【課題】冷却液の流通が仕切りによって過度に妨げられてしまうことを回避でき、基板支持台の冷却効率を向上させる。
【解決手段】基板支持台は、基板を支持する支持板と、支持板によって上端が閉塞され支持板の下方に冷却液の流路を構成する周壁と、周壁の下端を閉塞し流路の底部を構成する下蓋と、流路の上流端から冷却液を供給する冷却液供給部と、流路の下流端から冷却液を排出する排出部と、冷却液供給部と排出部との間に設けられた仕切りと、を備え、流路の底部と仕切りとの間に空隙が設けられている。 （もっと読む）

【課題】自然対流の影響を回避でき、安定した制御指令変動および目標温度で温度制御できる温度制御装置を提供すること。
【解決手段】温度制御装置は、温調装置１と、温度制御対象物と接触して温度を測定する温度センサ１０と、温調装置１を制御するコントローラ３０とを備え、コントローラ３０は、温度制御対象物の載置状態を判定する載置状態判定手段３１と、この判定結果に応じて温調装置１の制御ゲインおよび目標温度を切り換える切換手段３４と、制御ゲイン、目標温度、および温度センサ１０の測定値に基づき制御指令を生成する制御指令生成手段３５とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板洗浄チャンバ、チャンバコンポーネント及び基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板洗浄チャンバは、基板支持体に面する弧状面を有する輪郭付けされた天井電極を含み、弧状面と基板支持体との間のギャップの大きさを変えて基板支持体にわたり変化するプラズマ密度を与えるための可変断面厚みを有している。洗浄チャンバのための誘電体リングは、ベースと、峰部と、基板支持体の周囲リップをカバーする半径方向内方の張出部とを含む。ベースシールドは、少なくとも１つの周囲壁を有する円形ディスクを含む。洗浄チャンバのための洗浄及びコンディショニングプロセスについても説明する。 （もっと読む）

【課題】改善されたウエハ領域圧力制御を提供するプラズマ処理室を実現する。
【解決手段】プラズマ処理室は、プラズマを発生し維持するために接続される装置を持つ真空チャンバである。この装置の一部は、エッチング用ガス源および排気口である。閉じ込めリングはウエハ上の領域を定義する。ウエハ領域圧力はこの閉じ込めリングにわたる圧力降下に依存する。閉じ込めリングは、１００％より大きいウエハ領域圧力制御範囲を提供するウエハ領域圧力制御装置の一部である。そのようなウエハ領域圧力制御装置は、所望のウエハ領域圧力制御を提供するのに用いられるホルダ上の３つの調節可能閉じ込めリングおよび閉じ込めブロックでありえる。 （もっと読む）

【課題】所望の微細化パターンを高精度かつ効率良く形成することができ、生産効率を向上させることのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】トリミングされたフォトレジスト層１０４のラインパターンの上に第１の膜１０５を成膜する工程と、前記ラインパターンの側壁部以外にある第１の膜１０５およびフォトレジスト層１０４を除去する工程と、該除去後に残った部分の第１の膜１０５をマスクとして反射防止膜１０３とコア層１０２をエッチングし、コア層１０２をラインパターンとする工程と、ラインパターン化コア層１０２の上に第２の膜１０６を成膜する工程と、ラインパターン化コア層１０２の側壁部以外にある第２の膜１０６およびラインパターン化コア層１０２を除去する工程と、該除去後に残った部分の第２の膜１０６をマスクとして被エッチング層１０１をエッチングし、ラインパターンとする工程とを備えた製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】試料の径方向について処理の特性や加工形状の均一さを向上させたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器内部に配置され内部でプラズマが形成される処理室と、この処理室内に配置された試料台と、前記処理室の上方に配置され前記プラズマを形成する電界が透過する誘電体製の円形の板部材と、この板部材の上方に配置され内部に前記電界が導入される円筒形の空洞部と、この空洞の上部の中心に連結され上下に延在した内部を前記電界が伝播する円筒形の管路と、この管路の端部に配置され前記電界を発生する発生器とを備え、前記空洞部が前記板部材を底面とする径の大きな円筒形の空洞を有した第１の円筒空洞部とこの第１の円筒空洞部の上方でこれに接続されて配置され径の小さな円筒形の空洞を有した第２の円筒空洞部と、前記第１及び第２の円筒空洞部との間でこれらを接続する段差部とを備えた。 （もっと読む）

【課題】ステージ温度変化など運用条件の変更に対応し、突入電流の発生や過剰なＥＳＣ電流が流れることを防ぎ、なおかつ伝熱用ガスを導入する時点で裏面圧力以上の静電吸着力を発生させる。
【解決手段】被処理基板をプラズマ処理するための処理室と、該処理室内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、処理室内に設けられ被処理基板を保持する静電吸着膜を備えたステージを具備したプラズマ処理装置において、静電吸着膜と被処理基板間に流れるＥＳＣ電流の電流値を検知し、ＥＳＣ電流の値で吸着条件を設定し、ＥＳＣ電流が設定した制御範囲内に収まるようにＥＳＣ電流を検知しながら吸着電圧を段階的にステージに印加し、ＥＳＣ電流が制御範囲内に収まったことを検知した後に伝熱用ガスを導入する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板のエッチングにおける面内均一性を向上させるとともに、丸みのある滑らかな底面を有する素子分離用トレンチを形成することができる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板５１に素子分離用トレンチ５９を形成するためのパターニングが施されたハードマスク５７を形成する工程と、該ハードマスクをエッチング用マスクとして、希ガス、ハロゲンガス、および酸化性ガスを含むプロセスガスを供給し、所定の深さよりも浅い深さまでシリコン基板５１をエッチングする第一工程と、該第一工程の後に、希ガス、ハロゲンガス、酸化性ガス、および堆積性ガスを含むプロセスガスを、シリコン基板５１の中央領域および周縁領域にそれぞれ流量を制御して供給し、所定の深さＤ２までシリコン基板５１をエッチングして素子分離用トレンチ５９を形成する第二工程と、を備える製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】プラズマトーチユニットＴにおいて、全体としてコイルをなす銅棒３が、石英ブロック４に設けられた銅棒挿入穴１２内に配置され、石英ブロック４は、銅棒挿入穴１２及び冷却水配管１５内を流れる水によって冷却される。トーチユニットＴの最下部にプラズマ噴出口８が設けられる。長尺チャンバ内部の空間７にガスを供給しつつ、銅棒３に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間７にプラズマを発生させ、基材２に照射する。 （もっと読む）

【課題】防着板へのエッチング生成物の付着の影響を抑制することが可能なエッチング装置及びエッチング方法を提供すること
【解決手段】本発明のエッチング装置１は、チャンバＣと、ステージ４と、防着天板６と、防着板５と、第１の加熱部９とを具備する。チャンバＣは、電磁波を透過する窓部３が設けられている。ステージ４は、チャンバＣに収容され、エッチング対象物Ｗが載置される。防着天板６は、窓部３とステージ４の間に配置される。防着板５は、防着天板６と共にステージ４の周囲を囲う。第１の加熱部９は、第１の加熱部９はチャンバの外部Ｃに配置され、窓部３を介して防着板天６を加熱する。 （もっと読む）

【課題】エッチングレートを低下させることなくアスペクト比の高いホール等をシリコン層に形成することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】ウエハ上のポリシリコン層３８が臭化水素ガス、酸素ガス及び三弗化窒素ガスを含む処理ガスから生成されたプラズマ中の臭素陽イオン４５ａや臭素ラジカル４５ｂでエッチングされ、次いで、該エッチング中に生成された臭化珪素系デポ物４４が酸素ガス及び窒素ガスを含む処理ガスから生成されたプラズマ中の酸素ラジカル４６や窒素ラジカル４７で酸化処理されて酸化珪素に変成し、該酸化珪素がアルゴンガス及び三弗化窒素ガスを含む処理ガスから生成されたプラズマ中のフッ素陽イオン４８ａやフッ素ラジカル４８ｂで引き続きエッチングされることによって、ホール４３のエッチングレート低下が防止される。 （もっと読む）

【課題】基板から銅含有層の少なくとも一部を除去する方法を提供する。
【解決手段】第１反応チャンバ中で、銅含有表面層４の少なくとも一部を、ハロゲン化銅表面層５に変える工程と、第２反応チャンバ中で、光子含有雰囲気６に晒して、ハロゲン化銅表面層５の少なくとも一部を除去して、揮発性のハロゲン化銅生成物８の形成を始める工程とを含む。光子含有雰囲気６に晒す間に、この方法は、更に、第２反応チャンバから揮発性のハロゲン化銅生成物８を除去し、第２反応チャンバ中で揮発性のハロゲン化銅生成物８の飽和を避ける工程を含む。本発明の具体例にかかる方法は、銅含有層のパターニングに用いられる。例えば、本発明の具体例にかかる方法は、半導体デバイス中に銅含有相互接続構造を形成するのに使用される。 （もっと読む）

【課題】基板表面で均一な処理を生成するために、処理チャンバの内部に成分を分配する成分送給機構を提供する。
【解決手段】前記成分は、処理チャンバ１２内のワークピース１８を処理するために使用される。前記成分送給機構７５は、成分を処理チャンバの所望の領域に出力する複数の成分出力部を含む。前記成分送給機構は、更に、複数の成分出力部に結合された空間分配スイッチ４０，５６を含む。前記空間分配スイッチは、成分を複数の成分出力部の少なくとも一つへ振り向けるように構成される。前記成分送給機構は、更に、空間分配スイッチに接続された単一の成分供給源３６を含む。前記単一の成分供給源は、成分を空間分配スイッチへ供給するように構成される。 （もっと読む）

【課題】１パスカル以下の低ガス圧でも放電開始や放電維持が容易で、基材表面へのプラズマダメージを最小限にするプラズマ処理装置を提供する。また、大面積プラズマ生成装置及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理容器内に低インダクタンス誘導結合型アンテナ導体を装着したプラズマ処理装置において、前記低インダクタンス誘導結合型アンテナ導体に高周波電力を給電する高周波電源として、放電プラズマを持続するための第１の高周波電源と、該第1の高周波電源の周波数より大きな周波数の高周波電力を給電する第２の高周波電源で構成する。 （もっと読む）

【課題】大型の基板であっても、その表面全体を均一にエッチングすることができ、また、エッチング形状の悪化が生じないプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】プラズマ生成空間９に誘導電界を生じさせ、プラズマ生成空間９に処理ガスを供給してプラズマ化するプラズマ生成段階と、接地された導電性の材料から構成されるとともに、上部及び下部が開口し、その下端部の内径が、その上端部の内径及びプラズマ生成空間９を形成する胴部内径よりも小径となった漏斗状に形成されてなるプラズマ密度調整部材２０の上端部を、プラズマ生成空間９と基台１０との間の、チャンバ２の内壁に配置し、プラズマ密度調整部材２０の開口部に、プラズマ生成空間９で生成されたプラズマを通過させることにより、前記プラズマの平面内密度を調整して基台１０上の基板Ｋに導くプラズマ密度調整段階とを備える。 （もっと読む）

【課題】エッチング選択比の高いマスクを形成する技術を提供する。
【解決手段】エッチングによって被エッチング物をパターニングする際に用いるマスクを形成するためのマスク用材料であって、イソブチル基および／または環状炭化水素を有するシラン化合物からなることを特徴とするマスク用材料を提供する。また、エッチングによって被エッチング物をパターニングする際に用いるマスクの形成方法であって、パターン化されたホトレジスト上に上記マスク形成用材料を用いてＡＬＤ法により共形膜を形成する工程、エッチバックして前記レジスト膜の側面にマスク形成用材料が残るように加工する工程、前記レジスト膜を除去する工程、とを有することを特徴とするマスクの形成方法を提供する。こうして形成したマスク形成用材料をマスクとしてエッチングすることで、被エッチング物に微細パターンを形成する （もっと読む）

【課題】面内均一性の向上を図ることができる容量結合型のエッチング装置を提供する。
【解決手段】エッチング装置１は、真空槽１０と、真空槽内にエッチングガスを供給するガス供給部１０ｅと、真空槽内に配置されて、その上面に基板Ｓｂが載置される平板状のステージ電極１３と、ステージ電極１３とプラズマ生成空間Ｓを介して対向する平板状の上部電極板１７と、ステージ電極１３に高周波電力を供給する高周波電源２０と、直径がそれぞれ異なる３本の環状の磁気コイル３１〜３３から構成され、それらの磁気コイル３１〜３３の中心が同軸となるように真空槽１０の上方に設けられるとともに、最も外側の磁気コイル３１の直径が基板Ｓｂの直径よりも大きく、中央の磁気コイル３２の直径が基板Ｓｂの直径以下であって、プラズマ生成空間Ｓに磁気中性線ＮＬを生成する磁気コイル群３０とを備えた。 （もっと読む）

【課題】処理基板の中心部と周辺部のエッチング速度が異なるローディング効果を抑制することの出来るエッチング装置を提供する。
【解決手段】処理基板１１が載置されるステージ７が配置された陰極側電極３と、該電極に対向する陽極側電極との間に、前記陽極側電極側から前記陰極側電極側に貫通して、開口状態が調整可能な複数の開口部１００を有する障害物９を、処理基板１１の近傍に該基板の全面を覆うように配設することによって、前記基板の面内中心部のプラズマ密度を低減させて前記基板の中心部と外周部のプラズマ密度の偏りを抑制する。 （もっと読む）

【課題】 プラズマエッチングによって生じる表面の凹凸を抑制し、均一なエッチングが可能になるプラズマエッチング用シリコン電極板を提供すること。
【解決手段】 プラズマエッチング用シリコン電極板が、ＢとＡｌとがドーパントとして添加された単結晶シリコンで構成され、Ａｌの濃度が、１×１０^１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上である。このプラズマエッチング用シリコン電極板では、単結晶シリコンの電気特性が面内で均一化され、プラズマエッチングにおいて表面が消耗する際に凹凸を極めて少なくすることができると共に、割れを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 プラズマエッチングによって生じる表面の凹凸を抑制し、均一なエッチングが可能になるプラズマエッチング用シリコン電極板を提供すること。
【解決手段】 プラズマエッチング用シリコン電極板が、Ｎｉ，Ｃｒのうち一種以上とＢとがドーパントとして添加された単結晶シリコンで構成され、Ｎｉ，Ｃｒのうち一種以上の濃度が、２×１０^１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上である。このプラズマエッチング用シリコン電極板では、単結晶シリコンの電気特性が面内で均一化され、プラズマエッチングにおいて表面が消耗する際に凹凸を極めて少なくすることができる。 （もっと読む）