【課題】本発明は、低マイクロ波電力から高マイクロ波電力の広範囲において、安定的なプロセス領域を確保できるプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明は、連続放電によるプラズマの生成が困難になる領域にて、プラズマの生成を容易にするとともに前記容易に発生させられたプラズマにより被処理物をプラズマ処理するプラズマ処理方法において、オンとオフを繰り返すパルス放電により前記プラズマを容易に生成し、前記パルス放電を生成する高周波電力のオン期間の電力は、前記連続放電によるプラズマの生成が容易になる電力とし、前記パルス放電のデューティー比は、前記高周波電力の一周期あたりの平均電力が前記連続放電によるプラズマの生成が困難になる領域の電力となるように制御されることを特徴とするプラズマ処理方法である。 （もっと読む）

【課題】 熱応力によるウエハ保持体の破損が生じにくく、且つ均熱性に優れたウエハ保持体を提供する。
【解決手段】 埋設された発熱体２を有し、窒化アルミニウムを主成分とする材料で構成される基板１と、この基板１に機械的に結合してこれを支持する筒状の支持体４とからなる半導体製造装置用ウエハ保持体であって、支持体４の内側には基板１の温度測定用の測温素子１１を収納する筒状体１２が設けられており、筒状体１２の内側は大気雰囲気であり且つ支持体４の内側の雰囲気から隔離されている （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ膜を下地膜としてＳｉＯＣ系のＬｏｗ−ｋ膜をエッチングする場合等、下地膜に対して選択比を十分に取り難い場合であっても、高選択比および高エッチングレートで被エッチング膜をエッチングすることができるプラズマエッチング装置を提供すること。
【解決手段】真空排気可能な処理容器10内に、上部電極34と下部電極16を対向するように配置し、上部電極34プラズマ形成用の高周波電力を供給する第１の高周波電源48を接続し、下部電極16にイオン引き込みバイアス用の高周波電力を印加する第２の高周波電源90を接続し、第２の高周波電源90に制御器95を設け、制御器95は、パワー変調するパワー変調モードで動作させる際、プラズマ着火時に、最初に前記第２の高周波電源90を同一パワーで連続的に高周波電力を供給するモードで動作させ、その後パワー変調モードに切り換えるように制御する。 （もっと読む）

【課題】歩留まりおよび生産性の向上を図る。
【解決手段】圧力やガス流量などの装置動作条件を示す装置パラメータの現状態を抽出するパラメータ抽出手段４１と、装置パラメータの現状態から装置加工結果を示す線幅や膜厚などの特徴量を算出する特徴量算出手段４２と、算出した特徴量が規定範囲かどうかにより装置の処理を継続するかどうかを判断する継続判断手段４３とを有し、継続判断手段４３が装置の処理を継続すると判定した場合に所定の処理を行い、継続判断手段４３が装置の処理を継続しないと判定した場合には、所定の処理を停止する。 （もっと読む）

【課題】改良されたプラズマ均一性制御のための電気的な、ガス流の、及び熱的な対称性を向上させたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理領域１０２を囲む蓋アセンブリ１１０及びチャンバ本体アセンブリ１４０と、チャンバ本体アセンブリ１４０内に配置された基板支持アセンブリ１６０と、チャンバ本体アセンブリ１４０によって排気領域１０４を画定する排気アセンブリ１９０であって、チャンバ本体アセンブリ１４０は処理領域１０２を排気領域１０４と流体接続する基板支持アセンブリ１６０の中心軸ＣＡの周りに対称的に配置された複数のアクセスチューブ１８０を含む。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板の表面における縁部を除く領域に凹凸形状を形成する。
【解決手段】基板の処理面の周縁部を選択的に覆うように配され、前記真空容器における前記ガス供給部側の内壁から前記基板ステージに向かって延在している延在部１２０と、前記基板の処理時において、前記ガス供給部と前記延在部と前記基板の処理面とで囲まれた第１の空間１０１と前記第１の空間より外側の第２の空間１０２とが互いに分離されるように前記基板の処理面の周縁部と前記延在部との距離を近づけ、前記基板の交換時において、前記基板の処理面の周縁部と前記延在部との距離を遠ざける距離調整機構２０と、第１の排気装置に接続されており、前記基板の処理時において、前記第１の空間を減圧する第１の排気口１２と、第２の排気装置に接続されており、前記基板の処理時において、前記第２の空間を減圧する第２の排気口１４０とを備える。 （もっと読む）

【課題】穴部の側壁を基板の表面に対して垂直に形成するとともに、高速にシリコン層をエッチングするプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】レジスト層をマスクとしてシリコン層をプラズマエッチングする方法であって、前記プラズマエッチング工程が、所定の比率で混合した堆積性ガスおよびエッチング性ガスの混合ガスを処理容器内に導入し、該混合ガス雰囲気で前記被処理基板をプラズマエッチングする第１のエッチングステップと、前記処理容器内に前記堆積性ガスを導入し、前記第１のエッチングステップによりプラズマエッチングされた被処理基板を該堆積性ガスが主体の雰囲気で堆積処理する堆積ステップ、および、前記処理容器内に前記エッチング性ガスを導入し、前記堆積ステップにより堆積処理された被処理基板を該エッチング性ガスが主体の雰囲気でプラズマエッチングする第２のエッチングステップを、複数回繰り返す。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの温度を調整する方法および装置を提供すること。
【解決手段】ウェーハの材質をエッチングするエッチング・システム１００は、測定装置１１４、エッチングチャンバ１０２、および制御装置１１２を有する。測定装置１１４は、複数の設定位置でのウェーハのプロファイルに沿って微細寸法テストフィーチャ（ＣＤ）を測定する。エッチングチャンバ１０２は、ウェーハを保持するチャック１０８と、該チャック１０８内の各設定位置に隣接して配置される複数の発熱体１１０と、を有し、測定装置１１４からウェーハを受け取る。制御装置１１２は、ＣＤを受け取る測定装置１１４および発熱体１１０に接続される。この制御装置１１２は、エッチング処理前のリソグラフィ処理で生じるＣＤばらつきを補正するために、エッチング処理の温度依存であるエッチング特性を用いて、各設定位置の間の微細寸法のばらつきを減らす処理において、各発熱体の温度を調整する。 （もっと読む）

【課題】３つ以上の環状アンテナ部を同心状に設けた高周波アンテナを用いた場合であっても、環状アンテナ部の電流の独立制御性が高い誘導結合プラズマ用アンテナユニットを提供すること。
【解決手段】アンテナユニット５０において、アンテナ１３は、高周波電力が供給されることにより処理室内に誘導電界を形成する同心状に設けられた少なくとも３つのアンテナ部１３ａ，１３ｂ，１３ｃを有し、各アンテナ部は、アンテナ線６１，６２，６３，６４等が渦巻き状に巻回されて構成され、アンテナ部１３ａ，１３ｂ，１３ｃのうち隣接するものどうしは、アンテナ線が互いに逆巻となるように巻回されている。 （もっと読む）

【課題】表面波プラズマ発生用アンテナから出力される電力やアンテナ直下のプラズマ状態を、プラズマ生成するための電界分布を乱すことなく直接検出することができるマイクロ波放射機構を提供すること。
【解決手段】マイクロ波放射機構４１は、表面波プラズマ発生用アンテナ８１と、誘電体からなる遅波材８２と、アンテナ８１から放射されたマイクロ波により表面波プラズマを生成するための電界が形成される誘電体部材８３と、電界センサ１１２またはプラズマ発光センサ１１３と、遅波材８２および表面波プラズマ発生用アンテナ８１を貫通するように設けられたセンサ挿入孔１１０とを具備し、センサ挿入孔１１０は、スロット内側に対応する領域に、同一の円周上にスロットの１以上の整数倍の個数が均等に形成されており、電界センサ１１２またはプラズマ発光センサ１１３は、センサ挿入孔１１０の少なくとも一つに挿入されている。 （もっと読む）

【課題】シリコン含有物を含む被処理基板のの表面にオングストロームオーダー〜ナノオーダーの微小凹凸を形成する粗化処理の処理性能を高める。
【解決手段】大気圧近傍の処理エリア２９に被処理基板９を配置する。フッ化水素蒸気及び水蒸気を含有するプロセスガスを供給系１０から処理エリア２９に供給する。調節部３によって、処理エリア２９の露点Ｔ_Ｄと被処理基板９の温度Ｔ_Ｓとの間の温度差（Ｔ_Ｄ−Ｔ_Ｓ）を０℃付近〜２０℃の範囲内の所定値になるように調節する。 （もっと読む）

【課題】微細な溝部の内部に隙間無く導電材料を埋め込み、導電性に優れた配線を得ることが可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】溝部１２を除いた基体１１の一面１１ａ、即ち溝部１２の頂面にエッチングカバー層１４を形成する。エッチングカバー層１４は、例えば、Ｔａ，Ｔｉまたはこれらを含む合金から構成される。エッチングカバー層１４の形成は、例えば、スパッタリング法を用いることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 基板上に形成されているシリコン膜と絶縁膜が積層している層状構造を有する積層膜に、基板面に垂直方向に形成されている孔又は溝の内側面に現れているシリコン層のドライエッチング深さの不均一化を抑制すること。
【解決手段】 基板上に形成されている、シリコン層と絶縁膜が積層している層状構造を有する積層膜に、基板面に垂直方向に形成されている孔又は溝の内側面に現れているシリコン層に対し、エッチングガスを用いてエッチングするドライエッチング方法において、エッチングガスとして、ＣｌＦ_３、ＢｒＦ_５、ＢｒＦ_３、ＩＦ_７、ＩＦ_５から選ばれる少なくとも１種類のガスとＦ_２とを含有するガスを用いることを特徴とするドライエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】カバレージ性の高い、面内均一性に優れたプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマによりターゲット（３１）から叩き出されたスパッタ粒子を基板（Ｗ）の表面に堆積させるに際して、そのスパッタ粒子をプラズマで分解して活性種を生成した後、基板表面へ堆積させる。これにより、プラズマＣＶＤに類似した成膜形態が得られ、カバレージ性の高い、面内均一性に優れたスパッタ成膜が可能となる。特に、プラズマ源に高周波電場と環状磁気中性線（２５）を用いているので、磁場ゼロ領域で非常に高密度なプラズマを効率よく発生させることができる。このプラズマは、磁気中性線の形成位置、大きさを任意に調整することで面内均一性の高いプラズマ処理が実現可能となる。 （もっと読む）

【課題】磁気記録媒体のような被エッチング材料の表裏両面へのプラズマ処理を行う際、基板の材質に関わらず被エッチング材料両表面に効率よくバイアスを印加し、両面処理ができるプラズマエッチング装置及びその方法を提供する。
【解決手段】略円環状の被エッチング材料に高周波電力を印加する一対の導電体を有し、略円環状の被エッチング材料の内縁を一対の導電体で挟持することで、略円環状の被エッチング材料の両面をエッチングするプラズマエッチング装置において、前記一対の導電体の一方に設置された導電体接続部材により、該略円環状の被エッチング材料の両面が電気的に導通するようにした。 （もっと読む）

【課題】処理対象の基板に対し、半導体デバイスの小型化要求を満たす寸法の開口部であって、エッチング対象膜に転写するための開口部をマスク膜又は中間膜に形成する基板処理方法を提供する。
【解決手段】アモルファスカーボンの下層レジスト膜７１、ハードマスクとしてのＳｉＯＮ膜７２、反射防止膜７３及びフォトレジスト膜７４が順に積層されたシリコン基材７０において、ＣＦ_３ＩガスとＨ_２ガスとの混合ガスから生成されたプラズマによってフォトレジスト膜７４の開口部７５の側壁面にデポ７６を堆積させて開口部７５の開口幅を縮小させるシュリンク工程と、反射防止膜７３及びＳｉＯＮ膜７２をエッチングするエッチング工程とを１ステップで行う。 （もっと読む）

【課題】隔壁の製造を容易とするとともに、その耐久性を向上させることで、ランニングコストが低減されたドライエッチング装置を提供する。
【解決手段】処理容器１６の開口２６は、全部又は一部が誘電体で構成された隔壁２２により塞がれている。隔壁は、複数の貫通孔３０を有する保護部材２４によりプラズマから保護されている。開口は、隔壁の周縁部の下面が開口の周囲の開口端面２０ｂと当接することで、隔壁により密閉される。隔壁と保護部材との間に、複数の貫通孔のそれぞれにプロセスガスを分配するガス分配空間３４が形成されている。開口端面の隔壁と当接する部分には、ガス分配空間と連通され、且つプロセスガス供給源に接続された溝４４が環状に設けられている。 （もっと読む）

【課題】保護部材の交換を容易とすることで、ランニングコストを低減することができるとともに、メンテナンスを容易とすることができるドライエッチング装置を提供する。
【解決手段】ドライエッチング装置１０は、被処理材１２が配置されるとともにプロセスガスが導入される処理空間１４を形成する筒状の容器本体１７と、処理空間と外部とを連通する、上部開口２６ａ及び下部開口２６ｂを有する中空部２６が設けられた容器上端部２０と、を有する処理容器１６を備える。上部開口は隔壁２２により塞がれる。中空部に、隔壁を保護するように板状の保護部材２４が収容されている。保護部材の周縁部の下面と当接する板状の当接部材４０が容器上端部に取り付けられている。容器上端部は、容器本体に取り付けたときの第１位置と、容器本体から取り外したときの第２位置との間で移動機構により移動される。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置の排気中に含まれる温暖化ガスの濃度は装置の稼動状態によって変化するため、最大濃度を代表値として推算する過大評価排出量しか推算できない。更に最終段の排気管でのサンプリングにおいては、フーリエ変換型赤外分光計等を用いた測定を行なうのが一般的である。しかし、この排気管内における当該ガスの濃度は、一般に測定に適した濃度よりも低く、温暖化ガス排出のタイミングにあわせた測定を個別の装置に対して実行しないかぎり工場全体の温暖化ガス排出量の総量が算出できないという問題がある。
【解決手段】本願発明は、複数のＣＶＤ装置およびドライエッチング装置を用いて、多数の半導体装置形成基板に対して、成膜処理およびエッチング処理を実行する半導体装置の製造方法に於いて、これらの排ガスを定量サンプリングして、濃縮した後、含まれている温暖化ガスのガス種と濃度を測定するものである。 （もっと読む）

【課題】純粋化学エッチング並びにＲＩＥエッチングにおいてエッチング速度の均一性向上のための方法を提供する。
【解決手段】プラズマ加工システムで利用するプラズマ加工ステップの調整方法において、プラズマ加工システムのプラズマ反応器内で中性分子とイオンとを含んだ第１プラズマをストライク処理するステップを含む。この方法はさらに、基板上の複数層を第１エッチングステップでエッチングするステップと、基板周囲に可動均一リング３０２を設置するステップとを含む。均一性リングの底面は基板の上面とほぼ同じ高さである。方法はさらに、プラズマ加工システムのプラズマ反応器内で本質的に中性分子で成る第２プラズマをストライク処理するステップを含む。方法はさらに、基板上の複数層を第２エッチングステップでエッチングするステップをむ。第１ステップのエッチングと第２ステップのエッチングとは実質的に均等である。 （もっと読む）