【課題】固体表面上に存在するスクラッチやそれに類する表面粗さをガスクラスターイオンビームの照射によって低減すること。
【解決手段】固体表面に対してガスクラスターイオンビームを照射する照射過程を含むガスクラスターイオンビームによる固体表面の平坦化方法であるとし、この照射過程は、固体表面のうち少なくともガスクラスターイオンビームが照射されている領域（スポット）に、複数方向からクラスターをほぼ同時に衝突させる固体表面の平坦化方法とする。スポットに対する複数方向からのクラスター衝突は、複数のガスクラスターイオンビームを照射することによって行われる。 （もっと読む）

【課題】アモルファスＴｉＯ_２の表面に微細な表面構造を形成することができるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施の形態に係るプラズマエッチング方法では、アモルファスＴｉＯ_２をエッチングするに際して、ラジカル反応が支配的な第１のエッチング工程と、イオン照射が支配的な第２のエッチング工程を含む。エッチング開始当初はエッチング圧力を比較的高めに設定した第１のエッチング工程を実施し、マスクパターンの開口領域を等方エッチングする。次いで、エッチング圧力を低くした第２のエッチング工程を実施し、アモルファスＴｉＯ_２をその表面に垂直な方向にエッチングする。これにより、マスクパターンに対応したエッチングパターンを高精度に形成でき、形状特性に優れた表面構造を形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】プラズマの逆流を防止して冷却板の損傷を防ぐことができ、被処理基板に面内均一なプラズマ処理を行わせることができるプラズマ処理装置用電極板を提供する。
【解決手段】電極板３の放電面３ａから厚さ方向途中まで形成された第１穴部１１ａと、放電面３ａとは反対面３ｂから第１穴部１１ａの軸芯ｃ１と平行な軸芯ｃ２に沿って厚さ方向途中まで形成された第２穴部１１ｂとが、互いに連通して形成される複数の通気孔１１を有するとともに、第１穴部１１ａと第２穴部１１ｂとの間に第１穴部１１ａの開口面積以下の開口面積を有するオリフィス２１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】手作業での環状隔壁部材の位置の変更や交換、あるいは処理ガス吐出部自体の交換をせずに、処理ガスの吐出位置を変更することが可能な処理ガス吐出部を有する処理装置を提供する。
【解決手段】載置台に対向して処理室内に設けられ、内部の隔壁１４を介して互いに区画される処理ガス吐出孔１６を有する処理ガス吐出部５と、被処理体面内のうちセンター部分に対応する第１の空間１５ａ、被処理体面内のうちエッジ部分に対応する第２の空間１５ｉ、及び第１の空間１５ａと第２の空間１５ｉとの間に設けられた少なくとも１つの第３の空間１５ｂ〜１５ｈ、に連通された処理ガス分配管１８ａ〜１８ｉ、さらに、隣接する処理ガス分配管１８ａ〜１８ｉどうしの間を開閉するバルブ１９ａ〜１９ｈを含む処理ガス分配ユニット１２と、を具備する処理装置とする。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハなどの被処理基板をプラズマ処理するに際し、周縁部下面におけるデポジションの発生をより少なくすることを目的としている。
【解決手段】処理チャンバー１０内に配置された載置台１１上に被処理基板Ｗを載置させ、高周波電圧を与えることにより処理チャンバー１０内にプラズマを発生させて、被処理基板Ｗを処理するに際し、載置台１１上に載置された被処理基板Ｗの周縁部下方に、プラズマで生成されたイオンを被処理基板Ｗの周縁部下面に向けて加速させる電界を形成することにより、イオンを被処理基板Ｗの周縁部下面に衝突させ、デポジションの発生を低減する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理の面内均一性を向上させることが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１１は、マイクロ波を発生させるマイクロ波発生装置４１と、処理容器１２と、処理容器１２の上部開口を閉鎖するように配置される誘電体窓１６と、誘電体窓１６の上方に配置されるスロットアンテナ板１７と、スロットアンテナ板１７の上方側に配置される誘電体部材１８と、スロットアンテナ板１７にマイクロ波を導入する導波部３２とを備える。ここで、マイクロ波発生装置４１は、搬送波を変調することによって所定の周波数帯域幅を有するマイクロ波を生成する変調装置６１を有する。 （もっと読む）

【課題】処理室の壁部との間において不必要な電界が生じるのを防止することができる電極構造を提供する。
【解決手段】電極構造としてのシャワーヘッド２２は、プラズマ処理装置のチャンバ１１内において、ウエハＷを載置するサセプタ１２と対向し、且つチャンバ１１の側壁部によって囲まれ、また、シャワーヘッド２２は、サセプタ１２に載置されたウエハＷの中心部と対向する内側電極２５と、該内側電極２５と絶縁され且つ内側電極２５を囲う外側電極２６と、該外側電極２６と絶縁され且つ外側電極２６を囲う接地電極２７とを備え、内側電極２５及び外側電極２６には第２の高周波電源３２からそれぞれ高周波電力が印加され、接地電極２７は接地され且つチャンバ１１の側壁部によって囲まれる。 （もっと読む）

【課題】ＶＨＦ帯の高周波電力の供給を行って大面積の被処理基板を処理した場合でも均一なプラズマを得ること。
【解決手段】プラズマ成膜装置において、第１の電極における第２の主面は複数の第１の給電点と複数の第２の給電点と少なくとも１つの第３の給電点と少なくとも１つの第４の給電点とを有し、前記複数の第１の給電点と前記複数の第２の給電点とは、対称点に関して対称な位置であって対称軸に関して対称な位置に配されるとともに、給電される高周波電力の位相差が互いに１８０度であり、前記少なくとも１つの第３の給電点と前記少なくとも１つの第４の給電点とは、それぞれ、前記対称点から等距離であり前記対称軸上となる位置に配される、あるいは前記対称点から等距離であり前記対称軸に関して対称な位置に配された１組の給電点を含む。 （もっと読む）

【課題】凹凸構造の角部分の形状変形を防いで固体表面の加工を行う。
【解決手段】上部にクラスター保護層が被覆形成された凸部とクラスター保護層が被覆形成されない凹部とでなる凹凸構造を固体表面に形成するクラスター保護層形成工程と、クラスター保護層形成工程において凹凸構造が形成された固体表面に対してガスクラスターイオンビームを照射する照射工程と、クラスター保護層を除去する除去工程とを有するガスクラスターイオンビームによる固体表面の加工方法とする。ガスクラスターイオンビームのドーズ量をｎ、クラスター保護層のエッチング効率を１クラスターあたりのエッチング体積Ｙとした場合に（但しａ及びｂは定数）、クラスター保護層の厚さＴは、


を満たす。 （もっと読む）

【課題】シャワーヘッドの裏面側空間における異常放電等のプラズマ処理に悪影響を与える現象の発生を抑制することができ、良好なプラズマ処理を安定的に行うことのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理チャンバー１０内に設けられ、基板載置台を兼ねた下部電極２１と、ガスを供給するシャワーヘッドとしての機能を備え、かつ、上下動可能とされた上部電極１３と、上部電極の上側に設けられ処理チャンバーの上部開口を気密に閉塞する蓋体１２と、上部電極と蓋体との間の空間を閉塞するように配設され、内側に外側と隔離された隔離空間を形成するとともに、内部に気体を導入・排出するための導入・排出口を有し、上部電極の上下動に応じて隔離空間の容積を変動可能とされた隔離空間形成部材３１と、隔離空間形成部材の隔離空間に気体を供給、及び排出する気体供給排出機構３４を具備している。 （もっと読む）

【課題】プラズマプロセスチャンバ用プラズマ閉じ込めリングのプラズマ曝露面の上へのポリマーの堆積を大幅に低減する。
【解決手段】プラズマプロセスチャンバ用プラズマ閉じ込めリングのプラズマ曝露面の上で十分に高い温度に達するようになされる。プラズマ閉じ込めリングは、リングの部分の加熱を効果的に向上させるＲＦ損失材料を含む。加熱効果を向上させるために低放射率材料をプラズマ閉じ込めリングアセンブリの部分に設けることができる。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の照射を利用したエッチング加工による半導体装置の製造方法であって、複雑形状や深くて大きい除去領域等のエッチング加工が必要な広範囲の半導体装置の製造に適用可能で、高いエッチング速度が得られる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコンからなる基板１０に対して、焦点位置を移動させてレーザ光Ｌをパルス照射し、前記単結晶シリコンを部分的に多結晶化して、前記単結晶シリコン中に連続した改質層１１を形成する改質層形成工程と、前記改質層１１をエッチングして除去するエッチング工程と、を備える半導体装置の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】動作回数を重ねても、機構部の軸動作のズレが累積することを抑制できる基板処理技術を提供する。
【解決手段】基板処理レシピ記憶部と、当該基板処理装置を構成する機構部の原点出しを行うイニシャルレシピ記憶部と、イニシャル処理を行う基準回数を記憶するイニシャル基準記憶部と、実行済みの基板処理回数記憶部と、基板処理レシピを実行する基板処理実行部と、イニシャルレシピを実行するイニシャル処理実行部と、基板処理回数を更新する処理回数更新部と、基板処理回数記憶部に記憶した基板処理回数が、イニシャル基準記憶部に記憶した基準回数に達したか否かを判定する処理終了判定部と、イニシャル処理可能状態であるか否かを判定するイニシャル可否判定部とを備え、基板処理回数が前記基準回数に達すると当該基板処理装置における新たな基板処理開始を保留し、イニシャル処理可能状態になるとイニシャルレシピを実行するよう基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】処理の面内均一性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理チャンバー内に誘導結合プラズマを発生させて処理チャンバー内に収容された基板の処理を行うプラズマ処理装置であって、上部開口を有し、容器状に形成された処理チャンバー本体１０と、直径が異なる複数の環状の誘電体部材１５と金属部材１６とを交互に同心状に組み合わせ、誘電体部材と金属部材との間を気密封止した天板部１４を有し、上部開口を覆うように設けられた上蓋１２と、上蓋の金属部材の部分に配設され、処理チャンバー内に処理ガスを供給するための複数のガス導入機構１８，１９，２０と、処理チャンバー外の誘電体部材の上部に配設された高周波コイル１７と、を具備している。 （もっと読む）

【課題】処理容器内でのマイクロ波の定在波による影響を極力抑制し、チャンバ内でのプラズマ密度の均一性を高くすることができるマイクロ波プラズマ源およびそれを用いたプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】マイクロ波プラズマ源２はマイクロ波供給部４０を有し、マイクロ波供給部４０は、マイクロ波を処理容器内に導入する複数のマイクロ波導入機構４３と、複数のマイクロ波導入機構４３のそれぞれに入力されるマイクロ波の位相を調整する複数の位相器４６とを有し、複数のマイクロ波導入機構４３のうち隣接するものについて、一方のマイクロ波の入力位相を固定し、他方のマイクロ波の入力位相を周期的な波形によって変化させるように、複数の位相器４６により複数のマイクロ波導入機構４３に入力されるマイクロ波の位相を調整する。 （もっと読む）

【課題】基板を処理するプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】チャンバ壁を持つプラズマ処理チャンバが提供される。基板支持部が前記チャンバ壁内に提供される。少なくとも１つの閉じ込めリングが提供され、前記閉じ込めリングおよび前記基板支持部はプラズマ空間を定義する。前記少なくとも１つの閉じ込めリングによって提供される物理的閉じ込めを磁気的に向上させる磁界を発生する磁界源が提供される。 （もっと読む）

【課題】固体デバイスの製造効率を高めることができるようにする。
【解決手段】 処理すべき基板を取り出すカセット室を指定する取出カセット室指定手段と、処理すべき基板の取出スロット番号や処理の終了した基板の回収スロット番号を指定するスロット番号指定手段と、基版毎に複数のプロセス室に搬送順序を指定する搬送順序指定手段と、指定搬送順序に従って基板を複数のプロセス室に搬送する基板搬送手段と、基板毎の複数のプロセス室で実行するプロセスを指定するプロセス指定手段と、指定されたプロセスを複数のプロセス室で実行するプロセス実行手段と、処理の終了した基板を回収するカセット室を指定する回収カセット室指定手段と、表示部と、取出カセット室指定手段とスロット番号指定手段と搬送順序指定手段とプロセス指定手段と回収カセット室指定手段とを有する運転レシピ作成画面を表示部の画面上に表示する制御部とを備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理室内で発生する微小異物に起因する半導体デバイスの生産性低下を防止するために、プロセスガスの流れに乗って真空容器内壁やターボ分子ポンプ翼等で反射する微小異物が再び試料台上のウエハまで到達しないようにする。
【解決手段】プラズマ発生装置と、減圧可能な真空容器１００と、真空容器１００にガスを供給するガス供給装置と、プラズマ処理を施すウエハ１２８を保持する試料台１１３と、試料台１１３上に支持されたウエハ１２８に高周波を印加する装置と、真空排気装置より成るエッチング処理装置において、その装置で発生した微小異物２０３が、プラズマ処理を施すウエハ１２８より下流側に位置するターボ分子ポンプ等の真空排気系や真空容器壁で跳ね返ることで、ウエハ表面に至ることを防止する異物の遮蔽板２０１を設けた。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理が停止した場合であっても、確実なエンドポイントの検出をする。
【解決手段】発光検出部３１は、プラズマ処理の発光強度を検出する。波形記憶部３３は、検出された発光強度の時間変化である発光波形を記憶する。判定部３５は、発光波形が、ある値に設定された発光閾値以下の場合、且つ、前記時間変化が、ある値に設定された設定時間を越えた場合、エンドポイントであると判定する。出力部３６は、プラズマ処理がエンドポイントに至ったことをエッチング装置１０の高周波電源１２に出力する。モニタ３０は、設定時間に至る前にプラズマ処理が停止し、その後再処理をした場合、波形記憶部３３に記憶されている発光波形とこの再処理の発光波形とを波形結合部３４で結合する。判定部３５は、結合された波形により、エンドポイントを判定する。 （もっと読む）

【課題】熱電対がサセプターの周囲のスペースを圧迫せず、しかも熱電対に過度の圧力がかかることのないサセプターを提供する。
【解決手段】円盤状のセラミックプレート２０の中に、熱電対５０が埋設されている。熱電対５０は、互いに材料組成の異なる第１及び第２素線５１，５２と、第１及び第２素線５１，５２の先端を接合した測温部５０ａと、第１及び第２素線５１，５２を被覆する高純度アルミナ又はＭｏからなる水平及び垂直保護管５３，５４とを備えている。セラミックプレート２０は、一対のセラミックディスク２２，２４を接合したものであり、熱電対５０は、下方のセラミックディスク２４に形成された水平溝２４ａに配置されている。 （もっと読む）