【課題】チタンを含有する金属化合物の膜を含むウエハを、フッ素を含有するガスを用いてエッチングするエッチング処理室をプラズマクリーニングするプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】チタンを含有する金属化合物の膜を含むウエハ１０２を、エッチング処理室１０１内の試料台１０３に載置し、ガス導入部１０４からフッ素を含有するガスを導入してエッチング処理を行い、Ｃｌ_２ガスとＣＨＦ_３ガスの混合ガス、または、Ｃｌ_２ガスとＣＨＦ_３ガスとＳｉの混合ガスを用いて、エッチング処理室１０１内に蓄積されるフッ化チタン系反応生成物を除去するプラズマクリーニングを行う。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの発生を低減ことが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、処理容器、ステージ、誘電体部材１６、マイクロ波を導入する手段２０ｂ、インジェクタ２２、及び、電界遮蔽部２４ｃを備えている。処理容器は、その内部に処理空間を画成する。ステージは、処理容器内に設けられている。誘電体部材は、ステージに対面するように設けられている。マイクロ波を導入する手段は、誘電体部材を介して処理空間内にマイクロ波を導入する。インジェクタは、誘電体製であり、一以上の貫通孔を有する。インジェクタは、例えば、バルク誘電体材料から構成される。このインジェクタは、一以上の貫通孔を有し、誘電体部材の内部に配置される。インジェクタは、誘電体部材に形成された貫通孔と共に処理空間に処理ガスを供給するための経路を画成する。電界遮蔽部は、インジェクタの周囲を覆う。 （もっと読む）

【課題】 エッチングの終点を精度良く制御する。
【解決手段】エッチング装置１は、処理ユニット２と制御ユニット３とを有する。処理ユニット内のプラズマの発光強度は、ＯＥＳ検出器２１で取得され、エッチング制御装置３１が非線形回帰分析して回帰式を決定する。非線形回帰分析は、プラズマの発光強度がピークを超えた第１の時間までに取得したプラズマの発光強度を用いて行われ、回帰式を用いてエッチング終点となる第２の時間が算出される。エッチング終点は、第１の時間から発光強度が所定値だけ減少する時間として算出される。エッチング装置１は、エッチング終点に達したら、エッチングを終了する。 （もっと読む）

【課題】ポッピングの発生を抑制するとともに、ポッピングが発生してしまった場合には飛散した変質層の破片をも除去することができるアッシング方法およびアッシング装置を提供する。
【解決手段】イオン注入により表面に形成された変質層４とその下の未変質層３とを有するレジストを除去するアッシング方法であって、基板の前記レジストが形成された面を覆うように塗布膜５を形成し、前記レジストと前記塗布膜５とを反応性ガスを用いたプラズマ処理により除去する。 （もっと読む）

【課題】 シリコン酸化物加工方法に関し、有害物質を用いることなく且つ加工屑を発生させることなく、シリコン酸化物の微細加工を可能にする。
【解決手段】 シリコン酸化物からなる被加工物上に水素と６個以上の炭素を含む有機化合物を供給しながら、エネルギビームを照射して、照射部位における前記シリコン酸化物をシリコン含有炭素化合物に変換し、前記変換したシリコン含有炭素化合物をハロゲンを含まない雰囲気中で化学反応により除去する。 （もっと読む）

【課題】大気圧下での基板のエッチングにおいて、反応室内でＣｌＦ_３などプロセスガスによるエッチングとＮ_２ガスなどによる基板冷却同時に実現可能とすること。
【解決手段】大気圧下でのエッチング処理において、基板裏面側にベルヌーイチャックで保持し、このベルヌーイチャックに冷却ガスを供給することによって基板裏面を冷却しながら、基板表面をプロセスガスによってエッチングする。
本構成によって、プロセスガスによるエッチングと冷却ガスによる基板冷却を同時に実現することができる。 （もっと読む）

【課題】装置保守によって装置状態が大きく変わった場合に、その装置状態に適合するモデルを短時間で導出する手法を提供することを目的とする。
【解決手段】実績データの加工量と、この時の加工条件とを用いて加工量予測重回帰式を調整し、
得られた加工量予測重回帰式を用いて、加工対象の加工目標値と加工量予測重回帰式に含まれる加工条件以外の説明因子とから加工条件を算出する手段を備え、
得られた加工条件で加工することを特徴とする加工装置。 （もっと読む）

【課題】処理経過時間毎に異常範囲設定したグラフと比較して異常検知することにより、設定値とは無関係にモニタ値が一定ではないデータの異常を検知する基板処理装置を提供する。
【解決手段】本願発明の基板処理装置は、複数のステップから構成される各種レシピをファイルとして少なくとも格納する記憶部と、少なくとも前記ファイルのパラメータ編集を行うための操作画面を表示する表示部と、該表示部等を介して入力された指示データや前記レシピ編集時におけるパラメータ設定値を入力する入力部とを少なくとも備えた操作部と、各ステップにおいて、前記パラメータ設定値、ステップ終了条件、異常監視条件のそれぞれが指定される所定のレシピを実行する制御部とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＩＣＰプラズマ処理装置における誘導磁場分布を調整し試料上でのプラズマ分布を補正して、試料に対して均一なプラズマ処理を行う。
【解決手段】ＩＣＰプラズマ処理装置において、誘導コイル４と誘電体窓１ａの間に、誘導コイルに沿って少なくとも誘導コイルの周方向の一部に併設された導体１２を設け、誘導コイルから導体の表面までの最短距離をＬｒとし、誘導コイルから誘電体窓直下のプラズマまでの最短距離をＬｐとし、誘導コイルからの誘導磁場強度を弱めたい箇所で、Ｌｐ≧Ｌｒの関係を満たす位置に導体を設置する。 （もっと読む）

【課題】電極板の洗浄回数を減らすことができ、洗浄から次の洗浄までのプラズマエッチング時間を一層長くして、効率良くプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置用電極板を提供する。
【解決手段】電極板３は、両電極構成板３１，３２が積層され、両電極構成板３１，３２の厚さ方向に貫通する通気孔１１が複数設けられてなり、通気孔１１は、放電側電極構成板３１に設けられる小径の第１穴部２１と、固定側電極構成板３２に設けられ第１穴部２１より穴径が大きい大径の第２穴部２２とが互いに連通して形成されており、第２穴部２２の内壁面には、その第２穴部２２の長さ方向に沿う複数の溝が周方向に間隔をおいて形成され、第１穴部２１と第２穴部２２との接続部には、第１穴部２１の開口を取り囲むようにリング状の凹溝部２３が設けられ、凹溝部２３の内周壁面と第１穴部２１の内壁面とで形成される立壁部２４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理室内の付着物の堆積を取り除く処理のタイミングをより適切にすることで、プラズマ処理装置の非稼働時間を低減し、処理の効率向上させるプラズマ処理装置及びその運転方法を提供する。
【解決手段】真空容器の内部に配置された処理室内にウエハを配置してこの処理室内にプラズマを形成して処理するプラズマ処理装置の運転方法であって、予め定められた間隔で前記処理室内にプラズマを形成してこの処理室内側の壁面の付着物を除去するクリーニング動作を行うクリーニング用モードを有し、このモードにおいて検出した前記プラズマを用いたクリーニングの際の付着物の量と前記プラズマを用いたクリーニング後の前記処理室のリーク量との各々が所定の値以下である場合に前記クリーニング用モードを終了する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発生室を構成するシリコンを含む構成部材に起因するパーティクルが被処理基板に付着することを防止することのできるプラズマ処理装置のクリーニング方法及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】シリコンを含む構成部材を有し、処理ガスを励起させてプラズマを生成するプラズマ生成室３０と、隔壁部材４０を介してプラズマ生成室に連通するプラズマ処理室２０と、プラズマ生成室の誘電体窓１３の外側に配設された平面状の高周波アンテナ１４０とを具備したプラズマ処理装置のクリーニング方法であって、プラズマ生成室内で水素ガスを含む処理ガスをプラズマ励起し発生した水素ラジカルを隔壁部材を介してプラズマ処理室に導入し被処理基板に作用させてプラズマ処理を施し、被処理基板を搬出した後、プラズマ生成室内に四フッ化炭素ガスを導入してプラズマ生成室内に堆積したシリコン系の堆積物を除去する。 （もっと読む）

【課題】高圧下において面内均一性の向上を図るとともに、エッチングレートの低下を抑制することができるエッチング装置及びエッチング方法を提供する。
【解決手段】基板Ｓを収容する真空槽１１と、基板Ｓが載置される下部電極２５と、下部電極２５に対してプラズマ生成空間ＰＬを介して対向する上部電極１２と、下部電極２５に接続された高周波電源２６と、真空槽１１にエッチングガスを供給するガス導入口１２ａと、真空槽１１内の圧力を調整する排気系制御部Ｃ２とを備えるエッチング装置であって、高周波電源２６は、下部電極２５にＶＨＦ周波数帯の高周波電力を供給し、排気系制御部Ｃ２は、真空槽１１内を５０Ｐａ以上１５０Ｐａ以下に調整し、下部電極２５と上部電極１２との間の電極間距離Ｌが５０ｍｍ以上１００ｍｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】真空処理室に設けられる基板載置台の表面部の状態の確認や当該表面部の交換を行うことによる真空処理の停止時間を短くすると共に、前記表面部の状態を精度高く管理すること。
【解決手段】基板が搬送される常圧雰囲気の常圧搬送室と、常圧搬送室とロードロック室を介して接続される真空処理室と、前記真空処理室に設けられ、本体部と、当該本体部に対して着脱自在な表面部とを有する基板載置台と、前記ロードロック室または常圧搬送室に設けられ、前記表面部を収納するための保管部と、常圧搬送室からロードロック室を介して真空処理室へ基板を搬送し、また前記保管部と前記真空処理室の本体部との間で前記表面部を搬送するための搬送機構と、を備えるように基板処理装置を構成する。これによって真空処理室の大気開放を防ぐと共に表面部の状態の確認が容易になるので当該表面部を精度高く管理することができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発生当初から天井電極板の温度を安定させることができ、複数のウエハに対して均一なエッチング処理を施すことができる天井電極板を提供することにある。
【解決手段】プラズマ処理装置１０において、基板載置台１２と処理空間Ｓを挟んで対向するように配置された天井電極板３１は、クーリングプレート３２を介して電極支持体３３に当接、支持されており、クーリングプレート３２との当接面には伝熱シート３８が形成されている。伝熱シート３８は、熱伝導率が０．５〜２．０Ｗ／ｍ・Ｋの範囲にあり、シリコンを成分に含む耐熱性の粘着剤やゴム、及び該粘着剤やゴムに混入された酸化物、窒化物または炭化物のセラミックスフィラーを、該粘着剤やゴム中に２５〜６０体積％で含み、その膜厚は、例えば３０μｍ〜８０μｍであり、天井電極板３１の各ガス孔３４の近傍の所定領域を回避するように塗布し、形成されている。 （もっと読む）

【課題】残留物よりも下にポリマーコーティングを有する基板処理構成部品の表面から、残留物を除去する。
【解決手段】一変形例においては、構成部品表面を有機溶媒と接触させて、ポリマーコーティングに損傷を与えることなく、またはポリマーコーティングを除去することなく残留物を除去する。残留物はプロセス残留物でも可能であり、または接着剤残留物でも可能である。この洗浄プロセスは、改装プロセスの一部として行うことができる。別の変更形態においては、構成部品表面にわたってレーザを走査させることによって、残留物をアブレーションする。さらに別の変形例においては、ことによって、構成部品の表面にわたってプラズマ切断機を走査させることによって、残留物を蒸発させる。 （もっと読む）

【課題】エッチングにおける加工制御性を向上することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、内部が減圧されるチャンバ１１と、該チャンバ１１内に配置されてウエハＷを載置するサセプタ１２と、プラズマ生成用高周波電圧をサセプタ１２に印加するＨＦ高周波電源１８と、バイアス電圧発生用高周波電圧をサセプタ１２に印加するＬＦ高周波電源２０と、矩形波状の直流電圧をサセプタ１２に印加する直流電圧印加ユニット２３とを備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ及びプラズマエッチングの分野において、生産コストの低減に必要な、高速で基板サイズの大面積化が可能なプラズマ表面処理方法およびプラズマ表面処理装置を提供する。
【解決手段】導波管を備えた空洞共振器１と、高周波電源２０と、インピーダンス整合器３２と、３端子サーキュレータ５０と、該３端子サーキュレータ５０に接続された無反射終端器５２及び反射波検知器５４とから成るプラズマ表面処理装置で、インピーダンスの整合を取るに際し、供給電力のアンテナ２からの反射波が最小に、かつ、該空洞共振器内部に放射される電力が最大になるように調整可能としたことを特徴とする。リッジ６１を有する導波管を用いることも特徴とする。 （もっと読む）

【課題】広範囲の繰り返し周波数帯域で高精度に制御可能な時間変調された間欠的な高周波電力を供給する高周波電源を備えるプラズマ処理装置及び前記プラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】真空容器と、該真空容器内にプラズマを生成するプラズマ生成手段と、前記真空容器内に設置され試料を載置する試料台と、時間変調された間欠的な高周波電力を前記試料台に印加する高周波電源とを備えるプラズマ処理装置において、前記高周波電源は、２つ以上の異なる周波数帯域を有し、前記周波数帯域のそれぞれが使用するアナログ信号の範囲が同じである繰り返し周波数によって高周波電力を時間変調することを特徴とするプラズマ処理装置である。 （もっと読む）

【課題】プラズマ生成空間から処理空間に進入するプラズマの光エネルギーを低下させ、生産性を向上することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係るプラズマ処理装置は、被処理物を載置する載置部１０３を有する処理容器１０１と、前記被処理物Ｗを処理するためにプロセスガスを活性化してプラズマを生成するプラズマ生成部６と、前記プラズマを生成した空間と前記被処理物を処理する空間７の間に設けられた遮光部８とを備え、前記遮光部は、内壁部に遮光面を持つ開口部を有し、前記プラズマの光が前記遮光面に遮られることを特徴としている。 （もっと読む）