【課題】筒状の放電空間を有するプラズマ処理装置において、処理空間の圧力に関わらず、放電空間より基端側の部分で異常放電が生じるのを防止する。
【解決手段】筒状の隔壁２１の先端部に放電生成部３０を設け、基端側空間２１ａと処理空間１０ａを隔壁２１で仕切る。第１電極３１を収容する筒状の誘電部材３３の基端部３３ｂの外周に環状閉塞部３６を一体に接合する。第２電極３２の基端部に設けた環状の連結部３５を隔壁２１の取り付け穴２４ａの周辺に連結する。環状閉塞部３６と環状連結部３５の間に第１シール部材９１を挟み、これら環状閉塞部３６及び環状連結部３５を第１ボルト８１で連結する。 （もっと読む）

【課題】プロセス中の基板の割れを抑制することができる強誘電体基板のエッチング方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る強誘電体基板のエッチング方法は、真空チャンバ２１ａ内に設置されたステージ２６の上にトレー３２を介して強誘電体材料でなる基板Ｗを載置することを含む。トレー３２の周縁は、クランプ機構３３によってステージ２６に保持される。基板Ｗは、当該基板Ｗとステージ２６の間に静電力を発生させることで、トレー３２上に保持される。トレー３２は、当該トレー３２に冷却ガスを接触させることで冷却される。基板Ｗは、真空チャンバ内にプラズマを発生させることでエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】反応性ガスの消費量を抑えることができるエッチング装置を提供する。
【解決手段】エッチング装置は、シリンダ１５内の固体の二フッ化キセノンを気化させた二フッ化キセノンガスをエッチング室１１に供給し、該エッチング室１１内に搬入された試料Ｗをエッチングする。エッチング装置は、エッチング室１１内で移動可能に支持され、試料Ｗをエッチングする処理空間２２と、該処理空間２２に供給する二フッ化キセノンガスを一時的に貯留する貯留空間２３とに区画するとともに、処理空間２２と貯留空間２３との間で二フッ化キセノンガスを流通不能にするステージ２１を備えた。さらに、処理空間２２と貯留空間２３とを連通するバルブ４５ａを備えた配管４５と、バルブ４５ａを開閉制御してガスを処理空間２２に供給する制御装置１６とを備えた。 （もっと読む）

【課題】ダウンストリーム型プラズマで加工物を処理するプラズマ処理システムを提供すること。
【解決手段】本プラズマ処理システムの処理チャンバは、電力供給電極と接地板の間に一般的に配置されたプラズマ・キャビティを有するチャンバ蓋、プラズマ・キャビティから接地板で隔離された処理空間、および加工物を保持するための処理空間中の基板支持物を含む。プラズマ・キャビティで、直接プラズマが生成される。接地板は、プラズマ・キャビティから処理空間中に入ることを許されるプラズマから電子およびイオンを除去して遊離基のダウンストリーム型プラズマを供給する開口と適合される。この開口は、プラズマ・キャビティと処理空間の間の光の見通し通路も無くする。他の態様では、チャンバ蓋から少なくとも１つの取外し可能な側壁部を取り除いて、または挿入して、処理チャンバの体積を調整することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、放電管の損耗を抑制することができるプラズマ発生装置、プラズマ処理装置、および電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】内部にプラズマを生起する空間を有する放電管と、前記放電管の内部にマイクロ波を導入するマイクロ波導入手段と、前記放電管の一方の端部に設けられ、前記放電管内部の軸中心側の領域に向けて第１のガスを導入する第１の導入部と、前記放電管の内周面側の領域に向けて第２のガスを導入する第２の導入部と、を有するガス導入手段と、を備えたことを特徴とするプラズマ発生装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】シリコンのエッチングレートを高くでき、かつエッチングの質を良好にできるエッチング装置を提供する。
【解決手段】ノズルヘッド５１を移動方向ｂにＮ個並べる。被処理物９を移動方向ｂに相対移動させる。ノズルヘッド５１の対向面５２を被処理物９から距離Ｚ［ｍ］だけ隔てて対向させ、吹出し口５３からフッ化水素及びオゾンを含むエッチングガスを吹き出し、吸込み口５４から吸い込む。エッチングガスの流量は、被処理物９が前記移動方向に相対的に片道移動される間にエッチングされるシリコンの厚さが約ｔ［ｍ］となる量とする。ノズルヘッド５１の数Ｎは、Ｎ１≦Ｎ≦Ｎ２とする。
Ｎ１＝ｔ／（１×１０^−７）
Ｎ２＝５０００×ｔ／Ｚ^２ （ただし、Ｎ１の小数点以下は切り上げ、Ｎ２の小数点以下は切り捨てる。） （もっと読む）

【課題】ロック室で被処理体に付着する異物粒子数の低減とスループットの向上を両立させる真空処理装置の提供。
【解決手段】真空室と、該真空室を減圧するための真空ポンプと、該真空ポンプと前記真空室を接続する排気ライン４１の途中に設けられたバルブ４３と、該バルブ４３の開度を制御する制御手段とを有し、前記制御手段は、前記真空室を大気雰囲気から減圧する際の減圧開始直後から減圧速度を実質的に一定に制御し、かつ、前記減圧速度が８０ｋＰａ／ｓ以下になるように前記バルブ４３の開度を調整するように構成し、OPEN速度が調整可能なバルブ４３により、制御コンピュータによって減圧速度を自動的に調整できる構成とする。 （もっと読む）

【課題】被処理物の位置によって処理量に差が出るのを抑制できる表面処理装置を提供する。
【解決手段】表面処理装置１に処理ガスの給排部２０と被処理物９の移動手段２０を設ける。給排部２０の供給ライン３０の共通供給路３２から複数の供給枝路３３を分岐させ、各供給枝路３３の吹出し口３３ａを被処理物９との対向面２４に開口させる。吸引ライン４０の共通吸引路４２に合流する複数の吸引枝路４３の吸引口４３ａを対向面２４に開口させる。対向面２４のほぼ全体が被処理物９と対向しているときの対向面２４と被処理物９との間の処理路３のコンダクタンスＳ１と、複数の供給枝路３３及び複数の吸引枝路４３の並列コンダクタンスＳ２とが、Ｓ２＜７５００×Ｓ１になるようにする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プロセスガスの無駄な消費を抑制することができるプラズマ処理装置、プラズマ処理方法、および電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】間隔を隔てて対向する一対の電極と、前記一対の電極間に電界を印加する電界印加手段と、前記一対の電極間にプロセスガスを導入する複数の導入管と、前記導入管に前記プロセスガスを供給するガス供給手段と、前記複数の導入管のそれぞれに設けられ、前記プロセスガスの導入を制御する選択弁と、前記導入管から前記一対の電極の間に導入される前記プロセスガスの流路上に設けられる被処理物のプラズマ処理されるべき処理領域の位置に関するデータに基づいて、前記選択弁を制御する制御手段と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理の単位時間当たりの処理量の安定化を図り、これによりワークに目的とする所定の処理量でプラズマ処理を施すことができるプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】本発明のプラズマ処理方法は、対向配置された一対の電極間にワーク１０を位置させ、ワーク１０の被処理面１０１に処理ガスを供給するとともに、一対の電極間に電圧を印加し、それにより処理ガスを活性化させてプラズマを発生させ、被処理面１０１に対してプラズマ発生領域Ｓを走査することにより、被処理面１０１の内側に設定された有効領域１０１ａにエッチングを施す際に、プラズマ発生領域Ｓが、被処理面１０１の有効領域１０１ａの外側に設定された非有効領域１０１ｂに滞在するときのみ、プラズマ発生領域Ｓ近傍を排気することによって、エッチングレートの安定化を図る。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理の単位時間当たりの処理量の著しい低下を抑制し、これによりワークに対して効率よくプラズマ処理を施すことができるプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】本発明のプラズマ処理方法は、対向配置された一対の電極間にワーク１０を位置させ、ワーク１０の被処理面１０１に処理ガスを供給するとともに、一対の電極間に電圧を印加し、それにより処理ガスを活性化させてプラズマを発生させ、被処理面１０１に対してプラズマ発生領域Ｓを走査することにより、被処理面１０１にエッチングを施す際に、一定時間ごとに排気を行うことによって、エッチングレートの安定化を図る。なお、排気の時間間隔は、エッチングレートが所定の許容下限値を下回らないように、適宜設定されるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】半導体加工処理容器内部材は、ハロゲンガスを含む環境でプラズマエッチング加工されると、早期に腐食損傷を受けるとともに、微小なパーティクルを発生して処理容器内を汚染して、半導体の加工生産能力を甚しく低下させる問題がある。
【解決手段】めっき皮膜やＰＶＤ皮膜等からなるアンダーコート層を有する基材の表面に、そのアンダーコート層中に炭素と水素を主成分とする超微小固体粒子を侵入させると共に、該アンダーコート層材表面にも、これらの超微小固体粒子の集合体からなる皮膜を被覆形成してなる半導体加工装置用部材である。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ源が処理容器から離れていても、ラジカル又はプラズマを失活させることなく処理容器へ導入することが可能な基板処理装置を提供すること。
【解決手段】 被処理基板Ｗに対して処理を施す処理容器２１と、ラジカル又はプラズマを生成するプラズマ源２６と、プラズマ源２６で生成されたラジカル又はプラズマを、処理容器２１に導入する導入配管３０と、を備え、導入配管３０の内壁が、ダイヤモンドライクカーボン膜３１、又はＣ−Ｈ系膜でコーティングされている。 （もっと読む）

【課題】シリコンのエッチング処理において、雰囲気ガスの巻き込みを防止したり、処理ガスが系外に漏洩したりするのを防止する。
【解決手段】ノズルヘッド２０の被処理物９と対向すべき対向面２３に、処理ガスを噴出する噴出口２１と、ガスを吸引する吸引口２２を移動方向ａに離間させて形成する。被処理物９を、対向面２３と平行に対向する仮想の面ＰＬに沿ってノズルヘッド２０に対し移動方向ａに相対移動させる。ノズルヘッド２０の移動方向ａの端部にガス遮蔽凸部２４ａを設ける。ガス遮蔽凸部２４ａは、対向面２３より仮想面ＰＬの側へ突出するとともに、仮想面ＰＬに沿って移動方向ａと交差する方向に延びている。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて処理の均一性の向上を図ることのできるシャワーヘッド及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】シャワーヘッド１００の中央部には、処理ガスを供給するための中央側ガス吐出孔１０が複数設けられている。また、シャワーヘッド１００の周辺部には、処理ガスを供給するための周辺側ガス吐出孔１１が複数設けられている。中央側ガス吐出孔１０と、周辺側ガス吐出孔１１との間の領域には、多数の排気孔３０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ワークにプラズマ処理を施す際に、そのワークの一部に処理痕を形成することにより、この処理痕を検出することによって、プラズマ処理の際の条件を推定可能にするプラズマ処理方法を提供すること。
【解決手段】本発明のプラズマ処理方法は、有効領域１０１ａの全面にエッチング加工を施す方法であって、［１］ワーク１０をプラズマ処理装置の載置部に載置する準備工程と、［２］ワーク１０の非有効領域１０１ｂに処理痕１１０を形成する第１の処理痕形成工程と、［３］有効領域１０１ａにプラズマ処理を施す本処理工程と、［４］非有効領域１０１ｂに処理痕１２０を形成する第２の処理痕形成工程とを有する。各処理痕１１０、１２０の凹部の深さから、各処理痕１１０、１２０を形成する際のエッチング条件を算出することができるので、これにより、本処理におけるエッチング条件を推定することができる。 （もっと読む）

【課題】プロセスチャンバ内雰囲気の濃度を瞬時に変更可能として、液晶デバイスや半導体デバイスの生産に必要なプラズマ反応処理プロセスを高い生産性で低コストに実現できること。
【解決手段】各成分ガスの温度分布式流量調整器に対して与えられる新たな流量設定値は、濃度変更の前後で総流量値が同一となることを条件として、想定される変更後のプロセスガス濃度から逆算することにより求められた値とされ、かつ排出管路の圧力制御器は、変更開始から所定の微少時間に限り、圧力設定モードから弁開度設定モードに切り替えられると共に、変更直後の圧力変動を緩和すべく経験的に求められた弁開度設定値が与えられる。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、基板エッチングシステム及びプロセスに関する。一実施形態において、本方法は、堆積プロセス中に基板上に材料を堆積し、第１エッチングプロセス中に基板の第１層をエッチングし、第２エッチングプロセス中に基板の第２層をエッチングすることを含み、第１プロセス中、第１バイアス電力が基板に印加され、第２エッチングプロセス中、第２バイアス電力が基板に印加される。別の実施形態において、システムは、第１ガスをチャンバに供給するための第１ガスパネルと、第２ガスをチャンバに供給するための第２ガスパネルと、ガスをチャンバに方向付けしてチャンバ及びパネル内外へのガス間の迅速なガス移行を促進するための複数のフローコントローラを備えたガス送出システムを含む。
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【課題】半導体製造プロセスにおけるプラズマエッチングに使用したときに、エッチングレートを高く維持しながら、面内均一性を向上させることができるプラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】厚さ方向に貫通するガス通過用の複数の貫通孔５を有する板状のセラミックプレート４、及び、セラミックプレート４内部に配設された、線状の放電部７をそれぞれ有する複数組の線状電極６を有する第１電極１と、第１電極１との間に間隔を開けて、一方の面２ａと第１電極１の一方の面１ａとが向かい合うように平行に配置された、板状の第２電極２と、第１電極１に配設された複数組の線状電極６のそれぞれに別々に接続され、各組の線状電極６と第２電極２との間にそれぞれ独立してナノパルス電圧を印加できる複数のパルス発生回路を有する電源３ａ，３ｂとを備えたプラズマ発生装置１００。 （もっと読む）

【課題】真空処理装置のターボ分子ポンプで跳ね返された微粒子がウエハに付着するのを防止するため、処理室内に遮蔽用の衝立を設置する場合に、処理室内のガス流れを乱したり、流れが停滞する空間ができ、その結果、新たな異物発生源ができてしまうという問題や、衝立部の清掃が新たに必要になるなどの問題がある。
【解決手段】真空処理装置の処理室のターボ分子ポンプの上部に設置されているガス流量を調節するために流量制御弁の構造を工夫することにより、微粒子が逆流するのを防止するようにすることで跳ね返り異物の低減ができ、かつ衝立を別途設置した場合の新たな異物発生源や新たな衝立部の清掃などの課題の解決が可能となる。 （もっと読む）