２４のパワーエンドＰとグラウンドエンドＧを、相互対称の位置にさせ、各アンテナコイル２２，２３，２４は、互いに一定の間隔で交差するように巻かれて三重螺旋状に形成される。 （もっと読む）

【課題】処理容器内壁の腐食の問題が生じ難い処理装置を提供すること。また、耐プラズマ性および耐腐食ガス性に優れた、処理装置に用いられる耐食性部材およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】被処理基板を収容する処理容器と、処理容器内の被処理基板に処理を施す処理機構とを具備する処理装置であって、処理容器は、基材と、その内壁に溶射により形成された周期律表第３ａ族素化合物を含む膜とを具備し、その溶射により形成された周期律表第３ａ族元素化合物を含む膜の表面が研磨されている。 （もっと読む）

【課題】プラズマの化学的性質、密度、イオン・エネルギー、及びそれらの２つ以上のパラメータを正確に制御する装置を提供することである。
【解決手段】３以上の周波数５２，５４，５６でプラズマを励起し、それによって、その前記３以上の周波数によるプラズマの励起がプラズマ中でいくつかの異なる現象を同時に発生させることにより、加工物１８が真空プラズマ処理チャンバ１０内のプラズマで処理される。装置は、チャンバ１０、ＲＦて電力供給５１、またはプラズマ励起周波数のうちの少なくとも１つを他の周波数を除外して通過させるフィルタ構成６７、それに依って、て基準電位に接続される中央の頂部電極１４および底部電極１３ならびに周辺の頂部４２および／または底部電極３４、を含む構成である。前記装置で前記プラズマ処理を実施することで課題を解決する事が出来る。 （もっと読む）

【課題】処理室内にパーティクルが発生するのを防止することができ、プラズマの分布を乱すのを防止することができ、排気コンダクタンスの調整幅を拡大することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、ウエハＷを収容してプラズマエッチング処理を施す処理室１３と、該処理室１３と連通する排気室１４と、処理室１３及び排気室１４を仕切り且つ処理室１３内のプラズマが排気室１４内へ漏洩するのを防止する排気プレート１５と、排気室１４内に配される上部電極板２８とを備え、排気プレート１５は複数の貫通穴を有し、上部電極板２８も複数の貫通穴を有し、上部電極板２８は排気プレート１５と互いに平行に接触可能であるとともに、排気プレート１５から離間可能である。 （もっと読む）