【課題】一体型の多目的光学アラインメントのためのシステムおよび方法
【解決手段】半導体処理システムで使用される光学アラインメントシステムが提供される。この光学アラインメントシステムは、アラインメント用の特徴部を上面に一体形成されたウエハチャックを備える。また、ウエハチャックの上方には、アラインメント用の特徴部に向けて光信号を発することができるビーム形成システムが配置される。また、アラインメント用の特徴部に向けて発せられた光信号の振幅を検出することができる検出器も設けられる。一形態において、アラインメント用の特徴部は、光信号の一部をビーム形成システムに反射し返す反射性アラインメント用の特徴部であって良い。別の一形態において、アラインメント用の特徴部は、光信号の一部がウエハチャックを通過して検出器に到達することを可能にする透過性アラインメント用の特徴部であって良い。この形態では、ウエハチャックの下方に検出器を配置することができる。 （もっと読む）

大面積および／または高周波プラズマ反応器内の電圧および電界不均一性に対する真空処理装置および補償方法が示される。本方法は、例えば、ＬＣＤ、プラズマディスプレイおよび太陽電池の製造で用いられる長方形（または正方形）で大面積のプラズマ処理機器、または処理に電磁波（ＲＦ、ＶＨＦ）を用いる他のあらゆる反応器に対して広く適用可能である。本装置は、真空容器と、内部プロセス空間を画定する少なくとも２つの電極と、前記電極と接続可能な少なくとも１つの電源と、内部プロセス空間内で処理されることになる基板のための基板ホルダーと、ガス入力手段とを備え、前記電極のうちの少なくとも１つは第１断面に沿って凹状プロファイルを持ち、第２断面に沿って凸状プロファイルを持ち、第１断面は第２断面に平行である。
（もっと読む）

【課題】マスクを通して基板上のエッチングされるべきレイヤ内へ高アスペクト比フィーチャをエッチングする方法を提供する。
【解決手段】ＲＦ電力を第１周波数、前記第１周波数とは異なる第２周波数、および前記第１および第２周波数とは異なる第３周波数において与えることができる処理チャンバ内に基板が置かれる（４０４）。エッチャントガスが処理チャンバに供給される（４０８）。第１エッチングステップが行われ（４１２）、ここで第１周波数、第２周波数、および第３周波数は第１エッチングステップとしての電力設定である。第２エッチングステップが行われ（４１６）、ここで第１周波数、第２周波数、および第３周波数は異なる電力設定である。オプションとして第３エッチングステップも提供されえる（４２０）。 （もっと読む）

基材と該基材上に設けられた耐腐食性コーティングとを含む物品が提供される。基材は、一般にアルミナから本質的になり、耐腐食性コーティングは、基材と耐腐食性コーティングの間に介在層、例えば、高温処理プロセスにより提供される反応生成物を与えることなく基材と直接接触するように設けられる。耐腐食性コーティングは、一般に希土類酸化物から本質的になり、約１５ＭＰａ以上の付着強度を有する。特定の実施態様によれば、本物品は、半導体ウェハを処理するための半導体処理装置（１０）で利用及び実装されるセラミック部材（１８、２０）である。
（もっと読む）

プラズマ処理リアクタ（２００）は、チャンバー（２０２）および基板支持（２１６）を含む。チャンバーは、チャンバーの側壁へ延びる開口を含む。基板支持は、チャンバー内に着脱自在に取り付けられる。チャンバーの開口は、基板支持をチャンバーから開口を通過させて取り除くことができる大きさである。チャンバー内の内壁および基板支持の表面部に被膜（２２８）が施される。被膜は、電気抵抗材料から作られ、内壁の表面部に沿ってインピーダンスを生じさせる一方、チャンバーの反対側より多くのＲＦ還流電流を流す。また、被膜は、チャンバーの内壁の表面に沿ってＲＦ還流電流の密度が実質的になるように、基板支持に沿ってインピーダンスを生じさせる。 （もっと読む）

本発明においては、処理システム内において使用し得るよう、様々な構成を有した適応可能な処理部材（５０，１５０〜１５６）を提供する。処理部材は、主要部材（１８２，２００，２０２，２３０）と、少なくとも１つの着脱可能部材（１８４，２０８，２３２）と、を備えている。着脱可能部材は、ある構成においては、取り付けたままで保持することができ、他の構成においては、取り外すことができる。着脱可能部材は、右側に配置されたあるいは左側に配置されたパンチアウト（２１０，２１４，２１６）を有することができる。これにより、処理チャンバのガス供給ラインが右側に配置されていてもまた左側に配置されていても、適応することができる。加えて、着脱可能部材を保持したままとしたりまたは取り外したりすることにより、様々なサイズの処理チャンバに対して適応することができる。このような処理部材の製造方法も、また、提供される。
（もっと読む）

【課題】 ＨＩＧＨ−Ｋ誘電材料をエッチングする方法とシステム。
【解決手段】 プラズマを使用した、第１のプロセスと、第２のプロセスとの間での基板を加熱する方法は、記載されている。この加熱方法は、熱伝達ガスの裏面供給を取りやめ、クランプ力を取り除くこととによって基板ホルダ上の基板を熱的にアイソレートすることを具備する。さらにまた、希ガスのような不活性ガスは、プラズマ処理システムに導入され、プラズマは、点火される。基板は、第１の温度（すなわち、一般的に１００℃未満）から第２の温度（すなわち、一般的に４００℃オーダー）まで基板の温度を上昇させるのに十分な期間、不活性プラズマにさらされる。 （もっと読む）

処理チャンバ内にワークピースを支持する装置が設けられ、その装置は、ワークピースを支持する表面を有する第１の「ホット・チャック」を有し、そのホット・チャックは当該ホット・チャックを加熱する電気的な加熱要素を含んでおり、当該装置はまた熱伝導流体を循環させるためにそこに形成された流路を有する第２の「コールド」チャックを有する。ホット・チャックとコールド・チャックとの間の熱伝達の比率を変化させるために、コールド・チャックはホット・チャックに向けてまたはホット・チャックから離れて選択的に移動可能である。
（もっと読む）

【課題】半導体基板の熱処理後、冷却ガスにより急速に基板の冷却を行う。
【解決手段】本発明は、半導体の熱処理装置や半導体基板を熱的に冷却する方法に関する。本発明の一特徴によれば、ガス冷却クランプと関連する方法が記載され、自由分子レジームで一様な熱伝導によって基板の冷却を行う。ガス冷却クランプはそれらの間に間隙を有する複数の突起を備えたクランピングプレートを含み、間隙の距離即ち深さは、冷却ガスの平均自由行程と関連する。ガス冷却クランプは、更に、冷却ガスの熱移動係数を制御するために、複数の間隙内の冷却ガスの背圧を制御する圧力制御システムを含む。冷却ガスの熱移動係数は、当初、圧力の関数であり、実質的に間隙距離に独立である。 （もっと読む）

【課題】 アルミニウムを主成分とする導体膜パターンを有する半導体集積回路装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】 アルミニウムを主成分とする導体膜１６ｄを有する第１層配線Ｌ１をドライエッチング法によってパターニングした後、その加工側壁の側壁保護膜１８およびエッチングマスクとして使用したフォトレジストパターン１７ａをプラズマアッシング処理によって除去する。続いて、絶縁膜１５ｂおよび第１層配線Ｌ１の表面に付着した塩素成分を、酸素ガスとメタノールガスとの混合ガスを用いたプラズマアッシング処理によって除去する。この際、フォトレジストパターン１７ａ等のアッシング除去処理時は、ウエハの主面温度が相対的に低くなるようにし、塩素成分の除去処理時は、ウエハの主面温度が相対的に高くなるようにする。また、それらのプラズマアッシング処理を別々の処理室で行う。 （もっと読む）

【課題】 被処理基板の昇温速度を向上し、成膜時の被処理基板温度を均一化する。
【解決手段】 基板処理装置は、真空容器内で被処理基板Ｗを保持しつつ回転させる基板保持体２を備える。基板保持体２は、被処理基板Ｗを載置するリング状載置部１２を有する回転体１０と、回転体１０内に回転体とは非接触で設けられ、被処理基板Ｗを加熱するヒータ、ヒータ支持体、支持軸等を一体化したヒータ部５０とを有する。被処理基板Ｗを所定の温度に昇温させる際は、回転体１０に対して上昇させたヒータ部５０に被処理基板Ｗを接触保持させた状態で直接加熱する。昇温後、被処理基板Ｗを成膜処理する際には、回転体１０に対して下降させたヒータ部５０から被処理基板Ｗを離間させるとともに、リング状載置部１２に被処理基板Ｗを保持させた状態で、載置部１２に保持した被処理基板Ｗをヒータ部５０に対して相対的に回転させることにより被処理基板Ｗの処理を行う。 （もっと読む）

【技術課題】 基板に損傷や表面汚染を与えることなく、エッチングや成膜が行え、チャンバや電極等の構造は同一であるにも拘らず、導入するガスやプラズマ励起周波数を変えることにより、エッチングや成膜にも応用可能であり、生産性に優れるとともに、低価格で高性能なプラズマプロセス用装置を提供すること。
【解決手段】 容器内105に対向するように設けられ夫々平板状に形成された第１及び第２電極102，104と、プラズマに対して安定な材料から成り第１電極102上を覆うように設けられる保護部材101と、第２電極104上に被処理物103を取り付けるための保持手段と、第１電極102に接続される第１の高周波電源111と、第２電極104に接続される第２の高周波電源110と、容器105内に所望のガスを導入するためのガス供給手段とを少くとも備え、第１の高周波電源の周波数が前記第２の高周波電源の周波数より高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 メインテナンス後に再装着しても割れることのない電極板を有するプラズマ装置を提供する。
【解決手段】 電極支持体２２と電極板２３との境界面の少なくとも片方に，薄い絶縁被膜６２を設け，電極支持体２２と電極板２３との直接の接触を避け，絶縁被膜の厚さを調整して，融着を防止しつつ性能を保持したプラズマ装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、例えば１ｍ×１ｍ乃至２ｍ×２ｍ級の大面積基板に対しても高速且つ均一性に優れることを課題とする。
【解決手段】内部に基板７５がセットされる、排気系５９を備えた真空容器４１と、この真空容器４１内に放電用ガスを導入する放電用ガス導入系と、前記真空容器４１内に前記基板７５と対向して配置された電極４６と、この電極４６に高周波電力を供給して放電用ガスを放電させてプラズマを生成する電力供給系とを具備し、生成したプラズマを利用して真空容器４１に配置される基板７５の表面を処理する表面処理装置において、前記電極４６は金属製の薄膜構造であることを特徴とする表面処理装置。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ処理をおこなうチャンバ全体としては、電気的高周波的な特性が考慮されていなかった。
【解決手段】 プラズマを励起するための電極を有するプラズマチャンバＣＮと、この電極４，８に接続された高周波電源１と、プラズマチャンバＣＮと高周波電源１とのインピーダンス整合を得るための整合回路２とを具備し、整合回路２Ａをその出力端ＰＲから切り離し、給電板３で測定したプラズマチャンバＣＮの第１直列共振周波数ｆ₀ の３倍が、高周波電源１からプラズマチャンバＣＮに供給される電力周波数ｆ_e より大きな値の範囲に設定されてなる。 （もっと読む）

【課題】 定盤表面を均熱に加熱できるとともに、冷却機能を有する均熱装置を得ることにより、被成形物の加工時間の短縮を図る。
【解決手段】 定盤１の被成形物が載置される面と反対側の面に例えば一体となって配置され、冷却媒体が流通する冷却構造体８を設ける。冷却構造体８に形成された水などの冷却媒体１０を流通させる流路９を形成する。冷却構造体８は供給口１１から冷却媒体１０が導入され、流路９を流通し排出口１２から排出される。 （もっと読む）

【課題】セラミックスからなる板状体の一方の主面に発熱抵抗体を有するとともに、該発熱抵抗体と電気的に接続される給電部を具備してなるセラミックヒーターにおいて、板状体の厚みを薄くすると、発熱抵抗体で発生した温度分布が十分緩和されず、載置したウエハの温度がなかなか均一にならないという課題があった。
【解決手段】上記発熱抵抗体の少なくとも一部を、周囲のパターンの抵抗値に対し３倍以内の抵抗値にトリミングした抵抗調整部を形成する。 （もっと読む）

【課題】大面積基板のエッチングや薄膜形成等の表面処理を行うのに有用なプラズマ発生装置に関わり、真空容器に絶縁体の隔壁部あるいは天板を設けてその外側に高周波アンテナを設置する従来の誘導結合型プラズマ発生装置では、放電室の径が大きくなるにつれ絶縁体の厚みを大幅に増大させなければならず、高周波電力の利用効率が低下するという問題があった。
【解決手段】プラズマ発生装置の真空容器１の内部にアンテナ導体５全体を入れ、絶縁体の隔壁や天板を用いる必要をなくして、アンテナから放射される誘導電界の全てを有効利用できるようにした。またアンテナのインダクタンスを小さくしたり、アンテナ導体を絶縁体で被覆したりして異常放電の発生を抑制し、高密度プラズマの安定化を図っている。 （もっと読む）