【課題】 シリコンウエハのエッチング不良を防止して半導体集積回路の生産歩留、使用開始直後のシリコンウエハの金属汚染を大幅に低減できるプラズマエッチング電極を提供する。
【解決手段】 シリコンウエハ表面へのＦｅ汚染量が１×１０^１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２〜１０×１０^１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２であるガラス状炭素からなるプラズマエッチング電極。プラズマエッチング電極の厚さが３〜１０ｍｍであると好ましい。 （もっと読む）

【課題】処理室内にパーティクルが発生するのを防止することができ、プラズマの分布を乱すのを防止することができ、排気コンダクタンスの調整幅を拡大することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、ウエハＷを収容してプラズマエッチング処理を施す処理室１３と、該処理室１３と連通する排気室１４と、処理室１３及び排気室１４を仕切り且つ処理室１３内のプラズマが排気室１４内へ漏洩するのを防止する排気プレート１５と、排気室１４内に配される上部電極板２８とを備え、排気プレート１５は複数の貫通穴を有し、上部電極板２８も複数の貫通穴を有し、上部電極板２８は排気プレート１５と互いに平行に接触可能であるとともに、排気プレート１５から離間可能である。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部と中心部の温度管理・温度制御をそれぞれ独立して精密に行うことが可能な基板載置台、基板処理装置および基板処理システムを提供する。
【解決手段】基板を載置する基板載置台であって、前記基板の周縁部を載置して温度制御を行う周縁載置部材と、前記基板の中央部を載置して温度制御を行う中央載置部材と、前記周縁載置部材および前記中央載置部材を支持する支持台と、を備え、前記周縁載置部材と前記中央載置部材の間には隙間が形成され、前記周縁載置部材と前記中央載置部材は互いに非接触である、基板載置台が提供される。 （もっと読む）

【課題】弁体の動作速度をさらに高速にでき、かつ大流量を制御できる電動バルブを提供すること。
【解決手段】流路１３を流れる流体の流量を制御する目的で、流路１３に開度を可変可能な弁構造３５を設け、この弁構造３５の弁体３７と弁体３７のアクチュエータであるピエゾ素子４２との間に、ピエゾ素子４２の伸縮を拡大して弁体３７に伝達する変位拡大機構（ストローク拡大機構）５０を設けた。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部と中心部の温度管理・温度制御をそれぞれ独立して精密に行うことが可能であり、かつ配管構成を簡素化した基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を真空処理空間において処理する基板処理装置であって、少なくとも２枚以上の基板を載置する基板載置台を備え、前記基板載置台は載置される基板の数に対応する数の基板載置部から構成され、前記基板載置部には載置された基板の中央部を冷却させる中央温調流路と、基板の周縁部を冷却させる周縁温調流路と、が互いに独立して形成され、前記基板載置台には前記周縁温調流路に温調媒体を導入させる温調媒体導入口が１つ設けられ、前記周縁温調流路から温調媒体を排出させる温調媒体排出口が載置される基板の数に対応する数だけ設けられる、基板処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】基板における二酸化硅素膜をプラズマでエッチングする際、電極に設けられた誘電体の消耗を抑制することができる誘電体の厚さ設定方法を提供する。
【解決手段】サセプタ１２に対向する上部電極２４と、該上部電極２４に設けられた二酸化硅素からなる誘電体２６とを備え、ウエハＷに形成された二酸化硅素膜をプラズマでエッチングする基板処理装置では、サセプタ１２へ印加されるバイアス電力の電力値と、チャンバ１１内におけるＡ／Ｃ比とに基づいて、上部電極２４に誘電体２６が設けられていない場合の誘電体２６に対向するプラズマの電位が推定され、該推定されたプラズマの電位へ、誘電体２６の容量及び該誘電体２６の表面近傍に生じるシースの容量を合成したときの容量低下率を乗じて得られるプラズマの電位が１００ｅＶ以下となるように、誘電体２６の厚さが設定される。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて処理の面内均一性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置及びその処理ガス供給構造を提供する。
【解決手段】処理チャンバー内に誘導結合プラズマを発生させて処理チャンバー内に収容された基板の処理を行うプラズマ処理装置であって、処理チャンバーの上部開口を覆うように設けられ、誘電体窓を備えた上蓋と、処理チャンバー外の誘電体窓の上部に配設された高周波コイルと、誘電体窓の内側に位置するように上蓋に支持され、透孔を有する複数の板体を積層させた積層体からなり、板体同士の間、又は板体と誘電体窓との間に設けられ端部が透孔の縁部に開口する複数の溝状のガス流路を介して処理チャンバー内に複数の部位から水平方向に向けて処理ガスを供給するガス供給機構とを具備している。 （もっと読む）

【課題】正イオンによるエッチング効率を低下させることなく、負イオンを有効利用して全体としてのエッチング効率を高めることができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】プラズマＲＦ及びバイアスＲＦをそれぞれパルス波として印加し、プラズマＲＦ及びバイアスＲＦを共に印加してプラズマ中の正イオンによって基板にエッチング処理を施す正イオンエッチングステップ３ｂと、プラズマＲＦ及びバイアスＲＦの印加を共に停止して処理室内で負イオンを発生させる負イオン生成ステップ３ｃと、プラズマＲＦの印加を停止し、バイアスＲＦを印加して負イオンを基板に引き込む負イオン引き込みステップ３ａとを順次繰り返し、バイアスＲＦのデューティー比をプラズマＲＦのデューティー比よりも大きくする。 （もっと読む）

【課題】伝熱シートの一部が載置台に付着したまま残るのを防止することができるフォーカスリングを提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１０においてフォーカスリング２５は、シリコンを成分に含む耐熱性の粘着剤やゴムを基材とする伝熱シート３８を備え、冷媒室２６を有するサセプタ１２に載置されたウエハＷの外周を囲い、且つ伝熱シート３８を介してサセプタ１２のフォーカスリング載置面３９と接触し、伝熱シート３８は、フォーカスリング載置面３９と接触するサセプタ接触面４１に形成された付着防止層４２を有し、付着防止層４２は、サセプタ接触面４１に照射された紫外線によって硬化した伝熱シート３８の一部からなる。 （もっと読む）

【課題】要求される処理プロセス性能に応じて必要とされる処理ガスの供給状態の実現可能性を増大させることのできるプラズマ処理装置及びその処理ガス供給構造を提供する。
【解決手段】高周波アンテナに高周波電力を印加することにより処理室内に誘導プラズマを励起して、処理室内の載置台に載置された基板に対して所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、処理室内の載置台の上方に位置する空間に、処理室の側壁から処理室の中心に向くように処理室内に突出するとともに、突出方向先端部と側壁部にガス噴出孔を有する複数のガスノズルと、ガスノズルを、夫々突出方向に沿った当該ガスノズルの中心軸の回りに回転させる回転機構とを具備している。 （もっと読む）

【課題】上部電極の消耗を防止しつつ、処理空間におけるプラズマの密度分布の制御性を向上することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】第１の高周波電源１８に接続され且つウエハＷを載置するサセプタ１２と、該サセプタ１２と対向して配された上部電極板２８と、サセプタ１２及び上部電極板２８の間の処理空間ＰＳとを備え、プラズマを用いてウエハＷにプラズマエッチング処理を施す基板処理装置１０は、上部電極板２８における処理空間ＰＳに面する部分を覆う誘電体板２７を備え、上部電極板２８は、ウエハＷの中央部と対向する内側電極２８ａと、ウエハＷの周縁部と対向する外側電極２８ｂとに分割され、内側電極２８ａと外側電極２８ｂとは互いに電気的に絶縁され、内側電極２８ａには第２の可変直流電源３３から正の直流電圧が印加されるとともに、外側電極２８ｂは電気的に接地される。 （もっと読む）

【課題】ウェハ処理特性を安定化するプラズマ処理装置または方法を提供する。
【解決手段】内部に減圧されて処理対象のウェハ１７１を処理するためのプラズマが形成される処理室１１０を有する真空容器と、この真空容器の上部でこれを構成し前記処理室の上方に配置されその下方の前記処理室内の空間に前記プラズマを形成するための電界が透過する誘電体製の板部材１１１と、前記板部材の上方に配置され温度を検出する検出器１８１と、この検出器が検出した結果に応じて前記プラズマの形成を調節する制御部とを備え、前記検出器が、前記プラズマが形成される前の第一の時刻とこのプラズマが形成された後所定の時間後の第二の時刻とこの所定時間後の時刻の後の前記プラズマが形成中の任意の第三の時刻における放射エネルギーの量に基づいて前記第三の時刻の温度を検出する。 （もっと読む）

【課題】誘電体窓の内側に設けられた誘電体保護カバーが局部的に削られて消耗することを抑制することができ、誘電体保護カバーの長寿命化により生産性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置及びその誘電体窓構造を提供する。
【解決手段】誘電体窓の外側に配設された高周波アンテナに高周波電力を印加して処理空間に誘導結合プラズマを発生させるプラズマ処理装置であって、誘電体窓は、処理空間と高周波アンテナとの間に介在するように配設され誘電体からなる窓部材と、窓部材を支持するための梁部材と、窓部材の処理空間側の面、及び、梁部材の処理空間側の面を覆いプラズマから保護する誘電体保護カバーと、少なくとも、梁部材と誘電体保護カバーとの間に設けられ、保護カバーの誘電率よりも低い誘電率を有する材料で形成された低誘電率誘電体層とを具備している。 （もっと読む）

【課題】半導体基板処理装置のシャワーヘッド電極アセンブリ、および半導体基板処理室内のシャワーヘッド電極を支持するための熱制御板を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置のシャワーヘッド電極アセンブリは、シャワーヘッド電極に取り付けられた熱制御板、および熱制御板に取り付けられた上板を備える。少なくとも１つの熱ブリッジが、熱制御板の対向する両表面と上板との間に提供されて、熱制御板と上板との間の電気的および熱的な伝導を可能にする。熱ブリッジと上板との間の潤滑材料は、天板と熱制御板との間の熱膨張の違いに起因する、対向する金属表面の摩損を最小限にする。熱制御板によって支持されたヒータは、温度制御された天板と連携して、シャワーヘッド電極を所望の温度に維持する。 （もっと読む）

【課題】 低いトリミング速度でレジストトリミングを実施することにより、高精度で寸法をコントロールすることが可能なレジストトリミング方法を提供する。
【解決手段】 反応ガスのプラズマを生成するプラズマ生成工程と、生成したプラズマからイオン及び電子を除去し、ラジカルを選択的に取り出す除去工程と、イオン及び電子が除去されたプラズマをレジストパターンに照射することで、レジストパターンをトリミングするトリミング工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ＤＣバイアス電圧に応答した制御を含む、真空プラズマプロセッサ室においてワークピースを加工する方法を提供する。
【解決手段】十分な電力を有するＡＣ電気エネルギーを電極の少なくとも１つに供給することによって室内のガスをプラズマに励起して、電極の少なくとも１つを介してガスに供給されたＡＣ電気エネルギーにより（ａ）供給されたＡＣ電気エネルギーの周波数におけるプラズマ励起ＡＣ電場を第１電極アセンブリと第２電極アセンブリとの間に存在させ（ｂ）ＤＣバイアス電圧を室内のガスがプラズマに励起されるのに応答して電極の少なくとも１つに発生させ、ＤＣバイアス電圧の指示に応答してプラズマ励起ＡＣ電場を制御する。 （もっと読む）

【課題】処理室の蓋体を安定して保持し、反転させることが可能な蓋体保持治具を提供する。
【解決手段】処理室８１の上部に設けられた蓋体８３を、当該蓋体８３から取り外された状態で保持する蓋体保持治具１において、保持部２は蓋体８３の周縁部を保持し、基体３１、３４、５３は、前記保持部２に保持された蓋体８３を反転させるために当該保持部２を水平な回転軸５２周りに回転自在に支持する。固定機構４は、前記保持部２に対して蓋体８３を固定する固定位置と、当該蓋体８３の固定が開放される開放位置と、の間で固定部材４４を移動させる。 （もっと読む）

【課題】プラズマチャンバ内の第１の電極および第２の電極がそれぞれ低周波数ＲＦ電源および高周波数ＲＦ電源に接続されても、プラズマ処理能力が低下しない装置を提供する。
【解決手段】プラズマチャンバと、プラズマチャンバ内に取り付けられるサセプタ１２であって、４隅と周辺を有するサセプタ１２と、サセプタ１２とプロセスチャンバ壁との間に接続される複数の導電性ストラップ６０〜６４と、を備え、複数の導電性ストラップ６０〜６４は、サセプタの４隅にそれぞれ接続される４本の導電性ストラップ６１，６２，６３，６４とサセプタ１２の中心１６に接続される導電性ストラップ６０を有する。 （もっと読む）

【課題】昇降自在に設けられた上部電極の上部空間に処理ガスが回り込んでも，それを容易に排出する。
【解決手段】処理室１０２の天井壁１０５に下部電極１１１に対向して昇降自在に設けられ，処理ガスを導入する多数の吹出孔１２３を設けた上部電極１２０と，各電極とその間の処理空間の周囲を囲むシールド側壁３１０と，シールド側壁の内側に設けられ，処理空間の雰囲気を排気する内側排気流路３３０と，シールド側壁の外側に設けられ，上部電極と天井壁との間の空間に回り込んだ処理ガスを排気する外側排気流路１３８とを設けた。 （もっと読む）

【課題】伝熱ガスのガス流路の圧力損失の影響をなくして基板の位置ずれ検出の精度を向上させる。
【解決手段】載置台３００とその基板保持面に保持された被処理基板との間にガス供給源からのガスを供給するためのガス流路３５２と，載置台の基板保持面に形成され，ガス流路からのガスを基板保持面Ｌｓ上に案内する複数のガス孔３５４と，基板保持面におけるガス孔形成領域Ｒの外側に形成され，基板の裏面にかかる圧力を検出する複数の圧力検出孔３７０ａ〜３７０ｄと，これら圧力検出孔に接続された圧力センサ３８０ａ〜３８０ｄとを設け，これら圧力センサからの検出圧力に基づいて基板の位置ずれ検出を行うようにした。 （もっと読む）