【課題】フォーカスリングの消耗を抑制し、フォーカスリングの交換周期を長く保つとともに、エッチング等の処理コストの低減を図ることのできるプラズマ処理装置用フォーカスリングを提供する。
【解決手段】電極板３と対向して設けられ、内周部にウエハ８の周縁部を載置するための凹状段部７１を有する第１リング部材７ａと、第１リング部材７ａの下面を支持する第２リング部材７ｂとで構成されており、第１リング部材７ａ又は第２リング部材７ｂの少なくとも一方に、凹状段部７１の外周縁よりも半径方向外方に位置する空洞部７５が、周方向に沿うリング状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】処理室の壁部との間において不必要な電界が生じるのを防止することができる電極構造を提供する。
【解決手段】電極構造としてのシャワーヘッド２２は、プラズマ処理装置のチャンバ１１内において、ウエハＷを載置するサセプタ１２と対向し、且つチャンバ１１の側壁部によって囲まれ、また、シャワーヘッド２２は、サセプタ１２に載置されたウエハＷの中心部と対向する内側電極２５と、該内側電極２５と絶縁され且つ内側電極２５を囲う外側電極２６と、該外側電極２６と絶縁され且つ外側電極２６を囲う接地電極２７とを備え、内側電極２５及び外側電極２６には第２の高周波電源３２からそれぞれ高周波電力が印加され、接地電極２７は接地され且つチャンバ１１の側壁部によって囲まれる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハなどの被処理基板をプラズマ処理するに際し、周縁部下面におけるデポジションの発生をより少なくすることを目的としている。
【解決手段】処理チャンバー１０内に配置された載置台１１上に被処理基板Ｗを載置させ、高周波電圧を与えることにより処理チャンバー１０内にプラズマを発生させて、被処理基板Ｗを処理するに際し、載置台１１上に載置された被処理基板Ｗの周縁部下方に、プラズマで生成されたイオンを被処理基板Ｗの周縁部下面に向けて加速させる電界を形成することにより、イオンを被処理基板Ｗの周縁部下面に衝突させ、デポジションの発生を低減する。 （もっと読む）

【課題】シール部材のプラズマによる劣化を防止できる絶縁部材を提供する。
【解決手段】基板処理装置のチャンバ内でサセプタとチャンバの底部平面とを絶縁する絶縁部材１４が、内側部材４１と、外側部材４２と、その間に配置されたＯリング４３とを有し、外側部材４２は矩形のサセプタ１２の各辺に対応する長尺状物４４〜４７の組合せ体からなり、各長尺状物の一端の端面が隣接する他の長尺状物の一端の側面に当接し、他端の側面が別の長尺状物の一端の端面に当接するように組合せられ、各長尺状物の一端が固定用のねじ孔４８を介してチャンバ１１の底部平面５１に固定され、他端が支持用のねじ孔４９を介して変位自在に支持されて配列されている。 （もっと読む）

【課題】 被処理基板の周縁部の温度上昇を抑制することによってプラズマ処理の面内均一性を向上させることができ、均一なプラズマ処理を行うことのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 内部を気密に閉塞可能とされた処理チャンバーと、処理チャンバー内に処理ガスを供給する処理ガス供給機構と、処理チャンバー内から排気するための排気機構と、処理ガスのプラズマを生成するためのプラズマ生成機構と、処理チャンバー内に設けられ、被処理基板と、当該被処理基板の周囲を囲むように配設されるフォーカスリングとが同一の平面に載置されるよう構成された載置台と、載置台の温度を調節する温調機構と、載置台の上面に配設され、フォーカスリングの下部にまで延在する吸着用電極を有する静電チャックとを具備したプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】プラズマ閉じ込めリングのプラズマに露出する面上のポリマー堆積を回避するために、これらの面上が十分な高温に達するように構成されたプラズマ閉じ込めリング組立体を提供する。
【解決手段】プラズマ閉じ込めリング１４、１６、１８および２０は、それぞれサーマルチョーク５４、５６、５８および６０を含む。プラズマエッチング処理中に、プラズマおよび他の加熱効果によって、プラズマ閉じ込めリング１４、１６、１８および２０に熱が供給される。サーマルチョーク５４、５６、５８および６０は、サーマルチョーク５４、５６、５８および６０の位置から外方向への放射状の熱伝導を低減し、それによって、サーマルチョーク５４、５６、５８および６０と内側リング状面３４、３６、３８および４０のそれぞれとの間に規定されたそれぞれのプラズマ閉じ込めリング１４、１６、１８および２０の内側部分の加熱を促進する。 （もっと読む）

【課題】シャワーヘッドの裏面側空間における異常放電等のプラズマ処理に悪影響を与える現象の発生を抑制することができ、良好なプラズマ処理を安定的に行うことのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理チャンバー１０内に設けられ、基板載置台を兼ねた下部電極２１と、ガスを供給するシャワーヘッドとしての機能を備え、かつ、上下動可能とされた上部電極１３と、上部電極の上側に設けられ処理チャンバーの上部開口を気密に閉塞する蓋体１２と、上部電極と蓋体との間の空間を閉塞するように配設され、内側に外側と隔離された隔離空間を形成するとともに、内部に気体を導入・排出するための導入・排出口を有し、上部電極の上下動に応じて隔離空間の容積を変動可能とされた隔離空間形成部材３１と、隔離空間形成部材の隔離空間に気体を供給、及び排出する気体供給排出機構３４を具備している。 （もっと読む）

【課題】動作回数を重ねても、機構部の軸動作のズレが累積することを抑制できる基板処理技術を提供する。
【解決手段】基板処理レシピ記憶部と、当該基板処理装置を構成する機構部の原点出しを行うイニシャルレシピ記憶部と、イニシャル処理を行う基準回数を記憶するイニシャル基準記憶部と、実行済みの基板処理回数記憶部と、基板処理レシピを実行する基板処理実行部と、イニシャルレシピを実行するイニシャル処理実行部と、基板処理回数を更新する処理回数更新部と、基板処理回数記憶部に記憶した基板処理回数が、イニシャル基準記憶部に記憶した基準回数に達したか否かを判定する処理終了判定部と、イニシャル処理可能状態であるか否かを判定するイニシャル可否判定部とを備え、基板処理回数が前記基準回数に達すると当該基板処理装置における新たな基板処理開始を保留し、イニシャル処理可能状態になるとイニシャルレシピを実行するよう基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】処理の面内均一性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理チャンバー内に誘導結合プラズマを発生させて処理チャンバー内に収容された基板の処理を行うプラズマ処理装置であって、上部開口を有し、容器状に形成された処理チャンバー本体１０と、直径が異なる複数の環状の誘電体部材１５と金属部材１６とを交互に同心状に組み合わせ、誘電体部材と金属部材との間を気密封止した天板部１４を有し、上部開口を覆うように設けられた上蓋１２と、上蓋の金属部材の部分に配設され、処理チャンバー内に処理ガスを供給するための複数のガス導入機構１８，１９，２０と、処理チャンバー外の誘電体部材の上部に配設された高周波コイル１７と、を具備している。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて処理の面内均一性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置及びその処理ガス供給構造を提供する。
【解決手段】
誘導結合プラズマを発生させて基板の処理を行うプラズマ処理装置であって、処理チャンバーの上部開口を覆うように設けられ誘電体窓を備えた上蓋と、上蓋に配設された複数のガス導入口と、処理チャンバー外の誘電体窓の上部に配設された高周波コイルと、誘電体窓の内側に位置するように前記上蓋に支持され、透孔を有する１枚の板体を具備し、板体と誘電体窓との間に設けられ端部が透孔の縁部に開口するとともにガス導入口と連通された複数の溝状のガス流路を介して、処理チャンバー内に複数の部位から水平方向に向けて処理ガスを供給するガス供給機構と、を具備している。 （もっと読む）

【課題】ボロン酸化物等の異物を生じさせることなくプラズマ処理装置の処理室表面におけるＴｉ系堆積物の除去が可能なプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】製品エッチング（工程Ｓ１：Ｔｉ材料を含む試料の処理）後に、処理室表面に堆積するＴｉ反応生成物に対してカーボン系膜を堆積させるカーボン系堆積放電（工程Ｓ２）と、その後に処理室表面に堆積するカーボン系膜とＴｉを除去する塩素系放電（工程Ｓ３）とを含むプラズマの処理方法とする。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハに対する加工特性に影響することなく異物を好適に除去し得る半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。
【解決手段】処理室１１内の圧力を調整可能な圧力調整手段１９と、処理室１１内に流量が調整された不活性ガスを流入させるガス供給源１５ｂおよびマスフローコントローラ１７ｂとが設けられている。そして、ドライエッチング後に、圧力調整手段１９により処理室１１内の排気圧力Ｐをドライエッチング時における処理室１１内の圧力よりも高くし、かつ、マスフローコントローラ１７ｂによりガス供給源１５ｂからの不活性ガスの流入ガス流量Ｑｂをドライエッチング時におけるエッチングガスの流入ガス流量Ｑａよりも高くすることで、処理室１１内の排気が促進される。 （もっと読む）

【課題】大型の処理対象物の表面に対して分布が均一な処理を安価に行うことができる技術を提供する。
【解決手段】真空槽１２の外部に設けられた処理ガス供給源８と、処理ガス供給源８から供給された処理ガスを放電させるラジカル放出器１０とを備える。ラジカル放出器１０の処理ガス導入室１４の基板側に、導電体からなる面状のシャワープレート１５と、シャワープレート１５に対応する大きさ及び形状の導電体からなる面状のメッシュ状部材１６が設けられる。シャワープレート１５とメッシュ状部材１６とは電気的に絶縁されている。メッシュ状部材１６に高周波電力を印加し、シャワープレート１５とメッシュ状部材１６の間のプラズマ形成室１８において処理ガスのプラズマを形成して、メッシュ状部材１６から基板５に向って処理ガスのラジカルを放出する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ分離型のプラズマ処理装置において、プラズマ点火時、消火時に発生するパーティクルを低減する。
【解決手段】ウエハ２０は、支持台３１に設置されエッチング装置１０による処理が開始される。プラズマの点火時には、制御部８５により、ガス輸送部７０の開閉バルブ７３は閉じられると共に開閉バルブ８４は開かれ、ガス流路はバイパス部８５側となる。プラズマ発生部６０の電源６１からのプラズマ源６２への高周波電力の印加により、放電管６３に活性ガスが発生する。待ち時間が終了しプラズマの点火が完了した場合、制御部８５は、ガス輸送部７０の開閉バルブ７３は開き、バイパス部８０の開閉バルブ８４を閉じて、ガス流路を真空処理室３０側とする。活性ガスが真空処理室３０に導入され、活性ガスによるウエハ２０の加工処理が開始される。次に処理するウエハ２０の交換作業の間は、制御部８５はガス流路を再びバイパス部側に切り替える。 （もっと読む）

【課題】蓋体の開閉動作に必要なスペースを抑制することができる処理装置およびそのメンテナンス方法を提供すること。
【解決手段】処理チャンバ６０内で被処理体に所定の処理を施す処理装置であって、処理チャンバ６０は、チャンバ本体６１と、このチャンバ本体６１の上に開閉可能に設けられた蓋体６２と、この蓋体６２を開閉する開閉装置６３とを具備し、開閉装置６３は、蓋体６２を、蓋体６２がチャンバ本体６１に接触せずに垂直方向に回転可能な非接触回転位置まで上昇させることが可能な昇降機構１５０と、蓋体６２を垂直方向に回転させる回転機構１６０と、蓋体６２が垂直状態でチャンバ本体６１と重ならない位置まで蓋体６２をスライドさせるスライド機構と１４０とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板上における異常放電の発生を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、順に積層された、天井電極板２５、冷却板２６及び上部電極支持体２７を有する円板状のシャワーヘッド２４を備え、上部電極支持体２７は上部高周波電源３０に接続され、冷却板２６は中央バッファ室３４と周縁バッファ室３５とを内部に有し、上部電極支持体２７には２つのクランプ３８が中央バッファ室３４に対応する位置に配置され、且つ２つのクランプ４０が周縁バッファ室３５に対応する位置に配置され、各クランプ３８，４０はそれぞれガス供給系３９，４１に接続され、２つのクランプ３８は、シャワーヘッド中心を中心とする円周上において１８０°±３°毎に配置され、２つのクランプ４０も、シャワーヘッド中心を中心とする円周上において１８０°±３°毎に配置されている。 （もっと読む）

【課題】誘導結合型プラズマ処理装置において、ＲＦアンテナ内の波長効果を十全に抑制しつつ、周回方向にも径方向にも均一なプラズマプロセスを容易に実現すること。
【解決手段】チャンバの天井または誘電体窓５２の上には、チャンバ内に誘導結合のプラズマを生成するためのＲＦアンテナ５４が設けられている。このＲＦアンテナ５４は、円環状の内側コイル５８および外側コイル６２を有している。内側コイル５８は、単一の円形コイルセグメント６０からなる。外側コイル６２は、周回方向で分割されて全体で一周する２つの半円形コイルセグメント６４(1)，６４(2)からなる。高周波給電部６６に対して、各々のコイルセグメント６０，６４(1)，６４(2)が電気的に並列に接続されている。 （もっと読む）

【課題】電極板を貫通する複数タイプのガス穴の配置を最適化することが可能な、プラズマエッチング用の電極板を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング用の電極板１６０は、所定の厚みを有する円板状であり、同心円状の複数の異なる円周上には、電極板１６０の一方の面を垂直に貫通する複数のガス穴が形成され、電極板１６０を径方向に２以上の領域に分けた各領域に異なるタイプのガス穴が形成されている。 （もっと読む）

【課題】電極内で異常放電を発生させずに、プラズマ生成に消費される高周波の電界強度分布を制御する。
【解決手段】ガスを供給可能なプラズマ処理装置用の電極は、内部に所定の空間Ｕが形成された誘電体の基材１０５ａと、前記所定の空間Ｕを気密に閉塞することにより、前記電極がプラズマ処理装置に装着された際に該空間をプラズマ生成空間から隔絶する蓋体１０７と、基材１０５ａ及び蓋体１０７を貫通して、前記所定の空間を通るガス孔柱であって、ガス孔１０５ｃが前記所定の空間Ｕと隔絶された複数のガス孔柱１０５ｅと、を有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマに長期間曝されても、保護対象から剥がれ難いプラズマ耐性の高い保護膜を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、プラズマ処理装置内の構成部材上に形成されるプラズマ耐性を有する保護膜５０において、構成部材上に形成される凹凸構造を有する下地膜５１と、凹凸構造を覆うように下地膜５１上に形成されるプラズマ保護膜５３と、を備える。 （もっと読む）