【課題】誘導結合型のプラズマ処理においてチャンバ内に形成されるドーナツ状プラズマ内のプラズマ密度分布を効率よく任意に制御すること。
【解決手段】この誘導結合型プラズマ処理装置においては、誘導結合プラズマを生成するために誘電体窓５２の上に設けられるＲＦアンテナ５４が径方向で内側コイル５８、中間コイル６０および外側コイル６２に分割されている。高周波給電部６６の高周波伝送路上に設けられる第１ノードＮ_Aと第２ノードＮ_Bとの間で、中間コイル６０および外側コイル６２には可変の中間コンデンサ８６および外側コンデンサ８８がそれぞれ電気的に直列接続され、内側コイル５８にはリアクタンス素子が一切接続されない。 （もっと読む）

【課題】リング部材の温度を制御することにより、基板裏面への堆積物の付着量を抑えること。
【解決手段】容量結合型のプラズマエッチング装置において、載置台３の基板載置領域３２を囲むように、当該載置台３上にプラズマの状態を調整するためのフォーカスリング５を設ける。また、前記載置台３の上面と前記フォーカスリング５の下面との間に、フォーカスリング５に沿ってリング状の絶縁部材６を設けると共に、この絶縁部材６に対してウエハＷの径方向に隣接する位置であって、前記載置台３の上面と前記フォーカスリング５の下面との間に、これら上面及び下面に密着するように伝熱部材７を設ける。プラズマ処理の際、フォーカスリング５の熱は伝熱部材７を介して載置台３に伝熱するので、フォーカスリング５が冷却され、ウエハＷ裏面への堆積物の付着量を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】処理空間内に発生する磁界における垂直成分を極力小さくして該垂直成分の影響をなくし、これによって処理空間内のプラズマ密度分布を良好に制御することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】サセプタ１２と、該サセプタ１２と対向して配置された上部電極２３とで処理空間Ｓを形成するプラズマ処理装置１０は、上部電極２３に関して処理空間Ｓとは反対側に配置された磁場形成部を有し、この磁場形成部は、上部電極２３の処理空間Ｓとは反対側の面において平面視で同心円状に配置された一対の環状の磁石列２７ａ及び２７ｂを備えた少なくとも１つの磁力線生成ユニット２７を有し、この磁力線生成ユニット２７の磁石列２７ａ及び２７ｂにおける磁石の軸線によって形成される角度θ１が０°＜θ１≦１８０°である。 （もっと読む）

【課題】より安価に基板表面の窒化膜をエッチングできる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】表面に窒化膜が形成された基板Ｗは、処理室１１内においてヒータユニット１３上で保持される。処理流体導入口２５から過熱水蒸気が導入され、この過熱水蒸気が基板Ｗに導かれる。この過熱水蒸気によって、基板Ｗ上の窒化膜がエッチングされる。処理室１１の内壁は、処理室ヒータユニット５０によって加熱される。均熱リング４０は、基板Ｗの周縁部に接し、基板Ｗの温度を均一化する。 （もっと読む）

【課題】基板に対してプラズマ処理を行う装置についてダミー基板を用いずにプラズマによりクリーニングするにあたり、載置台表面の損傷を抑制することのできる技術を提供すること。
【解決手段】プラズマエッチング処理後に、サセプタ３の表面を露出した状態でプラズマエッチング装置の真空容器１の内部をプラズマＰによりクリーニングし真空容器１の内部に付着した反応生成物Ａを除去する。このとき、プラズマＰに直流電圧を印加する。これにより、高密度なプラズマＰを得ながらそのプラズマＰのイオンエネルギーを低減させることができるため、良好なクリーニングを行いつつサセプタ３の表面の損傷を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】排気効率の低下を防止することができる粒子捕捉ユニットを提供する。
【解決手段】パーティクルＰが飛来する空間に晒されるパーティクルトラップユニット４０を構成する第１のトラップユニット４０ａは、複数の第１のステンレス鋼４４ａからなる第１のメッシュ状層４４と、複数の第２のステンレス鋼４５ａからなる第２のメッシュ状層４５とを備え、第１のステンレス鋼４４ａの太さは第２のステンレス鋼４５ａの太さよりも小さく、第１のメッシュ状層４４における第１のステンレス鋼４４ａの配置密度は第２のメッシュ状層４５における第２のステンレス鋼４５ａの配置密度よりも高く、第２のメッシュ状層４５は第１のメッシュ状層４４及びパーティクルＰが飛来する空間の間に介在し、第１のメッシュ状層４４及び第２のメッシュ状層４５は焼結によって焼き固められて互いに接合している。 （もっと読む）

【課題】 ワーク表面に均一な濃度で処理ガスを吹き付けることができる表面処理用ノズル装置を提供する。
【解決手段】
ノズル装置のガス通路は、処理ガスが供給されるガス供給口と、上記ガス供給口からの処理ガスを分け、一直線上に間隔をおいて水平に並んだ多数の分岐下流端１２ｂへと送る通路分岐部と、これら分岐下流端１２ｂの配列方向と平行をなして直線的に連続して延びる合流部８０と、流れ方向変更部９０と、吹出スリット６１とを有している。流れ方向変更部９０は、多数の分岐下流端１２ｂから合流部８０へ送られてきた処理ガスを、下向きに送る第１通路部分９１と、上向きに送る第２通路部分９２と、下向きに送る第３通路部分９３とを有し、この第３通路部分９３からの処理ガスが吹出スリット６１からワークＷに向かって下向きに吹き付けられる。 （もっと読む）

【課題】ハロゲンガスを用いずに少なくとも白金を含む層をエッチングすることができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷに形成された白金マンガン層３７を所定のパターン形状を有するタンタル層３８を用いてエッチングする際、一酸化炭素ガス、水素ガス及びアルゴンガスを含む処理ガスを用い、該処理ガスにおける一酸化炭素ガス及び水素ガスの流量合計に対する水素ガスの流量比が５０％乃至７５％である。 （もっと読む）

【課題】誘電率値に不利に影響せずに基板を効果的に洗浄することができる基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置は、イオン水素含有化学種とラジカル水素含有化学種との第一比率を有する活性ガスを形成するために水素含有ガスを遠隔励起するリモートソースを有する。本装置は、基板支持体と、遠隔励起ガスをろ過して、イオン水素含有化学種とラジカル水素含有化学種の第二比率を有し、第二比率が第一比率と異なる、ろ過された励起ガスを形成するイオンフィルタと、チャンバにろ過された励起ガスを導入するガス分配器とを備えたプロセスチャンバを有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマの逆流を防止して冷却板の損傷を防ぐことができ、被処理基板に面内均一なプラズマ処理を行わせることができるプラズマ処理装置用電極板を提供する。
【解決手段】電極板３は電極構成板３ａ，３ｂを積層してなり、隣合う電極構成板３ａ，３ｂの対向面間において、固定側電極構成板３ａに形成された通気孔１１ａの軸芯に対して、放電側電極構成板３ｂに形成された通気孔１１ｂの軸芯がずれて配置されているとともに、これら両電極構成板３ａ，３ｂの対向面間には溝状の空隙部３４が設けられており、空隙部３４は、両電極構成板３ａ，３ｂ間で通気孔１１ａ，１１ｂを相互に連通するとともに、個々の電極構成板３ａ，３ｂの複数の通気孔１１ａ，１１ｂを対向面に沿って連結状態としている。 （もっと読む）

【課題】長尺な導波管を用いて均一なラインプラズマを生成し、被処理体に対し均一な処理が可能な大気圧方式のプラズマ生成装置を提供する。
【解決手段】プラズマ生成装置２０は、マイクロ波を発生させるマイクロ波発生装置２１と、マイクロ波発生装置２１に接続され、その一部分としてアンテナ部４０が設けられた矩形導波管２２と、矩形導波管２２に接続されてその内部へ処理ガスを供給するガス供給装置２３と、アンテナ部４０内のガス及び必要に応じて処理容器１０内を排気するための排気装置２４と、矩形導波管２２内で定在波の位相を変化させる位相シフト装置２５Ａとを備えている。アンテナ部４０は、スロット孔４１を有しており、大気圧状態の矩形導波管２２内に供給された処理ガスをマイクロ波によってプラズマ化し、スロット孔４１から外部の被処理体へ向けて放出する。 （もっと読む）

【課題】ガス吐出部分が金属とセラミックスの２層構造のシャワープレートを有するシャワーヘッドを用い、均一な処理を行うことが可能な基板処理装置を提供すること。
【解決手段】シャワーヘッド１８は、ガス導入孔６１ａが形成された金属製の上部プレート６１と、複数のガス通過孔６６が形成された金属製の下部プレート６２と、上部プレート６１と下部プレート６２との間に設けられたガス拡散空間Ｓと、下部プレート６２の下側全面を覆うように設けられ、ガス通過孔６６に対応して複数のガス吐出孔６７が形成されたセラミックス製のカバー部材６４と、ガス拡散空間Ｓ内に上部プレート６１と下部プレート６２との間を接続するように設けられ、処理にともなって発生する熱を上方へ伝熱する複数の伝熱部材７０ａ，７０ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】空隙に供給されたガスを被処理基板に接触させ、該被処理基板の温度を制御するプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理槽１０１と、処理槽１０１内に配され、基板１０２を一面に接して載置する支持部材１０３と、処理槽１０１外に配されたガス供給手段１０４から、支持部材１０３と基板１０２との間の空隙１０３Ｄ内へ、ガスを供給する流路１０５と、を有し、空隙１０３Ｄは、空隙１０３Ｄを通してプラズマ処理槽１０１内にガスを誘導するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】ボーイングの発生を抑制し、側壁形状を垂直に維持しつつ高アスペクト比のコンタクトホールを形成することのできるプラズマエッチング方法及びコンピュータ記録媒体を提供する。
【解決手段】炭素とフッ素の比率（Ｃ／Ｆ）が第１の値である第１処理ガスを含む処理ガスを用いたプラズマエッチングにより、マスク層の残量と、ホールのボーイングＣＤとの相関関係を調べ、ボーイングＣＤの変化量が増大する変化点に相当するマスク層の残量を求める準備工程と、第１処理ガスを含む処理ガスを用い、マスク層の残量が変化点となるまでプラズマエッチングを行う第１プラズマエッチング工程と、第１プラズマエッチング工程の後に行う、第２プラズマエッチング工程とを具備し、第２プラズマエッチング工程は、少なくとも、第１の値よりＣ／Ｆが小さい第２処理ガスを含む処理ガスを用いたプラズマエッチングを行う期間を含む。 （もっと読む）

【課題】処理室内の処理ガスの圧力を制御する際の精度を加工条件ごとに向上できる圧力制御装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１の処理室９０内における処理ガスの圧力を制御する圧力制御装置７０であって、検知部２０と、排気管３０と、調整弁４０と、圧力制御部４２、４３とを備える。調整弁４０は、排気管３０に配されている。圧力制御部４２、４３は、検知部２０により検知される圧力が目標値に一致するように調整弁４０を制御する。調整弁４０は、弁口と変更部とスライド弁とを有する。弁口は、排気管３０に連通されている。変更部は、弁口の形状を、中心が排気管３０の中心軸ＣＡの近傍に位置した異なる形状に変更する。スライド弁は、変更部により変更された弁口の開度を調整する。圧力制御部４２、４３は、変更部による弁口の形状の変更と、スライド弁による弁口の開度の調整とを制御する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で均一なプラズマを発生させることができるプラズマ発生装置およびプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ発生装置１００は、マイクロ波を発生させるマイクロ波発生部２と、一端がマイクロ波発生部２と接続された第１の導波管３と、第１の導波管３のマイクロ波発生部２と接続された側とは反対の側に接続された第２の導波管４と、を備えている。第２の導波管４は、円環状のスロット５が設けられたＨ面と、Ｈ面に対して垂直な方向に伸びるＥ面と、を有している。Ｈ面に対して垂直な方向における第１の導波管３の断面寸法Ｌｈ１と、第２の導波管４の断面寸法Ｌｈ２と、は、同じとされ、Ｅ面に対して垂直な方向における第２の導波管４の断面寸法は、第１の導波管３の断面寸法よりも大きくされている。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波を用いたプラズマ処理装置において、プラズマ処理の均一性を向上する。
【解決手段】リング状空洞共振器２０４を用いたプラズマ処理装置において、処理室の中心軸と同心に設置されたプラズマ発生用電磁波導入経路を有し、電磁波を複数の出力ポートに分配する分岐回路の出力ポートに接続され、プラズマ発生用電磁波の導入経路と同心に設置されたリング状空洞共振器２０４を備え、プラズマ発生用電磁波導入経路が円形導波管２０１により構成され、分岐回路が、該処理室の中心軸に対して均等な角度で配置された複数の導波路で構成され、円形導波管２０１に円偏波の発生機構６０２を備えて、共振器内部に進行波を励振する。 （もっと読む）

【課題】従来に比べてより細かなプラズマの制御を可能とすることのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内部で基板を処理する処理チャンバーに、基板を載置するための載置台と対向するように設けられ、載置台と対向する対向面に複数設けられたガス吐出孔から基板に向けてガスをシャワー状に供給するシャワーヘッドを備えたプラズマ処理装置であって、シャワーヘッドの対向面と反対側の面とを貫通する複数の排気孔と、反対側の面側の排気孔と連通した排気空間内に、反対側の面と平行に配設された導電性材料からなる環状の板体と、板体を移動させて排気孔との距離を変更するための移動手段と、を具備している。 （もっと読む）

【課題】冷却液の流通が仕切りによって過度に妨げられてしまうことを回避でき、基板支持台の冷却効率を向上させる。
【解決手段】基板支持台は、基板を支持する支持板と、支持板によって上端が閉塞され支持板の下方に冷却液の流路を構成する周壁と、周壁の下端を閉塞し流路の底部を構成する下蓋と、流路の上流端から冷却液を供給する冷却液供給部と、流路の下流端から冷却液を排出する排出部と、冷却液供給部と排出部との間に設けられた仕切りと、を備え、流路の底部と仕切りとの間に空隙が設けられている。 （もっと読む）

【課題】従来に比べてより細かなプラズマの制御を可能とすることのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】導電性材料から全体形状がリング状に形成され、少なくとも一部が処理空間に露出するように処理チャンバー内に配設され接地電位を形成するための第一のグランド部材と、処理チャンバーの下方に形成された排気空間内に、第一のグランド部材と対向するように設けられ、導電性材料から全体形状がリング状に形成され、少なくとも一部が排気空間に露出する、接地電位を形成するための第二のグランド部材と、第一及び第二のグランド部材の間で上下動させ、第一及び第二のグランド部材のいずれかと接触させて、第一及び第二のグランド部材の接地状態を調整可能とされた接地棒とを具備したプラズマ処理装置。 （もっと読む）