【課題】フォトレジスト除去速度を維持又は増進しながら、バッフルプレートの衝突部分、すなわち、中心部分で、温度を低下させるプラズマアッシング法を提供する。
【解決手段】本発明に係るプラズマアッシング法は、炭素、水素、あるいは炭素と水素との化合物からなる低ｋ誘電体材料を含む基板から、フォトレジスト材料及びエッチング後の残留物を除去するためのプラズマアッシング法であって、基本的に無酸素及び無窒素のガス混合物からプラズマを形成し、バッフルプレートアッセンブリを介して前記基板上に前記プラズマを流し、フォトレジスト材料、エッチング後の残留物、及び揮発性の副生成物を前記基板から除去し、前記プラズマが形成されない操作の周期中に、前記バッフルプレート上に冷却ガスを流す、ことからなる。 （もっと読む）

【課題】成膜に寄与するガスを効率よく使用することができる基板処理技術を提供する。
【解決手段】基板を支持する基板支持部が設けられた処理室と、前記基板支持部の上方から前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給部と、前記処理室内に供給された処理ガスを励起するプラズマ生成部と、前記基板支持部の下方に設けられ前記処理室内のガスを排気するガス排気部と、前記基板支持部の端部に設けられ、前記基板支持部の上方で生成される励起された処理ガスを前記基板支持部の下方への流れを抑制し、前記処理ガスを失活させるガス流抑制流路と、少なくとも前記基板支持部の基板載置面より下方の前記処理室の内壁に設けられた保護部材と、を有する基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】リリースエッチング後の大気暴露の問題を解決するための、例えばＭＥＭＳデバイス作製用の真空一貫基板処理装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】多角形の搬送室１１、並びに該多角形の各辺にそれぞれ接続されたリリースエッチング装置１２、ＡＬＤ装置１３及びロードロック室１８等を備えた真空一貫基板処理装置である。リリースエッチングとＡＬＤ成膜とを真空一貫で行うことにより、最終的に得られたデバイスにおける電気的特性・光学的特性が改善されると共にディスプレイの生産歩留まりが改善され得る。 （もっと読む）

【課題】ＣｌＦ_３，ＸｅＦ_２，ＢｒＦ_３およびＢｒＦ_５のガスを用いつつ、量産化に対応可能な半導体基板表面をエッチングする装置を提供すること。
【解決手段】大気圧以下に減圧可能な反応室と；前記反応室内を移動可能であり、半導体基板を載置するための移動ステージと；前記移動ステージに載置される半導体基板表面に向けて、ＣｌＦ_３，ＸｅＦ_２，ＢｒＦ_３およびＢｒＦ_５からなる群から選ばれる一以上のガスを含むエッチングガスを噴射するノズルと；前記移動ステージに載置される半導体基板に向けて、窒素ガスまたは不活性ガスを含む冷却ガスを噴射するノズルとを有する、半導体基板の表面エッチング装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】従来に比べてより細かなプラズマの制御を可能とすることのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内部で基板を処理する処理チャンバーに、基板を載置するための載置台と対向するように設けられ、載置台と対向する対向面に複数設けられたガス吐出孔から基板に向けてガスをシャワー状に供給するシャワーヘッドを備えたプラズマ処理装置であって、シャワーヘッドの対向面と反対側の面とを貫通する複数の排気孔と、反対側の面側の排気孔と連通した排気空間内に、反対側の面と平行に配設された導電性材料からなる環状の板体と、板体を移動させて排気孔との距離を変更するための移動手段と、を具備している。 （もっと読む）

【課題】事前に真空装置の異常を検出し、歩留りを向上させる真空装置の異常検出方法及び真空装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】まず、ステージ上に基板を載置する前に、第１排気系を、予め定められた条件であり、基板吸着部の圧力が第１圧力となるべき条件に制御するとともに、第１圧力計により基板吸着部の圧力を検知する（Ｓ１１０）。次いで、第１圧力計が検知した基板吸着部の圧力に基づき、基板吸着部の圧力が第１圧力を含むように定められた第１規定範囲から外れている場合は（Ｓ１２０のＮＯ）、異常が発生しているとして装置を停止させると判断する。一方、第１規定範囲内である場合は（Ｓ１２０のＹＥＳ）、基板を搬送可能であると判断する。 （もっと読む）

【課題】試料の径方向について処理の特性や加工形状の均一さを向上させたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器内部に配置され内部でプラズマが形成される処理室と、この処理室内に配置された試料台と、前記処理室の上方に配置され前記プラズマを形成する電界が透過する誘電体製の円形の板部材と、この板部材の上方に配置され内部に前記電界が導入される円筒形の空洞部と、この空洞の上部の中心に連結され上下に延在した内部を前記電界が伝播する円筒形の管路と、この管路の端部に配置され前記電界を発生する発生器とを備え、前記空洞部が前記板部材を底面とする径の大きな円筒形の空洞を有した第１の円筒空洞部とこの第１の円筒空洞部の上方でこれに接続されて配置され径の小さな円筒形の空洞を有した第２の円筒空洞部と、前記第１及び第２の円筒空洞部との間でこれらを接続する段差部とを備えた。 （もっと読む）

【課題】基板におけるプラズマ処理の面内分布が均一となる真空処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｓが設置される基板設置部及びプラズマを形成するプラズマ形成部を備えた真空チャンバ１１を備える真空処理装置１において、基板設置部には、基板Ｓが載置される基板載置台１３と、真空チャンバ１１に設けられると共に排気手段に接続される排気口３４と、基板載置台３１の周囲を囲むシールド部材５０とが設けられ、シールド部材５０は、その周方向に複数の開口が離間して形成されており、排気手段側に形成された開口の総面積が、排気手段とは逆側に形成された開口の総面積よりも狭い。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発生を極大化でき、プラズマ密度を制御できる常圧プラズマ装置を提供する。
【解決手段】常圧プラズマ装置は、反応ガスを注入するための注入口１１が形成されたハウジング１０と、ハウジング１０の内部に複数層で備えられる高電圧電極１１０と、高電圧電極１１０を覆う誘電体１２０と、高電圧を発生させて高電圧電極１１０に印加する高電圧発生部と、誘電体１２０の両側に隣接するように配置される接地電極１３０、及び反応によって生成されるプラズマの密度を制御する制御部で構成される。 （もっと読む）

【課題】大型基板を処理できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置は、チャンバと、前記チャンバ内に必要なガスを供給するガス供給部と、前記チャンバ内に配置され、高周波電力が印加される第１電極と、前記第１電極上に形成されて前記第１電極と電気的に接続されるコンデンサ部と、前記コンデンサ部上に形成されて前記コンデンサ部と電気的に接続される複数の第２電極と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】識別表記の視認性を阻害することがなく、プラズマ処理時において、識別表示を起点として生じる割れ等の弊害を防止することができるプラズマ処理装置用部品及び識別表示の刻印方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１内に配置される電極板３の背面に、断面形状がＵ字状の凹溝３１により形成された識別表示３０が付されており、凹溝３１は、深さＨに対する幅Ｗの比率が０．３以上２．０以下であり、その凹溝３１の底部３３の半径Ｒが３０μｍ以上の曲率半径で形成されている。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】プラズマトーチユニットＴにおいて、全体としてコイルをなす銅棒３が、石英ブロック４に設けられた銅棒挿入穴１２内に配置され、石英ブロック４は、銅棒挿入穴１２及び冷却水配管１５内を流れる水によって冷却される。トーチユニットＴの最下部にプラズマ噴出口８が設けられる。長尺チャンバ内部の空間７にガスを供給しつつ、銅棒３に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間７にプラズマを発生させ、基材２に照射する。 （もっと読む）

【課題】エッチング選択比の高いマスクを形成する技術を提供する。
【解決手段】エッチングによって被エッチング物をパターニングする際に用いるマスクを形成するためのマスク用材料であって、イソブチル基および／または環状炭化水素を有するシラン化合物からなることを特徴とするマスク用材料を提供する。また、エッチングによって被エッチング物をパターニングする際に用いるマスクの形成方法であって、パターン化されたホトレジスト上に上記マスク形成用材料を用いてＡＬＤ法により共形膜を形成する工程、エッチバックして前記レジスト膜の側面にマスク形成用材料が残るように加工する工程、前記レジスト膜を除去する工程、とを有することを特徴とするマスクの形成方法を提供する。こうして形成したマスク形成用材料をマスクとしてエッチングすることで、被エッチング物に微細パターンを形成する （もっと読む）

【課題】基板表面で均一な処理を生成するために、処理チャンバの内部に成分を分配する成分送給機構を提供する。
【解決手段】前記成分は、処理チャンバ１２内のワークピース１８を処理するために使用される。前記成分送給機構７５は、成分を処理チャンバの所望の領域に出力する複数の成分出力部を含む。前記成分送給機構は、更に、複数の成分出力部に結合された空間分配スイッチ４０，５６を含む。前記空間分配スイッチは、成分を複数の成分出力部の少なくとも一つへ振り向けるように構成される。前記成分送給機構は、更に、空間分配スイッチに接続された単一の成分供給源３６を含む。前記単一の成分供給源は、成分を空間分配スイッチへ供給するように構成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、密部スペース幅２０ｎｍ以下のパターンにおいて、疎密マイクロローディングの低減を可能とするプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】本発明は、シリコン基板上に密部スペース幅２０ｎｍ以下のパターンのマスクを有する試料のシリコンをプラズマエッチングするプラズマ処理方法において、Ｃｌ₂ガスとＮ₂ガスの混合ガスを用い、０.１Ｐａ以下の圧力で、デューティー比５％〜５０％の時間変調された間欠的な高周波電力を前記試料に印加しながら、シリコンのエッチングを行うことを特徴とするプラズマ処理方法である。 （もっと読む）

【課題】レジストマスク、シリコンを含む膜及びシリコン層が上方側からこの順番で積層された基板に対して、レジストマスクのパターンを介してプラズマエッチング処理を行ってシリコン層に凹部を形成するにあたり、前記シリコンを含む膜のサイドエッチングの発生を抑えること。
【解決手段】窒化シリコン膜２をエッチングしてシリコン層１を露出させた後、塩素を含む処理ガスのプラズマ（イオン）を用いて当該シリコン層１を僅かにエッチングして、窒化シリコン膜２の側壁に塩素とシリコンとを含む付着物１３を付着させる。この付着物１３はシリコン層１よりもエッチングされにくい物質であり、更に塩素イオンは異方性エッチングを行うプラズマである。 （もっと読む）

【課題】 プラズマエッチングによって生じる表面の凹凸を抑制し、均一なエッチングが可能になるプラズマエッチング用シリコン電極板を提供すること。
【解決手段】 プラズマエッチング用シリコン電極板が、Ｎｉ，Ｃｒのうち一種以上とＢとがドーパントとして添加された単結晶シリコンで構成され、Ｎｉ，Ｃｒのうち一種以上の濃度が、２×１０^１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上である。このプラズマエッチング用シリコン電極板では、単結晶シリコンの電気特性が面内で均一化され、プラズマエッチングにおいて表面が消耗する際に凹凸を極めて少なくすることができる。 （もっと読む）

【課題】 プラズマエッチングによって生じる表面の凹凸を抑制し、均一なエッチングが可能になるプラズマエッチング用シリコン電極板を提供すること。
【解決手段】 プラズマエッチング用シリコン電極板が、ＢとＡｌとがドーパントとして添加された単結晶シリコンで構成され、Ａｌの濃度が、１×１０^１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上である。このプラズマエッチング用シリコン電極板では、単結晶シリコンの電気特性が面内で均一化され、プラズマエッチングにおいて表面が消耗する際に凹凸を極めて少なくすることができると共に、割れを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】試料の面方向について処理の均一性を向上させたプラズマ処理装置またはプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】真空容器内部の処理室と、この処理室内部に配置される試料がその上に配置される試料台と、前記真空容器の上部に配置され電界が透過する誘電体製の円板部材と、この円板部材の上方に配置され前記電界が上方から導入される円筒形の空洞と、この空洞の中央上方に配置され内部を前記電界が伝播する導波管と、前記空洞を構成し前記導波管との連結部を含む中央部とこの中央部の外周部とで前記円板部材の上面から異なる高さを有する第一及び第二の空洞部と、これら第一，第二の空洞部の上方に配置されこれらの高さを調節する調節器と、前記処理の進行に伴って前記調節器に前記第一，第二の空洞部の高さを変更する指令を発信する制御器とを備えたプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】水素ラジカルを被処理基板に効率良く作用させて効率的なプラズマ処理を行えるとともに、水素イオンによる誘電体窓のダメージ及びプラズマからの入熱による高周波コイルのダメージを軽減することのできるプラズマ処理装置等を提供する。
【解決手段】水素を含む処理ガスをプラズマ励起させて発生した水素ラジカルを被処理基板に作用させて処理を施すプラズマ処理装置であって、高周波アンテナは、両端を開放するとともに中間部を接地し、高周波電源からの高周波電力の１／２波長で共振するように構成したアンテナ素子を具備し、プラズマ生成室とプラズマ処理室とを隔てる隔壁部材は、水素ラジカルを通すための複数の開口を有し、紫外線が通過しない絶縁材料からなる複数の板状部材を夫々間隔を設けて重ね、かつ、板状部材の開口は夫々他の板状部材の開口と重ならないようにずらして配置して構成されている。 （もっと読む）